专利名称：光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置。
背景技术：
近些年，具有IOOGHz以上、30THz以下的频率的电磁波亦即太赫兹波受到关注。例如，能够将太赫兹波用于成像、分光计测等各种计测、非破坏性检查等。产生该太赫兹波的太赫兹波产生装置具有:产生具有亚皮秒(数百飞秒)左右的脉冲宽度的光脉冲(脉冲光)的光源装置和通过被由光源装置产生的光脉冲照射来产生太赫兹波的光导天线。作为上述光导天线，例如专利文献I公开了具有由η型半导体层、i型半导体层和P型半导体层按此顺序层叠而成的层叠体(pin构造)的太赫兹波产生元件(光导天线)。在该光导天线中，若经由形成于在P型半导体层上设有的电极的开口，向P型半导体层照射光脉冲，则太赫兹波从i型半导体层的整个侧面呈放射状射出。在上述专利文献I所记载的光导天线中，能够针对使用低温生长GaAs(LT — GaAs)基板制造而成的偶极子形状光导天线(PCA)，使产生的太赫兹波的强度增大10倍左右。然而，在专利文献I所述的光导天线中，向P型半导体层照射光脉冲，透过了该P型半导体层的光脉冲入射至i型半导体层，所以存在光脉冲的一部分被P型半导体层吸收，由此使太赫兹波的产生效率降低的问题。专利文献1:日本特开2007 - 300022号公报
发明内容
本发明的目的在于提供能够比以往高效地产生太赫兹波的光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置。这样的目的通过下述的本发明实现。本发明的光导天线的特征在于，是被脉冲光照射从而产生太赫兹波的光导天线，具备:第一导电层，其由包含第一导电型的杂质的半导体材料构成；第二导电层，其由包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质的半导体材料构成；半导体层，其位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，且由与所述第一导电层的半导体材料相比，载流子浓度低的半导体材料或与所述第二导电层的半导体材料相比，载流子浓度低的半导体材料构成；第一电极，其与所述第一导电层电连接；以及第二电极，其与所述第二导电层电连接，所述半导体层包括:入射面，其位于成为法线方向与所述第一导电层、所述半导体层以及所述第二导电层的层叠方向正交的状态的侧面并供所述脉冲光入射；和射出面，其位于所述半导体层的侧面的与所述入射面不同的位置并供所述太赫兹波射出。由此，光脉冲(脉冲光)不经由含有第一杂质的半导体层、含有第二杂质的半导体层，而直接入射至半导体层，所以能够防止光脉冲被含有第一杂质的半导体层、含有第二杂质的半导体层吸收，能够高效地产生太赫兹波。
另外，能够使该光导天线和产生光脉冲的光源在基板上与该基板一体形成，来制造太赫兹波产生装置，由此，能够实现太赫兹波产生装置的小型化。另外，能够在使光源和光导天线形成于基板上时进行光源和光导天线的对位，由此，能够容易制造太赫兹波产生
>J-U ρ α装直。在本发明的光导天线中，优选上述半导体在从上述层叠方向观察时，呈从上述入射面朝向上述射出面的方向成为长边方向的纵长形状。由此，利用半导体层能够沿该半导体层的长边方向引导太赫兹波，由此，能够产生具有指向性的太赫兹波。在本发明的光导天线中，优选上述半导体层具有如下部位，即在从上述层叠方向观察时，随着从上述入射面朝向上述半导体层的射出太赫兹波的射出面，与从上述入射面朝向上述射出面的方向正交的方向的上述半导体层的宽度逐渐增大的部位。由此，利用半导体层能够高效地引导太赫兹波。在本发明的光导天线中，优选以上述第二导电层的侧面与上述半导体层的上述入射面位于同一平面上的方式设置上述第二导电层，并且仅设置于上述半导体层上的一部分上，上述第二导电层具有与上述层叠方向垂直的法线。由此，仅在半导体层的入射面侧的一部分产生太赫兹波，所以能够抑制在半导体层内的太赫兹波彼此的干涉。在本发明的光导天线中，优选具有覆盖层，该覆盖层覆盖具有与上述层叠方向垂直的法线的上述半导体层的 侧面。由此，能够防止半导体层的腐蚀。在本发明的光导天线中，优选上述覆盖层的设置于上述射出面的上述覆盖层的构成材料的相对介电常数比上述半导体层的上述半导体材料的相对介电常数高。由此，由于太赫兹波具有要在介电常数更高的物质中前进的性质，所以在半导体层中产生的太赫兹波能够可靠地从该半导体层的射出面射出。在本发明的光导天线中，优选上述半导体层的半导体材料是III一 V族化合物半导体。由此，能够产生高强度的太赫兹波。本发明的太赫兹波产生装置具备:本发明的光导天线和产生上述脉冲光的光源。由此，能够提供具有上述本发明的效果的太赫兹波产生装置。在本发明的太赫兹波产生装置中优选为，具有基板，上述光源以及上述光导天线分别在上述基板上与该基板一体形成。由此，能够实现太赫兹波产生装置的小型化。另外，能够在使光源和光导天线形成于基板上时进行该光源和光导天线的对位，由此，能够容易制造太赫兹波产生装置。本发明的拍摄装置的特征在于，具备:本发明的光导天线、产生上述脉冲光的光源以及对从上述光导天线射出且被对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。由此，能够提供具有上述本发明的效果的拍摄装置。本发明的成像装置的特征在于，具备:本发明的光导天线、产生上述脉冲光的光源、对从上述光导天线射出并透过对象物或者被上述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据上述太赫兹波检测部的检测结果而生成上述对象物的图像的图像形成部。由此，能够提供具有上述本发明的效果的成像装置。本发明的计测装置的特征在于，具备:本发明的光导天线、产生上述光脉冲的光源、对从上述光导天线射出并透过对象物或者被上述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据上述太赫兹波检测部的检测结果而计测上述对象物的计测部。由此，能够提供具有上述本发明的效果的计测装置。
图1是表示本发明的太赫兹波产生装置的第一实施方式的图。图2是图1所示的太赫兹波产生装置的光导天线的俯视图。图3是图1所示的太赫兹波产生装置的光源装置的剖面立体图。图4是图3中的A — A线的剖视图。图5是图3中的B— B线的剖视图。图6是表示图1所示的太赫兹波产生装置的光导天线中的i型半导体层的其他构成例的俯视图。图7是表示本发明的太赫兹波产生装置的第二实施方式的图。图8是表示本发明的太赫兹波产生装置的第三实施方式的图。图9是表示本发明的太赫兹波产生装置的第四实施方式的图。图10是表示本发明的太赫兹波产生装置的第五实施方式的剖视图。图11是表示本发明的成像装置的实施方式的框图。图12是表示图11所示的成像装置的太赫兹波检测部的俯视图。图13是表示对象物的太赫兹带的频谱的曲线图。图14是表示对象物的物质A、B以及C的分布的图像的图。图15是表示本发明的计测装置的实施方式的框图。图16是表示本发明的拍摄装置的实施方式的框图。图17是表示本发明的拍摄装置的实施方式的立体图。
具体实施例方式以下结合附图所示的优选的实施方式，对本发明的光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置进行详细说明。第一实施方式图1是表示本发明的太赫兹波产生装置的第一实施方式的图。在该图1中，示出光导天线的沿图2中的S — S线的剖视图、光源装置的框图。图2是图1所示的太赫兹波产生装置的光导天线的俯视图，图3是图1所示的太赫兹波产生装置的光源装置的剖面立体图，图4是沿图3中的A — A线的剖视图，图5是沿图3中的B — B线的剖视图，图6是表示图1所示的太赫兹波产生装置的光导天线中的i型半导体层的其他构成例的俯视图。此外，以下，将图1、图3 图5中的上侧作为“上”、将下侧作为“下”来进行说明。如图1所示，太赫兹波产生装置I具有:产生作为激励光的光脉冲(脉冲光)的光源装置3、和通过被由光源装置3产生的光脉冲照射而产生太赫兹波的光导天线2。此外，太赫兹波是指频率为IOOGHz以上、30THz以下的电磁波，特别是指300GHz以上、3THz以下的电磁波。如图3 图5所示，在本实施方式中，光源装置3具有:产生光脉冲的光脉冲产生部4、对在光脉冲产生部4所产生的光脉冲进行脉冲压缩的第一脉冲压缩部5、对在第一脉冲压缩部5执行了脉冲压缩的光脉冲进行脉冲压缩的第二脉冲压缩部7以及对光脉冲进行放大的放大部6。放大部6被设置在第一脉冲压缩部5的前段，或者被设置在第一脉冲压缩部5和第二脉冲压缩部7之间，而在图示的构成中，放大部6被设置在第一脉冲压缩部5与第二脉冲压缩部7之间。由此，由第一脉冲压缩部5进行了脉冲压缩的光脉冲被放大部6放大，被放大部6放大了的光脉冲在第二脉冲压缩部7进行脉冲压缩。另外，从光源装置3射出的光脉冲的脉冲宽度(半值宽度)没有特别限定，但优选If秒以上、800f秒以下，特别优选IOf秒以上、200f秒以下。另外，将从光源装置3射出的光脉冲的频率设定为与后述的光导天线2的i型半导体层24的带隙对应的频率以上。另外，光脉冲产生部4能够采用例如DBR激光器、DFB激光器、锁模激光器等所谓的半导体激光器。对在该光脉冲产生部4产生的光脉冲的脉冲宽度虽然没有特别限定，但优选为Ip秒以上、IOOp秒以下。另外，第一脉冲压缩部5进行基于可饱和吸收的脉冲压缩。即，第一脉冲压缩部5具有可饱和吸收体，并利用该可饱和吸收体来压缩光脉冲，从而使该脉冲宽度减小。另外，第二脉冲压缩部7进行基于群速度色散补偿的脉冲压缩。即，第二脉冲压缩部7具有群速度色散补偿介质，在本实施方式中第二脉冲压缩部7具有耦合波导构造，通过该耦合波导构造来压缩光脉冲，从而使该脉冲宽度减小。另外，光源装置3的光脉冲产生部4、第一脉冲压缩部5、放大部6和第二脉冲压缩部7被一体化,即集成在同一基板上。具体而言，光源装置3具有:作为半导体基板的基板31、设置在基板31上的包层
32、设置在包层32上的有源层33、设置在有源层33上的波导构成工序用蚀刻停止层34、设置在波导构成工序用蚀刻停止层34上的包层35、设置在包层35上的接触层36、设置在波导构成工序用蚀刻停止层34上的绝缘层37、设置在基板31的表面的包层32侧的电极38、以及设置在接触层36和绝缘层37的表面的包层35侧的电极391、392、393、394、395。另夕卜，在光脉冲产生部4的波导构成工序用蚀刻停止层34与包层35之间设置有衍射光栅30。此外，波导构成工序用蚀刻停止层不局限于设置在有源层的正上面，例如也可以设置在包层中。此外，各部分的构成材料没有特别限定，但作为一个例子，作为基板31、接触层36例如可以分别列举GaAs等。另外，作为包层32、35、波导构成工序用蚀刻停止层34、衍射光栅30例如可以分别列举AlGaAs等。另外，作为有源层33例如可以列举采用了被称作多量子阱的量子效应的构成等。具体而言，作为有源层33，例如可以列举由将阱层(GaAs阱层)和势垒层(AlGaAs势垒层)交替且各多层地设置而成的多量子阱等构成的被称作渐变折射率型多量子阱的构造等。另外，在图示的构成中，光源装置3中的波导由包层32、有源层33、波导构成工序用蚀刻停止层34以及包层35构成。另外，包层35仅在波导的上部被设置成与该波导对应的形状。另外，通过蚀刻去除包层35的不需要的部分来形成包层35。此外，根据制造方法不同，也可以省略波导构成工序用蚀刻停止层34。另外，包层35以及接触层36分别是两个两个地设置。一方的包层35以及接触层36构成光脉冲产生部4、第一脉冲压缩部5、放大部6以及第二脉冲压缩部7的一部分，且连续设置，另一方的包层35以及接触层36构成第二脉冲压缩部7的一部分。即，在第二脉冲压缩部7设置有一对包层35和一对接触层36。另外，以与光脉冲产生部4的包层35对应的方式设置有电极391，另外，以与第一脉冲压缩部5的包层35对应的方式设置有电极392，另外，以与放大部6的包层35对应的方式设置有电极393，另外，以分别与第二脉冲压缩部7的2个包层35对应的方式设置有电极394以及395。此外，电极38是光脉冲产生部4、第一脉冲压缩部5、放大部6以及第二脉冲压缩部7的共用电极。而且,利用电极38和电极391构成光脉冲产生部4的一对电极，另外，利用电极38和电极392构成第一脉冲压缩部5的一对电极,另外，利用电极38和电极393构成放大部6的一对电极，另外，利用电极38和电极394、电极38和电极395构成第二脉冲压缩部7的两对电极。此外，在图示的构成中，光源装置3的整体形状呈长方体，但当然并不局限于此。另外，不对光源装置3的尺寸进行特别限定，例如能够设为Imm以上IOmm以下X0.5mm以上5_以下X0.1mm以上1_以下。此外，当然在本发明中，光源装置的构成不限于上述的构成。接下来，对光导天线2进行说明。如图1以及图2所示，光导天线2具有基板21和设置于基板21上的光导天线主体20。作为基板21，只要能够支承光导天线主体20，就不进行特别限定，例如，能够使用由各种半导体材料构成的半导体基板、由各种树脂材料构成的树脂基板、由各种玻璃材料构成的玻璃基板等，但优选半导体基板。另外，在使用半导体基板作为基板21的情况下，对于该半导体材料不进行特别限定，能够使用各种材料，但优选ΠΙ — V族化合物半导体。另夕卜，对于III 一 V族化合物半导体不进行特别限定，例如能够列举GaAs、InP、InAs, InSb等。另外，在图示的构成中，基板21的形状在从后述的η型半导体层22、i型半导体层24以及P型半导体层23的层叠方向观察时，呈四边形。此外，基板21的形状并不局限于四边形，除此而外，例如能够列举圆形、椭圆形、三角形、五边形、六边形等其他的多边形等。以下，将“从η型半导体层22、i型半导体层24以及P型半导体层23的层叠方向观察时”也称作“俯视”。另外，将“η型半导体层22、i型半导体层24以及P型半导体层23的层叠方向”也简称为“层叠方向”。光导天线主体20具备:n型半导体层(第一导电层)22、产生太赫兹波且具有引导该太赫兹波的功能的i型半导体层(半导体层)24、P型半导体层(第二导电层)23、绝缘层
25、以及构成一对电极的电极28 (第一电极)和电极(第二电极)29。在该情况下，在基板21上从基板21侧起按顺序层叠有(设置有)η型半导体层22、i型半导体层24以及P型半导体层23。S卩，在基板21上形成有从基板21侧起按顺序层叠η型半导体层22、i型半导体层24以及P型半导体层23而成的层叠体(pin构造)。进一步换言之，i型半导体层24被夹在η型半导体层22和P型半导体层23之间而形成。而且，i型半导体层24的、在η型半导体层22和ρ型半导体层23之间露出的面(即层叠体的侧面中的i型半导体层24的部分)中的图1中的左侧的端面构成供光脉冲入射的入射面241，图1中的右侧的端面构成供在该i型半导体层24产生的太赫兹波射出的射出面242。即，具有与层叠方向垂直的法线的i型半导体层24的面(侧面)的至少一部分可以透过光脉冲，具有与层叠方向垂直的法线的i型半导体层24的面的至少一部分可以透过在i型半导体层24产生的太赫兹光。由此，光脉冲不通过η型半导体层22、ρ型半导体层23，直接入射至i型半导体层24，所以能够防止光脉冲被η型半导体层22、ρ型半导体层23吸收，从而能够高效地产生太赫兹波。另外，绝缘层25被设置在基板21上和η型半导体层22上的未设置i型半导体层24的部位。另外，在η型半导体层22上的绝缘层25的一部分形成有开口 251。另外，电极28被设置在绝缘层25上，经由开口 251，与η型半导体层22接触，并与该η型半导体层22电连接。另外，电极29被设置在ρ型半导体层23上。S卩，电极29与ρ型半导体层23接触，并与该P型半导体层23电连接。该电极29被设置在P型半导体层23的几乎整体上，兼作使在i型半导体层24产生的太赫兹波反射的反射层。由此，能够使从ρ型半导体层23的上表面向外部漏出的太赫兹波向i型半导体层24侧(层叠体内部侧)反射，从而能够高效地引导太赫兹波。这里，不对i型半导体层24的形状进行特别限定，但优选呈长条形状。这里，长条形状指俯视时与一个方向正交的另一个方向的长度比一个方向的长度大的形状。而且，若满足该条件，则形状并不局限于长方形。由此，能够通过i型半导体层24，沿该i型半导体层24的长边方向引导太赫兹波，由此，能够产生具有指向性且高强度的太赫兹波。在图示的构成中，i型半导体层24呈长条形状，具体而言，呈在俯视时去除了扇形的中心侧的部分(包含构成扇形的外形的2条直线的交点的部分)的形状。S卩，i型半导体层24的入射面241是平面，射出面242是弯曲的凸面(弯曲面)。俯视时，i型半导体层24的入射面241的形状呈直线状，射出面242的形状呈圆弧状(曲线状)。另外，俯视时，i型半导体层24的宽度W从入射面241侧朝向射出面242侧渐增。此外，i型半导体层24的与宽度W正交的长边方向的长度LI比i型半导体层24的宽度W的最大宽度大。由此，能够通过i型半导体层24高效地引导太赫兹波。此外，i型半导体层24也可以是只有一部分的宽度W从入射面241侧朝向射出面242侧渐增。S卩，i型半导体层24具有俯视时宽度W从入射面241侧朝向射出面242侧渐增的部位即可。另外，不对i型半导体层24的尺寸进行特别限定，可以根据各种条件适当地进行设定，但i型半导体层24的长边方向的长度LI优选为30 μ m以上、3mm以下,更优选为30 μ m以上、0.3mm以下。另外，i型半导体层24的图示的角度(中心角)Θ优选为5°以上、170°以下，更优选为10°以上、90°以下。另外，不对η型半导体层22以及ρ型半导体层23的形状分别进行特别限定，但在图示的构成中，η型半导体层22形成为俯视时包含i型半导体层24以及ρ型半导体层23。另外，俯视时，i型半导体层24和ρ型半导体层23呈相同的形状。这样，俯视时，η型半导体层22以及ρ型半导体层23形成为与i型半导体层24相同的形状或者以包含i型半导体层24的方式形成，由此，俯视时，在i型半导体层24的几乎整体产生太赫兹波，所以能够产生高强度的太赫兹波。上述η型半导体层22由包含η型(第一导电型)杂质的半导体材料构成。优选η型半导体层22的载流子浓度(杂质浓度)为IXlO17 / cm3以上，更优选为1X102° / cm3以上，进一步优选1X102° / cm3以上、I X IO25 / cm3以下。此外，作为η型杂质，不进行特别限定，例如能够列举S1、Ge、S、Se等。另外，不对η型半导体层22的厚度dl进行特别限定，而是根据各种条件适当地设定，但优选为Ium以上、4mm以下,更加优选为Ium以上、10 μ m以下。另外，ρ型半导体层23由包含P型(第二导电型)杂质的半导体材料构成。优选P型半导体层23的载流子浓度为I X IO17 / cm3以上，更加优选为I X102° / cm3以上，进一步优选为1X102° / cm3以上、IXlO25 / cm3以下。此外，作为ρ型杂质不进行特别限定，例如可以列举Zn、Mg、C等。另外，不对ρ型半导体层23的厚度d2进行特别限定，而是根据各种条件适当地设定，但优选为Ium以上、2mm以下,更加优选为Ium以上、10 μ m以下。另外，i型半导体层24由半导体材料构成。优选构成该i型半导体层24的半导体材料为本征半导体，但也可以含有少量P型杂质、η型杂质。换句话说，i型半导体层24在含有η型杂质的情况下，可以说载流子浓度比η型半导体层22的低，另外，i型半导体层24在含有ρ型杂质的情况下，可以说载流子浓度比ρ型半导体层23的低。此外，优选i型半导体层24在含有η型杂质、ρ型杂质的任意一种的情况下，载流子浓度都比η型半导体层22以及ρ型半导体层23的低。具体而言，优选i型半导体层24的载流子浓度为IXlO18 / cm3以下，更加优选为IXlO12 / Cm3 以上、I X IO18 / cm3 以下，进一步优选为 I X IO12 / cm3 以上、I X IO16 / cm3 以下。另外，不对i型半导体层24的厚度d3进行特别限定，而是根据各种条件适当地设定，但优选为Ium以上、4mm以下,更加优选为Ium以上、10 μ m以下。若i型半导体层24的厚度d3未达到上述下限值，则很难通过其他的条件形成i型半导体层24，另外，若超过上述上限值，则通过其他的条件，耐压变得不充分，不能够在i型半导体层24内形成大电场强度的电场，由此不能够产生高强度的太赫兹波。此外，不对ρ型半导体层23、η型半导体层22、i型半导体层24的半导体材料分别进行特别限定，而是能够使用各种材料，但优选III一 V族化合物半导体。另外，不对III一V族化合物半导体进行特别限定,例如可以列举GaAs、InP、InAs> InSb等。另外，作为绝缘层25的构成材料，只要是具有绝缘性的材料，则不进行特别限定，例如能够列举氟类树脂、聚酰亚胺、环硼氮烷类化合物、氢化硅氧烷、苯并环丁烯、SiN, SiO2
坐寸ο此外，电源装置18分别经由未图示的焊盘、导线、接头等与电极28以及29电连接，以电极28侧为正的方式在电极28和电极29之间施加直流电压。接下来，对太赫兹波产生装置I的作用进行说明。在太赫兹波产生装置I中，首先，在光源装置3的光脉冲产生部4产生光脉冲。在光脉冲产生部4中产生的光脉冲的脉冲宽度比目标的脉冲宽度大。在该光脉冲产生部4产生的光脉冲通过波导，按顺序依次通过第一脉冲压缩部5、放大部6、第二脉冲压缩部7。首先，在第一脉冲压缩部5，对光脉冲进行基于可饱和吸收的脉冲压缩，光脉冲的脉冲宽度减小。接下来，在放大部6，将光脉冲放大。最后，在第二脉冲压缩部7，对光脉冲进行基于群速度色散补偿的脉冲压缩，光脉冲的脉冲宽度进一步减小。这样一来，产生目标的脉冲宽度的光脉冲，并从第二脉冲压缩部7射出。从光源装置3射出的光脉冲从光导天线2的侧方朝i型半导体层24的入射面241照射，并从该入射面241入射至i型半导体层24内，在i型半导体层24产生太赫兹波。通过i型半导体层24引导该太赫兹波，使其在该i型半导体层24内朝向射出面242侧前进。另外，在i型半导体层24内前进的太赫兹波中的通过了 ρ型半导体层23的太赫兹波被电极29反射，防止从ρ型半导体层23的上表面漏出，由此，能够高效地引导太赫兹波。而且，从射出面242射出在i型半导体层24的长边方向上具有指向性的太赫兹波。如以上说明所示，根据该太赫兹波产生装置1，光脉冲不经由η型半导体层22、p型半导体层23，而直接入射至i型半导体层24，所以能够防止光脉冲被η型半导体层22、ρ型半导体层23吸收一部分，从而能够高效地产生太赫兹波。另外，在i型半导体层24产生的太赫兹波被该i型半导体层24引导至规定方向，由此，能够产生具有指向性的太赫兹波。另外，光源装置3具有第一脉冲压缩部5、放大部6以及第二脉冲压缩部7，所以能够实现光源装置3的小型化、进而实现太赫兹波产生装置I的小型化，且能够产生所希望的波高、且所希望的脉冲宽度的光脉冲，由此，能够可靠地产生所希望的太赫兹波。另外，光导天线2的i型半导体层24的形状并不局限于上述形状，此外，例如能够列举图6 (a) 图6 (e)所示的形状。在图6 Ca)所示的i型半导体层24中，i型半导体层24的入射面241是弯曲的凹面(弯曲面)，射出面242是弯曲的凸面(弯曲面)。俯视时，i型半导体层24的入射面241的形状以及射出面242的形状分别呈圆弧状(曲线状)。此外，入射面241的曲率半径和射出面242的曲率半径可以相同，另外也可以不同。在图6 (b)所示的i型半导体层24中，i型半导体层24的入射面241以及射出面242分别是弯曲的凸面(弯曲面)。俯视时，i型半导体层24的入射面241的形状以及射出面242的形状分别呈圆弧状(曲线状)。此外，入射面241的曲率半径和射出面242的曲率半径可以相同，另外也可以不同。在图6 (C)所示的i型半导体层24中，i型半导体层24的入射面241以及射出面242分别是平面。俯视时，i型半导体层24的入射面241的形状以及射出面242的形状呈直线状。即，能够换句话说，i型半导体层24俯视为梯形。在图6 Cd)所示的i型半导体层24中，i型半导体层24的入射面241是弯曲的凹面(弯曲面)，射出面242是平面。俯视时，i型半导体层24的入射面241的形状呈圆弧状(曲线状)，射出面242的形状呈直线状。在图6 Ce)所示的i型半导体层24中，i型半导体层24的入射面241是弯曲的凸面(弯曲面)，射出面242是平面。俯视时，i型半导体层24的入射面241的形状呈圆弧状(曲线状)，射出面242的形状形呈直线状。
第二实施方式图7是表示本发明的太赫兹波产生装置的第二实施方式的图。在该图7中，示出光导天线的剖视图、光源装置的框图。此外，以下将图7中的上侧作为“上”、将下侧作为“下”来进行说明。以下，以与上述的第一实施方式的不同点为中心对第二实施方式进行说明，针对相同的事项可以省略说明。如图7所示，在第二实施方式的太赫兹波产生装置I中，光导天线2的P型半导体层23仅被设置在i型半导体层24上的入射面241侧的一部分。在图示的构成中，i型半导体层24的入射面241和ρ型半导体层23的入射面侧的端面(侧面，即具有与层叠方向垂直的法线的面)一致(位于同一平面上)，将P型半导体层23的长度(与LI方向相同的长度)L2设定为比i型半导体层24的长边方向的长度LI短。由此，仅在i型半导体层24的入射面241侧的一部分产生太赫兹波，所以能够抑制在i型半导体层24内的多个区域中产生的太赫兹波彼此的干涉。另外，只要ρ型半导体层23的尺寸比i型半导体层24小，就不进行特别限定，而是根据各种条件适当地设定，优选P型半导体层23的长度L2为I μ m以上、2mm以下，更加优选为3μπι以上、30μπι以下。另外，优选L2 / LI为0.00033以上、0.667以下，更加优选能为0.001以上、0.1以下。另外，在i型半导体层24上的未设置ρ型半导体层23的部位和电极29之间，即i型半导体层24上的比ρ型半导体层23更靠近射出面242侧，与ρ型半导体层23连续地设置有绝缘层26。作为该绝缘层26的构成材料，若是具有绝缘性的材料，则不进行特别限定，例如能够使用与上述的绝缘层25相同的材料。根据该太赫兹波产生装置1，也能够得到与上述的第一实施方式相同的效果。第三实施方式图8是表示本发明的太赫兹波产生装置的第三实施方式的图。在该图8中，示出光导天线的剖视图、光源装置的框图。此外，以下，将图8中的上侧作为“上”，将下侧作为“下”进行说明。以下，以与上述的第二实施方式的不同点为中心，对第三实施方式进行说明，对相同的事项省略说明。如图8所示，在第三实施方式的太赫兹波产生装置I中，光导天线2具有覆盖层
27。该覆盖层27覆盖层叠体的侧面中的i型半导体层24的部分，即，覆盖具有与层叠方向垂直的法线的i型半导体层24的表面。此外，覆盖层27覆盖在i型半导体层24的η型半导体层22和ρ型半导体层23之间露出的整个面。由此，i型半导体层24被密封，能够防止i型半导体层24的腐蚀等。另外，不对覆盖层27的厚度d4进行特别限定，而是根据各种条件进行适当地设定，但优选为IOnm以上、Imm以下，更加优选为I μ m以上、100 μ m以下，特别优选为设置在i型半导体层24的入射面241上的覆盖层27的厚度d4为Inm以上、100 μ m以下，更加优选为IOnm以上、I μ m以下。由此，能够抑制向入射面241入射的光脉冲被覆盖层27的吸收，能够可靠地密封i型半导体层24。
作为覆盖层27的构成材料，只要是能够密封i型半导体层24的材料，则不进行特别限定，但优选覆盖层27的构成材料的相对介电常数(介电常数)比构成i型半导体层24的半导体材料的相对介电常数低。太赫兹波具有会在介电常数更高的物质中前进的性质，所以由此，能够通过i型半导体层24高效地引导太赫兹波。另外，覆盖层27的构成材料的相对介电常数优选为20以下，更加优选为2以上10以下。作为这样的覆盖层27的构成材料(低介电常数材料)，例如能够列举聚酰亚胺(相对介电常数:3)、环硼氮烷类化合物(相对介电常数:2.3),SiN (相对介电常数:7)、Si02 (相对介电常数:4)、氢化硅氧烷(相对介电常数:3)、苯并环丁烯(相对介电常数:2.7)、氟类树月旨(相对介电常数:2.7)等。根据该太赫兹波产生装置1，也能够得到与上述的第二实施方式相同的效果。此外，该第三实施方式也能够适用于上述第一实施方式。第四实施方式图9是表示本发明的太赫兹波产生装置的第四实施方式的图。在该图9中，示出光导天线的剖视图、光源装置的框图。此外，以下将图9中的上侧作为“上”，将下侧作为“下”进行说明。以下，以与上述的第三实施方式的不同点为中心对第四实施方式进行说明，对相同的事项省略说明。如图9所示，在第四实施方式的太赫兹波产生装置I中，覆盖层27中的设置在i型半导体层24的射出面242的覆盖层27a的构成材料的相对介电常数(介电常数)比构成i型半导体层24的半导体材料的相对介电常数高。由此，由于太赫兹波具有会在介电常数更高的物质中前进的性质，所以能够从i型半导体层24的射出面242可靠地射出在该i型半导体层24产生的太赫兹波，从而能够产生高强度的太赫兹波。另外，不对覆盖层27a的厚度d5进行特别限定，而是根据各种条件进行适当地设定，优选为IOnm以上、Imm以下,更加优选为Ium以上、100 μ m以下。由此，能够从射出面242更加可靠地射出在i型半导体层24产生的太赫兹波。另外，作为覆盖层27a的构成材料，只要是其相对介电常数比构成i型半导体层24的半导体材料的相对介电常数高的材料，即只要是电介质材料，则不进行特别限定，但优选构成覆盖层27a的电介质材料的相对介电常数为20以上，更加优选为30以上、200以下。作为这样的电介质材料(高介电常数材料)，例如能够列举氮氧化铝铪(相对介电常数:20)、二氧化铪(相对介电常数:23)、三氧化二钇(相对介电常数:25)、氧化镧(相对介电常数:27)、五氧化二铌(相对介电常数:41)、二氧化钛(金红石)(相对介电常数:80)、氧化钛(相对介电常数:160)等。此外，覆盖层27a以外的覆盖层27与上述的第三实施方式相同，所以省略说明。根据该太赫兹波产生装置1，也能够得到与上述的第三实施方式相同的效果。此外，该第四实施方式也能够适用于上述第一实施方式。第五实施方式图10是表示本发明的太赫兹波产生装置的第五实施方式的剖视图。此外，以下将图10中的上侧作为“上”，将下侧作为“下”进行说明。以下，以与上述的第四实施方式的不同点为中心对第五实施方式进行说明，对相同的事项省略说明。如图10所示，在第五实施方式的太赫兹波产生装置I中，在基板21上分别设置有光源装置3以及光导天线2。该光源装置3以及光导天线2分别在基板21上与该基板21一体形成。即，光源装置3和光导天线2整体化。另外，在该太赫兹波产生装置I中，在基板21上形成光源装置3和光导天线2时同时进行光源装置3和光导天线2的对位，所以能够进行在工序误差范围内的高精度的对位。因此，与分别制造光源装置3和光导天线2，将它们进行对位且设置在基台上的情况相t匕，能够容易制造太赫兹波产生装置I。另外，由于光源装置3和光导天线2被整体化，所以能够实现太赫兹波产生装置I的小型化。另外，根据该太赫兹波产生装置1，也能够得到与上述的第四实施方式相同的效
果O此外,该第五实施方式也能够应用于上述第一 第三实施方式。成像装置的实施方式图11是表示本发明的成像装置的实施方式的框图，图12是表示图11所示的成像装置的太赫兹波检测部的俯视图，图13是表示对象物在太赫兹波段的频谱的曲线图，图14是表示对象物的物质A、B以及C的分布的图像的图。如图11所示，成像装置100具备:产生太赫兹波的太赫兹波产生部9、对从太赫兹波产生部9射出并透过对象物150或者被对象物150反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部11以及根据太赫兹波检测部11的检测结果来生成对象物150的图像即生成图像数据的图像形成部12。此外，太赫兹波产生部9与上述的太赫兹波产生装置I相同，从而省略说明。另外，使用具备使目的波长的太赫兹波通过的滤波器15和对通过了滤波器15的上述目的波长的太赫兹波进行检测的检测部17的结构作为太赫兹波检测部11。另外，例如使用将太赫兹波转换为热来进行检测的结构，即、使用将太赫兹波转换为热以能够检测该太赫兹波的能量(强度)的结构作为检测部17。作为这样的检测部，例如能够列举焦电传感器、测辐射热计等。此外，太赫兹波检测部11当然不限于上述的构成。另外，滤波器15具有二维配置的多个像素(单位滤波器部)16。即，各像素16被配置成行列状。另外，各像素16具有供相互不同的波长的太赫兹波通过的多个区域，S卩，具有所通过的太赫兹波的波长(以下也称“通过波长”)相互不同的多个区域。此外，在图示的构成中，各像素16具有第一区域161、第二区域162、第三区域163以及第四区域164。另外，检测部17具有分别与滤波器15的各像素16的第一区域161、第二区域162、第三区域163以及第四区域164对应地设置的第一单位检测部171、第二单位检测部172、第三单位检测部173以及第四单位检测部174。各第一单位检测部171、各第二单位检测部172、各第三单位检测部173以及各第四单位检测部174分别将通过了各像素16的第一区域161、第二区域162、第三区域163以及第四区域164的太赫兹波转换为热来进行检测。由此，在各像素16的每一个区域中，能够分别可靠地检测4个目的波长的太赫兹波。接下来，对成像装置100的使用例进行说明。首先，成为分光成像的对象的对象物150由3种物质A、B以及C构成。成像装置100进行该对象物150的分光成像。另外，这里作为一个例子，太赫兹波检测部11检测被对象物150反射的太赫兹波。在太赫兹波检测部11的滤波器15的各像素16中，使用第一区域161以及第二区域 162。另外，在将第一区域161的通过波长设为λ 1，将第二区域162的通过波长设为λ 2,将被对象物150反射的太赫兹波的波长λ I的成分的强度设为α I,波长λ 2的成分的强度设为α 2时，以该强度α 2和强度α I的差值(α 2 — α I)能够在物质Α、物质B和物质C中相互显著区别的方式，设定上述第一区域161的通过波长λ I以及第二区域162的通过波长入2。如图13所示，在物质A中，被对象物150反射的太赫兹波的波长λ 2的成分的强度α 2和波长λ I的成分的强度α I的差值(α 2 — α I)为正值。另外,在物质B中，强度α 2和强度α I的差值(α 2 — α I)为零。另外,在物质C中，强度α 2和强度α I的差值(α 2 — α I)为负值。在利用成像装置100进行对象物150的分光成像时，首先，利用太赫兹波产生部9产生太赫兹波，并朝对象物150照射该太赫兹波。然后,利用太赫兹波检测部11检测被对象物150反射的太赫兹波作为α I以及α 2。向图像形成部12发送该检测结果。此外，针对对象物150的整体进行向该对象物150的太赫兹波的照射以及被对象物150反射的太赫兹波的检测。在图像形成部12中，根据上述检测结果，求出通过了滤波器15的第二区域162的太赫兹波的波长λ 2的成分的强度α 2，和通过了第一区域161的太赫兹波的波长λ I的成分的强度α I的差值(α 2 — α I)。而且，将对象物150中的上述差值为正值的部位判断为物质Α，将对象物150中的上述差值为零的部位判断为物质B，将对象物150中的上述差值为负值的部位判断为物质C,进行确定。另外，在图像形成部12中，如图14所示，作成表示对象物150的物质Α、Β以及C的分布的图像的图像数据。将该图像数据从图像形成部12发送至未图示的监视器，在该监视器中，显示表示对象物150的物质Α、B以及C的分布的图像。该情况下，进行颜色区分，例如将对象物150的物质A分布的区域显示成黑色，将物质B分布的区域显示成灰色，将物质C分布的区域显示成白色。在该成像装置100中，如上所述，能够同时进行构成对象物150的各物质的鉴定，和该各物质的分布测定。此外，成像装置100的用途并不局限于上述，例如能够对人照射太赫兹波，对透过此人或者被此人反射的太赫兹波进行检测，在图像形成部12中进行处理，从而能够判别该人是否持有枪支、刀具、违法药物等。计测装置的实施方式图15是表示本发明的计测装置的实施方式的框图。以下，以与上述的成像装置的实施方式的不同点为中心对计测装置的实施方式进行说明，对相同的事项标注与上述的实施方式相同的附图标记，省略详细的说明。
如图15所示，计测装置200具备:产生太赫兹波的太赫兹波产生部9、对从太赫兹波产生部9射出并透过对象物160或者被对象物160反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部11以及根据太赫兹波检测部11的检测结果来计测对象物160的计测部13。接下来，对计测装置200的使用例进行说明。在利用计测装置200进行对象物160的分光计测时，首先利用太赫兹波产生部9产生太赫兹波，并朝对象物160照射该太赫兹波。然后，利用太赫兹波检测部11对透过对象物160或者被对象物160反射的太赫兹波进行检测。向计测部13发送该检测结果。此夕卜，对对象物160的整体进行向该对象物160的太赫兹波的照射以及透过对象物160或者被对象物160反射的太赫兹波的检测。在计测部13中，根据上述检测结果，对通过滤波器15的第一区域161、第二区域162、第三区域163以及第四区域164的太赫兹波各自的强度进行把握，进行对象物160的成分以及其分布的分析等。拍摄装置的实施方式图16是表示本发明的拍摄装置的实施方式的框图。另外，图17示出表示本发明的拍摄装置的实施方式的简要立体图。以下，以与上述的成像装置的实施方式的不同点为中心对拍摄装置的实施方式进行说明，对相同的事项标注与上述的实施方式相同的附图标记，省略详细的说明。如图16以及图17所示，拍摄装置300具备:产生太赫兹波的太赫兹波产生部9、对从太赫兹波产生部9射出且被对象物170反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部11以及存储部14。而且，这些各部被收纳在拍摄装置300的框体310。另外，拍摄装置300具备:使被对象物170反射的太赫兹波收敛(成像)于太赫兹波检测部11的透镜(光学系统)320和用于使在太赫兹波产生部9中产生的太赫兹波射出至框体310的外部的窗部330。透镜320、窗部330由使太赫兹波透过、折射的硅、石英、聚乙烯等部件构成。此外，窗部330也可以是像狭缝那样仅设置有开口的构成。接下来，对拍摄装置300的使用例进行说明。在利用拍摄装置300拍摄对象物170时，首先，利用太赫兹波产生部9产生太赫兹波，朝对象物170照射该太赫兹波。然后,利用透镜320将被对象物170反射的太赫兹波收敛(成像)于太赫兹波检测部11并进行检测。将该检测结果发送至存储部14，并进行存储。此外，对对象物170的整体进行向该对象物170的太赫兹波的照射以及被对象物170反射的太赫兹波的检测。另外，也能够将上述检测结果例如发送至个人计算机等外部装置。在个人计算机中，能够根据上述检测结果进行各处理。以上，根据图示的实施方式对本发明的光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置进行了说明，但本发明并不局限于此，能够将各部的构成置换为具有相同功能的任意的构成。另外，也可以将其他的任意的构成物附加于本发明。另外，本发明可以为组合上述各实施方式中的任意的2个以上的构成(特征)而成的结构。另外，在上述实施方式中，将第一导电层设为η型半导体层，将第二导电层设为P型半导体层，但本发明并不局限于此，也可以将第一导电层设为P型半导体层，将第二导电层设为η型半导体层。
另外，在本发明中，也可以在光源装置中独立设置光脉冲产生部。符号说明I…太赫兹波产生装置；2…光导天线；20…光导天线主体；21…基板；22…η型半导体层;23…P型半导体层;24...1型半导体层；241…入射面；242…射出面；25、26…绝缘层；251…开口 ；27、27a…覆盖层；28、29…电极；3…光源装置；30…衍射光栅；31…基板；32、35…包层；33…有源层；34…波导构成工序用蚀刻停止层；36…接触层；37…绝缘层；38,391 395...电极；4…光脉冲产生部；5…第一脉冲压缩部；6…放大部；7…第二脉冲压缩部；9…太赫兹波产生部；11…太赫兹波检测部；12...图像形成部；13…计测部；14…存储部；15…滤波器；16…像素；161…第一区域；162…第二区域；163…第三区域；164…第四区域；17…检测部；171…第一单位检测部；172…第二单位检测部；173…第三单位检测部；174…第四单位检测部； 18...电源装置；100…成像装置；150、160、170…对象物；200…计测装置；300…拍摄装置;310…框体;320…透镜;330…窗部。
权利要求
1.一种光导天线，其特征在于， 是被脉冲光照射从而产生太赫兹波的光导天线，具备: 第一导电层，其由包含第一导电型的杂质的半导体材料构成； 第二导电层，其由包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质的半导体材料构成； 半导体层，其位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，且由与所述第一导电层的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料或与所述第二导电层的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料构成； 第一电极，其与所述第一导电层电连接；以及 第二电极，其与所述第二导电层电连接， 所述半导体层包括:入射面，其位于成为法线方向与所述第一导电层、所述半导体层以及所述第二导电层的层叠方向正交的状态的侧面并供所述脉冲光入射；和射出面，其位于所述半导体层的侧面的与所述入射面不同的位置并供所述太赫兹波射出。
2.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于， 所述半导体层在从所述层叠方向观察时，呈从所述入射面朝向所述射出面的方向成为长边方向的纵长形状。
3.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于， 所述半导体层具有如下部位，即在从所述层叠方向观察时，随着从所述入射面朝向所述射出面，与从所述入射面朝向所述射出面的方向正交的方向的所述半导体层的宽度逐渐增大的部位。
4.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于， 所述第二导电层以所述第二导电层的侧面与所述半导体层的所述入射面位于同一平面上的方式设置，且仅设置在所述半导体层上的一部分上，所述第二导电层的侧面具有与所述层叠方向垂直的法线。
5.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于， 具有覆盖层，该覆盖层覆盖所述半导体层的侧面，所述半导体层的侧面具有与所述层叠方向垂直的法线。
6.根据权利要求5所述的光导天线，其特征在于， 对所述覆盖层来说，设置于所述射出面的所述覆盖层的构成材料的相对介电常数比所述半导体层的所述半导体材料的相对介电常数高。
7.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于， 所述半导体层的半导体材料是III一 V族化合物半导体。
8.一种太赫兹波产生装置，其特征在于， 具备权利要求1所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。
9.根据权利要求8所述的太赫兹波产生装置，其特征在于， 具有基板， 所述光源以及所述光导天线分别在所述基板上与该基板一体形成。
10.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，具备: 权利要求3所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。
11.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，具备: 权利要求4所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。
12.—种太赫兹波产生装置，其特征在于，具备: 权利要求6所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。
13.一种拍摄装置，其特征在于，具备: 权利要求1所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。
14.一种拍摄装置，其特征在于，具备: 权利要求3所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。
15.一种拍摄装置，其特征在于，具备: 权利要求4所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。
16.一种拍摄装置，其特征在于，具备: 权利要求6所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。
17.一种成像装置，其特征在于，具备: 权利要求1所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出并透过对象物或者被所述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来生成所述对象物的图像的图像形成部。
18.根据权利要求17所述的成像装置，其特征在于， 所述图像形成部使用由所述太赫兹波检测部检测出的所述太赫兹波的强度来形成所述对象物的图像。
19.一种成像装置，其特征在于，具备: 权利要求3所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出并透过对象物或者被所述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来生成所述对象物的图像的图像形成部。
20.根据权利要求19所述的成像装置，其特征在于， 所述图像形成部使用由所述太赫兹波检测部检测出的所述太赫兹波的强度来形成所述对象物的图像。
21.—种成像装置，其特征在于，具备: 权利要求4所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出并透过对象物或者被所述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来生成所述对象物的图像的图像形成部。
22.根据权利要求21所述的成像装置，其特征在于， 所述图像形成部使用由所述太赫兹波检测部检测出的所述太赫兹波的强度来形成所述对象物的图像。
23.一种成像装置，其特征在于，具备: 权利要求6所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出并透过对象物或者被所述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来生成所述对象物的图像的图像形成部。
24.根据权利要求23所述的成像装置，其特征在于， 所述图像形成部使用由所述太赫兹波检测部检测出的所述太赫兹波的强度来形成所述对象物的图像。
25.一种计测装置，其特征在于，具备: 权利要求1所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出并透过对象物或者被所述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来计测所述对象物的计测部。
26.根据权利要求25所述的计测装置，其特征在于， 所述计测部使用由所述太赫兹波检测部检测出的所述太赫兹波的强度来计测所述对象物。
27.一种计测装置，其特征在于，具备: 权利要求3所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出并透过对象物或者被所述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来计测所述对象物的计测部。
28.根据权利要求27所述的计测装置，其特征在于， 所述计测部使用由所述太赫兹波检测部检测出的所述太赫兹波的强度来计测所述对象物。
29.一种计测装置，其特征在于，具备: 权利要求4所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出并透过对象物或者被所述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来计测所述对象物的计测部。
30.根据权利要求29所述的计测装置，其特征在于， 所述计测部使用由所述太赫兹波检测部检测出的所述太赫兹波的强度来计测所述对象物。
31.一种计测装置，其特征在于，具备: 权利要求6所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出并透过对象物或者被所述对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来计测所述对象物的计测部。
32.根据权利要求31所述的计测装置，其特征在于， 所述计测部使用由所述太赫兹波检测部检测出的所述太赫兹波的强度来计测所述对象物。
全文摘要
本发明涉及光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置，其中，光导天线是被脉冲光照射从而产生太赫兹波的光导天线，具备由第一导电型的半导体材料构成的第一导电层、由第二导电型的半导体材料构成的第二导电层、位于上述第一导电层和上述第二导电层之间的半导体层、与上述第一导电层连接的第一电极以及与上述第二导电层连接的第二电极，上述半导体层包含入射面，其位于成为法线方向与上述第一导电层、上述半导体层以及上述第二导电层的层叠方向正交的状态的侧面并供上述脉冲光入射；和射出面，其位于上述半导体层的侧面的与上述入射面不同的位置并供上述太赫兹波射出。
文档编号H01S1/02GK103187679SQ20121057533
公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月26日 优先权日2011年12月28日
发明者富冈纮斗 申请人:精工爱普生株式会社