芯片上的具有磁性的隔离型功率转换器的制造方法
【专利摘要】一种用一些层制造的集成电路可以包括衬底、具有第一绕组的变压器、第二绕组和磁芯。所述第一绕组和所述第二绕组可以围绕所述磁芯。所述变压器可以布置在所述衬底的第一侧的上方。通量导体可以布置在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面上。
【专利说明】芯片上的具有磁性的隔离型功率转换器
[0001]优先权声明
[0002]本申请受益于2011年6月30日提交的临时申请s.η.61/503，578的优先权，该临时申请的公开内容并入本文。
【背景技术】
[0003]本申请的主题涉及在集成电路上实施的磁路，所述集成电路用于提供源自于磁路的功能，例如电压转换。
[0004]具有空气芯磁路的变压器有局限性，部分归因于空气芯磁路的高电阻和低电感。例如，在空气芯磁路中，可以将功率辐射回可能影响电磁干扰(EMI)的集成电路(IC)的电源平面或接地平面。为了减轻空气芯磁路中的EMI的影响，设计者必须在设计电路和包括空气芯的绕组的物理参数上花很多的精力。因为EMI与频率成比例，所以当施加高频率信号时，EMI的影响是特别重要的。由于所产生的高电流，印刷电路板(PCB)设计者也必定会担忧EMI影响。辐射功率也是一个问题，因为它可能干扰未连接到PCB的其它电路。
[0005]此外，空气芯磁路不是有效的，并且这些电路的封装可能限制可提供的功率。例如，芯片上的功率耗散可能限制可由片上变压器提供的功率。因此，可提供的功率量受到电路效率和封装可应付多少功率的限制。通常需要供应太多附加功率以克服由于空气芯磁路的无效率而导致的功率损失。
[0006]为了克服空气芯磁路的局限性，设计者在变压器中包括磁芯以增加绕组电感和功率转换效率，导致较低电感器峰值电流和减少的功率消耗。增加的绕组电感和功率转换效率还减少与其它部件的干扰，因为可使用较低的开关频率并且磁通量由于磁芯的添加而受到更多约束。在变压器中包括磁芯增加每单位面积的电感，这提供更高的能量密度并且允许设备小型化。
[0007]可使用隔离式变压器构造具有磁芯的变压器。隔离式变压器在相关的电路之间提供电隔离。例如，当需要保护电路免受信号尖峰或浪涌时，可使用隔离式变压器。然而，现有的隔离式变压器会需要较大的空间。此外，当变压器非常接近于其它电路部件时，存在提高效率以及将变压器与其它电路部件充分地隔离的挑战。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1 (a)和图1 (b)图示根据本发明的实施方案的片上变压器的示例性配置。
[0009]图2图示根据本发明的实施方案的具有通量导体的片上变压器的示例性配置。
[0010]图3图示根据本发明的实施方案的具有磁芯的片上变压器的示例性配置。
[0011]图4图示根据本发明的实施方案的具有两个磁芯的片上变压器的示例性配置。
[0012]图5图示根据本发明的实施方案的具有磁芯的片上变压器的示例性配置。
[0013]图6图示根据本发明的实施方案的集成电路的截面图。
[0014]图7图示根据本发明的示例性实施方案的可使用具有磁芯的片上变压器的功率转换器系统。[0015]图8图示根据本发明的实施方案的具有布置在衬底的相同侧上的磁芯和通量导体的片上变压器的示例性配置。
【具体实施方式】
[0016]本发明的实施方案可提供具有变压器的集成电路，该变压器具有环绕为磁通量提供路径的磁芯缠绕的一个或多个绕组。介电材料可以被包括以在磁芯和绕组之间提供电气绝缘。变压器可以设置在衬底上。绕组和磁芯可以被定向成为磁通量提供路径，该路径沿平行于衬底(变压器形成于其上)的表面的方向。通量导体可以设置在衬底的另一个表面上，以提高通过变压器的通量传导。集成电路可用一些层制造。
[0017]具有第一绕组和第二绕组的变压器可具有围绕磁芯的第一部分的第一绕组和围绕磁芯的第二部分的第二绕组。第一绕组和第二绕组中的至少一个可占据集成电路的一些层中的若干层。磁芯也可占据集成电路的一些层中的若干层。
[0018]磁芯可以是实芯的，可以包括多个空隙或可以是多段芯，具有在相邻的段之间的至少一个空隙中提供的介电材料。单个棒芯具有最高的面积效率，因为在相同表面上的一对核芯将占据更大的面积以提供相同的通量传导。然而，使用单个棒芯可能由于漏通量而增加EMI。集成电路可包括布置成与具有第一绕组和第二绕组的磁芯相邻的第二磁芯。如果具有第一绕组和第二绕组的磁芯布置在衬底的一侧上，则可在衬底的相对侧上提供第二磁芯。第二磁芯可协助“封闭”通量回路，无需集成电路上的额外的表面面积。第二磁芯可以简单地为铁素体-环氧树脂层(ferrite loaded epoxy layer)或具有大于沉积薄膜或涂层薄膜的 导磁率的导磁率的其它薄膜。
[0019]磁芯可包括开口，第一绕组和第二绕组通过该开口围绕磁芯。在磁芯具有开口的情况下，第一绕组可围绕开口的一侧上的磁芯，并且第二绕组可围绕开口的相对侧上的磁
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[0020]第一绕组和第二绕组可围绕磁芯的相同部分。在这样的配置的情况下，第一绕组和第二绕组可环绕磁芯的相同部分互相缠绕且彼此不接触。还可在互相缠绕的绕组和磁芯之间提供介电材料以在绕组之间以及在绕组和磁芯之间提供隔离。
[0021]在集成电路上提供的变压器的实施方案可以包括两个磁芯，该两个磁芯具有围绕各个磁芯的一个或多个绕组。例如，第一磁芯可由第一绕组包围并且第二磁芯可由第二绕组包围。多个绕组也可以围绕各个磁芯，并且各绕组可围绕多个磁芯。例如，第一磁芯可由第一绕组包围，并且第二绕组和第二磁芯可由第一绕组和第二绕组包围。绕组可环绕相应的磁芯的相同部分互相缠绕且彼此不接触。
[0022]图1 (a)和图1 (b)图示根据本发明的实施方案的片上变压器的示例性配置。图1(a)示出根据本发明的实施方案的上芯片变压器100的顶视图。变压器100可以包括为磁通量提供路径的磁芯110、环绕磁芯110缠绕的一个或多个绕组120和在磁芯110和绕组120之间提供电气绝缘的介电材料130。
[0023]为磁通量提供路径的磁芯110可以占据集成电路的一些层中的若干层。例如，第一绕组120可以通过若干层的第一部分在磁芯110的多个侧上围绕磁芯110，并且第二绕组120可以通过若干层的第二部分在磁芯110的多个侧上围绕磁芯。如图1 (a)中所示，第一绕组120可以在磁芯110的第一部分中在磁芯110的多个侧上围绕磁芯110，并且第二绕组120可以在磁芯110的第二部分中在磁芯110的多个侧上围绕磁芯110，磁芯110的第二部分不同于磁芯110的第一部分。第一绕组和第二绕组120可以围绕磁芯110使得绕组120环绕磁芯110。
[0024]图1 (b)图示图1 (a)的变压器100的截面图。如图示的，变压器100可以在衬底140上建构。磁芯110和绕组120可以被定向成沿平行于衬底140 (变压器100形成于其上)的表面的方向传导磁通量。在磁芯和绕组120之间提供的介电材料130可以是隔离层。隔离层可以是具有高介质击穿的绝缘层，诸如聚酰亚胺、二氧化硅、氮化硅等。磁芯110层可以是具有高导磁率的层，诸如NiFe和FeCo基合金。
[0025]磁芯110和绕组120的定向允许根据常规集成电路制造技术来制造变压器100。使用半导体掩模和影印石版术，可以在多个材料沉积层中构建绕组120、介电材料130和磁芯110。在一个实例中，形成变压器100的“后表面”的绕组迹线，变压器的接触衬底140的一部分可在制造的第一阶段中被构建。介电层130的应用可能在随后的制造阶段中出现，以填充绕组迹线之间的间隙区并且还覆盖绕组迹线。在另一个阶段中，代表磁芯110的材料可以铺设在介电层130上。介电材料的附加沉积可以适用于包绕电介质中的磁芯110。在稍后的阶段中，金属材料可以被沉积在后绕组迹线的暴露区域上以构建“侧”迹线。此外，金属材料可以被沉积在磁芯110的电介质覆盖的前侧上以在变压器100的前侧上构建迹线并且完成绕组120。
[0026]图2图示根据本发明的实施方案的具有通量导体的片上变压器200的示例性配置。如图2中所示，变压器200的结构可包括磁芯210，环绕磁芯210缠绕的一个或多个绕组220、介电材料230、衬底240和通量导体250。一个或多个电路部件260可以布置在衬底240上。一个或多个电路元件可以耦接到绕组220。
[0027]可在衬底240的相对侧上将通量导体250提供给磁芯210。磁芯210、通量导体250和衬底240的其它布置是可能的。可直接在衬底240的表面上提供通量导体250。替代地，电介质可布置在通量导体250和衬底240之间。可在通量导体250的一个或多个侧上提供电介质。通量导体250可提供附加通量路径，因而来自磁芯210的磁通量可以传递到通量导体250。通量导体250可以通过环氧树脂附着到衬底240或通过已知过程在衬底240上被构建。通量导体250可作为喷溅到衬底240的表面上的磁性材料膜被提供。通量导体250可以由与用于磁芯210的材料相同的材料制造。例如，通量导体250可由具有高导磁率的材料(诸如CoTaZr (钴钽锆)、NiFe (镍铁素体)和FeCo (铁素体钴)基合金)制成。
[0028]变压器100和200可以包括连接迹线，所述连接迹线用以将变压器的端子与其它电路部件、其它介电层互连，以将变压器包绕在绝缘材料中并且防止与其它部件、减小对附近电气部件的电磁干扰所必需的屏蔽材料和可以对变压器提供机械稳定性的其它衬底材料的非预期的电接触。虽然在图1 (a)、图1 (b)和图2中未示出，但是本发明的原理通过这些附加特征中的任一个获得应用。
[0029]图3图示根据本发明的实施方案的具有磁芯的片上变压器300的示例性配置。变压器300可以包括片上磁芯310、第一绕组320和第二绕组330。变压器300的配置可以具有与第二绕组330互相缠绕的第一绕组320，所述第一绕组320和第二绕组330各自螺旋环绕片上磁芯310。片上磁芯310可以经过互相缠绕的第一绕组320和第二绕组330的中心。[0030]片上磁芯310可以形成为单芯(图1 (a)中所示)或可以形成为在磁性棒之间具有空隙340。空隙340可以是预定的距离(例如，1-10微米)以更改磁芯310的形状各向异性并且提供增强的磁导率。空隙340可以用电介质或电气绝缘材料填充。为了最小化总芯310截面积的减小，芯310的棒可布置成使得空隙340窄。空隙340可以更改磁芯310的形状各向异性并且提供增强的磁导率。高导磁率将导致高电感、高效率和更高的能量密度。空隙340也可以通过限制由于磁通量而导致在磁芯310中的涡电流的产生和传输来增强磁导率。
[0031]图4图示根据本发明的实施方案的具有两个磁芯的片上变压器400的示例性配置。片上变压器400可以包括第一芯410A、第二芯410B、一次绕组420和二次绕组430。一次绕组420可以环绕第二芯410B缠绕并且与第一芯410A横交。一次绕组420也可环绕第一芯410缠绕。类似地，第二绕组430可以环绕第二芯410B缠绕并且与第一芯410横交，其中第二绕组430也可以环绕第二芯410B缠绕。一次绕组420和二次绕组430可以螺旋环绕第一芯410A和第二芯410B。第一芯410A和第二芯410B中的至少一个可以包括多个空隙和多个磁性棒，如图3中所示。
[0032]一次绕组420可以包括第一端子422和第二端子424。如图4中所示，一次绕组的第一端子和第二端子可以布置在一次绕组420的相对端上。二次绕组430可以包括第一端子432和第二端子434。如图4中所示，二次绕组430的第一端子和第二端子可以布置在二次绕组的相对端上。一次绕组420的第一端子422和二次绕组430的第一端子可以布置成接近第一芯410A。一次绕组420的第二端子424可以布置成接近第一芯410A，并且二次绕组430的第二端子434可以布置成接近第二芯410B。
[0033]第一磁芯410A和第二磁芯410B可以具有宽度Wm，该宽度Wm可被确定以提供特定应用所需的电感。一次绕组420和二次绕组430可以布置成环绕第一磁芯410A和第二磁芯410B，使得来自一个芯的通量的方向与来自另一个芯的通量的方向是相反的。具体地，绕组420和430的定向在第一芯元件410A和第二芯元件410B之间可以是反向的以减小来自变压器400的通量泄漏。以这种方式，驱动电流可以导致两个芯元件中的通量彼此具有相反方向。该配置可以帮助提供磁通返回路径，并且减少泄漏到周围部件中的通量和EMI辐射。变压器400可以安装在半导体衬底内，使得由芯携载的磁通量的传导率沿平行于衬底的表面的方向延伸。
[0034]在制造期间，磁性芯材料的难轴可被控制以对准将由变压器在操作期间产生的磁通量的方向。将难轴与通量的方向对准预期减少可能在变压器的操作期间出现的开关损耗。
[0035]图5图示根据本发明的实施方案的具有磁芯的片上变压器500的示例性配置。片上变压器500可以包括磁芯510、第一绕组520和第二绕组530。芯510可以具有在中心处具有开口的矩形的形状。芯510可以具有带圆边的矩形的形状。芯510可以具有比芯510的宽度更长的长度。
[0036]磁芯510可以是实磁芯。在另一个实施方案中，芯510的部分可以具有多个空隙516。空隙516的数量可以是任意数量，只要芯510提供特定应用所需的磁通量即可。多个空隙516可以提供在芯的在芯510的中心的开口的任一侧上的部分上。空隙516可以用可改变各向异性和增强导磁率的绝缘材料或介电材料来填充。[0037]第一绕组520和第二绕组530可以环绕芯510的部分缠绕。例如，如图5中所示，第一绕组520可以环绕在开口的一侧上的芯缠绕，并且第二绕组530可以环绕在开口的另一侧上的芯缠绕。第一绕组520和第二绕组530可以在芯510的被缠绕的部分上居中。第一绕组520和第二绕组530可以环绕芯510的具有空隙516的部分缠绕。第一绕组520可以在芯510的一侧上提供的输入端子522和输出端子423之间延伸，并且第二绕组530可以在芯510的另一侧上提供的输入端子532和输出端子533之间延伸。
[0038]芯510中的磁通量可以圆形地行进通过环形芯。在制造期间，各向异性的方向可以被控制，使得易轴沿着Y方向，并且难轴沿着X方向。由绕组产生的通量可以随同芯沿着难轴(X方向)轻松行进。大多数通量可沿难轴被切换以最小化磁滞(hysteric)损耗。
[0039]随着通量接近磁芯510的端部(在Y轴处)，通量可能易于逃逸而不是跟随磁芯510的形状(在X轴中)。在图5中所示的示例性实施方案的情况下，较少的通量可能从磁芯的顶部和底部逃逸。与其它设计相比，通过限制磁通量的辐射，益处可能是较少的感应噪声。然而，随着通量沿着X轴即易轴在顶部区域和底部区域中行进，可能引发一些附加损失。对于实用设计，一个设计可以优先于另一个被选择，这取决于对应用重要的因素。
[0040]片上变压器500可以安装在半导体衬底内，使得由芯510携载的磁通量的传导率沿平行于衬底的表面的方向延伸。
[0041 ] 图6图示根据本发明的实施方案的集成电路600的截面图。变压器600可以内置于集成电路芯片中。集成电路芯片可以包括衬底660、绝缘衬底650、电极645、有源部件层655、绝缘层640、第一绕组671、第二绕组673、磁芯625、介电层630、620和绝缘层610。可以形成介电层620和630以在一次绕组和二次绕组之间提供充分的绝缘。介电层620和630也可以提供在一次绕组和芯之间以及在二次绕组和芯之间提供绝缘。
[0042]磁芯625可以是实心棒，具有环绕其提供的绕组。磁芯625可以由多个磁性棒形成，所述多个磁性棒由具有环绕棒束提供的绕组的电介质隔片分离。例如，磁芯625可以包括夹层或多层的磁性材料626和非传导介电材料627。间隔层厚度需要被优化以用于在高频率和高效率下维持磁导率。
[0043]绝缘层610可充当封装以保护装置并且可使变压器与外部信号绝缘，所述外部信号诸如从接地平面或电源平面发射的可能在绕组671和673上引发寄生信号的高频信号。绝缘层640可以将绕组与衬底660隔离。
[0044]可选的电极645可以充当从在变压器下面的有源部件层655中的任意部件到绕组中的一个的连接件。有源部件层655可以提供在衬底的一面上，所述面背向衬底的具有绕组671和673的一面。如果从绕组到衬底不需要连接件，则可以不使用电极645，并且一次绕组和二次绕组两者通过介电层640与衬底660绝缘。绝缘衬底650可以使可选的电极645与衬底560绝缘。
[0045]取决于电路要求，绕组671和673可以单独地连接到有源部件层655的部件。替代地，在设计需要决定时，绕组671和673中的一个可以单独地连接到有源部件层655，并且另一个电感器可以单独地连接到印刷电路板(PCB)(现在图6中所示)。有源部件层655的部件各自将被配置用于集成电路的专门应用。
[0046]除了制造功率变压器之外，上文的实施方案也可以用来制造反馈变压器。
[0047]具有上文变压器配置的示例性实施方案可以适用于使用具有磁芯的片上变压器构成集成电路芯片。图7图示根据本发明的示例性实施方案的可使用具有磁芯的片上变压器的功率转换器系统700。
[0048]功率转换器系统700可以包括具有磁芯710的变压器、变压器开关电路720和整流电路730。可选地，反馈变压器740也可以被提供。变压器710、电源开关电路720、整流电路730和反馈变压器740的总体布置不是本申请的重点。如图7中所示，可以在与电源开关电路720和整流电路730相同的芯片上提供具有磁芯的变压器710。在那些情况下，可以使用图6中所示的可选的电极645来将电源开关电路720连接到一次绕组或将二次绕组连接到整流电路730。
[0049]如果使用了专用变压器芯片，则从电源开关电路720到一次绕组的连接以及从整流电路730到二次绕组的连接可通过如所示的芯片到芯片结合线来实现。变压器710和/或740可以以如图1-6中所示的多个不同的一般配置来布置。例如，变压器710和740可具有:成螺旋形的第一导体环路和第二导体环路，具有通过螺旋的中心的磁芯；嵌套的螺旋，其中通过螺旋的中心的磁芯，第一成螺旋形的导体回路和第二成螺旋形的导体回路彼此螺旋环绕；和以螺线管的形式的堆叠螺旋磁芯。
[0050]隔离型变压器710可以形成在变压器开关IC芯片之上，在整流IC芯片上，或在专用变压器芯片上，如图7中所示。功率转换器700可进一步包括反馈变压器芯片，该反馈变压器也可在与功率变压器710相同的芯片上或在独立的芯片上之外。在反馈变压器740被提供在与功率变压器710相同的芯片上的情况下，反馈变压器740可具有诸如在堆叠螺旋(即，顶部绕组和底部绕组)中的那些结构类似的结构或不同的结构。反馈变压器740，虽然示出为具有磁芯，但是可以具有磁芯或空气芯。
[0051]图8图示根据本发明的实施方案的具有布置在衬底240的相同侧上的磁芯810和通量导体850的片上变压器800的示例性配置。如图8中所示，结构的变压器800可包括磁芯810、环绕磁芯810缠绕的一个或多个绕组820、介电材料830、衬底840、通量导体850和介电材料870。一个或多个电路部件860可以布置在衬底840上。一个或多个电路兀件可以耦接到绕组820。
[0052]可在衬底840的其上布置有磁芯810的一侧上提供通量导体850。介电材料870可布置在一个或多个绕组820和通量导体850之间。通量导体850可提供附加通量路径，因而来自磁芯810的磁通量可以传递到通量导体850。通量导体850可以通过环氧树脂附着到衬底840或通过已知过程在衬底840上被构建。通量导体850可以作为喷溅到衬底840的表面上的磁性材料膜被提供。通量导体850可以由与用于磁芯810的材料相同的材料制造。例如，通量导体850可由具有高导磁率的材料(诸如CoTaZr (钴钽锆)、NiFe (镍铁素体)和FeCo (铁素体钴)基合金)制成。
[0053]在示例性实施方案中，电介质材料可以是高介质击穿材料，诸如聚酰亚胺、二氧化硅、氮化硅等。磁芯层和通量导体层可由具有高导磁率的材料(诸如CoTaZr (钴钽锆)、NiFe(镍铁素体)和FeCo (铁素体钴)基合金)制成。最终，绕组和金属互连结构可以由诸如金或铜的适当的传导金属形成。
[0054]虽然上文已经参照特定实施方案描述了本发明，但是本发明并不限于上文的实施方案和附图中所示的特定配置。例如，所示的一些部件作为一个实施方案可以相互组合，或可以将部件划分成若干子部件，或可以添加任何其它已知的或可用的部件。本领域的技术人员将意识到，在不脱离本发明的精神和实质特征的情况下，可以以其它方式实施本发明。所存在的实施方案因此将被视为在所有方面是作为说明性的而非限制性的。本发明的范围由所附权利要求而非由前述描述指示，并且在权利要求的等效性的意义和范围内的所有改变预期将被包括在本发明的范围内。
【权利要求】
1.一种用一些层制造的集成电路，其包括: 衬底； 变压器，所述变压器布置在所述衬底的第一表面上方，所述变压器包括围绕磁芯的第一绕组和第二绕组；以及 通量导体，所述通量导体布置在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面上。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中: 所述第一绕组在所述磁芯的第一部分中围绕所述磁芯；并且 所述第二绕组在所述磁芯的第二部分中围绕所述磁芯。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一绕组和所述第二绕组围绕所述磁芯的相同部分。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述第一绕组和所述第二绕组环绕所述磁芯互相缠绕且彼此不接触。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一绕组和所述第二绕组中的至少一个占据集成电路的所述一些层中的多个层。
6.根据权利要求1所述的 集成电路，其中所述磁芯占据所述集成电路的所述一些层中的多个层。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括布置在所述磁芯与所述第一绕组和第二绕组之间的介电材料。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一绕组被定向为沿与所述衬底的所述第一表面大体平行的方向传导通量。
9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述磁芯是实芯。
10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述磁芯和所述通量导体由相同的材料制成。
11.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述磁芯包括布置在所述第一部分和所述第二部分中的至少一个中的多个空隙。
12.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述磁芯是多段芯，具有在相邻的段之间的至少一个空隙中提供的介电材料。
13.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述磁芯包括开口，所述第一绕组和所述第二绕组通过所述开口围绕所述磁芯。
14.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述第一部分定位在所述开口的一侧上，并且所述第二部分定位在所述开口的相对侧上。
15.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述磁芯包括布置在所述第一部分和所述第二部分中的至少一个中的多个空隙。
16.一种用一些层制造的集成电路，其包括: 衬底； 变压器，所述变压器布置在所述衬底的第一侧上，所述变压器包括第一磁芯、第二磁芯、围绕所述第一磁芯的一部分的第一绕组和围绕所述第二磁芯的一部分的第二绕组；以及 通量导体，所述通量导体布置在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面上。
17.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一绕组进一步围绕所述第二磁芯的一部分，并且所述第二绕组进一步围绕所述第一磁芯的一部分。
18.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一绕组和所述第二绕组环绕所述第一磁芯和所述第二磁芯互相缠绕且彼此不接触。
19.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一磁芯和所述第二磁芯中的至少一个占据所述集成电路的一些层中的多个层。
20.根据权利要求16所述的集成电路，其进一步包括布置在所述第一磁芯和所述第一绕组绕组之间以及在所述第二磁芯和所述第二绕组之间的介电材料。
21.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一绕组被定向为沿与所述衬底的所述第一表面大体平行的方向传导通量。
22.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一磁芯和所述第二磁性中的至少一个是实芯。
23.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一磁芯和所述第二磁芯中的至少一个包括多个空隙。
24.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一磁芯和所述第二磁芯中的至少一个是多段芯，具有在相邻的段之间的至少一个空隙中提供的介电材料。
25.一种用一些层制造的集成电路，其包括: 衬底； 布置在所述衬底上方的变压器，所述变压器包括围绕磁芯的第一绕组和第二绕组；以及 通量导体，所述通量导体布置在所述衬底和所述变压器之间。
26.根据权利要求25所述的集成电路，其进一步包括布置在所述通量导体与所述第一绕组和所述第二绕组中的至少一个之间的介电材料。
27.一种用一些层制造的集成电路，其包括: 衬底；以及 布置在所述衬底上的变压器，所述变压器包括围绕多段磁芯的第一绕组和第二绕组。
28.根据权利要求27所述的集成电路，其中: 所述第一绕组在所述多段磁芯的第一部分中围绕所述磁芯；并且 所述第二绕组在所述多段磁芯的第二部分中围绕所述磁芯。
29.根据权利要求27所述的集成电路，其中所述第一绕组和所述第二绕组围绕所述磁芯的相同部分。
30.一种用一些层制造的集成电路，其包括: 衬底；以及 布置在所述衬底上的变压器，所述变压器包括第一磁芯、第二磁芯、围绕所述第一磁芯和所述第二磁芯的第一绕组和围绕所述第一磁芯和所述第二磁芯的第二绕组，其中 所述第一绕组和所述第二绕组环绕所述第一磁芯和所述第二磁芯被定向，使得来自所述第一磁芯的通量的方向与来自所述第二磁芯的通量的方向是相对的。
31.根据权利要求30所述的集成电路，其中来自所述第一磁芯的通量和来自所述第二磁芯的通量大体平行于其上布置有所述变压器的衬底的表面。
32.—种用一些层制造的集成电路，其包括: 衬底；以及 变压器，所述变压器布置在所述衬底、磁芯、围绕所述磁芯的第一部分的第一绕组和围绕所述磁芯的第二部分的第二绕组上，其中 所述磁芯包括布置在所述第一部分和所述第二部分上的一个或多个空隙。
33.根据权利要求32所述的集成电路，其中所述磁芯包括开口，所述第一绕组和所述第二绕组通过所述开口围绕所述磁芯。`
【文档编号】H01F7/06GK103650075SQ201280032352
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2012年6月29日 优先权日:2011年6月30日
【发明者】陈保兴 申请人:美国亚德诺半导体公司