专利名称：一种非晶纳米晶磁环的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及抗干扰磁环技术领域，特别是指一种非晶纳米晶磁环。
背景技术：
电子设备辐射和泄漏的电磁波不仅严重干扰其他电子设备正常工作，导致设备功能紊乱、传输错误，还威胁人类的健康与安全，危害非常大。因此，降低电子设备的电磁干扰已经是必须考虑的问题。用磁环来抑制电磁干扰是经济简便而有效的方法，已经广泛的用于各种军用或民用的子设备。在大功率设备中，大多设备通过铜条连接滤波器，因此铜条的大小、爬电距离、电气间隙等因素决定了磁环内径的大小。现有技术中，为了满足生产的需要，往往磁环的高度较高，致使滤波器高度也随之增加，不仅增加了滤波器的制造成本，而且不适合应用在对高度有限制的场所。
实用新型内容本实用新型解决的技术问题是克服现有技术中由于磁环的高度致使滤波器制造成本高和磁环应用范围受限等缺陷，提供一种非晶纳米晶磁环。为克服上述技术问题，本实用新型提供的一种非晶纳米晶磁环，包括，磁环，绝缘护壳。磁环的形状为跑道型，由非晶纳米晶材料制成。在直流滤波器中，磁环的数量与电感量成正比，若增加电感量，只需增加磁环的数量即可。由于磁环为非晶纳米晶制成，此材料为导体，故外部需加绝缘护壳，绝缘护壳由聚对苯二甲酸丁二醇酯制成。本实用新型中，所述磁环的外环长度为104mm,外环宽度为61mm ；内环长度64mm,内环宽度41mm ;高度为30mmo综上可以看出，本实`用新型所提供的一种非晶纳米晶磁环的有益效果为1、采用跑道型设计，大大降低了滤波器的高度，从而降低了滤波器的制作成本，节省空间，应用广泛。2、磁环材料为非晶纳米晶，此软磁材料对共模干扰有较好的抑制作用，此外，电感与电容构成滤波网络，进一步加强了抑制作用。
图1为本实用新型一种非晶纳米晶磁环的平面结构图；图2为本实用新型一种非晶纳米晶磁环的立体图。图中1 磁环 2 绝缘护壳。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。[0013]以下为本实用新型的一种实施例，如图1，图2所示，提供的一种非晶纳米晶磁环，包括磁环I和绝缘护壳2。在大功率设备中，设备与滤波器大多采用铜条连接，磁环I的内径取决于铜条的大小，爬电距离和电气间隙等因素，为了既能满足生产需要，又能降低磁环的高度，所以本实用新型中所述磁环I的形状采用跑道型设计。磁环I采用非晶纳米晶制成，由这种材料制成的磁环I可对设备的共模干扰产生良好的抑制作用；其与滤波网络共同作用，可对共模干扰产生更好的抑制作用。由于非晶纳米晶为导体，故外部需加绝缘护套2，其由聚对苯二甲酸丁二醇酯制成。在直流滤波器中，磁环I的数量与电感量成正比，若要增加电感量，只需增加磁环I的数量即可。磁环I的外环长度优选104_，外环宽度优选61mm ;内环长度优选84mm,内环宽度优选41m ;高度优选30mm。所属领域的普通技术人员应当理解以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新·型的保护范围之内。
权利要求1.一种非晶纳米晶磁环，其特征在于，包括磁环(1)，绝缘护壳(2)，所述绝缘护壳(2)包裹于所述磁环(I)的外表面；所述磁环(I)的形状为跑道型。
2.根据权利要求1所述的一种非晶纳米晶磁环，其特征在于，所述磁环(I)为非晶纳米晶。
3.根据权利要求1所述的一种非晶纳米晶磁环，其特征在于，所述磁环(I)的数量与电感量成正比。
4.根据权利要求1所述的一种非晶纳米晶磁环，其特征在于，所述绝缘护壳(2)的材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯PBT。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种非晶纳米晶磁环，其特征在于，所述磁环(I)的外环长度为104mm,外环宽度为61mm ;内环长度为64mm,内环宽度为41mm。
6.根据权利要求5所述的一种非晶纳米晶磁环，其特征在于，所述磁环(I)的高为30mmo
专利摘要本实用新型公开了一种非晶纳米晶磁环，包括，磁环(1)和绝缘护壳(2)，磁环(1)为跑道型，由非晶纳米晶制成。直流滤波器的导线穿过磁环(1)，等同于磁环单匝使用，增加磁环(1)数量即可增加电感量。本实用新型提出的一种非晶纳米晶磁环，可以有效的降低滤波器的高度，从而降低了滤波器的制造成本，节省空间，应用广泛；同时采用非晶纳米晶制成，对设备的共模干扰产生有效的抑制作用。
文档编号H01F7/02GK202871446SQ201220437780
公开日2013年4月10日 申请日期2012年8月30日 优先权日2012年8月30日
发明者吴晓宁 申请人:北京中石伟业科技股份有限公司