专利名称：一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮的制作方法
技术领域：
本实用新型技术应用于晶体硅太阳能电池片制程中，单晶硅片的化学腐蚀制程工艺，特别是涉及一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮。
背景技术：
目前，晶体硅太阳能电池制程中单晶硅片的化学腐蚀制程工艺中，硅片是垂直插在在片盒两边的卡槽中的，硅片在卡槽中是松动的，硅片一面的两条边随机的贴在卡槽的一边。在化学腐蚀液中，硅片贴在片盒卡槽上的两条边，由于与片盒接触，该区域化学腐蚀会受到影响，导致相对于其他区域该区域外观发白，形成单面片盒印，并且该区域光学反射率偏高，削弱化学腐蚀的作用降低硅片表面的光学反射，提高电池的吸光率。虽然晶体硅太阳电池只需选取硅片的一面作为受光面，但是由于硅片在片盒中是随机的贴向一面的， 所以产生的片盒印是无序的，所以在进入下道工序时，必须筛选硅片的无片盒印面作为电池的受光面。筛选时，增加人员的工作量，降低了生产效率，并且人为的筛选，总存在疏忽，仍有部分硅片的片盒印面被用作受光面，最终降低了产品的品质。
发明内容本实用新型提供一种通过对化学腐蚀花篮的底部垫入倾斜角度的斜板，从而达到花篮中的娃片向同一方向倾斜，产生的娃片盒印均在同一面，选取娃片同一方向无娃片盒印面作为电池的受光面的化学腐蚀花篮。本实用新型的技术方案是一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中花篮中装有硅片盒，花篮底部设有斜板。一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中硅片盒位于花篮内斜板上方。一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中硅片盒与花篮的底板成5° -10°的夹角。本实用新型的优点在于普通的化学腐蚀花篮中，硅片与硅片盒接触，形成单面硅片盒印，由于硅片盒印是无序的，筛选硅片的无硅片盒印面作为电池的受光面时增加了工作量，降低了效率，并且由于人为的疏忽，部分硅片的硅片盒印面被用作受光面，降低了产品的品质，本实用新型单晶硅片化学腐蚀花篮就是将传统花篮底部的增设一块与水平面呈5° -10°的角度的斜板，使得硅片向同一方向倾斜，产生的片盒印均在同一面，解决了因花篮使用时需区分电池的受光面的烦恼，使得花篮在使用中更加方便。
图1为本实用新型单晶硅片化学腐蚀花篮改进后的结构示意图；附图标记花篮1、硅片盒2、斜板3。
具体实施方式
实施例1、一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中花篮I中装有硅片盒2，花篮I底部设有斜板3。实施例2、一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中硅片盒2位于花篮I内斜板3上方。实施例3、一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中硅片盒2与花篮I的底板成5° -10°的夹角。
权利要求1.一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其特征在于花篮(I)中装有硅片盒(2)，花篮(I)底部设有斜板(3)。
2.如权利要求1所述的化学腐蚀花篮，其特征在于硅片盒(2)位于花篮(I)内斜板 (3)上方。
3.如权利要求1或2所述的化学腐蚀花篮，其特征在于硅片盒(2)与花篮(I)的底板成5° -10°的夹角。
专利摘要本实用新型涉及一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮。普通的化学腐蚀花篮中，硅片与硅片盒接触，形成单面硅片盒印，由于硅片盒印是无序的，筛选硅片的无盒印面作为电池的受光面时增加了工作量，降低了效率，并且由于人为的疏忽，部分硅片的片盒印面被用作受光面，降低了产品的品质，本实用新型单晶硅片化学腐蚀花篮就是将传统花篮底部的增设一块与水平面呈5°-10°的角度的斜板，使得硅片向同一方向倾斜，产生的片盒印均在同一面，解决了因花篮使用时需区分电池的受光面的烦恼，使得花篮在使用中更加方便。
文档编号H01L21/673GK202839708SQ201220254868
公开日2013年3月27日 申请日期2012年6月1日 优先权日2012年6月1日
发明者柳杉, 黄治国, 王鹏, 包兵兵, 梅超 申请人:上饶光电高科技有限公司