专利名称：半导体设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体设备，特别涉及具有多个腔室的半导体设备。
背景技术：
随着半导体制造技术的发展，为了提高产能，半导体设备从单个工艺腔室发展为多个工艺腔室。通常，多个工艺腔室公用排气系统(包括排气泵)，以减少半导体设备的成本。具体地，请结合图I所示的现有的半导体设备的结构示意图。半导体设备包括两个工艺腔室，分别是第一工艺腔室10和第二工艺腔室20，所述半导体设备为灰化(ash)设备。所述第一工艺腔室10具有与之相连接的第一排气管311，所述第一排气管311用于将第一工艺腔室10中的废气排出腔室；所述第二工艺腔室20具有与之相连接的第二排气管312。所述第二排气管312用于将第二工艺腔室20中的废气排出。为了降低设备的成本并且简化半导体设备的结构，现有的第一工艺腔室10和第二工艺腔室20公用一套公共排气装置。请结合图1，所述公共排气装置包括第一公共排气管32、第二公共排气管33，、第三公共排气管34、自动压力控制阀(APC valve) 40、ISO阀50和真空泵60，其中，所述第一公共排气管32的一端连接第一排气管311和第二排气管312，所述第一公共排气管32的另一端与自动压力控制阀40相连接，所述自动压力控制阀40与第二公共排气管33的一端相连接，所述第二公共排气管33的另一端与ISO阀50相连接，所述ISO阀50与第三公共排气管34的一端相连接。所述第三公共排气管34的另一端与真空泵60相连接。在实际中发现，上述半导体设备的第一工艺腔室或第二工艺腔室发生泄露(process chamber leak issue)时,本领域技术人员无法快速获得具体是哪个工艺腔室发生泄露，需要花费大量的时间去对每一腔室进行真空检测，增加了维修时间，从而降低了半导体设备的利用率。
发明内容
本发明解决的问题是提供了一种半导体设备，解决了现有技术中工艺腔室泄露时无法快速确认泄露腔室、维修时间偏长的问题，提高了半导体设备的利用率。为解决上述问题，本发明提供一种半导体设备，包括至少两个工艺腔室，每一工艺腔室具有对应的腔室排气管，所述排气管连接至公共排气装置，至少一个工艺腔室的排气管上设置有手动阀。 可选地，每一工艺腔室的排气管上设置有手动阀。可选地，所述半导体设备为灰化设备。可选地，所述公共排气装置包括公共排气管，与所述排气管和手动阀相连接；真空泵，与所述公共排气管相连接，所述真空泵与所述公共排气管之间设置有自动压力控制阀和ISO阀。与现有技术相比，本发明具有以下优点本发明提供的半导体设备包括至少两个工艺腔室，并且至少一个工艺腔室中设置有手动阀，当发现半导体设备有泄露问题时，利用该手动阀能够将与之相连接的工艺腔室进行隔离，从而对半导体设备进行排查，有利于尽快查处发生泄露的工艺腔室，缩短维修时间，提高半导体设备的利用率。
图I是现有的半导体设备的结构示意图；图2是本发明一个实施例的半导体设备的结构示意图。
具体实施例方式发明人发现，由于现有的半导体设备包括多个工艺腔室，多个工艺腔室公用一套公共排气装置，当半导体设备中一个或多个工艺腔室发生泄露时，无法快速确定发生泄露的工艺腔室，使得现有的半导体设备的维修时间偏长，半导体设备的利用率偏低。 为解决上述问题，本发明提供一种半导体设备，包括至少两个工艺腔室，每一工艺腔室具有对应的腔室排气管，所述排气管连接至公共排气装置，至少一个工艺腔室的排气管上设置有手动阀。下面结合实施例对本发明的技术方案进行详细地说明。为了更好地说明本发明的技术方案，请结合图2所示的本发明的一个实施例的半导体设备的结构示意图。所述半导体设备可以为刻蚀设备、沉积设备、光刻设备等各种具有两个以上工艺腔室的半导体设备。本实施例中，所述半导体设备为刻蚀设备，所述半导体设备为灰化设备。作为一个实施例，所述半导体设备包括两个工艺腔室，分别是第一工艺腔室100和第二工艺腔室200。在其他的实施例中，所述半导体设备也可以包括3个或更多的工艺腔室。所述第一工艺腔室100和第二工艺腔室200分别具有与之对应相连接的排气管路。如图2所示，第一工艺腔室100与第一排气管路3111相连接，第二工艺腔室200与第二排气管路31112相连接。作为优选的实施例，所述第一排气管路3111上设置有第一手动阀700。在半导体设备发生泄露，需要对各个工艺腔室进行检测时，所述第一手动阀700用于将第一工艺腔室100与半导体设备的其他工艺腔室进行隔离。所述第二排气管路3112上设置有第二手动阀800，在半导体设备发生泄露，需要对各个工艺腔室进行检测时，所述第二手动阀800用于将第二工艺腔室200与半导体设备的其他工艺腔室进行隔离。作为一个实施例，也可以仅在第一工艺腔室100或第二工艺腔室200中的一个上设置手动阀。仍然参考图2，所述第一排气管路3111和第二排气管路3112分别与公共排气装置相连接。作为一个实施例，所述公共排气装置包括公共排气管，所述公共排气管包括第一公共排气管320、第二公共排气管330、第三公共排气管340、自动压力控制阀400、ISO阀500、真空泵600。如图所示，作为一个实施例，。第一公共排气管320的一端与第一排气管路3111及对应的第一手动阀700、第二排气管路3112及对应的第二手动阀800相连接，所述第一公共排气管320的另一端与自动压力控制阀400相连接，所述自动压力控制阀400和ISO阀500通过第二公共排气管330相连接，所述ISO阀500通过第三公共排气管340与真空泵600相连接。在其他的实施例中，所述自动压力控制阀400与所述ISO阀的顺序可以相互调换。本发明所述的真空泵600为干泵(dry pump)。在其他的实施例中,所述真空泵600也可以为其他类型的泵。在实际中，当发现半导体设备有腔室泄露问题时，可以利用与工艺腔室对应相连接的手动阀将该工艺腔室从半导体设备中隔离，再对半导体设备进行真空检测，若将该工艺腔室隔离后，半导体设备的泄露问题消除，则说明该工艺腔室存在泄露；若将该工艺腔室隔离后，半导体设备的泄露问题依然存在，则说明该工艺腔室不存在泄露问题，需要采用相同的方法对其他的工艺腔室进行测试。综上，本发明提供的半导体设备包括至少两个工艺腔室，并且至少一个工艺腔室 中设置有手动阀，当发现半导体设备有泄露问题时，利用该手动阀能够将与之相连接的工艺腔室进行隔离，从而对半导体设备进行排查，有利于尽快查处发生泄露的工艺腔室，缩短维修时间，提高半导体设备的利用率。因此，上述较佳实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种半导体设备，包括至少两个工艺腔室，每一工艺腔室具有对应的腔室排气管，所述排气管连接至公共排气装置，其特征在于，至少一个工艺腔室的排气管上设置有手动阀。
2.如权利要求I所述的半导体设备，其特征在于，每一工艺腔室的排气管上设置有手动阀。
3.如权利要求I所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为灰化设备。
4.如权利要求I所述的半导体设备，其特征在于，所述公共排气装置包括公共排气管，与所述排气管和手动阀相连接； 真空泵，与所述公共排气管相连接，所述真空泵与所述公共排气管之间设置有自动压力控制阀和ISO阀。
全文摘要
本发明解决的问题是提供了一种半导体设备，包括至少两个工艺腔室，每一工艺腔室具有对应的腔室排气管，所述排气管连接至公共排气装置，至少一个工艺腔室的排气管上设置有手动阀。本发明解决了现有技术中工艺腔室泄露时无法快速确认泄露腔室、维修时间偏长的问题，提高了半导体设备的利用率。
文档编号H01L21/67GK102751219SQ20121026190
公开日2012年10月24日 申请日期2012年7月26日 优先权日2012年7月26日
发明者张程, 王旭东 申请人:上海宏力半导体制造有限公司