专利名称：半导体激光器及其制造方法
技术领域：
本公开涉及半导体激光器，其包括设置在脊部周围的嵌入膜，及其制造方法。
背景技术：
近年来，例如，如日本未审查专利申请公开号H9-221249中所公开的，在损失导波形半导体激光器中，比有源层具有更高折射率的材料被配置为紧接有源层，并且光的外耦合降低了有效折射率以形成横向波导区。此外，例如，日本未审查专利申请公开号2005-187034中提出了一种技术，其中绝缘膜和包含硅的吸收膜被设置在非脊部以抑制高阶模式。
发明内容
然而，在日本未经审查专利申请公开号H9-221249中，由于采用比有源层具有更高折射率的材料，增加了光吸收，降低了斜率效率(L-1特性的梯度)，并且增加了操作电流。此外，在日本未经审查专利申请公开号2005-187034中，因为吸收膜的膜性能差，所以造成特性的劣化。因此，需要提供一种半导体激光器，它允许抑制驱动电流的增加和特性的劣化，以及制造该半导体激光器的方法。根据本公开实施方式的半导体激光器，包括:半导体层，包括有源层和脊部，脊部面对有源层的电流注入区域；以及嵌入膜(embedded film)，覆盖脊部侧面和半导体层的顶面；其中，嵌入膜从接近脊部和半导体层位置开始依次包括由硅氧化膜构成的第一层，由具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比(stoichiometric ratio)的娃含量的娃化合物制成的第二层，以及由无机绝缘材料制成的第三层。
在本公开实施方式的半导体激光器中，嵌入膜从脊部侧和半导体层侧依次包括第一层、第二层和第三层。由硅氧化膜构成的第一层导致了脊部内侧和外侧之间折射率的差，从而形成波导。因为第二层是由具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成，所以抑制了来自有源层的光泄漏，并且此外，即使光从有源层泄漏，泄漏的光也会被第二层吸收。因此，抑制了驱动电流的增加。此外，第二层是由具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的，因此，膜的质量差。然而，因为第二层被无机绝缘材料制成的第三层覆盖，所以抑制了特性的劣化。根据本公开实施方式的制造半导体激光器的方法，包括:形成包括有源层的半导体层；在半导体层中形成面对有源层的电流注入区域的脊部；在脊部的侧面和半导体层的顶面上形成嵌入膜，其中，作为嵌入膜，从接近所述脊部和所述半导体层的位置依次形成:由硅氧化膜构成的第一层，具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第二层，以及无机绝缘材料制成的第三层。根据本公开实施方式的半导体激光器和制造半导体激光器的方法，作为嵌入膜，从靠近所述脊部和所述半导体层的位置依次形成由硅氧化膜构成的第一层、具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第二层、以及无机绝缘材料制成的第三层。因此，能够抑制驱动电流的增加和特性的劣化。要理解的是，上述的总体描述和下面的详细描述都是示例性的，用于对所要求保护的技术提供进一步的说明。
包括有附图以提供对本公开的进一步理解，并且被并入且构成此说明书的一部分。附图示出了实施方式并且与说明书一起用来说明本技术的原理。图1是示出了根据本公开的一个实施方式的半导体激光器的配置的截面图。图2是用于说明调整斜率效率的方法的示图。图3是示出了图1所示第一层的厚度和斜率效率之间的关系的实验结果的线图。图4是示出了图1所示第二层的折射率和斜率效率之间的关系的实验结果的线图。图5是示出了图1所示第二层的折射率和阈值Ith之间的关系的实验结果的线图。图6是示出了在图5中第二层的折射率η为2.75的情况下光场泄漏到第二层的实验结果的线图。图7是示出了在图5中第二层的折射率η为2.49的情况下光场泄漏到第二层的实验结果的线图。图8是示出了图1所 示第二层的消光系数和斜率效率之间的关系的实验结果的线图。图9是示出了图1所示第二层的厚度和斜率效率之间的关系的实验结果的线图。图1OA和图1OB是按照加工顺序示出制造图1所示的半导体激光器的方法的截面图。图11是示出了图1OB之后的步骤的截面图。
具体实施例方式参照附图，下面将详细描述本公开的实施方式。图1示出了根据本公开的一个实施方式的半导体激光器的大体配置。例如，此半导体激光器I是蓝/蓝紫色半导体激光器，其被用作用于个人计算机和家用游戏机中BD的记录和/或播放的激光器，并且其具有约500nm或更小的振荡波长，例如，约400nm。半导体激光器I在由GaN制成的基板11的一侧(顶面)上包括例如半导体层10、嵌入膜20和p-侧电极30。在基板11的另一侧(地面)上设置η-侧电极40。半导体层10具有这样的配置，其中η-型半导体层12、有源层13和ρ-型半导体层14以此顺序层叠在基板11上。用于电流限制的带状脊部15被配置到ρ-型半导体层14，面对有源层13的电流注入区域(发光区域)。基板11由例如掺杂有娃(Si)作为η-型杂质的η_型GaN制成。η-型半导体层12例如包括从基板11侧依次设置的η_型覆层(cladding layer)和η-侧引导层(guide layer)。n_型覆层沿层叠方向的厚度为2.5 μ m至2.6 μ m (以下简称为厚度)，并且例如由掺杂娃(Si)作为η-型杂质的η-型AlGaN混晶制成。η-侧引导层的厚度为0.21 μ m,并且例如由掺杂有硅(Si)作为η-型杂质的η-型GaN制成。例如，有源层13的厚度为0.056 μ m，并具有多量子阱结构，包括阱层和阻挡层，阱层和阻挡层是由InxGal-xN (其中，x彡O)的混晶制成的，并且它们的成份彼此不同。例如，ρ-型半导体层14从基板11侧依次包括P-侧引导层、电子阻挡层、P-型覆层和P-侧接触层。例如，P-侧引导层的厚度为0.19 μ m，并且是由掺杂有镁(Mg)作为P-型杂质的P-型GaN制成。例如，电子阻挡层的厚度为0.02 μ m，是由掺杂有镁(Mg)作为ρ-型杂质的P-型AlGaN混晶制成的。例如，ρ-型覆层的厚度为0.38 μ m,具有AlGaN混晶层和掺杂有镁(Mg)作为ρ-型杂质的ρ-型GaN层的超晶格结构。例如，ρ-侧接触层的厚度为0.10 μ m,并且是由掺杂有镁(Mg)作为P-型杂质的P-型GaN制成。嵌入膜20具有这样的配置，其中以靠近脊部15和半导体层10位置层叠第一层
21、第二层22和第三层23。第一层21由硅氧化膜构成。第二层22是由具有比有源层13低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成。第三层23由无机绝缘材料制成。有了这样的配置，半导体激光器I允许抑制驱动电流的增加和特性的劣化。第一层21通过造成脊部15内侧和外侧之间的折射率差形成波导，并如后面将要描述的那样，具有调节斜率效率的功能。第一层21如上所述由硅氧化膜构成，其折射率为例如1.4至1.6，并且消光系数k为零(k=0)。顺便说一下，半导体层10的折射率为大约
2.5o现在，将描述斜率效率的调整，这是第一层21的功能之一。应基于以下两个特性考虑调整斜率效率的方法:第一层21的厚度和第二层22的光吸收率(消光系数)。具体而言，当第一层21的厚度增大时，半导体激光器I对第二层22的光变得较不敏感，因此，有必要增大第二层22的消光系数。另`一方面，在半导体激光器I的第一层21的厚度减小时，半导体激光器I对第二层22的光变得敏感，因此，有必要减小第二层22的吸收系数。例如，当如图2的(A)所示，当第一层21的厚度减小并且第二层22的消光系数降低时，有必要设置第一层21的厚度为约几纳米，以便获得实用的斜率效率，并且由第一层21厚度的非均匀性而引起的斜率效率的变化可能不被容忍。此外，当第一层21的厚度减小时，绝缘功能下降，因此，耐压性和ESD (静电放电)特性可能劣化。如果第一层21的厚度进一步减小，那么限定波导的效果减小，并且光泄漏变得显著，并且，激光振荡的操作电压可能会增加，并且其输出可能会变得不稳定。此外，当如图2的(B)所示，第一层21的厚度增加并且第二层22的消光系数增加时，光吸收增加，并且斜率效率降低，因此，要增加操作电压。如果第一层21的厚度进一步增加，那么半导体激光器I感测不到(insensible)第二层22的光。因此，第一层21的厚度例如优选为20nm至200nm。第二层22的折射率越高，其消光系数越高，并在第二层22的折射率与有源层13的折射率相等的情况下，如果第一层21的厚度小于20nm，那么斜率效率低于I，这是不可行的。此外，当第一层21的厚度大于200nm时，即使充分增加第二层22的消光系数k，半导体激光器I变得感测不到第二层22的光。如上文所述，为了抑制来自有源层13的光泄漏，第二层22具有比有源层13低的折射率。第二层22的消光系数k优选高于零(O)且等于或低于0.5，更可取的是，例如为0.1至0.3。当第二层22的消光系数k在该范围时，能够使第二层22的折射率低于有源层13的折射率。此外，即使当光从有源层13泄漏时，第二层22具有吸收泄漏光的光吸收膜的功能。因此，如上所述，第二层22由具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成。优选第二层22由具有良好热稳定性的硅氮化膜构成。换句话说，第二层22包含S1-Si键，光被
S1-Si键吸收。不吸收光的硅氮化膜(消光系数k=0)中不包含S1-Si键，消光系数k越高，所含的S1-Si键的数目越大。例如，在硅氮化膜的消光系数k为O的情况下，硅的含量为36.6%，并且其中所含S1-Si键的百分比是零(O)。在硅氮化膜的消光系数k为0.2724的情况下，硅的含量为42.5%，其6.7%是S1-Si键。当如上文所述那样，例如，第二层22的消光系数k为0.3或更低时，第二层22中包含的S1-Si键的百分比是大约7.1%或更低。当如上文所述那样，例如，在第二层22的消光系数k为0.5或更低的情况下，第二层22中包含的S1-Si键的百分比是例如12%或更低。第二层22的厚度优选为例如20nm或更高。当厚度小于20nm时，斜率效率可能会过度增加。此外，更优选的是，第二层22的厚度为20nm至lOOnm。当厚度大于200nm时，斜率效率关于膜的厚度饱和，并且工艺余量(process margin)增加。然而,在这种情况下,薄膜形成时间增加，而且在后续工序中用于形成P-侧电极30的蚀刻余量减小。因此，优选第二层22的厚度为20nm或更大，例如，约lOOnm。第三层23具有密封层和保护层(钝化层)的功能，并且由无机绝缘材料制成。由于第二层22具有高硅含量，还还包含许多悬空键(dangling-bond)，从而膜的质量很差；因此，很容易发生泄漏等。然而，通过用第三层23覆盖第二层22以密封第二层22，能够减少特性的劣化。优选第三层23由例如硅氧化膜(Si02)、铝氧化膜(A1203)、铝氮化膜(A1N)、硅氮化膜(SiNx)、钽氧化 膜(Ta2O5)或锆氧化膜(ZrO2)构成。其中，优选第三层23是由具有等于或接近于化学计量比的硅含量的硅氮化膜构成，其折射率η是1.8至2.2，并且其消光系数k是零(0)。这是因为这样的硅氮化膜实现了良好的膜质量，并且兼具耐压性和密封性。从密封性和绝缘性的角度出发，第三层23的厚度优选是例如50nm或以上。此外，虽然从密封性的角度来看，第三层23的厚度优选设置为尽可能大，但是其厚度增加时，膜可能会出现破裂，因此，期望该厚度是例如500nm或更小。应当指出的是，即使在第二层22和第三层23都是由硅氮化膜构成的情况下，也可以通过研究其硅含量的差异来分析这些层。此外，当被浸在氢氟酸中时，由于第二层22具有比第三层23更高的蚀刻速度，所以在第二层22和第三层23之间形成一个阶，从而允许进行分析。图3至图9示出了根据以上描述的计算结果。要注意的是，在下列条件下，使用ATLAS进行计算。第一层21材料:Si02 (成膜方法:沉积)半导体层10的顶面侧上平坦部分的厚度:40nm脊部15侧面处的厚度:28nm (平坦部分的70%)折射率:1.46消光系数k:零(0)
第二层22材料:SiN半导体层10的顶面侧上平坦部分的厚度:IOOnm脊部15侧面处的厚度:50nm (平坦部分的50% )折射率:2.49消光系数k:0.185第三层23材料:SiN折射率η:2.04消光系数k:零(O)有源层13折射率n:2.64图3示出了第一层21的厚度和斜率效率(slope efficiency)之间的关系的实验结果。从图3中可以看出，当第一层21的厚度为20nm时，斜率效率是约0.9，斜率效率随着第一层21的厚度的增加而增加。也就是说，当第一层21的厚度的下限被设置为20nm或以上时，可以获得实用的I或大于I的斜率效率。
图4示出了第二层22的折射率和斜率效率之间的关系的实验结果。从图4中可以看出，随着第二层22的折射率增加，斜率效率降低。此外，当第二层22的折射率η变得高于有源层13的折射率(2.64)时，斜率效率下降的梯度变陡，并且效率明显下降。也就是说，当第二层22的折射率η被设定为低于有源层13的折射率时，能够抑制斜率效率的急剧下降，同时可以确保用于折射率的变化的余量。图5示出了第二层22的折射率和阈值Ith之间的关系的实验结果。从图5中可以看出，随着第二层22的折射率增加，驱动电流增加。此外，当第二层22的折射率η变得高于有源层13的折射率(2.64)时，驱动电流增加的梯度变陡，并且效率明显下降。图6示出了在图5中第二层22的折射率η为2.75的情况下光场泄漏到第二层22的实验结果。图7示出了在图5中第二层22的折射率η为2.49的情况下光场泄漏到第二层22的实验结果。从图6和图7中可以看出，当第二层22的折射率η为2.75时，造成光场到第二层22的泄漏L22，而当第二层22的折射率η为2.49时，光场到第二层22的泄漏被抑制。换言之，当第二层22的折射率η被设定为低于有源层13的折射率时，能够抑制光场到第二层22的泄漏L22，并因此抑制驱动电流的增加。图8示出了第二层22的消光系数k和斜率效率之间的关系的实验结果。从图8中可以看出，随着第二层22的消光系数k增加，斜率效率逐渐减小。因此，当第二层22的消光系数k被设定为高于零(O)且等于或低于0.5，更优选0.1至0.3，可获得良好的斜率效率。图9示出了第二层22的厚度和斜率效率之间的关系的实验结果。要注意的是，图9示出了在第二层22的折射率是2.49的情况下的计算结果。从图中可以看出。如图9所示，随着第二层22的厚度增加，斜率效率逐渐减小。因此，当第二层22的厚度被设置为20nm或以上，优选为20nm至lOOnm，可获得良好的斜率效率。
图1所示的ρ-侧电极30被设置在P-型半导体层14的脊部15上。例如，ρ-侧电极30具有这样的配置，其中钯(Pd)、钼(Pt)、金(Au)从ρ-型半导体层14侧依次层叠。P-侧电极30被电连接到ρ-型半导体层14。例如，图1所示的η-侧电极40具有这样的配置，其中钛(Ti)、钼(Pt)、金(Au)依次层叠。η-侧电极40被电连接到η-型半导体层12，基板11在这二者之间。要指出的是，在图1所示的半导体层10中，在脊部15的长度方向(谐振器方向)上彼此相对的面是一对谐振器端面(未示出)。该对谐振器端面分别设置有一对反射镜膜(未示出)。调整该对反射镜膜中的一个以具有低反射率，而调节该对反射镜膜的另一个以具有高反射率。有了这种配置，在有源层13中产生的光在该对反射镜膜之间往复运动并被放大，并作为激光束从一个反射镜膜被发射。例如，如下地制造半导体激光器I。首先，如图1OA所示，准备由GaN构成的基板11，通过例如MOCVD (有机金属化学气相沉积)方法在基板11的表面上生长由上述材料制成的η-型半导体层12、有源层13和P-型半导体层14，以形成半导体层10。
其次，如图1OB所示，用于蚀刻的掩模在ρ-型半导体层14上形成，在厚度方向上的P-型半导体层14的一部分通过例如干法蚀刻除去，以形成带状脊部15。接着，如图11所示，在脊部15的侧面和半导体层10的顶面上，从脊部15侧和半导体层10侧依次形成第一层21、第二层22和第三层23以形成嵌入膜20。此时，优选在相同的装置和相同的空间连续地形成第二层22和第三层23。这是因为，如果第二层22和第三层23在形成的过程中被带到外部，在第二层22和第三层23之间的界面上会形成自然氧化膜(SiO2),因此，它们的粘合性可能会降低。此后，如图1所示，P-侧电极30形成在嵌入膜20和半导体层10上。此外，基板11的后表面被，例如，研磨和抛光，直到基板11的厚度变成例如约lOOym，然后η-侧电极40在基板11的底表面(后表面)上形成。此后，通过劈开而形成一对谐振器端面，并且端表面涂层被适当地施加到谐振器端面上，以形成反射镜膜。因此，图1所示的半导体激光器I完成。在半导体激光器I中，当在η-侧电极40和ρ-侧电极30之间施加预定电压时，电流被注入到有源层13，并通过电子和空穴的复合产生光。该光被一对反射镜膜反射，并在其间往复运动，以造成激光振荡，然后作为激光束被发射到外侧。在此实例中，嵌入膜20从脊部15侧和半导体层10侧依次包括第一层21、第二层22和第三层23。由硅氧化膜构成的第一层21造成脊部15内侧和外侧之间的折射率差，从而形成波导。由于第二层22由具有比有源层13低的折射率，并具有高于化学计量比的硅含量的硅氮化膜构成，因而来自有源层13的光泄漏被抑制，并且，即使光从有源层13泄漏，泄露的光也会被第二层22吸收。因此，驱动电流的增加被抑制。另外，第二层22由具有高于化学计量比的硅含量的硅氮化膜构成，因此，膜的质量差。然而，由于第二层22被无机绝缘材料制成的第三层23覆盖，因而特性的劣化被抑制。如上所述，在本实施方式中，作为嵌入膜20，从接近脊部15和半导体层10的位置依次形成由硅氧化膜构成的第一层21、由具有比有源层13低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅氮化膜构成的第二层22、以及由绝缘材料制成的第三层23。结果，能够抑制驱动电流的增加和特性的劣化。在上文中，尽管结合实施方式描述了本公开，但是本公开并不限于上述实施方式，并且可以进行各种修改。例如，上述实施方式中所述的层的材料和厚度、用于形成膜的方法、用于形成膜的条件等不是限制性的，也可以采用其它材料和厚度、其它用于形成膜的方法和用于形成膜的其它条件。例如，尽管在上述实施方式中通过MOCVD法形成η-型半导体层12、有源层13和P-型半导体层14，但也可以通过其它的金属有机化学气相沉积法来形成这些层，如MOVPE法或MBE (分子束外延)法等。此外，例如，虽然在上述的实施方式中详细描述了半导体激光器I的结构，但是并非所有的层都必须被包括，并且还可以包含其它层。此外，本公开并不限于上述实施方式中描述的蓝/蓝紫色半导体激光器，其由包含III族元素中的至少镓(Ga)以及V族元素中的至少氮(N)的II1-V族氮化物半导体构成，并且本公开适用于提供更高输出的半导体激光器，或具有其它振荡波长或其它材料的半导体激光器。注意，本技术可以如下地配置。(I) 一种半导体激光器，包括:半导体层，包括有源层和脊部，脊部面对有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖脊部侧面和半导体层的顶面，其中，嵌入膜从接近所述脊部和所述半导体层位置依次包括:由硅氧化膜构成的第一层，
由具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第二层，以及由无机绝缘材料制成的第三层。(2)根据(I)的半导体激光器，其中，第二层的消光系数高于零(0)，并且等于或低于 0.5。(3)根据(I)或(2)的半导体激光器，其中，第二层由具有高于化学计量比的硅含量的硅氮化膜构成。(4)根据(3)的半导体激光器，其中，第二层包含S1-Si键，并且包含在第二层中的S1-Si键的百分比是约12%或更低。(5)根据(4)的半导体激光器，其中，第二层的厚度为约20nm或更大。(6)根据(I)至(5)中任何一项的半导体激光器，其中，第一层的折射率为约1.4至 1.6。(7)根据(6)的半导体激光器,其中，第一层的厚度为约20nm至200nm。(8)根据(I)至(7)任何一项的半导体激光器，其中，第三层由具有等于或接近于化学计量比的硅含量的硅氮化膜构成。(9)根据(8)的半导体激光器，其中，第三层的折射率为约1.8至2.2。(10)根据(9)的半导体激光器，其中，第三层的消光系数为零。(11)根据(10)的半导体激光器，其中，第三层的厚度为约50nm或更大。(12) 一种制造半导体激光器的方法，包括:
形成包括有源层的半导体层；在半导体层中形成面对有源层的电流注入区域的脊部；并且在脊部的侧面上和半导体层的顶面上形成嵌入膜，其中，作为嵌入膜，从接近脊部和半导体层的位置依次形成:由硅氧化膜构成的第一层，具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第~■层，以及无机绝缘材料制成的第三层。本公开包含的主题涉及于2012年I月25日提交至日本专利局的日本在先专利申请JP2012-012655中所公开的主题，其全部内容通过引用结合于此。本领域技术人员应当理解，根据设计需求和其他因素，在所附权利要求或其等价方案范围内，可以 进行各种修改、组合、子组合、以及更改。
权利要求
1.一种半导体激光器，包括: 半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对所述有源层的电流注入区域；以及 嵌入膜，覆盖所述脊部的侧面和所述半导体层的顶面，其中， 所述嵌入膜从接近所述脊部和所述半导体层的位置依次包括: 第一层，由娃氧化膜构成， 第二层，由具有比所述有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成，以及 第三层，由无机绝缘材料制成。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第二层的消光系数高于O，并且等于或低于0.5。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第二层由具有高于化学计量比的娃含量的娃氮化膜构成。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其中， 所述第二层包含S1-Si键，并且 包含在所述第二层中的S1-Si键的百分比是约12%或更低。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其中，所述第二层的厚度为约20nm或更大。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第一层的折射率为约1.4至1.6。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其中，所述第一层的厚度为约20nm至200nm。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第三层由具有等于或接近于化学计量比的硅含量的硅氮化膜构成。
9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其中，所述第三层的折射率为约1.8至2.2。
10.根据权利要求9所述的半导体激光器，其中，所述第三层的消光系数为零。
11.根据权利要求10所述的半导体激光器，其中，所述第三层的厚度为约50nm或更大。
12.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第二层的厚度为20nm至200nm，而所述第三层的厚度为50nm至500nm。
13.—种制造半导体激光器的方法，包括: 形成包括有源层的半导体层； 在所述半导体层中形成面对所述有源层的电流注入区域的脊部；并且 在所述脊部的侧面上和所述半导体层的顶面上形成嵌入膜，其中， 作为所述嵌入膜，从接近所述脊部和所述半导体层的位置依次形成: 由硅氧化膜构成的第一层， 具有比所述有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第~■层，以及 由无机绝缘材料制成的第三层。
全文摘要
本发明涉及半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器包括半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖脊部侧面和半导体层的顶面；其中，嵌入膜从脊部和半导体层侧开始依次包括由硅氧化膜构成的第一层、由具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第二层、以及由无机绝缘材料制成的第三层。
文档编号H01S5/22GK103227418SQ20131001984
公开日2013年7月31日 申请日期2013年1月18日 优先权日2012年1月25日
发明者松谷弘康, 佐藤圭 申请人:索尼公司