电容器的制造方法
【专利摘要】一种电接触端子(10)，包括具有配合分段(12)的主体。所述配合分段的至少一部分限定具有三维(3D)表面(18)的第一导电元件(22)。介电层(24)直接形成在所述第一导电元件的所述三维表面上，与所述三维表面接合。第二导电元件(26)形成在所述介电层上，使得所述介电层在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间延伸。所述第一和第二导电元件以及所述介电层形成电容器(20)。
【专利说明】电容器
【技术领域】
[0001]本文中描述和/或说明的主题一般地涉及电容器。
【背景技术】
[0002]市场和竞争需求的趋势已不断地朝向更小和更高性能(例如更快)的电子系统。结果，电连接器被设计成以更高频率和/或更低电压传输信号。为了提高这种电连接器中的信号质量，有时在电连接器内或附近的信号路径中耦合电容器。
[0003]例如，一些已知的电连接器安装在电路板上。电容器可以安装在电路板上，与电连接器相邻，并且在电路板的信号路径内，该信号路径从该电连接器延伸并至该电连接器。但是，在安装电连接器的电路板上仅能获得有限的空间。例如，由于对更小电子封装和更高信号速度的持续需求，电路板可能没有用于电容器的空间。此外，在电路板的信号路径内增加电容器会对电路板的电性能造成不良影响。例如，电容器会迫使各种信号路径沿电路板的相对优化配置更少，这会增加噪声和/或降低沿信号路径的信号速度。此外，电容器的寄生电感、电容、阻抗和/或类似特性可能会对电路板的电性能造成不良影响。
[0004]其它已知的更高速度的电连接器包括独立的、离散的电容器，该电容器被保持在电连接器内，并且例如使用焊料被连接在电连接器的信号路径内。但是，在电连接器的信号路径内提供这种离散的电容器可能使电连接器的信号路径的电阻抗与电容器的阻抗和/或安装电连接器的电路板的阻抗的配合变得困难。此外，焊料会导致可靠性的担忧，因为焊料与电连接器的信号路径之间的接头可能脆弱和/或容易断裂。
【发明内容】
[0005]在本发明中，一种电接触端子，包括具有配合分段的主体。所述配合分段的至少一部分限定具有三维(3D)表面的第一导电元件。介电层直接形成在所述第一导电元件的所述三维表面上，与所述三维表面接合。第二导电元件形成在所述介电层上，使得所述介电层在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间延伸。所述第一导电元件和第二导电元件以及所述介电层形成电容器。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]下面将参照附图通过示例说明本发明，其中:
[0007]图1是电接触端子的实例性的实施例的剖视图。
[0008]图2是电连接器的实例性的实施例的立体图。
[0009]图3是图2所示的电连接器的电接触端子的实例性的实施例的一部分的立体图，其显示电接触端子的配合分段的实例性的实施例。
[0010]图4是图3所示的电接触端子的一部分的立体图，其中电接触端子包括实例性的实施例的电容器。
[0011]图5是图4中所示的电接触端子沿图4的线5-5截取的剖视图。[0012]图6是电接触端子的实例性的替代性实施例的剖视图。
[0013]图7是电接触端子的另一实例性的替代性实施例的剖视图。
[0014]图8是电接触端子的另一实例性的替代性实施例的剖视图。
[0015]图9是电接触端子的另一实例性的替代性实施例的剖视图。
[0016]图10是电接触端子的又一实例性的替代性实施例的剖视图。
[0017]图11是图3所示的电接触端子的一部分的立体图，其显示电接触端子的另一配合分段的实例性的实施例。
【具体实施方式】
[0018]图1是电接触端子10的实例性的实施例的剖视图。电接触端子10包括分段12，该分段12延伸至顶端或末端14。该顶端14包括顶端表面16。任选地，分段12是配合分段，该配合分段被构造成用于与任一电设备配合，例如，但不限于，一个或多个其它电接触端子(未图示，这些其它电接触端子中的每一个在本文中可以称作“配合接触端子”)、电路板(未图示)或其它电设备(未图示)的电通路(未图示)、电缆(未图示)的电导体(未图示)、电源(未图示)，任一其它类型的电设备(未图示)和/或类似设备。
[0019]分段12可选地包括三维(3D)表面18。该三维表面18是非平面的。三维表面18的三维形状可以通过一个或多个三维(例如，圆的)子表面限定，通过两个或更多个相互成角度、不平行的二维(2D)子表面限定，或者通过它们的组合限定。分段12可以额外地或替换地包括除本文显示的任一其它形状。分段12的任意数量、部分、子分段、其上的部位、和/或类似物可以包括三维表面18。
[0020]电接触端子10包括实例性的实施例的电容器20。该电容器20可选地在分段12的三维表面18上延伸。替代性地，电容器20仅在分段12的二维表面上延伸。电容器20包括导电元件22、介电层24和导电元件26。导电元件22可选地由电接触端子10的分段12限定。更具体地，导电元件22可选地由分段12的多个部分限定，电容器20的其余部件(例如，介电层24和导电元件26)在分段12的所述多个部分上延伸。因此，并且可选地，导电元件22包括三维表面18的至少一部分。在一些替代性实施例中，导电元件22不是由电接触端子的分段12限定，而是在介电层24和分段12之间在分段12上延伸的离散导电层。导电元件22在本文中可以称作“第一”导电元件。导电元件26在本文中可以称作“第二”导电元件。
[0021]介电层24直接形成在导电元件22的三维表面18上，与三维表面18接合。导电兀件26形成在介电层24上。在一个实例性的实施例中，导电兀件26直接形成在介电层24上，与介电层24接合。介电层24在导电元件22和26之间延伸，从而介电层24将导电元件22和26分隔或间隔开一间隙G。因此，介电层24与导电元件22和26形成电容性结构。可选地，电容器20包括形成在导电元件26上的另一介电层(未图示)和形成在该另一介电层(该另一介电层形成在导电元件26上)上的另一导电元件(未图示)。
[0022]可以选择电容器20的各种参数以提供具有预定电容的电容器20。电容器20的可以被选择以提供预定电容的参数的示例包括但不限于用于制造介电层24以及导电元件22和26的材料、导电元件22和26的导电率、介电层24的介电常数、导电元件22和26之间的距离(例如，间隙G的量)、导电元件22和26的厚度、导电元件22和26的表面面积、导电元件22和26彼此重叠的面积量、和/或类似参数。
[0023]可选地，导电元件26包括配合界面28，在该配合界面28处，分段12与电设备接合，因此与电设备建立电连接。此外或替代性地，分段12在其它配合界面(例如配合界面30和/或32)处接合电设备。此外或替代性地，除了本文显示的电容器20的部位之外，电容器20还可以在沿分段12的任何其它部位处延伸。例如，除了本文显示的部位或作为本文显示的部位的替换，介电层24和导电元件26可以在沿分段12的任何其它部位处延伸。在一些实施例中，介电层24和/或导电元件26在顶端表面16上延伸和/或在分段12的侧面34上延伸。
[0024]介电层24可以包括单个介电材料的子层、多个完全相同的介电材料的子层，多个不同介电材料的子层、或多个完全相同的介电材料的子层和多个不同介电材料的子层的组合。在实例性的实施例中，介电层24包括单个介电材料的子层。介电层24可以包括任意数量的子层。术语“不同介电材料”是指介电层24的子层中的至少一个包括至少一种与介电层24的至少一个其它子层不同的介电材料成分。在一些实施例中，介电层24的子层中的至少一个由与介电层24的至少一个其它子层完全不同(不共享任何相同的介电材料成分)的介电材料制成。介电层24的子层在介电层24内可以具有任何相对配置。例如，在一些实施例中，介电层24包括不同介电材料的交替子层。
[0025]图2是实例性的实施例的电连接器36的立体图。电连接器36包括壳体38，该壳体38保持多个电接触端子40。壳体38包括配合端42和44。多个端口 46延伸穿过配合端42，用于暴露电接触端子40的配合分段48(图11)。电接触端子40还包括沿配合端44延伸的配合分段50。在实例性的实施例中，电接触端子40的配合分段50是针眼式(eye-of-the-needle, EON)插针。电接触端子40为电连接器36提供导电路径，以便传输电压和/或电流。每个电接触端子40可以是传输电数据信号的信号端子，接地端子，或传输电力至电连接器26、传输来自电连接器26的电力或通过电连接器26传输电力的电源端子。电连接器36可以包括任意数量的电接触端子40。此外，尽管在本文中描述同一电接触端子40的配合分段48和50，但是在一些替代性实施例中，对应的配合分段48和50经由中间电部件(例如，但不限于引线、迹线、其它结构和/或类似物)电连接在一起。
[0026]电连接器36仅仅用于说明可以结合本文描述和/或显示的主题的一个或多个实施例的各种设备的一个示例。本文描述和/或显示的具有电容器的电接触端子不限于与电连接器36 —起使用，而是可以与任何其它种类的电连接器(具有任意的几何形状、结构等)和/或任何其它种类的电设备一起使用。
[0027]图3是电接触端子40中的一个的一部分的立体图，其显示配合分段50的实例性的实施例。配合分段50从基部54朝外延伸一长度至具有顶端表面68的顶端66。配合分段50包括颈部子分段70、柔性子分段72和顶端子分段74。颈部子分段70从基部54朝外延伸。柔性子分段72从颈部子分段70朝外延伸，并且顶端子分段74从柔性子分段72朝外延伸。柔性子分段72从颈部子分段70延伸至顶端子分段74。顶端子分段74包括顶端
66ο
[0028]柔性子分段72包括两个相对的臂80和82。臂80和82间隔开以在两者之间限定开口 84。从图3可以看出，配合分段50包括三维表面86。三维表面86是非平面的。三维表面86包括顶端表面68,该顶端表面68是三维表面86的子表面。在实例性的实施例中，配合分段50的三维表面86包括多个二维(2D)子表面86a。至少一些邻接的二维子表面86a是相互成角度不平行的，这给出了表面86的三维形状的一部分的表面86的实例性的实施例。换言之，当一起考虑时，相互成角度不平行的邻接的二维子表面86a具有三维形状。在实例性的实施例中，三维表面86的三维形状的其它部分由三维表面86的圆形的三维子表面86b提供。在一些替代性实施例中，三维表面86的三维形状完全由一个或多个3D子表面限定，或完全由两个或更多个相互成角度不平行的二维子表面限定。除了本文中显示和描述的配合分段50的形状之外，或作为本文中显示和描述的配合分段50的形状的替换，配合分段50的任何其它部分可以包括三维形状。此外，配合分段50的表面86的或多或少的表面区域可以具有三维形状。在图3中，仅一些子表面86a和86b是可见的。此外，在图3中，可见的表面86中仅一些和可见的子表面86a和86b中仅一些被标不。
[0029]图4是图3所示的电接触端子40的一部分的立体图，其中电接触端子40包括实例性的实施例的电容器88。图3显示电接触端子40的没有电容器88的配合分段50，而图4显示具有电容器88的配合分段50。在实例性的实施例中，电容器88在配合分段50的三维表面86上延伸。更具体地，电容器88在子表面86ai, 861^, 86b2,86b3,86b4,86b5和子表面86b (这里不可见)上延伸，子表面86b在子表面86b4和86b5之间延伸并互连子表面86b4和86b5，子表面86b在子表面86b4和86b5之间延伸并互连子表面86b4和86b5的方式与子表面86b3在子表面86bi和86b2之间延伸并互连子表面86bi和86b2的方式基本相似。电容器88还在与子表面86&1相对并且基本相似的子表面86a上延伸。子表面861^，86133和86b4在图4中不可见，但是在图3中可见。在一些替代性实施例中，电容器88完全在二维表面上延伸。例如，在一 些替代性实施例中，电容器88可以完全在配合分段50的二维子表面86a上延伸。
[0030]在实例性的实施例中，电容器88在配合分段50的柔性子分段72处和顶端子分段74处的三维表面86上延伸。电容器88在配合分段50的顶端66处延伸。但是，电容器88可以在配合分段50的任何其它部位上延伸。此外，电容器88可以在三维表面86的与本文显示的不同的任何数量(或多或少)的表面面积上延伸。在一些实施例中，电容器88在三维表面86的整个表面面积上延伸或者在三维表面86的大部分表面面积上延伸。
[0031]图5是沿图4的线5-5的剖视图。现在参照图4和5，电容器88的一部分在图4中已经被断开，以显示电容器88的结构。电容器88包括导电元件90、介电层92和导电元件94。导电元件90可选地由电接触端子40的配合分段50限定。更具体地，导电元件90可选地分别由柔性子分段72和顶端子分段74的多个部分限定，电容器88的其余部件(例如，介电层92和导电元件94)在柔性子分段72和顶端子分段74的所述多个部分上延伸。因此，导电元件90包括三维表面86的至少一部分。在实例性的实施例中，导电元件90包括子表面86ai (以及它的相对子表面86a) >Seb1 >86b2>86b3>86b4>86b5>以及在子表面86134和86b5之间延伸并互连子表面86b4和86b5的子表面86b。在图5中，子表面
86b3、86b4和86b5没有被标不和/或不可见。导电兀件90在本文中可以称作“第一”导电元件。导电元件94在本文中可以称作“第二”导电元件。
[0032]介电层92直接形成在导电元件90的三维表面86上，与三维表面86接合。更具体地，介电层92直接形成在子表面86ai(以及它的相对子表面868))861^861^861^8613^86b5、以及在子表面86b4和86b5之间延伸并互连子表面86b4和86b5的子表面86b上，并且介电层92与子表面86ai (以及它的相对子表面86a) >86b1>86b2>86b3>86b4>86b5和子表面86b接合。导电元件94形成在介电层92上。在实例性的实施例中，导电元件94直接形成在介电层92上，并与介电层92接合。
[0033]介电层92在导电元件90和94之间延伸，从而介电层92将导电元件90和94分隔或间隔开一间隙Gl (在图4中没有标示)。因此，介电层92与导电元件90和94形成电容性结构。可以选择电容器88的各种参数以提供具有预定电容的电容器88。电容器88的可以被选择以提供预定电容的参数的示例包括但不限于用于制造介电层92以及导电元件90和94的材料、导电元件90和94的导电率、介电层92的介电常数、导电元件90和94之间的距离(例如，间隙Gl的量)、导电元件90和94的厚度、导电元件90和94的表面面积、导电元件90和94彼此重叠的面积量、和/或类似参数。
[0034]可选地,可选地,导电元件94包括配合界面96,在该配合界面96处,配合分段50与任一电设备接合，因此与任一电设备建立电连接，前述任一电设备例如为但不限于一个或多个其它电接触端子(未图示，这些其它电接触端子的每个在本文中可以称作“配合接触端子”)、电路板(未图示)或其它电设备(未图示)的电通路(未图示)、电缆(未图示)的电导体(未图示)、电源(未图示)、任一其它类型的电设备(未图示)和/或类似设备。在实例性的实施例中，导电元件94的在柔性子分段72上延伸的部分的外表面限定配合界面94。配合分段50可选地包括由表面86限定的另一配合界面98。在一些替代性实施例中，导电元件94限定配合分段50的所有配合界面。换言之，在一些替代性实施例中，仅配合分段50与电设备接合处的部位处于导电元件94处或处于形成在配合分段50上的另一电容器(未图示)的基本相似的导电元件处。
[0035]介电层92可以包括单个介电材料的子层、多个完全相同的介电材料的子层、多个不同介电材料的子层、或多个完全相同的介电材料的子层和多个不同介电材料的子层的组合。在实例性的实施例中，介电层92包括单个介电材料的子层。图6是电接触端子140的实例性的替代性实施例的剖视图，该电接触端子140具有配合分段150，该配合分段150包括电容器188。电容器188包括导电元件190、介电层192和导电元件194。介电层192包括多个子层192a、192b、192c和192d。尽管本文中显示和描述了四个子层，但是介电层192可以包括任意数量的子层。导电元件190在本文中可以称作“第一”导电元件。导电元件194在本文中可以称作“第二”导电元件。
[0036]在实例性的实施例中，导电元件190由电接触端子140的配合分段150限定。因此，导电元件190包括配合分段150的三维表面186的至少一部分。介电层192的最底部的子层192a直接形成在导电元件190的三维表面186上，并与三维表面186接合。导电元件194形成在介电层192上。在实例性的实施例中，导电元件194直接形成在介电层192的最上部的子层192d上，并与最上部的子层192d接合。介电层192在导电元件190和194之间延伸，从而介电层192将导电兀件190和194分隔或间隔开一间隙。因此,介电层192与导电元件190和194形成电容性结构。
[0037]在实例性的实施例中，介电层的多个子层192a_192d具有不同的介电材料。术语“不同的介电材料”是指介电层192的多个子层中的至少一个包括至少一种与介电层192的至少一个其它子层不同的介电材料成分。在一些实施例中，介电层192的多个子层中的至少一个由与介电层192的至少一个其它子层完全不同(不共享任何相同的介电材料成分)的介电材料制成。此外，在一些实施例中，介电层192的多个子层中的至少一个由与介电层192的至少一个其它子层完全相同的介电材料制成。
[0038]在实例性的实施例中，子层192a和192c由完全相同的介电材料制成，同时子层192b和192d由完全相同的介电材料制成。子层192a和192c的介电材料与子层192b和192d的介电材料完全不同。在实例性的实施例中，子层192a和192c相对于子层192b和192d在介电层192内被交替地布置。因此，介电层192包括交替的不同介电材料的子层。但是，介电层192的子层192a-192d在介电层192内可以具有任何其它相对的配置，包括两个介电材料完全相同的子层彼此直接相邻地设置并且彼此接合的配置。
[0039]在一些替代性实施例中，子层192a和192c的介电材料可以与子层192b和192d的介电材料仅部分地不同(共享至少一种介电材料成分)。此外，在一些替代性实施例中，介电层192的每个子层的介电材料与介电层192的每个其它子层的介电材料不同。子层192a-192d中的每个子层在本文中可以称作“第一”子层或“第二”子层。
[0040]图7是电接触端子240的另一实例性的替代性实施例的剖视图，该电接触端子240具有配合分段250，该配合分段250包括电容器288。电容器288包括导电元件290、介电层292、导电元件294、介电层300和导电元件302。在实例性的实施例中，导电元件290由电接触端子240的配合分段250限定。因此，导电元件290包括配合分段250的三维表面286的至少一部分。
[0041]介电层292直接形成在导电元件290的三维表面286上，并与三维表面286接合。导电元件294形成在介电层292上。在实例性的实施例中，导电元件294直接形成在介电层292上，并与介电层292接合。介电层292在导电元件290和294之间延伸，从而介电层292与导电元件290和294形成电容性结构。介电层300直接形成在导电元件294上，并与导电元件294接合。导电元件302形成在介电层300上。在实例性的实施例中，导电元件302直接形成在介电层300上，并与介电层300接合。介电层300在导电元件294和302之间延伸，从而介电层300与导电元件294和302形成电容性结构。
[0042]介电层292和300中的每一个可以包括单个介电材料的子层、多个完全相同的介电材料的子层、或多个不同介电材料的子层。导电元件290、294和302在本文中可以被分别称作“第一”、“第二”和“第三”导电元件。介电层292和300在本文中可以被分别称作“第一”和“第二”介电层。
[0043]图8是电接触端子340的另一实例性的替代性实施例的剖视图，该电接触端子340具有配合分段350，该配合分段350包括电容器388。电容器388包括导电元件390、介电层392和导电元件394。在实例性的实施例中，导电元件390由电接触端子340的配合分段350限定。因此，导电元件390包括配合分段350的三维表面386的至少一部分。
[0044]介电层392直接形成在导电元件390的三维表面386上，并与三维表面386接合。导电元件394形成在介电层392上。在实例性的实施例中，导电元件394直接形成在介电层392上，并与介电层392接合。介电层392在导电元件390和394之间延伸，从而介电层392与导电元件390和394形成电容性结构。介电层392可以包括单个介电材料的子层、多个完全相同的介电材料的子层、或多个不同介电材料的子层。导电元件390和394在本文中可以被分别称作“第一”和“第二”导电元件。
[0045]电容器388在配合分段350的柔性子分段372处和顶端子分段374处的三维表面386上延伸。顶端子分段374包括具有顶端表面368的顶端366。电容器388在配合分段350的顶端366处延伸。介电层392在顶端表面368上延伸，并且在配合分段350的相对侧面404和406上延伸，同时导电元件394仅在侧面404上延伸。
[0046]图9是电接触端子440的另一实例性的替代性实施例的剖视图，该电接触端子440具有配合分段450，该配合分段450包括电容器488。电容器488包括导电元件490、介电层492和导电元件494。在实例性的实施例中，导电元件490由电接触端子440的配合分段450限定，从而导电元件490包括配合分段450的三维表面486的至少一部分。介电层492直接形成在导电元件490的三维表面486上，并与三维表面486接合。导电元件494直接形成在介电层492上，并与介电层492接合。介电层492在导电元件490和494之间延伸，从而介电层492于导电元件490和494形成电容性结构。介电层492可以包括单个介电材料的子层、多个完全相同的介电材料的子层、或多个不同介电材料的子层。导电元件490和494在本文中可以被分别称作“第一”和“第二”导电元件。
[0047]电容器488在配合分段450的柔性子分段472处和顶端子分段474处的三维表面486上延伸。顶端子分段474包括具有顶端表面468的顶端466。电容器488在配合分段450的顶端466处延伸。导电兀件490包括顶端表面468。介电层492和导电兀件494都在顶端表面468上延伸，并且都在配合分段450的相对侧面504和506上延伸。因此，电容器488在顶端表面468上延伸，并且在配合分段450的相对侧面504和506上延伸。
[0048]图10是电接触端子540的又一个实例性的替代性实施例的剖视图，该电接触端子540具有配合分段550，该配合分段550包括电容器588。配合分段550包括三维表面586。电容器588包括导电兀件590、介电层592和导电兀件594。与本文描述和/或显不的至少一些其它实施例相反，导电元件590不是由电接触端子540的配合分段550限定的。确切地，导电元件590而是由离散的导电层限定的，该离散的导电层在三维表面586上延伸。更具体地，导电元件590直接形成在配合分段550的三维表面586上，并与三维表面586接合。介电层592直接形成在导电元件590上，并与导电元件590接合。导电元件594直接形成在介电层592上，并与介电层592接合。介电层592在导电元件590和594之间延伸，从而介电层592与导电元件590和594形成电容性结构。介电层592可以包括单个介电材料的子层、多个完全相同的介电材料的子层、或多个不同介电材料的子层。导电元件590和594在本文中可以被分别称作“第一”和“第二”导电元件。
[0049]请再次参见图4，电容器88不限于在电接触端子40的配合分段50上延伸。而是，除此之外或可替代地，配合分段48可以包括电容器。图11是电接触端子40中的一个的一部分的立体图，显示了电接触端子40的配合分段48的实例性的实施例，其中配合分段48包括电容器688。配合分段48朝外延伸至末端60，并且包括一对弹性可偏转弹簧臂62。臂62间隔开以在它们之间限定配合槽64。配合槽64限定配合界面685，配合分段48与任一电设备在该配合界面685处接合，前述任一电设备为例如但不限于一个或多个其它电接触端子(未图示，这些其它电接触端子的每个在本文中可以称作“配合接触端子”)、电路板(未图示)或其它电设备(未图示)的电通路(未图示)、电缆(未图示)的电导体(未图示)、电源(未图示)、任一其它类型的电设备(未图示)和/或类似设备。
[0050]从图11可以看出，配合分段48包括三维表面686。三维表面686是非平面的。配合分段48的三维表面686包括多个二维子表面686a和多个三维子表面686b。在图11中仅一些子表面686a和686b可见。此外,在图11中，可见的表面686中仅一些和可见的子表面686a和686b中仅一些被标不。
[0051 ] 电容器688在配合分段48的三维表面686上延伸。更具体地，电容器688在子表面6868^686、和686b2上延伸。在一些替代性实施例中，电容器688完全在二维表面上延伸。例如，在一些替代性实施例中，电容器688可以完全在配合分段48的二维表面686a上延伸。在实例性的实施例中，电容器688在配合分段48的末端60处的三维表面686上延伸。但是，电容器688可以在配合分段48上的任何其它部位上延伸。此外，电容器688可以在三维表面686的与本文所示的不同的任何其它数量(或多或少)的表面面积上延伸。在一些实施例中，电容器688在三维表面686的整个表面面积上延伸，或者在三维表面686的大部分表面面积上延伸。
[0052]电容器688包括导电元件690、介电层692和导电元件694。导电元件690可选地由电接触端子40的配合分段48限定。在实例性的实施例中，导电元件690由配合分段48限定，并且包括三维表面686的至少一部分。更具体地，导电元件690包括子表面686&1、6861^和686b2。导电兀件690在本文中可以称作“第一”导电兀件。导电兀件694在本文中可以称作“第二”导电元件。
[0053]介电层692直接形成在导电元件690的三维表面686上，并与三维表面686接合。更具体地，介电层692直接形成在子表面6868^6861^和686b2上，并与子表面6868^6861^和686b2接合。导电元件694直接形成在介电层692上，并与介电层692接合。介电层692在导电元件690和694之间延伸，从而介电层692和导电元件690和694形成电容性结构。
[0054]本文中描述和/或显示的电容器的介电层和导电元件可以由任何材料制成。用于本文中描述和/或显示 的导电元件的实例性的材料包括但不限于镍、金、铜和/或类似材料。用于本文中描述和/或显示的介电层的材料包括但不限于钛酸钡(BaT13)、氧化铪或二氧化铪(HrO2)、铝或氧化铝(Al2O3)、金属氧化物、云母材料、云母石、硅酸铪(HfS14)、钛酸钡铌酸(Ba6Ti2Nb8O3tl)、铪酸铅(PbHfO3)、铌镁酸铅(Pb3MgNb2O9)、偏钽酸铅(PbTa2O6)、硫化铅(PbS)、钛酸铅(PbT13)、锆酸铅(PbZrO3)、氮化铪硅酸盐(HfS1N)、氧化钽(Ta2O5)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(T12)、钛酸锶(SrT13)、三氧化钨(WO3)、硅酸锆(ZrS14)、钛酸钙(CaT13)、氮化硼(BN)、碳酸镁(MgCO3)、金刚石和/或类似材料。
[0055]本文中描述和/或显示的电容器可以使用任何方法、工艺、结构、装置和/或类似物制造。更具体地，本文中描述和/或显示的介电层和导电元件可以使用任何方法、工艺、结构、装置和/或类似物制造。用于在二维和三维表面上形成本文中描述和/显示的介电层和导电元件的合适工艺的示例包括但不限于化学溶液沉积(CSD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)、电沉积、电涂、电镀、丝网印刷、浸涂、气溶胶涂、旋涂、溅射和/或类似工艺。形成本文中描述和/或显示的介电层和导电元件的工艺可以包括热处理和/或加工介电层、导电元件和/或它的子层的其它工艺。
[0056]如前所述，本文中描述和/或显示的介电层可以包括单个介电材料的子层、多个完全相同的介电材料的子层、或多个不同介电材料的子层。本文中描述和/或显示的介电层可以使用一次通过(single pass)或使用多次通过(multiple passes)形成。换言之,介电层的整个厚度可以在一次通过中同时形成，或者可以使用多次通过顺序地形成介电层的单独的子厚度。通过用完全相同的材料的多次通过形成的介电层可以包括单个介电材料的子层或多个完全相同的介电材料的子层。无论通过用完全相同的材料的多次通过形成的介电层包括单个介电材料的子层还是包括多个完全相同的介电材料的子层，都取决于介电层如何加工。例如，如果单独的子厚度(通过每次通过形成的)在其上形成下一个子厚度之前被热处理，介电层可以包括多个完全相同的介电材料的子层。可以理解的是，当介电层包括多个子层(无论是多个完全相同的介电材料的子层还是多个不同介电材料的子层)时，每个子层可以使用任意数量的过程形成。
[0057]形成包括多个子层(无论是多个完全相同的介电材料的子层还是多个不同介电材料的子层)的介电层的工艺可以便于提供具有减小的厚度但具有相同或减少的孔隙度的介电层。此外，当介电层包括多个子层(无论是多个完全相同的介电材料的子层还是多个不同介电材料的子层)时，多个子层可以进行热处理和/或进行其它工艺处理，例如，以便在其上形成下一个子层之前从其上蒸发掉有机材料。从这些子层蒸发有机材料的工艺便于防止介电层在对整个介电层进行热处理期间破裂。
[0058]本文中显示和/或描述的电接触端子10、40、140、240、340、440和540仅仅是示例性的。本文中显示和/或描述的电容器可以形成在任何其它类型的电接触端子上和/或部分地由任何其它类型的电接触端子限定，所述任何其它类型的电接触端子具有不同于电接触端子10、40、140、240、340、440和540的任何其它几何形状、构造、结构等。例如，除了EON插针之外或作为EON插针的替代，配合分段50、150、250、250、450和550可以包括任何其它结构，例如，但不限于，焊接销、另一种类型的压配合针、弹簧销、表面安装构造、和/或类似物。此外，例如，除了配合分段48的弹簧臂62之外或作为配合分段48的弹簧臂62的替代，电接触端子40的配合分段48可以包括任何其它结构，例如，但不限于，插针、插头、插座、和/或类似物。
【权利要求】
1.一种电接触端子(10)，包括: 主体，具有配合分段(12)，所述配合分段的至少一部分限定具有三维(3D)表面(18)的第一导电兀件(22)； 介电层(24)，直接形成在所述第一导电元件的所述三维表面上，与所述三维表面接合；和 第二导电元件(26)，形成在所述介电层上，使得所述介电层在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间延伸，所述第一导电元件和第二导电元件以及所述介电层形成电容器(20)。
2.根据权利要求1所述的电接触端子(140)，其中所述介电层(192)包括交替的不同介电材料的子层或多个相同介电材料的子层。
3.根据权利要求1所述的电接触端子(140)，其中所述介电层(192)包括至少两个子层，所述至少两个子层中的第一子层的介电材料不同于所述至少两个子层中的第二子层的介电材料。
4.根据权利要求1所述的电接触端子(10)，其中所述三维表面(18)是非平面的。
5.根据权利要求1所述的电接触端子(240)，其中所述介电层(292)是第一介电层，所述电接触端子还包括第二介电层(300)和第三导电元件(302)，所述第二介电层在所述第二导电元件(294)和所述第三导电元件之间延伸。
6.根据权利要求1所述的电接触端子(10)，其中所述第二导电元件(26)包括配合界面(28)，该配合界面(28)被构造成用于下述情况中的至少一种:接合至少一个配合接触端子、接合电设备或接合电路板。
7.根据权利要求1所述的电接触端子(10)，其中所述主体的配合分段(12)包括插针、插头、插座、弹簧臂(62)、压配合针(50)、弹簧销或焊接销。
8.根据权利要求1所述的电接触端子(10)，其中所述主体的配合分段(12)包括顶端(14)，所述介电层(24)形成在所述第一导电元件(22)上，位于所述配合分段的顶端处或附近。
9.根据权利要求1所述的电接触端子(10)，其中所述主体的配合分段(450)包括具有顶端表面(468)的顶端(466)，所述介电层(492)或所述第二导电元件(494)中的至少一个在所述顶端表面(468)上延伸。
10.根据权利要求1所述的电接触端子(10)，其中所述第一导电元件(22)的厚度是所述第二导电元件(26)的厚度的至少两倍。
【文档编号】H01R13/7197GK104040803SQ201280065831
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2012年10月15日 优先权日:2011年11月2日
【发明者】玛丽·伊丽莎白·沙利文梅勒芙, 杰西卡·亨德森·布朗·黑蒙德, 罗伯特·丹尼尔·希尔蒂 申请人:泰科电子公司