专利名称：一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及单晶硅晶圆抛光片的包装技术，特别涉及一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺。
背景技术：
单晶硅晶圆抛光片表面吸附的颗粒会引起器件图形缺陷、外延缺陷、影响布局的完整性，是高成品率的最大障碍，特别是硅片键合时，引入微隙，同时也引起位错，影响键合强度和表层质量。因此，硅片表面颗粒度的控制是硅晶片加工的关键。硅晶圆抛光片的加工一般主要包括单晶生长一滚磨一切片一倒角一研磨一腐蚀一背损伤一背封一去边一抛光—清洗一包装等过程。硅抛光片再清洗甩干后就要进行表面检验，合格的硅抛光片放入片盒中并进行封装。因此，片盒的洁净度至关重要，直接影响了客户使用时的产品表面质量。为了保证洁净的抛光片不受到二次污染，应该对其包装盒的洁净度实施严格管控。目前行业中主要采用英特格(Entegris)公司生产的免洗片盒进行包装。但在使用中常发现，使用该片盒包装合格产品在放置一段时间后表面颗粒度有所增加，而且使用高洁净度的片盒不利于降低辅料成本，因此不适应半导体行业的高速发展和激烈的市场竞争。
发明内容
本发明的目的是针对抛光片包装技术的现状，提供一种过程简单、高效、成本低的盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺。本工艺采用ST0RM(TM)III旋转式片盒清洗机通过去离子水的喷淋设计来清洗二手片盒。本发明是通过这样的技术方案实现的一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺，其特征在于，将英特格公司的非免洗片盒用去离子水通过旋转式片盒清洗机清洗，以实现干燥且洁净度较高的片盒，先将清洗机的湿度调至25±5% ;温度调至90±10°C，氮气流量200±50L/min，氮气温度120±20°C，清洗工艺分成十六个步骤，分别采取顺时针和逆时针旋转对片盒进行内向冲洗；外向冲洗；内吹热氮气；外吹热氮气程序，其每个步骤设定的清洗时间、转速以及执行的程序如下表
权利要求
1. 一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺，其特征在于，将英特格公司的非免洗片盒用去离子水通过旋转式片盒清洗机清洗，以实现干燥且洁净度较高的片盒，先将清洗机的湿度调至25±5% ;温度调至90±10°C ;氮气流量200±50L/min ;氮气温度120±2(TC， 清洗工艺分成十六个步骤，分别釆取顺时针和逆时针旋转对片盒进行内向冲洗；外向冲洗； 内吹热氮气；外吹热氮气程序，其每个步骤设定的清洗时间、转速以及执行的程序如下表
全文摘要
本发明涉及单晶硅晶圆抛光片的包装技术，特别涉及一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺。本工艺步骤是将英特格公司的非免洗片盒用去离子水通过旋转式片盒清洗机清洗，以实现干燥且洁净度较高的片盒，先将清洗机的湿度调至25±5%；温度调至90±10℃；氮气流量200±50L/min；氮气温度120±20℃，清洗工艺分成十六个步骤，分别采取顺时针和逆时针旋转对片盒进行内向冲洗；外向冲洗；内吹热氮气；外吹热氮气程序，其每个步骤设定清洗时间、转速以及执行的程序。采用本工艺经过清洗后的片盒替代高洁净度的片盒，不仅省去了高洁净度辅料的成本，而且加强了硅片表面颗粒的控制。可以在半导体行业的高速发展和激烈的市场竞争占据有利地位。
文档编号H01L21/02GK102974581SQ20121053456
公开日2013年3月20日 申请日期2012年12月12日 优先权日2012年12月12日
发明者刘琦, 齐钊, 李诺, 孙希凯, 吕莹 申请人:天津中环领先材料技术有限公司