专利名称：全向性天线结构的制作方法
技术领域：
本实用新型有关一种全向性天线结构，尤指一种复合天线，可应用于无线高频增益的天线的全向性天线。
背景技术：
现在无线通信的速度飞快的发展，从行动电话、全球卫星定位系统至无线网络都可看到长足的进步，而一般笔记本电脑也配备有Wi-Fi (IEEE 802.11)规格来提供无线上线功能，于都会区公共场合或家庭中得到广泛的应用，因此无线网络的研发脚步更是从不停歇，而具有高增益的天线更显得十分重要，特性的良麻直接影响了无线通信产品的收发功能，尤其是5dBi至6dBi的高频率区段，更加不易掌握特性，而本实用新型正为针对上述需求所提出的天线结构。 发明内容基于解决以上所述公知技艺的缺失，本实用新型为一种全向性天线结构，主要目的为设计一种可应用于无线高频增益的天线，以便于应用于5dBi至6dBi的高频率区段的全向性天线。为达上述目的，一种全向性天线结构，于一印刷电路板上形成有一金属层的天线，该天线特征在于具有一接地区，且该接地区的一侧形成一第一辐射区，接地区与第一辐射区间夹一间距，该第一辐射区一端连接有一回圈耦合阻抗，该回圈耦合阻抗呈右侧二个转折及左侧一个转折形状，且接近数字“3”的形状，该回圈耦合阻抗另一端连接有一第二辐射区，该第二辐射区呈一细长矩型，以形成全向性天线形状。该接地区的宽度为天线中心操作频率1/4波长，且高度为天线中心操作频率1/3波长。该第一辐射区的宽度为天线中心操作频率1/2波长，且高度为天线中心操作频率3/4波长。该回圈耦合阻抗呈右侧二个转折及左侧一个转折波长，都为第一辐射区高度1/4倍波长。该第二辐射区的高度波长为第一辐射区高度3至4倍波长。该第二辐射区的宽度波长为第一辐射区宽度1/2倍波长。该第一辐射区右下侧更设置有一馈电点。为达上述目的，一种全向性天线结构，于一印刷电路板上形成有一金属层的天线，该天线特征在于具有一接地区，且该接地区的一侧形成一第一辐射区，该第一辐射区包括有一宽区域与一窄区域，该第一辐射区延伸出该窄区域一端连接有一回圈耦合阻抗，该回圈耦合阻抗呈右侧一个转折及左侧一个转折形状，且接近英文字母倒写“S”的形状，该回圈耦合阻抗另一端连接有一第二辐射区，该第二辐射区呈一细长矩型，以形成全向性天线形状。[0012]该接地区的宽度为天线中心操作频率1/4波长，且高度为天线中心操作频率1/3波长。该第一辐射区宽区域高度波长为接地区高度2/3倍波长。为进一步对本实用新型有更深入的说明，由以下图示、图号说明及实用新型详细说明，冀能对审查员于审查工作有所助益。
图I为本实用新型全向性天线的第一实施例图；图2为本实用新型全向性天线的第二实施例图；图3A E为图I应用于3. 3-3. 8GHz频段的水平特性图； 图4A E为图I应用于3. 3-3. 8GHz频段的垂直特性图。附图标记说明I-天线;11-接地区；A-宽度；B-闻度;12_第一福射区；121_馈电点；C-宽度；D-高度；13_回圈耦合阻抗；E、F、G-回圈耦合阻抗转折；14_第二辐射区；1_宽度；H_高度；2_天线；21_接地区；J-宽度；K-高度；22_第一辐射区宽区域；221_馈电点；L_高度；23-第一辐射区窄区域；M-宽度；24_回圈耦合阻抗；0_回圈耦合阻抗长度；P、Q_回圈耦合阻抗转折；25_第二辐射区；S-宽度；R-高度。
具体实施方式
兹配合下列的图式说明本实用新型的详细结构，及其连结关系。第一实施例请参阅图I所示，为一种全向性天线结构，于一印刷电路板上形成有一金属层的天线1，该天线I具有一接地区11，且该接地区11的一侧形成一第一辐射区12，接地区11与第一辐射区12间夹一间距，该第一辐射区12 —端连接有一回圈耦合阻抗13，该回圈耦合阻抗13呈右侧二个转折(E、G)及左侧一个转折(F)形状，且接近数字“3”的形状，该回圈耦合阻抗13另一端连接有一第二辐射区14，该第二辐射区14呈一细长矩型，以形成全向性天线形状。前述该接地区的宽度(A)为天线中心操作频率1/4波长，且高度(B)为天线中心操作频率1/3波长；前述该第一辐射区12的宽度(C)为天线中心操作频率1/2波长，且高度(D)为天线中心操作频率3/4波长；前述该回圈耦合阻抗13呈右侧二个转折(E、G)及左侧一个转折(F)波长都为第一辐射区12高度(D) 1/4倍波长；前述该第二辐射区14的高度(H)波长为第一辐射区12高度(D) 3至4倍波长；前述该第二辐射区14的宽度(I)波长为第一辐射区12宽度(C) 1/2倍波长；前述该第一辐射区12右下侧更设置有一馈电点121。由上述第一辐射区12与第二辐射区14所形成的总路径，可提供该天线的第一及第二的共振模态的电流路径，而上述波长匹配可获得最佳的3. 3-3. SGHz全频率区段的最佳特性。第二实施例请参阅图2所示，为一种全向性天线结构，于一印刷电路板上形成有一金属层的天线2，该天线2具有一接地区21，且该接地区21的一侧形成一第一辐射区(22、23)，该第一辐射区包括有一宽区域(22)与一窄区域(23)，该第一辐射区延伸出该窄区域(23) —端连接有一回圈耦合阻抗24，该回圈耦合阻抗24呈右侧一个转折(Q)及左侧一个转折(P)形状，且接近英文字母倒写“S”的形状，该回圈耦合阻抗24另一端连接有一第二辐射区25，该第二辐射区25呈一细长矩型，以形成全向性天线形状。前述该接地区21的宽度(J)为天线中心操作频率1/4波长，且高度(K)为天线中心操作频率1/3波长；前述该第一辐射区宽区域22高度(L)波长为接地区21高度(K) 2/3倍波长；前述该第一辐射区窄区域23宽度(M)波长与接地区21高度(K)波长相同；前述该第一辐射区窄区域23高度(N)波长为天线中心操作频率1/4波长；前述该回圈耦合阻抗24高度(O)波长为天线中心操作频率1/4波长；前述该回圈耦合阻抗24右侧一个转折(Q)波长为回圈耦合阻抗24高度(O)波长的1/2，且该回圈耦合阻抗24左侧一个转折(P)波长为回圈耦合阻抗24高度(O)波长的1/2 ；前述该第二辐射区25高度(R)波长为天线中心操作频率1/2波长；前述该第二辐射区25宽度(S)波长为回圈耦合阻抗24高度(O)波长的1/2至I. 3倍波长；前述该第一辐射区22中心点下侧更设置有一馈电点221。 请参阅图3A至E、图4A至E的图I应用于3. 3_3. 8G频段的水平与垂直特性图，由各图中可观察出图I的天线特性无论于水平或垂直360度中都达到一定的水准，由图3A至图3E的水平90度观察，其天线增益分布于O至-IODb，具有良好的特性；再者，由图4A至图4E的垂直90度来观察，其天线增益分布于10至OdB，也为优良的特性，足堪于应用于各种高频的频段，尤其是5dBi至6dBi的高频率区段的特性趋于理想，以符合无线电子产品所需的全向性天线。以上对本实用新型的描述是说明性的，而非限制性的，本专业技术人员理解，在权利要求限定的精神与范围内可对其进行许多修改、变化或等效，但是它们都将落入本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种全向性天线结构，于一印刷电路板上形成有一金属层的天线，该天线特征在于具有一接地区，且该接地区的一侧形成一第一辐射区，接地区与第一辐射区间夹一间距，该第一辐射区一端连接有一回圈耦合阻抗，该回圈耦合阻抗呈右侧二个转折及左侧一个转折形状，该回圈耦合阻抗另一端连接有一第二辐射区，该第二辐射区呈一细长矩型。
2.如权利要求I所述的全向性天线结构，其特征在于，该接地区的宽度为天线中心操作频率1/4波长，且高度为天线中心操作频率1/3波长。
3.如权利要求I所述的全向性天线结构，其特征在于，该第一辐射区的宽度为天线中心操作频率1/2波长，且高度为天线中心操作频率3/4波长。
4.如权利要求I所述的全向性天线结构，其特征在于，该回圈耦合阻抗呈右侧二个转折及左侧一个转折波长，都为第一辐射区高度1/4倍波长。
5.如权利要求I所述的全向性天线结构，其特征在于，该第二辐射区的高度波长为第一辐射区高度3至4倍波长。
6.如权利要求I所述的全向性天线结构，其特征在于，该第二辐射区的宽度波长为第一辐射区宽度1/2倍波长。
7.如权利要求I所述的全向性天线结构，其特征在于，该第一辐射区右下侧更设置有一馈电点。
8.—种全向性天线结构，于一印刷电路板上形成有一金属层的天线，该天线特征在于具有一接地区，且该接地区的一侧形成一第一辐射区，该第一辐射区包括有一宽区域与一窄区域，该第一辐射区延伸出该窄区域一端连接有一回圈耦合阻抗，该回圈耦合阻抗呈右侧一个转折及左侧一个转折形状，该回圈耦合阻抗另一端连接有一第二辐射区，该第二辐射区呈一细长矩型。
9.如权利要求8所述的全向性天线结构，其特征在于，该接地区的宽度为天线中心操作频率1/4波长，且高度为天线中心操作频率1/3波长。
10.如权利要求8所述的全向性天线结构，其特征在于，该第一辐射区宽区域高度波长为接地区高度2/3倍波长。
专利摘要本实用新型为一种全向性天线结构，于一印刷电路板上形成有一金属层的天线，该天线具有一接地区，且该接地区的一侧形成一第一辐射区，接地区与第一辐射区间夹一间距，该第一辐射区一端连接有一回圈耦合阻抗，该回圈耦合阻抗呈右侧二个转折及左侧一个转折形状，且接近数字“3”的形状，该回圈耦合阻抗另一端连接有一第二辐射区，该第二辐射区呈一细长矩型，以形成全向性天线形状。
文档编号H01Q1/48GK202487763SQ20122007728
公开日2012年10月10日 申请日期2012年3月2日 优先权日2011年5月31日
发明者李长荣 申请人:智邦科技股份有限公司