专利名称：基板处理系统、基板搬送方法、程序和计算机存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及进行基板的处理的基板处理系统、基板处理系统的基板的搬送方法、 程序和计算机存储介质。
背景技术：
例如在半导体器件的制造工序的光刻工序中，依次进行在晶片上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光成规定的图案的曝光处理、对被曝光的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等的一系列处理，在晶片上形成有规定的抗蚀剂图案。这些一系列处理通过作为装载有处理晶片的各种处理单元和搬送晶片的搬送单元等的基板处理系统的涂敷显影处理系统进行。
例如，如图18所示，涂敷显影处理系统200历来一体地包括用于从外部搬入搬出盒式部件C的盒式部件站201 ;进行抗蚀剂涂敷处理、显影处理和热处理等各种处理的多个处理单元呈多层设置的处理站202 ;和在相邻的曝光单元E与处理站202之间进行晶片的交接的接口站203 (专利文献I)。
在盒式部件站201设置有载置有从外部被搬入的盒式部件C的盒式部件载置板 210 ;和在盒式部件载置板210的盒式部件C和处理站202之间搬送晶片的晶片搬送机构 211。此外，在处理站202的盒式部件站201—侧设置有交接块212，该交接块212暂时收容从盒式部件载置板210被搬送至处理站的基板和在处理单元的各层间被搬送的基板。在交接块212在上下方向上多层地设置有暂时载置晶片的交接单元(未图示)。在交接块212，与交接块212相邻地设置有专门在各交接单元的各层间进行晶片的搬送的其它的晶片搬送机构213。
而且，在涂敷显影处理系统200中，当进行晶片处理时，首先，在规定的盒式部件载置板210载置收容有I批次的多个晶片的盒式部件C。接着，通过晶片搬送机构211依次交接盒式部件C内的晶片，并将该晶片被搬送至交接块212。之后，各晶片被搬送至处理站202和曝光单元E并被处理，完成处理后的晶片通过晶片搬送机构211从处理站202返回盒式部件载置板210的盒式部件C。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-278027号公报发明内容
发明想要解决的问题
但是，近年来，在涂敷显影处理系统中，要求该涂敷显影处理系统在洁净室地面面积所占的比例即覆盖区域(footprint)变小。
为了使覆盖区域变小，需要使各处理单元小型化、缩小晶片的搬送所需的空间等。 但是，为了处理单元的小型化，需要重新认识该处理单元的结构自身，制约很多。
另一方面，在使晶片的搬送所需的空间变小的情况下，例如能够提案通过将交接块212的配置变更为例如与现有相比更靠近盒式部件载置板210来缩短处理站202。但是， 在交接块212，需要相邻地设置用于在各交接单元的各层之间搬送晶片的其它的晶片搬送机构213，因此交接块212也受到配置上的制约。因此，在交接块212的配置变更方面也存在限制。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于使基板处理系统的覆盖区域变小。
用于解决问题的方法
为了达到上述目的，本发明提供一种基板处理系统，该基板处理系统包括处理站，其在上下方向上多层地设置有处理基板的多个处理单元；盒式部件载置部，其载置收容多个基板的盒式部件；和配置在上述处理站与上述盒式部件载置部之间的基板搬送机构， 该基板处理系统的特征在于在上述处理站和上述基板搬送机构之间，多层地设置有多个交接单元，该多个交接单元暂时收容在上述盒式部件载置部与上述处理站之间被搬送的基板以及在上述处理单元的各层之间被搬送的基板，上述基板搬送机构包括在上述盒式部件载置部与各上述交接单元之间搬送基板的第一搬送臂；和在各上述交接单元的各层之间搬送基板的第二搬送臂。
根据本发明，配置在处理站和盒式部件载置部之间的基板搬送机构具有第一搬送臂和第二搬送臂，因此，能够利用基板搬送机构实施盒式部件载置部与交接单元之间的基板搬送和在各交接单元的各层之间的基板搬送的双方。因此，不需要现有设置的、为了在交接单元的各层之间进行的基板搬送而专门设置的基板搬送机构。其结果是，不存在将交接块的配置变更为靠近盒式部件载置部时的制约，能够将交接块配置为 与现有相比更靠近盒式部件载置部。因此，根据本发明，能够使基板处理系统的覆盖区域变小。
另一的观点的本发明提供一种基板处理系统的基板搬送方法，其中，该基板处理系统包括处理站，其在上下方向上多层地设置有处理基板的多个处理单元；盒式部件载置部，其载置收容多个基板的盒式部件；和配置在上述处理站和上述盒式部件载置部之间的基板搬送机构，该基板搬送方法的特征在于在上述处理站和上述基板搬送机构之间，多层地设置有多个交接单元，该多个交接单元暂时收容在上述盒式部件载置部和上述处理站之间被搬送的基板以及在上述处理单元的各层之间被搬送的基板，上述盒式部件载置部和各上述交接单元之间的基板搬送通过上述基板搬送机构的第一搬送臂进行，在各上述交接单元的各层之间的基板搬送通过上述基板搬送机构的第二搬送臂进行。
根据又一观点的本发明，提供一种计算机存储介质，该计算机存储介质为了利用基板处理系统执行基板处理系统的基板搬送方法，存储有在控制该基板处理系统的控制部的计算机上动作的程序，能够进行非暂时的读取，其中，该基板处理系统包括处理站，其在上下方向上多层地设置有处理基板的多个处理单元；盒式部件载置部，其载置收容多个基板的盒式部件；和配置在上述处理站与上述盒式部件载置部之间的基板搬送机构，在上述处理站与上述基板搬送机构之间，多层地设置有多个交接单元，该多个交接单元暂时收容在上述盒式部件载置部与上述处理站之间被搬送的基板以及在上述处理单元的各层之间被搬送的基板，该计算机存储介质的特征在于上述盒式部件载置部与各上述交接单元之间的基板搬送通过上述基板搬送机构的第一搬送臂进行，在各上述交接单元的各层之间的基板搬送通过上述基板搬送机构的第二搬送臂进行。
发明效果根据本发明，能够使基板处理系统的覆盖区域变小。
图1是表示本实施方式的基板处理系统的内部结构的概略的平面图。图2是表示本实施方式的基板处理系统的内部结构的概略的侧视图。图3是表示本实施方式的基板处理系统的内部结构的概略的侧视图。图4是表示晶片搬送机构的结构的概略的立体图。·图5是表示晶片搬送机构的结构的概略的侧视图。图6是表示交接单元的结构的概略的正视图。图7是表示板和搬送臂的结构的概略的平面图。图8是表示板和搬送臂的结构的概略的平面图。图9是表示利用基板处理系统进行的晶片处理的主要的工序的流程图。图10是表示在水平方向上设置有多个晶片搬送机构的情况下的盒式部件站2的结构的概略的平面图。图11是表示在上下方向上设置有多个晶片搬送机构的情况下的盒式部件站2的结构的概略的侧视图。图12是表示在水平方向上设置有多个晶片搬送机构的情况下的盒式部件站2的结构的概略的平面图。图13是表示在水平方向上设置有多个晶片搬送机构的情况下的盒式部件站2的结构的概略的平面图。图14是表示在水平方向上设置有多个晶片搬送机构的情况下的盒式部件站2的结构的概略的平面图。图15是表示在上下方向上设置有多个晶片搬送机构的情况下的晶片搬送机构附近的结构的概略的背面图。
图16是表不另一实施方式的基板处理系统的内部结构的概略的侧视图。图17是表示另一实施方式的基板处理系统的内部结构的概略的侧视图。图18是表示现有的基板处理系统的内部结构的概略的平面图。
附图标记说明
1
2
3
4
5
610111213
基板处理系统盒式部件站(盒站)
处理站曝光单元接口站控制装置
盒式部件搬入搬出部(盒搬入搬出部)晶片搬送部
盒式部件载置站(盒载置站)
盒式部件载置板(盒载置板)
20搬送路径
21晶片搬送机构
22交接块
30 35 交接单元
40下部反射防止膜形成单元
41抗蚀剂涂敷单元
42上部反射防止膜形成单元
43显影处理单元
50 52 热处理单元
53粘附(adhesion)单兀
54周边曝光单元
60 65 交接单元
70 72 晶片搬送机构
90晶片搬送机构
100第一搬送臂
101第二搬送臂
102保持部
110臂驱动部
111基台
112旋转驱动部
113传动轴
120筐体
140 -一 146 板
150贯通孔
151升降销
160基板搬送装置
170直线运动导轨
171,172升降基台
173、174升降机构
175电动机
176滑轮(pulley)
W曰日日/T
F杯式部件
D晶片搬送区域
C盒式部件
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本实施方式的基板处理系统I的内部结构的概略的平面图。图2和图3是表示基板处理系统I的内部结构的概略的侧视图。另外，在本实施方式中，以基板处理系统I为例如进行基板的光刻处理的涂敷显影处理系统的情况为例进行说明。如图1所示,基板处理系统I例如具有将盒式部件站2、处理站3和接口站5 —体地连接而得到的结构，其中，该盒式部件站2在基板处理系统I与外部之间搬入搬出收容有多个晶片W的盒式部件C，该处理站3包括多个在光刻处理中对晶片W实施规定的处理的处理单元，该接口站5在处理站3和与处理站3相邻的曝光单元4之间进行晶片W的交接。此外，基板处理系统I具有进行各种处理单元等的控制的控制装置6。盒式部件站2例如由盒式部件搬入搬出部10和晶 片搬送部11构成。盒式部件搬入搬出部10例如设置在基板处理系统I的Y方向负方向(图1的左方向)一侧的端部。在盒式部件搬入搬出部10设置有作为盒式部件载置部的盒式部件载置站12。在盒式部件载置站12上例如设置有四个盒式部件载置板13。盒式部件载置板13在水平方向的X方向(图1的上下方向)上并列(并排)设置为一列。这些盒式部件载置板13，当对基板处理系统I的外部搬入搬出盒式部件C时，能够载置盒式部件C。如图1所示，在晶片搬送部11设置有能够在沿X方向延伸的搬送路径20上自由移动的晶片搬送机构21和交接块22。在交接块22，如图2和图3所示，从下向上依次多层地设置有交接单元30 35，该交接单元30 35暂时收容在盒式部件载置板13和处理站3之间被搬送的基板。晶片搬送机构21的动作由控制装置6控制。晶片搬送机构21在上下方向和铅直轴周围(Θ方向)上也能够自由移动，能够在盒式部件载置板13上的盒式部件C和交接块22的各交接单元30 35之间、以及交接单元30 35的各层之间搬送晶片W。另外，对晶片搬送机构21和交接单元30 35的详细的结构在之后说明。在与盒式部件站2相邻的处理站3，设置有具备各种单元的多个、例如三个块部件G1、G2、G3。在处理站3的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一块部件(第一块)G1，在处理站3的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二块部件(第二块)G2。此外，在处理站3的接口站5 —侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第三块部件(第三块)G3。例如在第一块部件G1，沿晶片W的处理顺序按从下至上的顺序且从盒式部件站2一侧向接口站5 —侧(图1的Y方向正方向侧)依次叠层地配置有多个液处理单元。具体而言，例如如图2所示，在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成反射防止膜(以下称为“下部反射防止膜”)的下部反射防止膜形成单元40在最下层呈上下2层地配置。在其上方的层，对晶片W涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷单元41和在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成反射防止膜(以下称为“上部反射防止膜”)的上部反射防止膜形成单元42在水平方向上并列地配置，该单元41、42在上下方向上各配置有2层。上部反射防止膜形成单元42与抗蚀剂涂敷单元41相比设置在处理站3的接口站5 —侧(图1的Y方向正方向侧)。此外，在上部反射防止膜形成单元42和抗蚀剂涂敷单元41之上的层，呈上下2层地配置有对曝光后的晶片W进行显影处理的显影处理单元43。另外，也可以代替上部反射防止膜形成单元42配置例如在抗蚀剂膜的上层形成拨水性的保护膜的保护膜涂敷单元。如图2所示，上述各处理单元40 43在水平方向具有多个在处理时收容晶片W的杯式部件F，能够同时进行多个晶片W的处理。例如在第二块部件G2，如图3所示，进行晶片W的热处理的热处理单元50 52、对晶片W进行疏水化处理的粘附单元53、将晶片W的外周部曝光的周边曝光单元54，与上述各处理单元40 43同样，沿晶片W的处理顺序在铅直方向和水平方向上并列地配置。热处理单元50 52具有载置并加热晶片W的热板和载置并冷却晶片W的冷却板，能够进行加热处理和冷却处理的两者。例如在第三块部件G3，从下侧起依次设置有多个交接单元60 65。如图1所示，在被交接块22和第一块部件Gl 第三块部件G3围成的区域，形成有晶片搬送区域D。在晶片搬送区域D，例如如图3所示，从下侧起依次设置有多个晶片搬送机构70 72。各晶片搬送机构70 72例如具有能够在Y方向、X方向、Θ方向和铅直方向上自由移动的搬送臂。晶片搬送机构70 72在晶片搬送区域D内移动，能够将晶片W搬送至周围的交接块22、第一块部件G1、第二块部件G2和第三块部件G3内的相同程度的高度的规定的单元。
在接口站5设置有晶片搬送机构90。晶片搬送机构90例如具有能够在前后方向、Θ方向和上下方向上自由移动的搬送臂。晶片搬送机构90例如能够将晶片W支承于搬送臂，在第三块部件G3内的各交接单元和曝光单元4之间搬送晶片W。接着，对所示的晶片搬送机构21和交接单元30 35的结构进行说明。图4是表示晶片搬送机构21的结构的概略的立体图，图5是表示晶片搬送机构21的结构的概略的侧视图。如图4和图5所示，晶片搬送机构21具有在上下方向上并列地配置的第一搬送臂100和第二搬送臂101。第一搬送臂100具有其前端分支为两个而得到的大致U字形状，能够在盒式部件C与交接块22之间搬送晶片W。在第一搬送臂100的上表面设置有用于吸附保持晶片W的吸引孔(未图示)。第二搬送臂101具有直径比晶片W大的大致3/4圆环类形状(C字形状)，能够在交接块22的各层之间、在上下方向上进行晶片W的交接。在第二搬送臂101，例如在四个部位设置有向该第二搬送臂101的内侧突出的保持部102。在各保持部102的上表面设置有用于吸附保持晶片W的吸引孔(未图示)。在第一搬送臂100和第二搬送臂101的基端部设置有臂驱动部110。通过该臂驱动部110，各搬送臂100、101能够分别独立地在水平方向上移动。这些搬送臂100、101和臂驱动部110被支承于基台111。在基台的下方设置有旋转驱动部112。基台111经设置在该基台111的上表面的传动轴113与旋转驱动部112连接。通过该旋转驱动部112，基台111和各搬送臂100、101能够以传动轴113为中心轴旋转。此外，旋转驱动部112以能够使晶片搬送部11的搬送路径20在水平方向上自由移动的方式构成。接着，对交接单元30的结构进行说明。图6是表示交接单元30的结构的概略的侧视图，图7和图8是表示交接单元30的结构的概略的横截面图。如图6所示，交接单元30例如具有晶片搬送机构21和处理站3 —侧的面开口的四棱柱形状的筐体120。晶片搬送机构21的各搬送臂100、101和晶片搬送机构70 72的各搬送臂能够从该开口自由访问(进出)交接单元30的内部。在筐体120的内侧，保持晶片W的多个板140 146在铅直方向上叠层设置。板140例如为载置晶片W并对其进行温度调整的温度调整板。如图7所示，板140例如具有大致圆盘形状。板140具有水平的上表面，在该上表面，例如设置有用于吸附保持晶片W的吸引孔(未图示)。在板140的内部，作为温度调整用例如内置有珀尔帖(Peltier)元件等温度调整部件(未图示)，能够将载置在板140的晶片W的温度调整为所期望的温度、例如23°C。在板140形成有在上下方向上贯通的多个贯通孔150。在贯通孔150设置有升降销151。升降销151能够通过汽缸等升降驱动机构(未图示)上下移动。升降销151插通贯通孔150内，突出至板140的上表面，能够支承晶片W并使晶片W升降。因此，通过第一搬送臂100上下移动，能够在第一搬送臂100和升降销151之间交接晶片W。板141、142的结构也与板140相同。板143例如是载置晶片W并对其进行冷却的冷却板。在板143的内部形成有使冷却用的冷却介质流通的冷却介质流路(未图示)，能够冷却载置在板143的晶片W。在板143的外周边缘部，例如如图8所示，在俯视时沿周向以规定的间隔设置有凹部143a，该凹部143a与第二搬送臂101的保持部102的形状对应地呈凹状凹入。因此，能够通过第二搬送臂101相对于板143相对地上下移动，在第二搬送臂101和板143之间进行晶片W的交接。板144 146的结构也与板143相同。交接单元31的结构与交接单元30的结构相同，因此省略说明。在交接单元32、33仅设置有例如七个与板143相同结构的板，关于其它的结构，与交接单元30相同。在这种情况下，交接单元32、33内的晶片W不通过第一搬送臂100在与盒式部件C之间被搬送，而仅利用第二搬送臂101在交接块22内的各层之间进行搬送。此外，交接单元34、35仅设置有例如七个与板140相同结构的板，关于其它结构，与交接单元30相同。在这种情况下，交接单元34、35内的晶片W仅通过第一搬送臂100进行与盒式部件C之间的搬送。S卩，在具有上述那种结构的晶片搬送机构21和交接块22，通过晶片搬送机构21的第一搬送臂100，进行盒式部件C与交接单元30、31间的晶片搬送以及盒式部件C与交接单元34、35间的晶片搬送。此外，通过第二搬送臂101，在交接单元30、31与交接单元32、33之间进行晶片搬送。另外，关于交接块22的结构，并不限定于本实施方式，对于交接块22内的各交接单元30 35的配置和数量，另外，各交接单元30 35内的各板140 146的配置和数量，也能够任意地决定。此外，利用晶片搬送机构21进行的晶片W的搬送由控制装置6以使得在基板处理系统I的各处理单元进行的晶片W的处理效率最大化的方式控制。具体而言，在利用第一搬送臂100、例如在盒式部件C和交接单元30之间进行的晶片W的搬送的时间、与利用第二搬送臂101进行的从交接单元30搬向交接单元32的晶片W的搬送的时间重叠的情况下，使任一个晶片W的搬送优先，令另一个晶片W至优先搬送的晶片W的搬送完成为止为待机状态。而且，此时控制装置6以使得成为待机状态的时间最小、换言之使得由于产生待机状态的基板处理系统I的处理能力的下降为最小限度(最小)的方式选择优先搬送的晶片W。控制装置6例如由具备CPU和/或存储器等的计算机构成。在该控制装置6中，例如决定在基板处理系统I的各种处理单兀进行的晶片处理的内容和各晶片W的搬送路径的处理方案作为程序例如存储在存储器。通过执行该程序，控制基板处理系统I的各种处理单元和上述各晶片搬送机构的动作，进行基板处理系统I的晶片W的各种处理和搬送的控制。另外，上述程序例如是记录在能够由计算机读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(⑶)、磁光盘(MO)、存储卡等的能够由计算机读取的存储介质H的程序，也可以是从该存储介质H安装至控制装置6的程序。在以上那样构成的基板处理系统1，例如进行以下那样的晶片处理。图9是表示该晶片处理的主要工序的例子的流程图。当进行晶片W的处理时，首先，收容有多个晶片W的盒式部件C被载置在盒式部件站2的规定的盒式部件载置板13。之后，盒式部件C内的各晶片W被晶片搬送机构21的第一搬送臂100依次取出，并被搬送至交接块22的例如交接单元30。被搬送至交接单元30的晶片W例如被载置在板140，并被进行温度调整处理至规定的温度(图9的工序SI)。接着，晶片W被晶片搬送机构70搬送至第一块部件Gl的下部反射防止膜形成单元40，在晶片W上形成下部反射防止膜(图9的工序S2)。之后，晶片W被搬送至第二块部件G2的热处理单元50，被进行加热处理。之后，晶片W被搬送至粘附单元53，被进行粘附(adhesion)处理(图9的工序S3)。
接着，晶片W被晶片搬送机构70搬回交接单元30，载置在板143。载置在板143的晶片W被冷却至规定的温度，之后，被晶片搬送机构21的第二搬送臂101搬送至相同的交接块22的交接单元32。之后，晶片W被晶片搬送机构71搬送至抗蚀剂涂敷单元41，在晶片W上形成抗蚀剂膜(图9的工序S4)。之后，晶片W被晶片搬送机构71搬送至热处理单元51，被进行预烘焙(pre-bake)处理(图9的工序S5)。之后，晶片W被晶片搬送机构71搬送至相同的第二块部件G2的上部反射防止膜形成单元42，在晶片W上形成上部反射防止膜(图9的工序S6)。之后，晶片W被晶片搬送机构71搬送至热处理单元51，被加热，被进行温度调节。接着，晶片W被搬送至周边曝光单元54，被进行周边曝光处理(图9的工序S7)。之后，晶片W被晶片搬送机构71搬送至第三块部件G3的交接单元62。被搬送至交接单元62的晶片W被接口站5的晶片搬送机构90搬送至曝光单元4，被进行曝光处理(图9的工序S8)。接着，晶片W被晶片搬送机构90搬送至第三块部件G3的交接单元64。之后，晶片W被晶片搬送机构72搬送至第二块部件G2的热处理单元52，被进行曝光后烘焙处理(图9的工序S9)。之后，晶片W被晶片搬送机构72搬送至显影处理单元43，被显影(图9的工序S10)。在显影结束后，晶片W被搬送至热处理单元52，被进行后烘焙(post bake)处理(图9的工序SI I)。之后，晶片W被晶片搬送机构72搬送至交接块22的交接单元34。然后，交接单元34的晶片W被晶片搬送机构21的第一搬送臂100搬送至规定的盒式部件载置板13的盒式部件C。这样，完成一系列的光刻工序。根据以上的实施方式，配置在处理站3和盒式部件载置站12之间的晶片搬送机构21具有第一搬送臂100和第二搬送臂101，因此，能够利用该晶片搬送机构21进行盒式部件载置站12上的盒式部件C与各交接单元30 35之间的晶片搬送和在各交接单元30 35的各层之间的晶片搬送。因此，不需要现有为了进行交接单元30 35的各层之间的晶片搬送而专门设置的、例如图18所示的其它的晶片搬送机构213。因此，不存在将交接块22的配置变更为靠近盒式部件载置站12时的制约，能够将交接块22配置为与现有相比更靠近盒式部件载置站12。其结果，能够使基板处理系统I的覆盖区域变小。此外，因为例如利用具有温度调整功能、冷却功能的板140 146构成交接单元30 35，所以能够在晶片W的搬送的间歇进行该晶片W的温度调整和冷却。由此，能够提高基板处理系统I的晶片处理的处理能力。此外，能够削减现有的设置在处理站3的温度调整用的单元和冷却用的单元。因此，能够使处理站3小型化，能够进一步减小基板处理系统I的覆盖区域。另外，在以上的实施方式中，对在盒式部件站2设置有一个晶片搬送机构21的情况的例子进行了说明，但是，如已述的方式，存在利用第一搬送臂100在盒式部件C和交接单元30之间进行的晶片W的搬送的时间、与利用第二搬送臂101进行的从交接单元31搬向交接单元32的晶片W的搬送的时间重叠的情况。在这种情况下，使任一个晶片W的搬送优先，令另一个晶片W至优先搬送的晶片W的搬送完成为止为待机状态，但是为了避免该待机状态，也可以设置多个晶片搬送机构21。具体而言，例如也可以如图10所示的方式，将在铅直方向和水平方向上分别独立地自由移动的多个晶片搬送机构21a、21b以在俯视时该晶片搬送机构21a、21b的水平方向上的移动路径重叠的方式配置在搬送路径20。此外，例 如也可以如图11所示的方式，将多个晶片搬送机构21a、21b在上下方向上配置多个。在图10，作为以在俯视时多个晶片搬送机构21a、21b的水平方向上的移动路径重叠的方式配置的例子，描绘将该晶片搬送机构21a、21b例如沿搬送路径20并列的情况。在这种情况下，例如也可以利用靠近盒式部件Cl、C2 (图10的X方向正方向侧)设置的晶片搬送机构21a在该盒式部件Cl、C2和交接单元30 35之间搬送晶片W，利用靠近盒式部件C3、C4 (图10的X方向负方向侧)设置的晶片搬送机构21b在该盒式部件C3、C4和交接单元30 35之间搬送晶片W。由此，能够使各晶片搬送机构21a、21b的沿搬送路径20的移动距离、即水平方向尚的移动距离为最小限度，因此能够有效地搬送晶片W。此外，通过设置多个晶片搬送机构21a、21b，即使在任一个例如晶片搬送机构21a发生了故障的情况下，也能够利用未发生故障的健全的晶片搬送机构21b继续晶片W的搬送。在这种情况下，优选使发生了故障的晶片搬送机构21a例如移动至搬送路径20的X方向正方向侧端部的退避位置，以不干扰健全的晶片搬送机构21b的方式。另外，当在上下方向上配置晶片搬送机构21a、21b时，并不需要如图11和图15所示那样配置在同一铅直线上，例如也可以为上下地配置的晶片搬送机构21a和晶片搬送机构21b在俯视时部分重合那样的配置。另外，在设置有多个晶片搬送机构21a、21b的情况下，也可以在交接单元30 35之间的晶片W的搬送中根据状况使用晶片搬送机构21a和晶片搬送机构21b的任一者。具体而言，即使在例如利用晶片搬送机构21a的第一搬送臂100在盒式部件Cl和交接单元34之间进行的晶片W的搬送的时间与利用第二搬送臂101在交接单元30、32层间进行的晶片W的搬送的时间重叠的情况下，在晶片搬送机构21b处于不进行晶片的搬送的状态的情况下和/或利用晶片搬送机构21b进行搬送时晶片W的待机时间少的情况下，也可以利用该晶片搬送机构21b的第二搬送臂101进行例如交接单元30、32的层间的搬送。由此，能够顺利地进行基板处理系统I内的晶片W的搬送。另外，在图10，描绘有在搬送路径20设置有多个晶片搬送机构21a、21b的情况，但是在设置多个晶片搬送机构21a、21b的情况下，并不必须设置搬送路径20。换言之，不需要使晶片搬送机构21a、21b沿图10的X方向移动。在这种情况下，例如也可以如图12所示，将晶片搬送机构21a配置在盒式部件C1、C2和交接块22之间，将晶片搬送机构21b配置在盒式部件C3、C4和交接块22之间。此时，对于各盒式部件Cl C4，也优选朝向各晶片搬送机构21a、21b的传动轴的中心方向配置。此外，在各交接单元30 35的筐体120形成的盒式部件载置站12—侧的开口以晶片搬送机构21a、21b的各搬送臂100、101能够从斜方向访问晶片W的方式构成。由此，不需要晶片搬送机构21a、21b的向X方向的移动，因此不需要设置搬送路径20。此外，关于盒式部件Cl C4自身的配置，例如也可以如图13所示，各盒式部件Cl、C2和晶片搬送机构21a的配置的轨迹在俯视时呈大致L字形。此外，在将多个晶片搬送机构21a、21b在俯视时在水平方向上并列配置的情况下，在俯视时的晶片搬送机构21a、21b之间，例如也可以如图14所示，设置搬送交接块22的各层之间的晶片W的、基板搬送机构160。基板搬送机构160例如包括与晶片搬送机构21的第二搬送臂101相同结构的搬送臂，能够在水平方向和上下方向上自由移动。在这种·情况下，即使在例如晶片搬送机构21a和晶片搬送机构21b双方均在搬送晶片W时需要进行交接单元30 35的各层之间的晶片W的搬送，也能够通过利用基板搬送机构160进行各层间的晶片W的搬送而在基板处理系统I内顺利地进行晶片W的搬送。接着，对图11所示那样的、在上下方向上配置有多个的多个晶片搬送机构21a、21b的结构进行说明。如图15所示，晶片搬送机构21a、21b例如被升降基台171、172分别支承，该升降基台171、172以相对于与铅直方向平行地延伸的直线运动导轨170、170能够在铅直方向上自由滑动的方式设置。各升降基台171、172能够通过沿直线运动导轨170、170并列设置的升降机构173、174分别独立地升降。升降机构173、174例如将电动机175和滑轮176组合而构成，能够通过控制电动机175的正转和反转来控制升降基台171、172的上升和下降。在各升降基台171、172的上表面，分别支承有各晶片搬送机构21a、21b的旋转驱动部112、112。由此，晶片搬送机构21a、21b的各基台111能够独立地旋转和升降。如上所述，无论在将多个晶片搬送机构21a、21b配置在上下方向的情况下还是在任一者例如晶片搬送机构21a发生了故障的情况下，均能够利用健全的晶片搬送机构21b继续晶片W的搬送。在这种情况下，优选使发生了故障的晶片搬送机构21a例如移动至直线运动导轨170的上端部的退避位置，以不干扰健全的晶片搬送机构21b。另外，当将晶片搬送机构21a、21b配置在上下方向上时，并不必须如图11和图15所示那样配置在同一铅直线上，例如也可以为上下地配置的晶片搬送机构21a和晶片搬送机构21b在俯视时部分重合那样的配置。另外，在以上的实施方式中，例如就第一块部件Gl的情况而言，如图2所示，各处理单元40 43沿晶片W的处理顺序在上下各配置有2层，但是第一块部件Gl和第二块部件G2内的各处理单元的配置和设置数量是晶片搬送机构21的设置数量和配置等适当地设定的，并不限定于本实施方式的内容。特别是在将多个晶片搬送机构21a、21b如图11所示的方式配置在同一铅直线上的情况下，也可以以使得在各处理单元40 43之间进行的晶片W的上下方向的移动距离为最小的方式配置各处理单元40 43。具体而言，例如以第一块部件Gl的情况下为例，例如也可以如图16所示，配置处理单元组GA，该处理单元组GA是将下部反射防止膜形成单元40、抗蚀剂涂敷单元41、上部反射防止膜形成单元42和显影处理单元43按照晶片W的处理顺序从下侧起依次逐层配置而得到的，进一步在该处理单元组GA的显影处理单元43的上方配置具有与处理单元组GA相同的结构的处理单元组GB。此时，各交接单元30 35也与对应的各处理单元一致地、从下至上以交接单元30、32、34、31、33、35的顺序配置。此外，例如关于第二块部件G2，如图17所示的方式配置处理单元组GC，该处理单元组GC是将进行晶片W的热处理的热处理单元50 52、对晶片W进行疏水化处理的粘附单元53、对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光单元54与上述各处理单元40 43同样地沿晶片W的处理顺序在铅直方向和水平方向上并列配置而得到的，并且，也可以在该处理单元组GC的上方配置与处理单元组GC相同的结构的处理单元组⑶。在这种情况下，例如优选通过配置在下方的晶片搬送机构21b，进行处理单元组GA、GC的晶片W的搬送，换言之，进行配置在交接块22的下半部分的各交接单元30、32、34 的晶片W的搬送，通过配置在晶片搬送机构21b的上方的晶片搬送机构21a进行处理单元组GB、⑶的晶片W的搬送。由此，搬送晶片W时的晶片搬送机构21a、21b的沿上下方向的移动距离变短，所以能够有效地搬送晶片W。此外，因为将多个晶片搬送机构21a、21b在上下方向上设置，所以，即使在例如利用晶片搬送机构21b的第二搬送臂101在交接单元30和交接单元31之间进行晶片W的搬送的时间与利用第一搬送臂100在盒式部件C和交接单元32之间进行搬送的时间重叠的情况下，例如在晶片搬送机构21a处于不进行晶片的搬送的状态的情况下和/或利用晶片搬送机构21a进行搬送时晶片W的待机时间更少的情况下，也可以以利用该晶片搬送机构21a的第二搬送臂101进行例如在交接单元30、31的层间的搬送的方式，通过控制装置6对晶片搬送机构21a、21b进行控制。这样，通过在上下方向上设置多个晶片搬送机构21a、21b，能够不降低基板处理系统I的处理能力地使该基板处理系统I的覆盖区域变小。另外，在以上的实施方式中，交接块22设置在晶片搬送部11，但是例如也可以设置在处理站3和盒式部件站2之间，也可以设置在处理站3。在任一情况下，均不需要现有为了进行交接单元30 35的各层之间的晶片搬送而专门设置的、图18所示的其它的晶片搬送机构213，因此，能够使基板处理系统I的覆盖区域变小。以上，参照附图对本发明的优选实施方式进行了说明，但是本发明并不仅限于该例。只要是本行业的从业者就能够在技术方案的范围所记载的思想的范畴内想到各种变更例或改正例，它们当然也属于本发明的技术的范围，这也能够被理解。本发明不限于该例而能够采用各种方式。本发明在基板为晶片以外的FPD (平板平面显示器)、光掩模用的掩模等其它基板的情况下也能够应用。产业上的可利用性本发明例如当对半导体晶片等基板进行处理时是有用的。
权利要求
1.一种基板处理系统，包括处理站，其在上下方向上多层地设置有处理基板的多个处理单元；盒式部件载置部，其载置收容多个基板的盒式部件；和配置在所述处理站与所述盒式部件载置部之间的基板搬送机构，该基板处理系统的特征在于 在所述处理站和所述基板搬送机构之间，多层地设置有多个交接单元，该多个交接单元暂时收容在所述盒式部件载置部与所述处理站之间被搬送的基板以及在所述处理单元的各层之间被搬送的基板， 所述基板搬送机构包括 在所述盒式部件载置部与各所述交接单元之间搬送基板的第一搬送臂；和 在各所述交接单元的各层之间搬送基板的第二搬送臂。
2.如权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于 所述基板搬送机构在俯视时在水平方向上并列地设置有多个。
3.如权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于 所述基板搬送机构在上下方向上并列地设置有多个。
4.如权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于 所述多个处理单元以使得利用该处理单元处理的基板的搬送路径成为最短的方式、在上下方向上按基板的处理顺序并列配置， 在所述处理站，按所述处理顺序配置的处理单元组在上下方向上至少设置有2层。
5.如权利要求2 4中任一项所述的基板处理系统,其特征在于 在所述交接单元的各层之间搬送基板的基板搬送装置，配置在所述处理单元和所述盒式部件载置部之间并且配置在多个所述基板搬送机构之间。
6.如权利要求2 4中任一项所述的基板处理系统,其特征在于 包括控制所述基板搬送机构的动作的控制装置， 所述控制装置进行一种控制，该控制是在利用所述第一搬送臂进行的基板搬送的时间与利用所述第二搬送臂进行的基板搬送的时间重叠的情况下，以使得基板为待机状态的时间成为最小限度的方式，利用任一个搬送臂优先搬送基板的控制。
7.如权利要求2 4中任一项所述的基板处理系统,其特征在于 包括控制所述基板搬送机构的动作的控制装置， 所述控制装置进行一种控制，该控制是在利用所述第一搬送臂进行的基板搬送的时间与利用所述第二搬送臂进行的基板搬送的时间重叠的情况下，使利用所述第一搬送臂进行的所述盒式部件载置部和各所述交接单元之间的基板搬送优先，并利用没在搬送基板的其它基板搬送机构在各所述交接单元的各层之间进行搬送的控制。
8.如权利要求1 4中任一项所述的基板处理系统,其特征在于 所述交接单元具有多个载置基板的板，各所述板是对基板进行冷却的冷却板或进行基板的温度调整的温度调整板。
9.如权利要求1 4中任一项所述的基板处理系统,其特征在于 所述基板搬送机构具有使所述第一搬送臂和所述第二搬送臂在水平方向和上下方向上移动的臂驱动部。
10.一种基板处理系统的基板搬送方法，其中，该基板处理系统包括处理站，其在上下方向上多层地设置有处理基板的多个处理单元；盒式部件载置部，其载置收容多个基板的盒式部件；和配置在所述处理站和所述盒式部件载置部之间的基板搬送机构，该基板搬送方法的特征在于 在所述处理站和所述基板搬送机构之间，多层地设置有多个交接单元，该多个交接单元暂时收容在所述盒式部件载置部和所述处理站之间被搬送的基板以及在所述处理单元的各层之间被搬送的基板， 所述盒式部件载置部和各所述交接单元之间的基板搬送通过所述基板搬送机构的第一搬送臂进行，在各所述交接单元的各层之间的基板搬送通过所述基板搬送机构的第二搬送臂进行。
11.如权利要求10所述的基板搬送方法，其特征在于 在利用所述第一搬送臂进行的基板搬送的时间与利用所述第二搬送臂进行的基板搬送的时间重叠的情况下，以使得基板为待机状态的时间成为最小限度的方式，利用任一个搬送臂优先搬送基板。
12.如权利要求11所述的基板搬送方法，其特征在于 所述基板搬送机构在俯视时在水平方向上并列地设置有多个。
13.如权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于 所述基板搬送机构在上下方向上并列地设置有多个。
14.如权利要求13所述的基板处理系统，其特征在于 所述多个处理单元以使得利用该处理单元处理的基板的搬送路径成为最短的方式、在上下方向上按基板的处理顺序并列配置， 在所述处理站，按所述处理顺序配置的处理单元组在上下方向上至少设置有2层。
15.如权利要求12 14中任一项所述的基板搬送方法，其特征在于 在利用所述第一搬送臂进行的基板搬送的时间与利用所述第二搬送臂进行的基板搬送的时间重叠的情况下，优先进行利用所述第一搬送臂进行的所述盒式部件载置部和各所述交接单元之间的基板搬送， 利用没在搬送基板的其它的基板搬送机构进行各所述交接单元的各层之间的搬送。
16.如权利要求12 14中任一项所述的基板搬送方法，其特征在于 所述交接单元的各层之间的搬送，利用设置在所述处理单元和所述盒式部件载置部之间并且设置在多个所述基板搬送机构之间的、进行所述交接单元的各层之间的搬送的基板搬送装置进行。
17.如权利要求10 14中任一项所述的基板搬送方法，其特征在于 所述交接单元具有多个载置基板的板，各所述板是对基板进行冷却的冷却板或进行基板的温度调整的温度调整板。
全文摘要
本发明使基板处理系统的覆盖区域变小。本发明的基板处理系统(1)包括处理站(3)，其在上下方向上多层地设置有多个处理单元；盒式部件载置台(12)，其载置收容多个晶片(W)的盒式部件；和配置在处理站(3)和盒式部件载置台(12)之间的晶片搬送机构(21)，在该基板处理系统(1)中，在处理站(3)和晶片搬送机构(21)之间，配置有多层地设置有多个交接单元而构成的交接块(22)，该多个交接单元暂时收容在盒式部件载置台(12)和处理站(3)之间被搬送的晶片和在各处理单元的各层之间被搬送的基板。晶片搬送机构(21)包括在盒式部件载置台(12)和交接块(22)之间搬送晶片的第一搬送臂；和在交接单元的各层之间搬送晶片的第二搬送臂。
文档编号H01L21/677GK103021915SQ20121035669
公开日2013年4月3日 申请日期2012年9月21日 优先权日2011年9月22日
发明者榎木田卓, 中原田雅弘, 木山秀和, 饭田成昭, 宫田亮 申请人:东京毅力科创株式会社