单晶硅片及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种单晶硅片及其制备方法。所述单晶硅片包括由多个锥体构成的表面，其中，每一锥体具有从所述锥体的顶点延伸至所述锥体的底部的曲面，以最大化太阳光吸收且大幅减少光反射，从而提高光学效率。
【专利说明】单晶硅片及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种在大幅减小光反射的同时最大化太阳光吸收以进一步增加光学效率的单晶硅片，以及一种制备该单晶硅片的方法。
【背景技术】
[0002]近年来，太阳能电池快速增长且以作为下一代能源和直接将清洁能源(即太阳能)转化成电能的电子装置而知名。这种装置通常包括PN结半导体衬底，其中，具有添加到硅上的硼的P型硅半导体为基材，磷扩散至基材的表面上而形成N型硅半导体层。
[0003]当光(诸如太阳光)照射具有通过PN结产生电场的衬底时，半导体中的电子(_)和空穴(+ )被激发，这些被激发的电子(_)和空穴(+ )在半导体内可自由地且随机地迁移。如果在迁移期间这些移动的电荷进入PN结形成的电场，则电子(-)可移动到N型半导体，而空穴(+)移动至P型半导体。如果在P型半导体的表面上和N型半导体的表面上分别形成电子且电子沿着外电路流动，则产生电流。基于这样的原理，太阳能被转化成电能。因此，为了改善太阳能转化效率，PN结半导体衬底的单位面积的电输出量应被最大化。为此目的，在大幅减少光反射的同时必须尽可能高地增大光吸收。
[0004]考虑到上文所述的情形，用于构造PN结类型半导体衬底的太阳能电池硅片的表面，具有微锥体结构以形成抗反射膜。如图1所示，在硅片的表面上形成的微锥体结构包括由聚集在一个单一顶点的四个三角形面S以及矩形底部B形成的四角形锥体。通常，如图2所示，微锥体的面S1为三角形形式，其中，在底边Id1处汇合以形成底部的两个侧边C11和C12是从顶点S1开始的直线。
[0005]具有微锥体结构的这种硅片在其表面处降低了具有较宽波长的入射光的反射，因此提高了太阳能电池的效率。此外，通过检验微锥体结构可进一步增强太阳能电池的效率。
【发明内容】
[0006]技术问题
[0007]因此，本发明的目的在于提供具有指定的结构以大大减少光反射、同时最大化太阳光吸收的单晶硅片。
[0008]本发明的另一目的在于提供一种不使用蚀刻掩模而简单地制备具有微锥体结构的单晶硅片的方法。
[0009]技术方案
[0010](I) 一种单晶硅片，具有表面，在所述表面上重复形成具有从锥体的顶点延伸到锥体的底部的曲面的锥体。
[0011](2)根据上文(I)的单晶硅片，曲面为朝向锥体的中心凸起的曲面。
[0012](3)根据上文(I)的单晶硅片，单晶硅片不使用蚀刻掩模来制备。
[0013](4)根据上文(I)的单晶硅片，一个锥体的面和与所述锥体相邻的另一锥体的面一起形成一个形状，所述形状的竖向剖面具有尖点。[0014](5)根据上文(I)的单晶硅片，使用蚀刻组合物对单晶硅片进行纹理蚀刻。
[0015](6)根据上文(5)的单晶硅片，蚀刻组合物包括0.1wt.% (重量百分比)至20wt.%的碱性化合物和80wt.%至99.9wt.%的水。
[0016](7)根据上文(6)的单晶硅片，碱性化合物为选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四羟甲基铵和四羟乙基铵中的至少一种。
[0017](8)根据上文(6)的单晶硅片，蚀刻组合物还包括10_6wt.%至IOwt.%的包含氮原子的环状化合物，该氮原子被结合到与包括具有2个至6个碳原子的烯烃基。
[0018](9)根据上文(8)的单晶硅片，环状化合物为选自N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基W -甲基哌嗪、N-丙烯酰基哌嗪、N-丙烯酰基W -甲基哌嗪、N-乙烯基吗啉、N-乙烯基甲基吗啉、N-乙烯基乙基吗啉、N-丙烯酰基吗啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯酰基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯酰基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑和N-丙烯酰基咔唑中的至少一种。
[0019](10)根据上文(6)的单晶硅片，蚀刻组合物还包括选自葡聚糖化合物、果聚糖化合物、甘露聚糖化合物、半乳聚糖化合物、及其金属盐中的至少一种多糖。
[0020](11) 一种制备单晶硅片的方法，包括:通过在不使用蚀刻掩模的情况下应用蚀刻组合物，来纹理蚀刻单晶硅片的表面，以使锥体重复形成在单晶硅片的表面上，其中，每一锥体具有从所述锥体的顶点延伸到所述锥体的底部的曲面。
[0021](12)根据上文(11)的方法，所述曲面朝向锥体的中心凸起弯曲。
[0022](13)根据上文(11)的方法，蚀刻组合物包括0.1wt.%至20wt.%的碱性化合物和80wt.% 至 99.9wt.% 的水。
[0023](14)根据上文(11)的方法，碱性化合物为选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四羟甲基铵和四羟乙基铵中的至少一种。
[0024](15)根据上文(13)的方法，蚀刻组合物还包括10_6wt.%至IOwt.%的包含氮原子的环状化合物，该氮原子被结合到包括具有2至6个碳原子的烯烃基。
[0025](16)根据上文(15)的方法，环状化合物为选自N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基W -甲基哌嗪、N-丙烯酰基哌嗪、N-丙烯酰基W -甲基哌嗪、N-乙烯基吗啉、N-乙烯基甲基吗啉、N-乙烯基乙基吗啉、N-丙烯酰基吗啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯酰基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯酰基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑和N-丙烯酰基咔唑中的至少一种。
[0026](17)根据上文(13)的方法，蚀刻组合物还包括选自葡聚糖化合物、果聚糖化合物、甘露聚糖化合物、半乳聚糖化合物、及其金属盐中的至少一种。
[0027]技术效果
[0028]因此，本发明的单晶硅片具有包括多个微锥体的表面，每一锥体具有曲面，以在大量地减少光反射的同时大幅地增加太阳光吸收，从而提供光学效率。
[0029]另外，根据本发明的制备单晶硅片的方法可形成多个具有曲面的微锥体结构而无需使用替选的蚀刻掩模，从而实现了极好的生产能力。【专利附图】
【附图说明】
[0030]图1为示出在常规单晶硅片的表面上形成的微锥体的透视图；
[0031]图2为示出在常规单晶硅片的表面上形成的微锥体的面的剖视图；
[0032]图3为示出在根据本发明的单晶硅片的表面上形成的微锥体的面的剖视图；
[0033]图4为不出在根据本发明的一个实施方式的娃片的表面上形成的微锥体的表面Ca)和剖面(b)的扫描电子显微镜(SEM)图像；
[0034]图5为示出在常规硅片的表面上形成的微锥体的表面(a)和剖面(b)的扫描电子显微镜(SEM)图像；和
[0035]图6为示出根据本发明的一个实施方式的硅片的表面上形成的彼此相邻的两个不同锥体的纵向剖视图。
【具体实施方式】
[0036]本发明公开了一种在大幅减小光反射的同时最大化太阳光吸收以进一步增加光学效率的单晶硅片，以及一种制备该单晶硅片的方法。
[0037]在下文中，结合附图将更具体地描述本发明。
[0038]参照图1，在该公开中的锥体表示四角形锥体，其被构造成矩形底部B和汇合在顶点处的四个三角形面S。
[0039]本发明的单晶硅片的特征在于具有重复地形成在硅片的表面上的锥体，其中，每一锥体具有从其顶点至其底部的曲面。
[0040]更具体地,如图3所示,锥体的面S2具有从顶点a2延伸然后在底边b2处汇合以形成底部的两个侧边C21和C22，其中，侧边C21和侧边C22不是直线形的而是弯曲的。相应地，面S2成为曲面。
[0041]形成锥体的一个面的两个侧边C21和C22可以相同或彼此不同。即，当从顶点a2沿着垂直于底边匕的中心线L划分该面时，所述面的被划分的两个部分可以彼此相同(图3a)或者彼此不同(图3b)。
[0042]更优选地，如图6所示，在一个锥体的面和相邻的锥体的面之间形成的形状的竖向部分可具有尖点d。
[0043]参照示出本发明的锥体的竖向剖视图的图6，尖点d可以是通过一个锥体的侧边C21和与该锥体相邻的另一锥体的侧边C22所形成的切线上的一个点。如图6(a)所示，这样的尖点可以出现在单晶硅片的表面上。可替选地，如图6 (b)所示，如果相互之间具有不对称关系的两个锥体的切线出现在单晶硅片的上方，则尖点可位于单晶硅片的表面的上方。
[0044]由于本发明的硅片具有在图6中所示的这样的结构，故还可增大光学效率的改进。本发明的锥体结构可使用蚀刻组合物直接蚀刻对象来提供，而不用使用任何蚀刻掩模。对于使用这样的蚀刻掩模而言，在锥体与另一锥体汇合的部分不可避免地形成曲面，从而不能得到具有尖点的重复的锥体结构。
[0045]锥体的面可以朝向锥体的中心凸起的曲面。
[0046]另外，形成锥体的四个面中的至少一个面可如上述那样弯曲。
[0047]如图4所示，重复的锥体结构的形成意味着多个如上文所述形成的锥体被设置在硅片的表面上。更具体地，本发明的重复的锥体结构除了包括具有相同形状的多个锥体外，还可包括混合在一起的多个具有不同形态的锥体(即，在图3 (a)和图3 (b)中示出的锥体、具有不同尺寸L的锥体等)，条件是形成多个具有从其顶点延伸到其底部的面的锥体。
[0048]重复的锥体不需要占据相对于硅片的表面积的预定分数的面积。然而，为了有助于最大化太阳光吸收和减少光反射，重复的锥体可占据硅片的表面积的至少50%、优选至少70%。
[0049]重复的锥体每个单位面积不必包括固定数目的锥体。然而，为了有助于最大化太阳光吸收和减少光反射，优选具有大约数纳米的尺寸的微锥体。例如，形成在单晶硅片的表面上的锥体的大约70%以上可具有I μ m至6 μ m的平均尺寸。在此，锥体的平均尺寸表示从锥体的顶点延伸到锥体的底部的垂线的长度。
[0050]如上文所述，一种在根据本发明的单晶硅片的表面上重复形成锥体的方法的特征可在于不使用任何蚀刻掩模，其中，该锥体具有从其顶点延伸到其底部延伸的曲面。
[0051]根据本发明的一个实施方式，在不使用蚀刻掩模的情况下，通过利用碱性蚀刻溶液进行纹理蚀刻，单晶硅片可具有在其表面上形成的微锥体结构。
[0052]本发明的蚀刻组合物可包括0.1wt.%至20wt.%的碱性化合物和80wt.%至99.9wt.% 的水。
[0053]可替选地，蚀刻溶液还可包括包含氮原子的环状化合物，该氮原子被结合到包括具有2个至6个碳原子的烯烃基。
[0054]碱性化合物为蚀刻晶体硅片的表面的成分，且其类型或种类没有特别的限制。例如，该化合物可包括氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四羟甲基铵、四羟乙基铵等。在这些化合物中，氢氧化钾和氢氧化钠是优选的。这些化合物可单独使用或以它们中的两个或多个组合使用。
[0055]以蚀刻组合物总量为IOOwt.%计，碱性化合物可以被包括的用量是0.1wt.%至20wt.%、更优选Iwt.%至5wt.%。如果碱性化合物的含量在上述范围内，则娃片的表面可成功蚀刻。
[0056]包含与官能团(该官能团包括具有2个至6个碳原子的烯烃基)结合的氮原子的环状化合物为这样的成分:控制作为硅晶体方向的Si.方向和Si111方向之间的蚀刻速率的差异，从而调节锥体的形状，进而使锥体具有根据本发明的曲面。
[0057]例如，在本发明中使用的环状化合物可包括:N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基-N '-甲基哌嗪、N-丙烯酰基哌嗪、N-丙烯酰基W -甲基哌嗪、N-乙烯基吗啉、N-乙烯基甲基吗啉、N-乙烯基乙基吗啉、N-丙烯酰基吗啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯酰基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯酰基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑、N-丙烯酰基咔唑等，其可单独使用或者以它们中的两个或多个组合使用。
[0058]以蚀刻组合物总量为IOOwt.%计，环状化合物可以被包括的用量是10_6wt.%至IOwt.%、更优选l(T3wt.%至Iwt.%。如果环状化合物的含量在上述范围内，则可有效地改善硅片的表面的润湿性，从而最小化纹理质量中的偏差以及容易形成具有与现有技术中微锥体形状不同的微锥体。当环状化合物的含量超过IOwt.%时，难于控制硅晶体方向上的蚀刻速率的差异，从而难于形成所需的微锥体。
[0059]蚀刻组合物还可包括多糖。[0060]多糖是通过在两种单糖或两种以上的单糖之间的糖苷键而形成的大分子的一种糖；且为这样的成分:来防止过度蚀刻和通过碱性化合物引起的蚀刻加速以生成均匀的微锥体，同时从硅片的表面快速去除通过蚀刻产生的氢气泡以改善锥体的外观。
[0061]例如，多糖可包括:葡聚糖化合物、果聚糖化合物、甘露聚糖化合物、半乳聚糖化合物、及其金属盐。在这些化合物当中，优选使用葡聚糖化合物及其金属盐。这些物质可被单独使用或者以它们中的两种或多种组合使用。
[0062]例如，葡聚糖化合物可包括纤维素、二甲氨基乙基纤维素、二乙氨基乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、4-氨基苄基纤维素、三乙氨基乙基纤维素、氰乙基纤维素、乙基纤维素、甲基纤维素、羧甲基基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、褐藻酸、直链淀粉、支链淀粉、果胶、淀粉、糊精、α -环糊精、β -环糊精、Y -环糊精、羟丙基-β -环糊精、甲基-β -环糊精、右旋糖酐、葡聚糖硫酸酯钠、皂角苷、糖原、酵母聚糖、香菇多糖、西佐糖、及其金属盐等。
[0063]多糖可具有5000至1000000、更优选50000至200000的平均分子量。
[0064]以蚀刻组合物总量为IOOwt.%计，多糖可以被包括的用量是10_9wt.%至IOwt.%、更优选10_Vt.%至Iwt.%。如果多糖的含量在上述范围内，则可有效地防止过度蚀刻以及蚀刻加速。当多糖的含量超过IOwt.%时，可大幅降低碱性化合物的蚀刻速率，这导致难于形成所期望的微锥体。
[0065]可替选地，根据本发明的用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物还可包括表面活性剂、脂肪酸及其碱金属盐、含有二氧化硅的化合物等中的至少一种。
[0066]在本发明中使用的水的类型没有特别限制，但可包括去离子蒸馏水，且更优选用于半导体方法的具有等于或大于18MQ/cm的比电阻的去离子蒸馏水。
[0067]水可以作为总量计IOOwt.%的晶体蚀刻组合物的余量。
[0068]在本发明使用的水的类型没有特别限制，但可包括去离子蒸馏水，且更优选地，用于半导体方法的具有等于或大于18MQ/cm的比电阻的去离子蒸馏水。
[0069]通过使用如上文所述的所制备的蚀刻组合物处理单晶硅片的方法，该方法包括浸溃、喷涂、或者浸溃和喷涂，硅片的表面可具有包括微锥体的结构。浸溃次数和喷涂次数分别没有特殊限制，对于进行浸溃和喷涂而言，它们的操作次序也没有限制。另外，浸溃阶段、喷涂阶段、或者浸溃阶段和喷涂阶段可在50°C至100°C的温度下持续30秒到60分钟。在这种情况下，可采用浸溃、喷涂或者单个硅片类型的蚀刻方法。
[0070]在下文中，参照实施例和比较实施例来描述优选的实施方式以更具体地理解本发明。然而，本领域技术人员应该明白此实施方式出于示例目的被提供，且不限制如在详细说明书以及所附权利要求书中公开的被保护的主题。因此，对于本领域技术人员显而易见的是:在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可进行实施方式的各种修改和变更，并且这种修改和变更完全包括在所附权利要求书所限定的范围内。
[0071]实施例
[0072]实施例1
[0073]2wt.%的氢氧化钾(K0H)、0.1wt.%的N-乙烯基吡咯烷酮、0.02wt.%的海藻酸钠(AANa)和余量的去离子蒸馏水混合在一起以制备蚀刻组合物。
[0074]在80°C下将单晶硅片衬底浸溃在所制备的蚀刻组合物中20分钟，来实现纹理蚀刻。
[0075]比较实施例1
[0076]2wt.%的氢氧化钾、0.1wt.%的N-甲基吡咯烷酮、0.02wt.%的海藻酸钠(AANa)和余量的去离子蒸馏水混合在一起以制备蚀刻组合物。
[0077]在80°C下将单晶硅片衬底浸溃在所制备的蚀刻组合物中20分钟，来实现纹理蚀刻。
[0078]实验实施例
[0079]根据下面步骤，测定在上文实施例和比较实施例中的进行纹理蚀刻的硅片衬底的物理性能，测定的结果在下表1中示出。
[0080](I)微锥体的形态
[0081 ] 使用扫描电子显微镜(SEM)确认形成在每一单晶硅片衬底的表面上的微锥体结构的形态。
[0082](2)纹理均匀性
[0083]在单晶硅片衬底的表面上形成的微锥体结构的偏差(即均匀性)使用数码相机、3D光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)进行视觉观测，根据下面的评估标准来评估所观测到的结果。
[0084]<评估标准>
[0085]◎:在整个硅片衬底 上形成锥体
[0086]O:在娃片衬底的一部分上未出现锥体(非锥体部分小于娃片衬底的5%)
[0087]Δ:在娃片衬底的一部分上未出现锥体(非锥体部分占娃片衬底的5%至50%)
[0088]X:在硅片衬底的大多数部分上未形成锥体(非锥体部分等于或大于硅片衬底的90%)
[0089](3)反射率(％)
[0090]各个单晶硅片衬底使用UV分光光度计进行光反射，其中使用波长600nm的光照射单晶娃片衬底的表面。
[0091]图4和图5分别为示出在实施例1和比较实施例1中进行纹理蚀刻的单晶硅片的表面的SEM图像。更具体地，可以看出，在实施例1中形成的微锥体具有从其顶点延伸且在底部汇合的两个侧向的曲边，即形成曲面，在实施例1中形成的微锥体从而具有小且均匀的尺寸。
[0092]另一方面，可以看出，在比较实施例1中形成的微锥体具有从其顶点延伸且在底部汇合的两个侧向的直边，即形成平面，从而在比较实施例1中形成的微锥体相对于在实施例I中形成的所制备的微锥体具有较大的尺寸。
[0093]简要地，基于上述微锥体的形态上的差异，根据本发明的单晶硅片可最大化太阳光吸收同时还减小了光反射。
[0094]表1
[0095]
【权利要求】
1.一种单晶硅片，具有表面，在所述表面上重复地形成锥体，所述锥体具有从所述锥体的顶点延伸到锥体的底部的曲面。
2.根据权利要求1所述的单晶硅片，其中，所述曲面为朝向所述锥体的中心凸起的曲面。
3.根据权利要求1所述的单晶硅片，其中，所述单晶硅片不使用蚀刻掩模来制备。
4.根据权利要求1所述的单晶硅片，其中，所述锥体的面和与所述锥体相邻的另一锥体的面一起形成一个形状，所述形状的竖向剖面具有尖点。
5.根据权利要求1所述的单晶硅片，其中，使用蚀刻组合物对所述单晶硅片进行纹理蚀刻。
6.根据权利要求5所述的单晶硅片，其中，按重量百分比计，所述蚀刻组合物包括0.1%至20%的碱性化合物和80%至99.9%的水。
7.根据权利要求6所述的单晶硅片，其中，所述碱性化合物为选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四羟甲基铵和四羟乙基铵中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的单晶硅片，其中，按重量百分比计，所述蚀刻组合物还包括10_6%至10%的包含氮原子的环状化合物，该氮原子被结合到包括具有2个至6个碳原子的烯烃基。
9.根据权利要求8所述的单晶硅片，其中，所述环状化合物为选自N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基-N '-甲基哌嗪、N-丙烯酰基哌嗪、N-丙烯酰基-N丨-甲基哌`嗪、N-乙烯基吗啉、N-乙烯基甲基吗啉、N-乙烯基乙基吗啉、N-丙烯酰基吗啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯酰基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯酰基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑和N-丙烯酰基咔唑中的至少一种。
10.根据权利要求6所述的单晶硅片，其中，所述蚀刻组合物还包括选自葡聚糖化合物、果聚糖化合物、甘露聚糖化合物、半乳聚糖化合物、及其金属盐中的至少一种多糖。
11.一种制备单晶硅片的方法，包括:通过在不使用蚀刻掩模的情况下应用蚀刻组合物，来纹理蚀刻单晶硅片的表面，以使锥体重复形成在单晶硅片的表面上，其中，每一锥体具有从所述锥体的顶点延伸到所述锥体的底部的曲面。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述曲面朝向所述锥体的中心凸起弯曲。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，按重量百分比计，所述蚀刻组合物包括0.1%至20%的碱性化合物和80%至99.9%的水。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述碱性化合物为选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四羟甲基铵和四羟乙基铵中的至少一种。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，按重量百分比计，所述蚀刻组合物还包括10_6%至10%的包含氮原子的环状化合物，该氮原子被结合到包括具有2至6个碳原子的烯烃基。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述环状化合物为选自N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基-N '-甲基哌嗪、N-丙烯酰基哌嗪、N-丙烯酰基-N ;-甲基哌嗪、N-乙烯基吗啉、N-乙烯基甲基吗啉、N-乙烯基乙基吗啉、N-丙烯酰基吗啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯酰基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯酰基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑和N-丙烯酰基咔唑中的至少一种。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述蚀刻组合物还包括选自葡聚糖化合物、果聚糖化合物、甘露聚糖 化合物、半乳聚糖化合物、及其金属盐中的至少一种。
【文档编号】H01L31/18GK103563093SQ201280024299
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2012年6月7日 优先权日:2011年6月7日
【发明者】李在连, 朴勉奎, 洪亨杓, 秦荣晙 申请人:东友精细化工有限公司