专利名称：可挠性基板的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种制作可挠性基板的方法，特别是一种利用局部加热程序形成粘着区与非粘着区的可挠性基板结构的制造方法。
背景技术：
一般而言，可挠性显示器具有高轻巧性、耐冲击性、可挠曲性与携带方便等特性，俨然成为新一代具有前瞻性的显示技术。而在目前可挠性显示器工艺技术中，主要的技术瓶颈在于如何将薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)制作于可挠性基板上。然而，现行的可挠性基板的制造与取得仍然存在于相当大的问题，例如:在可挠性基板制造过程中，可能会劣化容易产生气泡或是裂开，因可挠性基板工艺困难进而导致且良率极低。 有鉴于此，亟需一种工艺成本低及工艺时间短的可挠性基板制造方法，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制作可挠性基板的方法，其借由局部进行加热程序于含金属层，可快速地于含金属层与可挠性基板接触处形成粘着区，于未进行加热程序处形成非粘着区，而能够节省工艺时间与成本。本发明的一态样提供一种制作可挠性基板的方法，其包含下列步骤。提供一负载基板。形成一含金属层于负载基板上。形成一可挠性基板于含金属层上。局部进行一加热程序于含金属层，以于含金属层与可挠性基板接触处形成至少一粘着区，以及于未进行该加热程序处形成至少一非粘着区。加热程序的升温速率大于或等于约10°c /分钟，升温最高温度约为小于或等于可挠性基板的玻璃转移温度(Tg)。根据本发明一实施方式，升温速率约为10°C /分钟至50°C /分钟。根据本发明一实施方式，升温最高温度约为200°C至400°C。根据本发明一实施方式，局部进行加热程序步骤为通过红外线、电流、电磁波、力口热板或前述的组合局部进行该加热程序。根据本发明一实施方式，含金属层与可挠性基板的接触处的粘着区的粘着强度约大于或等于30克力(gf)，未进行该加热程序处的非粘着区的粘着强度约小于30克力(gf)。根据本发明一实施方式，方法更包含于局部进行加热程序后，进行一成膜工艺于可挠性基板上，成膜工艺包含主动元件阵列工艺、彩色滤光片工艺或前述工艺的组合。根据本发明一实施方式，方法更包含于局部进行加热程序后，进行另一次加热程序于含金属层与可挠性基板的接触处的粘着区，以使粘着区的粘着强度约小于30克力，以及剥离可挠性基板。根据本发明一实施方式，另一次加热程序的升温最高温度大于可挠性基板的玻璃转移温度(Tg)，且约小于或等于可挠性基板的裂解温度(Td)。根据本发明一实施方式，方法更包含切割非粘着区、邻近于非粘着区的粘着区或粘着区与非粘着区的边界，以及剥离可挠性基板。根据本发明一实施方式，含金属层包含金属、金属化合物或前述的组合。根据本发明一实施方式，含金属层包含一金属元素选自由下列所构成的群组:钛(Ti)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、硅(Si)、钽(Ta)、钨(W)、钥(Mo)、铬(Cr)、钕(Nd)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、错(Zr)、铑(Rh)、钌(Ru)、钯(Pd)、钼(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)及前述至少
二种金属元素的组合。根据本发明一实施方式，金属化合物选自由金属氧化物、金属氮化物及前述的组
口 ο根据本发明一实施方式，形成含金属层步骤包含图案化含金属层。本发明的实施方式是借由局部进行加热程序，以于含金属层与可挠性基板接触处形成粘着区，以及于未进行该加热程序处形成非粘着区，因此工艺速度快、工艺成本低，且含金属层能够承受高温工艺。换言之，本发明的确提供了一种有效固定可挠性基板于负载基板上的方法，且此方法能够轻易地应用于各种需要制作元件于可挠性基板上的工艺中。
为让本发明的的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的的说明如下:图1A至图1B分别显示依照本发明一实施方式的D可挠性基板结构的立体图与剖面示意图。图2显示依照本发明一实施方式的制作可挠性基板的方法的一工艺阶段的剖面示意图。图3A-3C显示依照本发明数实施方式的制作可挠性基板的方法的一工艺阶段的剖面示意图。图4A显示依照本发明一实施方式的可挠性基板结构的上视示意图。图4B显示依照本发明另一实施方式的可挠性基板结构的上视示意图。图4C显示图4A的可挠性基板结构的剖面示意图。图5显示依照本发明一实施方式的制作可挠性基板的方法的一工艺阶段的剖面示意图。图6A-6C显示依照本发明数实施方式的制作可挠性基板的方法的一工艺阶段的剖面示意图。其中，附图标记:110负载基板120含金属层130可挠性基板Rb粘着区Rn非 粘着区
具体实施例方式以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。图1A至图1B分别显示依照本发明一实施方式的可挠性基板结构的立体图与剖面示意图。图2显示依照本发明一实施方式的制作可挠性基板的方法的一工艺阶段的剖面示意图。制作可挠性基板的方法请依序参照图1及图2。首先，如图1所示，提供一负载(carrier or support)基板110。此负载基板110较佳为一种硬质基板，例如玻璃基板、石英基板或硅基板，但不以此为限。接着，形成含金属层120于负载基板110上,如图1所不。形成含金属层120的方法例如为物理气相沉积、化学气相沉积工艺、网版印刷工艺、喷墨、喷墨涂布工艺、金属屏蔽沉积工艺、金属屏蔽蒸镀工艺或其它合适的工艺。含金属层120可全部或部分覆盖负载基板110。换言之,含金属层120可为整面含金属层120或为图案化含金属层120。图1例不为整面的含金属层120，而图案化含金属层120的实施方式(例示于图4A-4B中)将于下述中再详细说明。含金属层120包含金属、金属化合物或前述的组合。详细而言，含金属层120包含一金属元素选自由下列所构成的群组:钛(Ti)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、硅(Si)、钽(Ta)、钨(W)、钥(Mo)、铬(Cr)、钕(Nd)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、锆(Zr)、铑(Rh)、钯(Pd)、钼(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)及前述至少二种金属元素的组合。另外，金属化合物选自由金属氧化物、金属氮化物及前述的组合。
于形成含金属层120后，形成可挠性基板130于含金属层120上。可挠性基板130的材质包括聚亚酰胺(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚醚砜(polyethersulfone, PES)、聚原冰烯(polynorbornene, PNB)、聚醚亚酰胺(polyetherimide, PEI)> 聚苯并咪唑(poly (p-phenylene benzobisimidazole)，PBI)、聚苯并恶唑(poly (p-phenylene benzobisoxazole), PB0)、聚对苯二甲酸对苯二胺(poly (p-phenylene terephthalamide), PPTA)其它合适的材料或上述的组合,但不以此为限。本发明以聚亚酰胺为较佳实施例。其中，上述可挠性基板材质的物理或化学性质可查阅物质安全数据表(material safely data sheet,MSDS)。可挠性基板130也可为有机材料与无机材料的组合。例如可先涂布可挠性基板130的组成物于含金属层120上，再固化此组成物，而形成可挠性基板130。随后，如图2所示，局部进行一加热程序于含金属层120，以于含金属层120与可挠性基板130接触处形成至少一粘着区Rb，以及于未进行加热程序处形成至少一非粘着区Rn。局部进行加热程序的目的是要让局部的含金属层120中的金属、金属化合物或前述的组合与可挠性基板130产生极高的粘着性。当然，预定形成非粘着区Rn的部分不能够被加热。其中，加热程序的加热源，较佳地，是局部加热于负载基板110外表面(如图所示)，再传热到含金属层中，但不限于此。于其它实施例中，加热程序的加热源，是局部加热于可挠性基板130上，再传热到含金属层中。或者是，加热程序的加热源，同时局部加热于负载基板110外表面与可挠性基板130上,并同时再传热到含金属层中。
实际检测发现，当升温速率大于或等于10°C /分钟，升温最高温度小于或等于可挠性基板130的玻璃转移温度(Tg)的条件下，能够使含金属层120与可挠性基板130间产生高粘着性。此高粘着性的性质据信是由于加热程序中的含金属层120的热膨胀系数与可挠性基板130的热膨胀系数相异而产生内应力造成。承上述，升温最高温度需实质上小于或等于可挠性基板130的玻璃转移温度(Tg)。换言之，在此加热程序中，可挠性基板130仍处于玻璃态(glass state),且热膨胀系数(coefficient of thermal expansion, CTE)的变化极小。本发明可挠性基板130的玻璃转移温度需小于或等于约430°C，较佳地，可挠性基板130的玻璃转移温度需约200°C至约400°C，以避免可挠性基板130于后续的工艺，例如:沉积薄膜工艺，产生劣化、起泡、变质或黄化现象，而不能使用或良率降低。举例来说，聚酰亚胺基板的升温最高温度需小于或等于约400°C。聚碳酸酯基板的升温最高温度需不大于约260°C、聚醚砜基板的升温最高温度需不大于约230°C、聚原冰烯基板的升温最高温度需不大于约270°C、聚醚亚酰胺基板的升温最高温度需不大于约216°C、聚苯并咪唑基板的升温最高温度需不大于约420°C、聚苯并恶唑基板的升温最高温度需分别不大于约300°C与聚对苯二甲酰对苯二胺基板的升温最高温度需分别不大于约350°C。 在一实施方式中，加热程序的升温速率约为10°C /分钟至50°C /分钟。在一实施方式中，加热程序的升温最高温度约为200°C至400°C。根据下述的实验例可得知，分别为二氧化钛及氧化铝的含金属层120，当升温最高温度约为200°C时，升温速率较佳至少约为500C /分钟。当升温最高温度约为300°C或400°C时，升温速率较佳至少约为10°C /分钟。换言之，当含金属层120为二氧化钛或氧化铝时，若设定较低的升温最高温度，则需以较快的速度升温，才能达到良好的粘着效果。另外，局部进行加热程序步骤可利用外部热源(如红外线、微波、电磁波、加热板)或者是内部加热(如电压加热、电流加热、电磁波加热)等方式局部加热含金属层120，但不限于此。例如可使用红外线灯管或加热板局部加热含金属层120。而在此所使用的含金属层120可为整面的含金属层120或者是图案化含金属层120。电流加热是利用电流的焦耳效应将电能转换成热能，而可快速加热物体。例如可直接施加电压于含金属层120,使其内部产生热能而升温。但含金属层120需暴露出一部分，以使电压能够直接施加于含金属层120。电磁波加热是将电能以电磁波形式直接作用于物体，使其内部产生热能。例如可将可挠性基板结构置于带有电磁场的极板间或置于能产生电磁波的感应线圈内。据此，以上述电流加热与电磁波加热方式而言，较佳是于预定形成粘着区Rb的位置设有含金属层120，于预定形成非粘着区Rn的位置不设置含金属层120。换言之，在此所使用的含金属层120较佳为图案化含金属层120。此时，粘着区Rb的粘着强度实质上大于非粘着区Rn的粘着强度。在一实施方式中，含金属层120与可挠性基板130的接触处的粘着区Rb的粘着强度大于或等于约30克力(gf)，未进行该加热程序处的非粘着区Rn的粘着强度约小于30克力(gram-force, gf)。较佳的是,粘着区Rb的粘着强度大于或等于约50克力(gf)。如图2所示，未进行该加热程序处是指两粘着区Rb之间未进行该加热程序的区域，亦即，含金属层120与可挠性基板130接触处的另一部分。在此所指的「粘着强度」是指在试片宽度约为25毫米，剥离速度约为300毫米/分钟的条件下，两层材料(例如含金属层120与可挠性基板130)分别往二个不同方向拉伸，以使得二层材料产生剥离的强度，其中，二个不同方向间的夹角约180度。在另一实施方式中，制造可挠性基板130的方法更包含于局部进行加热程序后，进行一成膜工艺于可挠性基板130上。一般而言，成膜工艺包含主动元件阵列工艺、彩色滤光片工艺或前述工艺的组合。所进行的成膜工艺为主动元件阵列工艺，是指于可挠性基板130上形成主动元件阵列；所进行的成膜工艺150为彩色滤光片工艺，是指于可挠性基板130上形成彩色滤光片。另一方面，所进行的成膜工艺150同时包含主动元件阵列工艺以及彩色滤光片工艺，是指于可挠性 基板130上形成彩色滤光片位于阵列上(color filter onarray, COA)结构或阵列位于彩色滤光片上(array on color filter, A0C)结构；或者是黑色矩阵(black matrix, BM)位于阵列上(black matrix on array, BOA)结构或阵列位于黑色矩阵(black matrix,BM)上(array on black matrix, AOB)结构。其中主动兀件阵列工艺例如是具有主动层的薄膜晶体管阵列工艺，主动层为单层或多层结构，且其材料包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体、氧化物半导体、其它合适的材料或上述的组合。在另一实施方式中，制造可挠性基板130的方法更包含局部进行加热程序后，进行另一次加热程序于含金属层120与可挠性基板130的接触处的粘着区Rb，以使粘着区Rb的粘着强度实质上小于非粘着区Rn的粘着强度。较佳地，进行另一次加热程序于含金属层120与可挠性基板130的接触处的粘着区Rb，以使粘着区Rb的粘着强度约小于30克力(gf)。随后，可借由任何方式剥离可挠性基板130。由于经过另一次加热程序后，含金属层120与可挠性基板130的所有接触处的粘着强度均低于约30克力，故可轻易地剥离可挠性基板130。但为了不让可挠性基板130于另一次加热程序中严重裂解或变质，故其升温最高温度大于可挠性基板130的玻璃转移温度(Tg)，且约小于或等于可挠性基板130的裂解温度(Td)。在此所指的「裂解温度(Td)」，是指以热重分析仪(thermogravimetricanalysis，TGA)(升温速率约为10°C /分钟)所测得的可挠性基板130的热裂解温度Td5(即失重约为5%时的温度)。推测可能是含金属层120和可挠性基板130间界面的内应力于另一次加热程序中，可挠性基板130中的高分子重新排列释放应力，而造成粘着区Rb的粘着强度大幅下降。其中，另一次加热程序的加热源，较佳地，是局部加热于负载基板110外表面(如图所示)，再传热到含金属层中，但不限于此。于其它实施例中，另一次加热程序的加热源，是局部加热于可挠性基板130上，再传热到含金属层中。或者是，另一次加热程序的加热源，同时局部加热于负载基板110外表面与可挠性基板130上，并同时再传热到含金属层中。举例来说，聚酰亚胺基板的另一次加热程序的升温最高温度需介于约420°C至约500°C。聚碳酸酯基板的另一次加热程序的升温最高温度范围为约270°C至约320°C、聚醚砜基板的另一次加热程序的升温最高温度范围为约240°C至约280°C、聚原冰烯基板的另一次加热程序的升温最高温度范围为约280°C至约320°C、聚醚亚酰胺基板的另一次加热程序的升温最高温度范围为约230°C至约260°C、聚苯并咪唑基板的另一次加热程序的升温最高温度范围为约430°C至520°C、聚苯并恶唑基板的另一次加热程序的升温最高温度范围为约345°C至410°C与聚对苯二甲酰对苯二胺基板的另一次加热程序的升温最高温度范围为约360°C至480°C。此外，另一次加热程序也不能让成膜工艺所形成的元件(如彩色滤光树脂或半导体层)严重裂解或变质。因此，较佳的是同时考虑到各种材料的耐热特性，以决定另一次加热程序的升温最高温度。其中，可挠性基板130于另一次加热程序可运用于成膜工艺之前或之后。在另一实施方式中，制造可挠性基板130的方法更包含切割非粘着区(如图3A所示)、邻近于非粘着区Rn的粘着区Rb (如图3C所示)或粘着区Rb与非粘着区Rn的边界(如图3B所示)，再以任何方式剥离可挠性基板130。例如可使用铲刀、刀轮、钻石刀、雷射或上述的组合切割上述的位置。详细而言，较佳的是可先切割非粘着区Rn (如图3A所示)，再剥离可挠性基板130的非粘着区Rn的其中一角，然后以机械方式分离含金属层120与可挠性基板130。次佳的是切割粘着区Rb与非粘着区Rn的边界，如图3B所示。另外，也可切割邻近于非粘着区Rn的粘着区Rb，再施力撕离可挠性基板130的非粘着区Rn的其中一角，并撕开至非粘着区Rn，然后以机械方式分离含金属层120与可挠性基板130。其中，切割与剥离可挠性基板130程序可接续于进行另一次加热程序在可挠性基板130之后，或者是，切割与剥离可挠性基板130程序可直接接续着局部进行一加热程序于含金属层120之后，而上述二者程序之间可不存在进行另一次加热程序在可挠性基板130。其中，取下的可挠性基板的形状不限于矩形，其它形状亦可，例如:圆形、楕圆、多边形、或其它合适的形状。图4A显示依照本发明一实施方式的可挠性基板结构的上视示意图。图4B显示依照本发明另一实施方式的可挠性基板结构的上视示意图。图4C显示图4A的可挠性基板结构的剖面示意图。其中，图4A与图4B显示的可挠性基板结构均包含图案化的含金属层120。也就是说，制造方法中包括图案化含金属层120的步骤。图案化含金属层120的方式例如为光学微影(photolithographic)与蚀刻工艺；或者是网版印刷工艺、喷墨涂布工艺、金属屏蔽沉积工艺、金属屏蔽蒸镀工艺或其它合适的工艺，来形成图案化含金属层120。至于提供负载基板110与形成可挠性基板130等步骤请参考上述实施方式，在此不再赘述。
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与图4A的差异在于，图4B显示的可挠性基板结构可在单片负载基板上制造出多片可挠性基板。如图4B所示，于一负载基板110上形成一阵列状的图案化含金属层120，再于含金属层120上形成整面的可挠性基板130。其中，阵列状的图案化含金属层120中开口的形状(即后续要取下的可挠性基板的形状)不限于矩形，其它形状也可，例如:圆形、楕圆、多边形、或其它合适的形状。当进行局部加热程序后，于含金属层120与可挠性基板130接触处形成粘着区Rb。最后以上述的方式，例如:先进行另一加热程序，再以切割程序或者是仅以切割程序，可一次取下四片可挠性基板(130a、130b、130c及130d)。图4B的单片负载基板上的单片可挠性基板(130a、130b、130c或130d)堆栈结构的剖面图类似于图4C所示。因此，图4B相关的程序/工艺或步骤，例如:加热程序、成膜工艺、切割/剥离步骤，可参阅上述的描述，例如:图4A及其后序图示的描述或者是图2及其后序图示的描述。图5系显示依照本发明一实施方式的制作可挠性基板的方法的一工艺阶段的剖面示意图。如图5所示，局部进行加热程序于图案化含金属层120，以形成粘着区Rb。而非粘着区Rn可位于两粘着区Rb之间。假使进行加热程序后不会增加可挠性基板130与负载基板110间的粘着强度，也可对此可挠性基板结构全面进行加热程序。
并且，可选择性地进行成膜工艺于可挠性基板130上。成膜工艺的具体实施方式
请参阅上述。为了取下可挠性基板130，可先进行另一次加热程序，再以任何方式剥离可挠性基板130，其具体实施方式
请参阅上述。或者，先切割非粘着区(如图6A所示)、邻近于非粘着区Rn的粘着区Rb (如图6C所示)或切割粘着区Rb与非粘着区Rn的边界(如图6B所示)，再以任何方式剥离可挠性基板130。上述切割、剥离步骤的具体实施方式
及其与其它步骤之间的顺序，请参阅上述图3A-3C的具体实施方式
。实施例以下的实施例用以详述本发明的特定态样，并使本领域技术人员得以实施本发明。以下的实施例不应用以限制本发明。比较例1:未经加热程序处理的聚酰亚胺层/ 二氧化钛层先形成聚酰亚胺层于二氧化钛层上。然后，将未经过任何加热程序处理的情况下所得的试片，测试聚酰亚胺层与二氧化钛层间的约180°剥离强度。试片宽度约为25毫米，剥离速度约为300毫米/分钟。实验例1-8:经加热程序处理的聚酰亚胺层/ 二氧化钛层先形成聚酰亚胺层于二氧化钛层上。然后经过不同的加热程序处理，形成实验例1-8的试片，其加热条件如表一所示。实验例I的试片是于约3°C /分钟升温约至200°C，恒温约I小时，再冷却至约25°C (约室温)。实验例2-8的试片的制备方式类似于实验例1，不同之处在于加热条件。然后以相同于比较例I的测试方式测试实验例1-8的试片的约180°剥离强度，其测试结果列于表一中。表一`
权利要求
1.一种制作可挠性基板的方法，其特征在于，依序包含: 提供一负载基板； 形成一含金属层于该负载基板上； 形成一可挠性基板于该含金属层上；以及 局部进行一加热程序于该含金属层，以于该含金属层与该可挠性基板接触处形成至少一粘着区，以及于未进行该加热程序处形成至少一非粘着区，其中该加热程序的升温速率大于或等于10°c /分钟，升温最高温度为小于或等于该可挠性基板的玻璃转移温度Tg。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该升温速率为10°C/分钟至50°C /分钟。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该升温最高温度为200°C至400°C。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，局部进行该加热程序步骤是通过红外线、微波、电磁波、加热板、电流、电压或前述的组合局部进行该加热程序。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该含金属层与该可挠性基板的该接触处的该粘着区的粘着强度大于或等于30克力，未进行该加热程序处的该非粘着区的粘着强度小于30克力。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包含于局部进行该加热程序后，进行一成膜工艺于该可挠性基板上，该成膜工艺包含主动元件阵列工艺、彩色滤光片工艺、黑色矩阵工艺或前述工艺的组合。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，更包含于局部进行该加热程序后，进行另一次加热程序于该含金属层与该可挠性基板的该接触处的该粘着区，以使该粘着区的粘着强度小于30克力；以及 剥离该可挠性基板。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该另一次加热程序的升温最高温度大于该可挠性基板的玻璃转移温度Tg，且小于或等于该可挠性基板的裂解温度Td。
9.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，更包含: 切表I]该非粘着区、邻近于该非粘着区的该粘着区或该粘着区与该非粘着区的边界；以及剥离该可挠性基板。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该含金属层包含金属、金属化合物或前述的组合。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该含金属层包含一金属兀素选自由下列所构成的群组:钛(Ti)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、硅(Si)、钽(Ta)、钨(W)、钥(Mo)、铬(Cr)、钕(Nd)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、锆(Zr)、铑(Rh)、钌(Ru)、钯(Pd)、钼(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)及前述至少二种金属元素的组合。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该金属化合物选自由金属氧化物、金属氮化物及前述的组合。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该含金属层步骤包含图案化该含金属层。
全文摘要
本发明提供一种制作可挠性基板的方法，其包含下列步骤。提供一负载基板。形成含金属层于负载基板上。形成可挠性基板于含金属层上。局部进行一加热程序于含金属层，以于含金属层与可挠性基板接触处形成至少一粘着区，以及于未进行该加热程序处形成至少一非粘着区。上述加热程序的升温速率大于或等于10℃/分钟，升温最高温度为小于或等于可挠性基板的玻璃转移温度(Tg)。
文档编号H01L21/77GK103236418SQ20131007113
公开日2013年8月7日 申请日期2013年3月6日 优先权日2013年1月10日
发明者陈建萤, 赵俊贤, 谢明哲, 吴开杰, 张育诚, 林郁欣 申请人:友达光电股份有限公司