专利名称：一种具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体光电技术领域，特别是涉及一种具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法。
背景技术：
太阳能电池是把光能转换为电能的光电子器件，对太阳能电池来说，单结的太阳能电池只能覆盖及利用某一波长范围的阳光，为了充分利用太阳光不同波段的光子能量，提高太阳能电池的光电转换效率，一般将多种不同带隙的半导体材料搭配，组成多结太阳能电池。目前，在晶格匹配的GalnP/GaAs/Ge三结太阳能电池中，在无聚光条件下光电转换效率最大能达到32%。但在太阳能电池进行光转换的过程中，反射的损失降低了太阳能电池单位面积入射的光子数，导致太阳能电池电流密度降低，从而影响电池的能量转换效率。为提高电池的光电转换效率，应减少电池表面光的反射损失，增加光的透射。因此业内一般都采用在太阳能电池表面形成减反射膜，以达到减少表面光的反射损失，从而提高太阳能电池的效率。对于用于减少光损失的减反射膜，一般可选用单层或多层的形式。单层减反射膜是利用光在减反射膜的两侧处反射光存在位相差的干涉原理而达到减反射效果；对于多层减反射膜，其利用多层减反射膜中的每一层的减反射作用进行叠加，最终将多层减反射膜等效为单层减反射I旲，从而进一步提闻对光反射的抑制效果，达到提闻太阳能电池效率的目的。但是目前使用的多层减反射膜依然不能令人满意，这是因为多层减反射膜由于采用多层结构，多层减反射膜之间的折射率难以良好匹配，因此，多层减反射膜的应用仍有待提闻
发明内容
:为解决上述问题，本发明旨在提出一种具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法，采用该方法制得的五结太阳能电池，可以达到良好的折射率匹配，提高太阳能电池的效率。本发明提出的具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法包括如下步骤:步骤一:利用MOCVD工艺依次生长G e电池(2)和G a I n A s电池(3);步骤二:采用真空镀膜机，在G a I n A s电池(3)上蒸镀第一减反射层(4)；步骤三:利用MOCVD工艺在第一减反射层(4)上依次生长G a I η P电池(5)和应变补偿G aAsP/GalnAs超晶格电池(6)；步骤四:利用MOCVD工艺在应变补偿G aAsP/GalnAs超晶格电池(6)上生长第二减反射层(7);步骤五:采用真空镀膜机，在第二减反射层(7)上蒸镀第三减反射层(8)；
步骤六:利用MOCVD工艺在第三减反射层(8)上生长G a I η P电池(9);步骤七:利用MOCVD工艺在G a I η P电池(9)上依次生长第四减反射层(10)和第五减反射层(12)；步骤八:采用真空镀膜机，在第五减反射层(12)上蒸镀第六减反射层(13)；步骤九:在第六减反射层(13)的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极(11)的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第五减反射层(12)和第六减反射层(13)，直至露出第四减反射层(10)为止；步骤十:采用溅射工艺在第四减反射层(10)的将要形成顶电极(11)的区域表面上溅射金属银，从而形成所述顶电极(11);在& e电池(2)的整个下表面溅射金属银，以形成底电极(I)。其中，第一减反射层(4)为MgF2，其折射率为1.36 1.40，厚度为40_6011111;第二减反射层(7)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2 3.4，厚度为30_40nm ;第三减反射层(8)为ZnS薄膜，其折射率为2.1-2.3，厚度为50_70nm ;第四减反射层(10)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2 3.4，厚度为30-40nm ;第五减反射层(12)为Si3N4薄膜，其折射率为:
2.1-2.4，其厚度为50-60nm ;第六减反射层(13)为Ta2O5薄膜，其折射率为2.0 2.15，其厚度为80-100nm。其中，蒸镀第一减反射层(4)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为110 130°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.4 0.5nm/s ；其中，蒸镀第三减反射层(8)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为100 140°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.2 0.4nm/s ；其中，蒸镀第六减反射层(13)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为100 140°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.2 0.3nm/s ；其中，MOCVD生长第二减反射层(7)和第四反射层(10)的方法为:在MOCVD淀积腔中，淀积温度为640 680°C，生长速率为0.4 0.6nm/s ；其中，MOCVD生长第五减反射层(12)的方法为:在MOCVD淀积腔中，淀积温度为660 680 0C，生长速率为0.5 0.7nm/s ；
:图1为本发明提出的具有减反射膜的五结太阳能电池。
具体实施方式
:下面通过具体实施方式
对本发明提出的具有减反射膜的五结太阳能电池进行详细说明。实施例1参见图1，本发明提出的具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法包括如下步骤:步骤一:利用MOCVD工艺依次生长G e电池(2)和G a I n A s电池(3);步骤二:采用真空镀膜机，在G a I n A s电池(3)上蒸镀第一减反射层(4)；步骤三:利用MOCVD工艺在第一减反射层(4)上依次生长G a I η P电池(5)和应变补偿G aAsP/GalnAs超晶格电池(6)；步骤四:利用MOCVD工艺在应变补偿G aAsP/GalnAs超晶格电池(6)上生长第二减反射层(7);步骤五:采用真空镀膜机，在第二减反射层(7)上蒸镀第三减反射层(8)；步骤六:利用MOCVD工艺在第三减反射层(8)上生长G a I η P电池(9);步骤七:利用MOCVD工艺在G a I η P电池(9)上依次生长第四减反射层(10)和第五减反射层(12)；步骤八:采用真空镀膜机，在第五减反射层(12)上蒸镀第六减反射层(13)；步骤九:在第六减反射层(13)的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极(11)的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第五减反射层(12)和第六减反射层(13)，直至露出第四减反射层(10)为止；步骤十:采用溅射工艺在第四减反射层(10)的将要形成顶电极(11)的区域表面上溅射金属银，从而形成所述顶电极(11);在& e电池(2)的整个下表面溅射金属银，以形成底电极(I)。其中，第一减反射层(4)为MgF2，其折射率为1.36 1.40，厚度为40-6011111;第二减反射层(7)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2 3.4，厚度为30_40nm ;第三减反射层(8)为ZnS薄膜，其折射率为2.1-2.3，厚度为50_70nm ;第四减反射层(10)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2 3.4，厚度为30-40nm ;第五减反射层(12)为Si3N4薄膜，其折射率为:2.1-2.4，其厚度为50-60nm ;第六减反射层(13)为Ta2O5薄膜，其折射率为2.0 2.15，其厚度为80-100nm。其中，蒸镀第一减反射层(4)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为110 130°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.4 0.5nm/s ；其中，蒸镀第三减反射层(8)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为100 140°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.2 0.4nm/s ；其中，蒸镀第六减反射层(13)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为100 140°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.2 0.3nm/s ；其中，MOCVD生长第二减反射层(7)和第四反射层(10)的方法为:在MOCVD淀积腔中，淀积温度为640 680°C，生长速率为0.4 0.6nm/s ；其中，MOCVD生长第五减反射层(12)的方法为:在MOCVD淀积腔中，淀积温度为660 680 0C，生长速率为0.5 0.7nm/s ；实施例2下面介绍本发明提出的具有减反射膜的五结太阳能电池制造方法的优选实施例，该方法包括如下步骤:步骤一:利用MOCVD工艺依次生长G e电池(2)和G a I n A s电池(3);步骤二:采用真空镀膜机，在G a I n A s电池(3)上蒸镀第一减反射层(4)；步骤三:利用MOCVD工艺在第一减反射层(4)上依次生长G a I η P电池(5)和应变补偿G aAsP/GalnAs超晶格电池(6)；步骤四:利用MOCVD工艺在应变补偿G aAsP/GalnAs超晶格电池(6)上生长第二减反射层(7);
步骤五:采用真空镀膜机，在第二减反射层(7)上蒸镀第三减反射层(8)；步骤六:利用MOCVD工艺在第三减反射层(8)上生长G a I η P电池(9);步骤七:利用MOCVD工艺在G a I η P电池(9)上依次生长第四减反射层(10)和第五减反射层(12)；步骤八:采用真空镀膜机，在第五减反射层(12)上蒸镀第六减反射层(13)；步骤九:在第六减反射层(13)的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极(11)的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第五减反射层(12)和第六减反射层(13)，直至露出第四减反射层(10)为止；步骤十:采用溅射工艺在第四减反射层(10)的将要形成顶电极(11)的区域表面上溅射金属银，从而形成所述顶电极(11);在& e电池(2)的整个下表面溅射金属银，以形成底电极(I)。优选地，第一减反射层(4)为MgF2，其折射率为1.38，厚度为50nm ;第二减反射层
(7)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.3，厚度为36nm ;第三减反射层(8)为ZnS薄膜，其折射率为2.15，厚度为60nm ;第四减反射层(10)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.3，厚度为36nm ；第五减反射层(12)为Si3N4薄膜，其折射率为:2.3，其厚度为55nm ;第六减反射层(13)为Ta2O5薄膜，其折射率为2.1，其厚度为90nm。其中，蒸镀第一减反射层(4)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为110 130°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.4 0.5nm/s ；其中，蒸镀第三减反射层(8)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为100 140°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.2 0.4nm/s ；其中，蒸镀第六减反射层(13)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为100 140°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.2 0.3nm/s ；其中，MOCVD生长第二减反射层(7)和第四反射层(10)的方法为:在MOCVD淀积腔中，淀积温度为640 680°C，生长速率为0.40.6nm/s ；其中，MOCVD生长第五减反射层(12)的方法为:在MOCVD淀积腔中，淀积温度为660 680 0C，生长速率为0.5 0.7nm/s ；本发明所提出的有减反射膜的五结太阳能电池在应用波段范围吸收小，折射率相匹配，具有良好的光学性能。以上实施方式已经对本发明进行了详细的介绍，但上述实施方式并非为了限定本发明的范围，本发明的保护范围由所附的权利要求限定。
权利要求
1.一种具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法，包括如下步骤: 步骤一:利用MOCVD工艺依次生长G e电池(2)和G a I n A s电池(3); 步骤二:采用真空镀膜机，在G a I n A s电池(3)上蒸镀第一减反射层(4); 步骤三:利用MOCVD工艺在第一减反射层(4)上依次生长G a I η P电池(5)和应变补偿G aAsP/GalnAs超晶格电池(6)； 步骤四:利用MOCVD工艺在应变补偿G a A s P / G a InAs超晶格电池(6)上生长第二减反射层(7); 步骤五:采用真空镀膜机，在第二减反射层(7)上蒸镀第三减反射层(8)； 步骤六:利用MOCVD工艺在第三减反射层(8)上生长G a I η P电池(9); 步骤七:利用MOCVD工艺在G a I η P电池(9)上依次生长第四减反射层(10)和第五减反射层(12); 步骤八:采用真空镀膜机，在第五减反射层(12)上蒸镀第六减反射层(13); 步骤九:在第六减反射层(13)的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极(11)的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第五减反射层(12)和第六减反射层(13)，直至露出第四减反射层(10)为止； 步骤十:采用溅射工艺在第四减反射层(10)的将要形成顶电极(11)的区域表面上溅射金属银，从而形成所述顶电极(11);在G e电池(2)的整个下表面溅射金属银，以形成底电极(I)。
2.如权利要求1所述的具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法，其特征在于: 其中，第一减反射层(4)为MgF2，其折射率为1.36 1.40，厚度为40_60nm ;第二减反射层(7)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2 3.4，厚度为30_40nm ;第三减反射层(8)为ZnS薄膜，其折射率为2.1-2.3，厚度为50-70nm ;第四减反射层(10)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2 3.4，厚度为30-40nm ;第五减反射层(12)为Si3N4薄膜，其折射率为:2.1-2.4，其厚度为50-60nm ;第六减反射层(13)为Ta2O5薄膜，其折射率为2.0 2.15，其厚度为80_100nm。
3.如权利要求1或2所述的具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法，其特征在于: 优选地，第一减反射层(4)为MgF2，其折射率为1.38，厚度为50nm;第二减反射层(7)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.3，厚度为36nm ;第三减反射层(8)为ZnS薄膜，其折射率为2.15，厚度为60nm ;第四减反射层(10)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.3，厚度为36nm ;第五减反射层(12)为Si3N4薄膜，其折射率为:2.3，其厚度为55nm ;第六减反射层(13)为Ta2O5薄膜，其折射率为2.1，其厚度为90nm。
4.如权利要求1-3任意之一所述的具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法，其特征在于: 其中，蒸镀第一减反射层(4)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为110 130°C，真空度大于lCT5torr,生长速率为0.4 0.5nm/s ； 其中，蒸镀第三减反射层(8)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为100 140°C，真空度大于lCT5torr,生长速率为0.2 0.4nm/s ； 其中，蒸镀第六减反射层(13)的方法为:在真空镀膜机中，蒸镀温度为100 140°C，真空度大于10_5torr，生长速率为0.2 0.3nm/s ；其中，MOCVD生长第二减反射层(7)和第四反射层(10)的方法为:在MOCVD淀积腔中，淀积温度为640 680°C，生长速率为0.4 0.6nm/s ； 其中，MOCVD生长第五减反射层(12)的方法为:在MOCVD淀积腔中，淀积温度为660 680℃，生长速率为0.5 0.7nm/s。
全文摘要
本发明公开了一种具有减反射膜的五结太阳能电池的制造方法，依次形成Ｇｅ电池(2)、ＧａＩｎＡｓ电池(3)、第一减反射层(4)、ＧａＩｎＰ电池(5)、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格电池(6)、第二减反射层(7)、第三减反射层(8)、ＧａＩｎＰ电池(9)、第四减反射层(10)、第五减反射层(12)、第六减反射层(13)；在第六减反射层(13)的表面上形成顶电极(11)；在Ｇｅ电池(2)的整个下表面形成底电极(1)。
文档编号H01L31/0216GK103165750SQ20131006512
公开日2013年6月19日 申请日期2013年2月28日 优先权日2013年2月28日
发明者梅欣, 张俊 申请人:溧阳市生产力促进中心