专利名称：一种半导体泵浦固体激光器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体泵浦固体激光器。
背景技术：
现有的半导体泵浦固体激光器主要包括LD芯片和铜热沉结构(例如，铜柱或铜片)；所述LD芯片设有LD正极和LD负极用于连接激光器的工作电源。这样结构的半导体泵浦固体激光器虽然可以利用铜热沉结构将LD芯片工作时所产生的热量散发出去，但是由于铜热沉结构的散热面积有限，无法快速地将热量散发到四周的环境中，影响半导体泵浦固体激光器的工作性能。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种半导体泵浦固体激光器其可以快速地将LD芯片工作时所产生的热量散发到四周的环境中，大大地减小出现由于热量无法及时散去而直接影响半导体泵浦固体激光器的工作性能情况的概率。为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案内容具体如下:一种半导体泵浦固体激光器，包括LD芯片和铜热沉结构；所述LD芯片设有LD正极和LD负极；所述LD芯片固定安装在所述铜热沉结构上，并且所述LD正极电性连接所述铜热沉结构；为了增大LD芯片的散热面积，本实用新型的半导体泵浦固体激光器还包括一平面金属散热支架；所述平面金属散热支架包括支架本体、支架正极和支架负极；所述铜热沉结构固定安装在所述支架本体上，并且所述支架正极通过所述支架本体电性连接所述铜热沉结构；所述支架负极电性连接所述LD负极。为了实现铜热沉结构与金属散热架之间的固定连接以及实现支架正极与铜热沉结构之间的电性连接，优选地，所述铜热沉结构通过一银胶层固定在所述支架本体上，并且所述支架正极电性连接所述支架本体。为了实现LD芯片与铜热沉结构之间的固定连接，优选地，所述LD芯片通过一金属铟层粘贴在所述铜热沉结构上。为了实现支架负极与LD负极之间的电性连接，优选地，所述支架负极通过一金属线电性连接所述LD负极。优选地，所述金属线为黄金线。为了实现平面金属散热支架与铜热沉结构之间的固定连接，优选地，本实用新型的半导体泵浦固体激光器还包括一定位槽；所述定位槽同时夹持所述平面金属散热支架和铜热沉结构。为了获得更好的散热效果，优选地，所述平面金属散热支架为铜散热支架或铝散热支架。优选地，所述铜热沉结构为铜柱或铜片。与现有技术相比，本实用新型产生了如下有益效果:[0014]本实用新型通过在现有的半导体泵浦固体激光器上增设一平面金属散热支架，利用平面金属散热支架与铜热沉结构同时散发LD芯片工作时所产生的热量，大大地增加了LD芯片的散热面积，使LD芯片工作时所产生的热量可以快速地散发到四周围的环境中，满足了使用者的使用需求。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步的描述。
图1为本实用新型的半导体泵浦固体激光器较优选实施例的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的半导体泵浦固体激光器，包括LD芯片I和铜热沉结构2 ;所述LD芯片I设有LD正极(图未示)和LD负极(图未示);所述LD芯片I固定安装在所述铜热沉结构2上，并且所述LD正极电性连接所述铜热沉结构2 ;为了增大LD芯片I的散热面积，本实用新型的半导体泵浦固体激光器还包括一平面金属散热支架；所述平面金属散热支架包括支架本体3、支架正极4和支架负极5 ;所述铜热沉结构2固定安装在所述支架本体3上，并且所述支架正极4通过所述支架本体3电性连接所述铜热沉结构2 ;所述支架负极5电性连接所述LD负极。为了实现铜热沉结构2与金属散热架之间的固定连接以及实现支架正极4与铜热沉结构2之间的电性连接，具体地，所述铜热沉结构2通过一银胶层(图未示)固定在所述支架本体3上，并且所述支架正极4电性连接所述支架本体3。为了实现LD芯片I与铜热沉结构2之间的固定连接，具体地，所述LD芯片I通过一金属铟层(图未示)粘贴在所述铜热沉结构2上。为了实现支架负极5与LD负极之间的电性连接，具体地，所述支架负极5通过一金属线6电性连接所述LD负极。具体地，所述金属线6为黄金线。为了实现平面金属散热支架与铜热沉结构2之间的固定连接，具体地，本实用新型的半导体泵浦固体激光器还包括一定位槽7 ;所述定位槽7同时夹持所述平面金属散热支架和铜热沉结构2。为了获得更好的散热效果，具体地，所述平面金属散热支架为铜散热支架或铝散热支架。具体地，所述铜热沉结构2为铜柱或铜片。对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
权利要求1.一种半导体泵浦固体激光器，包括LD芯片和铜热沉结构；所述LD芯片设有LD正极和LD负极；所述LD芯片固定安装在所述铜热沉结构上，并且所述LD正极电性连接所述铜热沉结构；其特征在于:还包括一平面金属散热支架；所述平面金属散热支架包括支架本体、支架正极和支架负极；所述铜热沉结构固定安装在所述支架本体上，并且所述支架正极通过所述支架本体电性连接所述铜热沉结构；所述支架负极电性连接所述LD负极。
2.如权利要求1所述的半导体泵浦固体激光器，其特征在于:所述铜热沉结构通过一银胶层固定在所述支架本体上，并且所述支架正极电性连接所述支架本体。
3.如权利要求1所述的半导体泵浦固体激光器，其特征在于:所述LD芯片通过一金属铟层粘贴在所述铜热沉结构上。
4.如权利要求1所述的半导体泵浦固体激光器，其特征在于:所述支架负极通过一金属线电性连接所述LD负极。
5.如权利要求4所述的半导体泵浦固体激光器，其特征在于:所述金属线为黄金线。
6.如权利要求1所述的半导体泵浦固体激光器，其特征在于:还包括一定位槽；所述定位槽同时夹持所述平面金属散热支架和铜热沉结构。
7.如权利要求1-6任何一项所述的半导体泵浦固体激光器，其特征在于:所述平面金属散热支架为铜散热支架或铝散热支架。
8.如权利要求1-6任何一项所述的半导体泵浦固体激光器，其特征在于:所述铜热沉结构为铜柱或铜片。
专利摘要本实用新型公开了一种半导体泵浦固体激光器，包括LD芯片、铜热沉结构和平面金属散热支架；LD芯片设有LD正极和LD负极；LD芯片固定安装在铜热沉结构上，并且LD正极电性连接铜热沉结构；平面金属散热支架包括支架本体、支架正极和支架负极；铜热沉结构固定安装在支架本体上，并且支架正极通过支架本体电性连接铜热沉结构；支架负极电性连接LD负极。本实用新型通过在现有的半导体泵浦固体激光器上增设一平面金属散热支架，利用平面金属散热支架与铜热沉结构同时散发LD芯片工作时所产生的热量，大大地增加了LD芯片的散热面积，使LD芯片工作时所产生的热量可以快速地散发到四周围的环境中，满足了使用者的使用需求。
文档编号H01S3/16GK202957449SQ20122056609
公开日2013年5月29日 申请日期2012年10月30日 优先权日2012年10月30日
发明者孙立健 申请人:丽水市银星轻工电子有限公司