电子束用行星盘定位环的制作方法

文档序号:7121139阅读:381来源:国知局
专利名称:电子束用行星盘定位环的制作方法
技术领域
本实用新型属于功率半导体器件生产设备技术领域。具体涉及ー种用于对功率半导体器件中半导体芯片进行电子束金属镀膜的定位夹具。
背景技术
目前,对功率半导体器件中半导体芯片进行电子束镀膜只能方便加工Φ30以上直径的器件,而对Φ30以下直径的器件加工均采用国产镀膜机平布以后加工,不能在电子束设备上加工,影响大規模化生产,就算将就在电子束上加工,也是效率低下,合格率很低。若需采用大面积镀膜,只能使用手工平板镀膜方式,不足之处是浪费人力及有机物,并且还不能保持芯片的干净。 发明内容本实用新型的目的就是针对上述不足之处而提供一种电子可以对Φ30以下直径的器件进行电子束金属镀膜,并且操作简便、大大提高效率、降低器件压降、提高器件可靠性的电子束用行星盘定位环。本实用新型的技术解决方案是一种电子束用行星盘定位环,其特征是包括一个带孔定位环和ー个与该带孔定位环配合的定位夹板;其中,带孔定位环包括一个平盘和设置在该平盘盘底上的台阶孔;定位夹板为置于平盘内的圆盘。本实用新型技术解决方案中所述的台阶孔的大孔直径大于待加工芯片直径
O.2 30 mm ;台阶孔的小孔位置和大小与待加工芯片上需镀膜区域的位置和大小对应。本实用新型技术解决方案中所述的台阶孔2 30个。本实用新型技术解决方案中所述的台阶孔15个。本实用新型技术解决方案中所述的带孔定位环为由不锈钢材料制成的带孔定位环。本实用新型技术解决方案中所述的定位夹板为用铝合金材料制成的定位夹板。本实用新型由于采用带孔定位环和定位夹板,其中,带孔定位环包括一个平盘和设置在该平盘盘底上的台阶孔,定位夹板为置于平盘内的圆盘,因而,当手工将待加工芯片装入带孔定位环的台阶孔后,再将定位夹板放入带孔定位环内,将待加工芯片固定,仅台阶小孔露出待镀膜的区域,然后用弹簧片固定在电子束镀膜机的行星盘上,启动设备后开始蒸发,金属蒸汽从带孔定位环的台阶小孔空隙处进入芯片表面,达到蒸发的目的,过程结束,取下定位夹板,手工取下芯片。本实用新型的有益效果是不用低真空的镀膜机,直接对芯片阴极面进行蒸发,不仅操作简便,而且大大提高效率,在镀膜エ艺上有实质性突破的提高。使芯片在干净的条件下蒸发,镀膜厚度可以达到IOym以上,保持器件干净干燥,达到降低器件压降、提高器件可靠性并节省实用的效果。本实用新型具有直接对半导体芯片镀膜,并且能在保持芯片干净的情况下加厚镀膜厚度的特点。本实用新型主要用于半导体功率器件芯片的多种金属镀膜。

图I为本实用新型的总体结构示意图。图2为本实用新型带孔定位环的结构示意图。图3为图2的俯视图。图4为本实用新型定位夹板的结构示意图。图5为图4的俯视图。
具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进ー步说明。如图I至图5所示。本实用新型由带孔定位环I和定位夹板3构成。带孔定位环I为ー个由不锈钢材料制成的平盘,盘底设有15个台阶孔。台阶孔的大孔直径大于待加工芯片2直径O. 2 30 mm,待加工芯片2直径小于等于Φ 30 mm,台阶孔的小孔位置和大小与待加工芯片2上需镀膜区域的位置和大小对应。定位夹板3为置于平盘内的圆盘,与带孔定位环I相配合,由铝合金材料制成,用于固定待加工芯片2。待加工芯片2放置于带孔定位环I台阶孔内,为了防止在开机工作过程中待加工芯片2错位,盖上定位夹板3后用弹簧片固定在电子束镀膜机的行星盘上,以保证待加工芯片2镀膜过程中位置准确及固定。
权利要求1.一种电子束用行星盘定位环,其特征是包括一个带孔定位环(I)和ー个与该带孔定位环(I)配合的定位夹板(3);其中,带孔定位环(I)包括一个平盘和设置在该平盘盘底上的台阶孔;定位夹板(3)为置于平盘内的圆盘。
2.根据权利要求I所述的电子束用行星盘定位环,其特征在于所述的台阶孔的大孔直径大于待加工芯片直径O. 2 30 mm ;台阶孔的小孔位置和大小与待加工芯片上需镀膜区域的位置和大小对应。
3.根据权利要求I或2所述的电子束用行星盘定位环,其特征在于所述的台阶孔2 30个。
4.根据权利要求3所述的电子束用行星盘定位环,其特征在于所述的台阶孔15个。
5.根据权利要求I或2所述的电子束用行星盘定位环,其特征在于所述的带孔定位环(I)为由不锈钢材料制成的带孔定位环。
6.根据权利要求I或2所述的电子束用行星盘定位环,其特征在于所述的定位夹板(3)为用铝合金材料制成的定位夹板。
专利摘要本实用新型的名称为电子束用行星盘定位环。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有大面积只能手工平板镀膜浪费人力及有机物,并且不能在保持芯片干净的问题。它的主要特征是包括一个带孔定位环和一个与该带孔定位环配合的定位夹板;其中,带孔定位环包括一个平盘和设置在该平盘盘底上的台阶孔;定位夹板为置于平盘内的圆盘。本实用新型具有直接对半导体芯片镀膜,并且能在保持芯片干净的情况下加厚镀膜厚度的特点,主要用于半导体功率器件芯片的多种金属镀膜。
文档编号H01L21/68GK202633262SQ20122027360
公开日2012年12月26日 申请日期2012年6月12日 优先权日2012年6月12日
发明者杨成标, 彭松, 梅春林 申请人:湖北台基半导体股份有限公司
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