专利名称：一种塑封外延型超快恢复二极管的制作方法
技术领域：
一种塑封外延型超快恢复二极管技术领域[0001]本实用新型涉及一种二极管，特别涉及一种塑封外延型超快恢复二极管。
背景技术：
[0002]开关电源中功率器件的损耗影响其可靠性和效率，随着整机频率的提升以及开关电源技术的发展，对于因二极管的恢复特性欠佳而引发功率损耗的呼声与日俱增。传统的二极管会对电网产生谐波电流干扰，引起功率因数下降，造成电网污染。有源功率因数校正电路(典型电路见图1)可以有效地消除电源的谐波电流，提高功率因数，减小高次谐波。但是有源功率因数校正电路中的快恢复二极管由于反向恢复特性不佳，导致二极管产生较大的损耗，并产生EMI干扰谐波。发明内容[0003]本实用新型要解决的技术问题是提供一种塑封外延型超快恢复二极管，能够克服掺钼工艺正向电压降和反向恢复时间折衷不佳的弊端，改善反向恢复特性，同时发挥掺钼高温反向漏电流突出优势。[0004]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为一种塑封外延型超快恢复二极管，其创新点在于包括外延型快恢复芯片、低应力环氧树脂、焊料、铜引线、纯锡镀层，铜引线为一对，铜引线的内端镦头成锥形，在铜引线内端锥形之间设置外延型快恢复芯片，外延型快恢复芯片与两侧的铜引线内端焊接固定；外延型快恢复芯片采用低应力环氧树脂进行封装，露出低应力环氧树脂的铜芯线外镀纯锡镀层。[0005]本实用新型的优点在于由于采用外延晶片可以很好地实现基区缓冲层结构。故外延片大幅度降低了反向电压)，这样可以克服掺钼工艺正向电压降和反向时间折衷不佳的弊端，改善反向恢复特性，软度因子从O. 3改善至1. O,同时发挥掺钼高温反向漏电流的突出优势。
[0006]图1为典型 硬开关Boost PFC电路图。[0007]图2为本实用新型塑封外延型超快恢复二极管结构示意图。
具体实施方式
[0008]如图2所示，包括外延型快恢复芯片1、低应力环氧树脂2、焊料3、铜引线4、纯锡镀层5。[0009]上述铜引线4的内端镦粗成锥形，铜引线4为一对，在内端锥形之间设置外延型快恢复芯片1，外延型快恢复芯片I与两侧的铜引线4锥形通过焊料3焊接固定。[0010]外延型快恢复芯片 I采用低应力环氧树脂2进行封装，露出低应力环氧树脂2的铜芯线4外镀纯锡镀层5。[0011]电镀完成后进行测试，该结构的超快恢复二极管技术参数为Io(正向电流)1. 0 8· OA ；VR (反向电压):100 600V ；TRR (反向时间):<25ns ;VF(正向电压降)<1. 7V ； IR(反向漏电流)〈1.0uA;典型软度因子1.0 。
权利要求1.一种塑封外延型超快恢复二极管，其特征在于包括外延型快恢复芯片、低应力环氧树脂、焊料、铜引线、纯锡镀层，铜引线为一对，铜引线的内端镦头成锥形，在铜引线内端锥形之间设置外延型快恢复芯片，外延型快恢复芯片与两侧的铜引线内端焊接固定；外延型快恢复芯片采用低应力环氧树脂进行封装，露出低应力环氧树脂的铜芯线外镀纯锡镀。
专利摘要本实用新型涉及一种塑封外延型超快恢复二极管，其创新点在于包括外延型快恢复芯片、低应力环氧树脂、焊料、铜引线、纯锡镀层，铜引线为一对，铜引线的内端镦粗成锥形，在铜引线内端锥形之间设置外延型快恢复芯片，外延型快恢复芯片与两侧的铜引线内端焊接固定；外延型快恢复芯片采用低应力环氧树脂进行封装，露出低应力环氧树脂的铜芯线外镀纯锡镀层。本实用新型的优点在于由于采用外延晶片可以很好地实现基区缓冲层结构。故外延片大幅度降低了反向电压)，这样可以克服掺铂工艺正向电压降和反向时间折衷不佳的弊端，改善反向恢复特性，软度因子从0.3改善至1.0，同时发挥掺铂高温反向漏电流的突出优势。
文档编号H01L23/488GK202871802SQ20122058123
公开日2013年4月10日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日
发明者赵宇 申请人:如皋市大昌电子有限公司