一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种复合阳极及其制备方法，所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和p型掺杂层组成，掺杂金属氧化物层主要是提高器件的出光效率；导电金属单质层主要是提高阳极的导电性，p型掺杂层材质为金属氧化物和酞菁类化合物形成的混合材料，提高了阳极的导电性和空穴注入能力；本发明还公开了一种包含上述复合阳极的有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件的复合阳极有利于光的散射，提高了器件的空穴注入能力和出光效率。
【专利说明】一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。1V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.511m/W，寿命大于100小时。
[0003]OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0004]在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO (氧化铟锡)之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射)，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。因此，有必要提高OLED的发光效率。
【发明内容】
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供了一种复合阳极及其制备方法，所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层组成，该复合阳极可应用于聚合物太阳能电池和有机电致发光器件，应用于有机电致发光器件时，有利于器件空穴的注入，同时提高器件的导电性和发光效率。本发明还提供了包含上述复合阳极的有机电致发光器件及其制备方法。
[0006]第一方面，本发明提供了一种复合阳极，所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层组成；所述掺杂金属氧化物层材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化鹤(WO3)和五氧化二Ii(V2O5)中的一种与氧化镁(MgO)按照质量比为1:0.1?0.3的比例形成的混合材料，所述P型掺杂层为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)和五氧化二钒(V2O5)中的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05?0.4的比例形成的混合材料，所述酞菁类化合物为酞菁铜(CuPc )、酞菁锌(ZnPc )和酞菁f凡(VPc )中的一种。
[0007]优选地，所述掺杂金属氧化物层的厚度为2?30nm。
[0008]优选地，所述导电金属单质层材质为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)和金(Au)中的一种，所述导电金属单质层厚度为2?20nm。
[0009]优选地，所述ρ型掺杂层的厚度为2?30nm。
[0010]优选地，所述玻璃基底为市售普通玻璃。
[0011]第二方面，本发明提供了一种复合阳极的制备方法，包括以下步骤:
[0012]提供所需尺寸的玻璃基底，清洗后干燥；
[0013]在玻璃基底出光面上采用真空蒸镀的方法依次制备所述掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层，得到所述复合阳极；其中，所述掺杂金属氧化物层材质为Μοθ3、WO3和V2O5的一种与MgO按照质量比为1:0.1?0.3的比例形成的混合材料，所述掺杂金属氧化物层和导电金属单质层蒸镀条件均为:蒸镀压强为2X 10_4?3X 10_3Pa，蒸镀速率为I?10nm/s ;所述ρ型掺杂层材质为Mo03、W03和V2O5的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05?0.4的比例形成的混合材料，所述酞菁类化合物为酞菁铜、酞菁锌和酞菁钒中的一种，所述P型掺杂层的蒸镀压强为2 X10-4?3X10_3Pa，蒸镀速率为0.1?lnm/s。
[0014]优选地，所述掺杂金属氧化物层的厚度为2?30nm。
[0015]优选地，所述导电金属单质层材质为银(Ag)、招(Al)、钼(Pt)和金(Au)中的一种，所述导电金属单质层厚度为2?20nm。
[0016]优选地,所述ρ型掺杂层的厚度为2?30nm。
[0017]优选地，所述玻璃基底为市售普通玻璃。
[0018]优选地，所述提供所需尺寸的玻璃基底，具体操作为:将玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
[0019]优选地，所述清洗后干燥的操作为将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
[0020]本发明复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层组成；其中，掺杂金属氧化物层主要是提高器件的出光效率；导电金属单质层材质为导电金属单质，可以提高阳极的导电性；P型掺杂层利用金属氧化物作为空穴注入材料与酞菁类化合物混合，可以提高阳极的空穴注入能力。
[0021]第三方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的复合阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层组成；所述掺杂金属氧化物层材质为Mo03、WO3和V2O5中的一种与MgO按照质量比为1: 0.1?0.3的比例形成的混合材料，所述P型掺杂层为Mo03、W03和V2O5中的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05?0.4的比例形成的混合材料，所述酞菁类化合物为CuPc、ZnPc和VPc中的一种。
[0022]优选地，所述掺杂金属氧化物层的厚度为2?30nm。
[0023]优选地,所述导电金属单质层材质为Ag、Al、Pt和Au中的一种,所述导电金属单质层厚度为2?20nm。
[0024]优选地,所述ρ型掺杂层的厚度为2?30nm。
[0025]优选地，所述空穴传输层材质为1，1-二 [4_[N,N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基_4，4’ -联苯二胺(NPB)，所述空穴传输层材质厚度为20?60nm，更优选地，所述空穴传输层材质为NPB，厚度为45nm。
[0026]优选地，所述发光层材质为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3),厚度为5?40nm，更优选地，所述发光层材质为BCzVBi，厚度优选为30nm。
[0027]优选地，所述的电子传输层材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、3_(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度为40?80nm，更优选地，所述电子传输层材质为TPBI，厚度为45nm。
[0028]优选地，所述电子注入层材质为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF),厚度为0.5?1nm,更优选地,所述电子注入层材质为LiF,厚度为lnm。
[0029]优选地，所述阴极为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)，厚度为80?250nm，更优选地，所述阴极为Ag,厚度为lOOnm。
[0030]第四方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0031]提供所需尺寸的玻璃基底，清洗后干燥；
[0032]在玻璃基底出光面上采用真空蒸镀的方法依次制备所述掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层，得到所述复合阳极；其中，所述掺杂金属氧化物层材质为Μοθ3、WO3和V2O5的一种与MgO按照质量比为1:0.1?0.3的比例形成的混合材料，所述掺杂金属氧化物层和导电金属单质层蒸镀条件均为:蒸镀压强为2X 10_4?3X 10_3Pa，蒸镀速率为I?10nm/s ;所述ρ型掺杂层材质为Mo03、W03和V2O5的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05?0.4的比例形成的混合材料，所述酞菁类化合物为酞菁铜、酞菁锌和酞菁钒中的一种，所述P型掺杂层的蒸镀压强为2 X10-4?3X10_3Pa，蒸镀速率为0.1?lnm/s ；
[0033]在ρ型掺杂层上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，最终得到所述有机电致发光器件。
[0034]优选地，所述掺杂金属氧化物层的厚度为2?30nm。
[0035]优选地,所述导电金属单质层材质为Ag、Al、Pt和Au中的一种,所述导电金属单质层厚度为2?20nm。
[0036]优选地,所述ρ型掺杂层的厚度为2?30nm。
[0037]优选地，所述玻璃基底为市售普通玻璃。
[0038]优选地，所述空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层蒸镀方法均为:蒸镀压强为2X10—4?3Xl(T3Pa，蒸镀速率为0.1?lnm/s。
[0039]优选地，所述阴极的蒸镀条件均为:蒸镀压强为2X 10_4?3X 10_3Pa，蒸镀速率为I ?10nm/so
[0040]优选地，所述提供所需尺寸的玻璃基底，具体操作为:将玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
[0041]优选地，所述清洗后干燥的操作为将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
[0042]优选地，所述空穴传输层材质为TAPC、TCTA或NPB，所述空穴传输层材质厚度为20?60nm，更优选地，所述空穴传输层材质为NPB，厚度为45nm。
[0043]优选地，所述发光层材质为DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3,厚度为5?40nm，更优选地，所述发光层材质为BCzVBi，厚度优选为30nm。
[0044]优选地，所述的电子传输层材质为Bphen、TAZ或TPBI，厚度为40?80nm，更优选地，所述电子传输层材质为TPBI，厚度为45nm。
[0045]优选地，所述电子注入层材质为Cs2C03、CsF、CsN3*LiF，厚度为0.5?10nm，更优选地，所述电子注入层材质为LiF,厚度为lnm。
[0046]优选地，所述阴极为Ag、Al、Pt或Au，厚度为80?250nm，更优选地，所述阴极为Ag,厚度为lOOnm。
[0047]本发明有机电致发光器件中的复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层组成；其中，掺杂金属氧化物层用折射率高(2.0?2.3)的金属氧化物和氧化镁进行掺杂，由于有机层的折射率一般为1.7，光线从有机层到达掺杂金属氧化物层不会产生全反射，因此高折射率金属氧化物可以将有机层内部的光提取出来，同时MgO粒径较大，可有效提高光的散射作用，提高出光效率，导电金属单质层材质为导电金属单质，可以提高阳极的导电性，P型掺杂层利用金属氧化物与酞菁类化合物混合，可以提高器件的空穴注入能力，并且酞菁类化合物是结晶性有机材料，极易结晶形成规整有序的结构，使光线在有机晶体中进行有效散射，提闻出光效率。
[0048]实施本发明实施例，具有以下有益效果:
[0049](I)本发明提供的复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层组成，提高了阳极的导电性能和空穴注入能力；
[0050](2)本发明提供的复合阳极的制备方法，工艺简单，成本低；
[0051 ] ( 3 )本发明提供的复合阳极可应用于有机电致发光器件和有机太阳能电池中，应用于有机电致发光器件时，有利于光的散射，可提高器件的发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0052]为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0053]图1是本发明实施例5提供的有机电致发光器件的结构示意图；
[0054]图2是本发明实施例5与对比实施例提供的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
【具体实施方式】
[0055]下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0056]实施例1
[0057]—种复合阳极的制备方法，包括以下操作步骤:
[0058](I)先将玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；
[0059](2)首先采用真空蒸镀的方法在玻璃基底出光面上制备掺杂金属氧化物层，掺杂金属氧化物层材质为MoO3和MgO按照质量比为1:0.2的比例形成的混合材料(表示为MoO3 = MgO),掺杂金属氧化物层厚度为10nm，蒸镀压强为2X 10_4Pa，蒸镀速率为lnm/s ;然后在掺杂金属氧化物层上蒸镀制备导电金属单质层，导电金属单质层材质为Ag，厚度为5nm,蒸镀压强为2X l(T4Pa,蒸镀速率为lnm/s ;最后在导电金属单质层上蒸镀制备ρ型掺杂层，P型掺杂层材质为MoO3和CuPc按照质量比为1:0.2的比例形成的混合材料(表示为Mo03:CuPc), ρ型掺杂层厚度为15nm，蒸镀压强为2 X 10_4Pa，蒸镀速率为0.lnm/s。
[0060]实施例2
[0061]一种复合阳极的制备方法，包括以下操作步骤:
[0062](I)先将玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；
[0063](2)首先采用真空蒸镀的方法在玻璃基底出光面上制备掺杂金属氧化物层，掺杂金属氧化物层材质为WO3和MgO按照质量比为1:0.1的(表示为W03:Mg0)，掺杂金属氧化物层厚度为20nm，蒸镀压强为3X10_3Pa，蒸镀速率为6nm/s ;然后在掺杂金属氧化物层上蒸镀制备导电金属单质层，导电金属单质层材质为Al，厚度为20nm，蒸镀压强为3 X 10?,蒸镀速率为6nm/s ;最后在导电金属单质层上蒸镀制备ρ型掺杂层，P型掺杂层材质为V2O5和ZnPc按照质量比为1:0.4的比例形成的混合材料(表示为V205:ZnPc)，ρ型掺杂层厚度为2nm，蒸镀压强为3X 10_3Pa，蒸镀速率为0.5nm/s。
[0064]实施例3
[0065]一种复合阳极的制备方法，包括以下操作步骤:
[0066](I)先将玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；
[0067](2)首先采用真空蒸镀的方法在玻璃基底出光面上制备掺杂金属氧化物层，掺杂金属氧化物层材质为V2O5和MgO按照质量比为1:0.3的比例形成的混合材料(表示为V2O5 = MgO),掺杂金属氧化物层厚度为2nm，蒸镀压强为I X 10_3Pa，蒸镀速率为lOnm/s ;然后在掺杂金属氧化物层上蒸镀制备导电金属单质层，导电金属单质层材质为Pt，厚度为2nm，蒸镀压强为lX10_3Pa，蒸镀速率为lOnm/s ;最后在导电金属单质层上蒸镀制备ρ型掺杂层，P型掺杂层材质为MoO3和VPc按照质量比为1:0.05的比例形成的混合材料(表示为Mo03:VPc), ρ型掺杂层厚度为55nm，蒸镀压强为I X 10_3Pa，蒸镀速率为lnm/s。
[0068]实施例4
[0069]一种复合阳极的制备方法，包括以下操作步骤:
[0070](I)先将玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；
[0071](2)首先采用真空蒸镀的方法在玻璃基底出光面上制备掺杂金属氧化物层，掺杂金属氧化物层材质为MoO3和MgO按照质量比为1:0.2的比例形成的混合材料(表示为MoO3 = MgO),掺杂金属氧化物层厚度为15nm，蒸镀压强为5X 10_4Pa，蒸镀速率为5nm/s ;然后在掺杂金属氧化物层上蒸镀制备导电金属单质层，导电金属单质层材质为Au，厚度为12nm,蒸镀压强为5X l(T4Pa,蒸镀速率为5nm/s ;最后在导电金属单质层上蒸镀制备ρ型掺杂层，P型掺杂层材质为WO3和CuPc按照质量比为1:0.25的比例形成的混合材料(表示为W03:CuPc), ρ型掺杂层厚度为25nm，蒸镀压强为5 X 10_4Pa，蒸镀速率为0.4nm/s。
[0072]实施例5
[0073]—种有机电致发光器件,依次层叠的复合阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述复合阳极为本发明实施例1制备的复合阳极。
[0074]具体制备过程中，在复合阳极上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
[0075]空穴传输层材质为NPB，蒸镀时采用的压强为2X10_4Pa，蒸镀速率为0.lnm/s，蒸镀厚度为45nm ；
[0076]发光层材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为2X 10_4Pa，蒸镀速率为0.lnm/s，蒸镀厚度为30nm ；
[0077]电子传输层的材质为TPBI，蒸镀时采用的压强为2X 10_4Pa，蒸镀速率为0.lnm/s,蒸镀厚度为45nm ；
[0078]电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为2X10_4Pa，蒸镀速率为0.lnm/s,蒸镀厚度为Inm ；
[0079]阴极的材质为Ag，蒸镀时采用的压强为2X 10_4Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为10nm0
[0080]图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，如图1所示，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的复合阳极1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层
4、电子注入层5和阴极6，复合阳极I包括依次层叠的玻璃基底11、掺杂金属氧化物层12、导电金属单质层13和ρ型掺杂层14。具体结构表示为:
[0081]玻璃基底/Mo03:Mg0/Ag/Mo03:CuPc/NPB/BCzVBi/TPBI/LiF/Ag。
[0082]实施例6
[0083]—种有机电致发光器件,依次层叠的复合阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述复合阳极为本发明实施例2制备的复合阳极。
[0084]具体制备过程中，在复合阳极上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
[0085]空穴传输层材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为3X 10_3Pa，蒸镀速率为0.6nm/s，蒸镀厚度为60nm ；
[0086]发光层材质为Alq3,蒸镀时采用的压强为3X 10_3Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为40nm ；
[0087]电子传输层的材质为TPBI，蒸镀时采用的压强为3X 10_3Pa，蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为75nm ；
[0088]电子注入层的材质为Cs2CO3，蒸镀时采用的压强为3X10_3Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为1nm ；
[0089]阴极的材质为Pt，蒸镀时采用的压强为3X 10_3Pa，蒸镀速率为6nm/s，蒸镀厚度为80nm。
[0090]本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的复合阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，复合阳极包括依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层。具体结构表示为:
[0091]玻璃基底/W03:Mg0/Al/V205:ZnPc/TCTA/Alq3/TPBI/Cs2C03/Pt。
[0092]实施例7
[0093]—种有机电致发光器件,依次层叠的复合阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述复合阳极为本发明实施例3制备的复合阳极。
[0094]具体制备过程中，在复合阳极上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
[0095]空穴传输层材质为NPB，蒸镀时采用的压强为I X 10?,蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为60nm ；
[0096]发光层材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为I X 10?,蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为5nm ；
[0097]电子传输层的材质为Bphen,蒸镀时采用的压强为I X l(T3Pa,蒸镀速率为lnm/s,蒸镀厚度为60nm ；
[0098]电子注入层的材质为CsF,蒸镀时采用的压强为I X 10_3Pa,蒸镀速率为lnm/s,蒸镀厚度为0.5nm ；
[0099]阴极的材质为Au，蒸镀时采用的压强为I X 10?,蒸镀速率为lOnm/s，蒸镀厚度为 lOOnm。
[0100]本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的复合阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，复合阳极包括依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层。具体结构表示为:
[0101]玻璃基底/V2O5: Mg0/Pt/Mo03: VPc/NPB/DCJTB/Bphen/CsF/Au。
[0102]实施例8
[0103]—种有机电致发光器件,依次层叠的复合阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述复合阳极为本发明实施例4制备的复合阳极。
[0104]具体制备过程中，在复合阳极上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
[0105]空穴传输层材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为5X 10_4Pa，蒸镀速率为0.4nm/s，蒸镀厚度为60nm ；
[0106]发光层材质为ADN，蒸镀时采用的压强为5X10_4Pa，蒸镀速率为0.4nm/s，蒸镀厚度为8nm ；
[0107]电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为5X10_4Pa，蒸镀速率为0.4nm/s,蒸镀厚度为35nm ；
[0108]电子注入层的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为5X10_4Pa，蒸镀速率为0.4nm/s,蒸镀厚度为2nm ；
[0109]阴极的材质为Al，蒸镀时采用的压强为5X10_4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为250nmo
[0110]本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的复合阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，复合阳极包括依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层。具体结构表示为:
[0111]玻璃基底/MoO3: Mg0/Au/W03: CuPc/TCTA/ADN/TAZ/CsN3/A1。
[0112]对比实施例
[0113]为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例5的区别在于对比实施例中的阳极为铟锡氧化物(ITO)玻璃，厚度为120nm，空穴注入层材质为MoO3,厚度为30nm。对比实施例有机电致发光器件的具体结构为:玻璃基底/ΙΤ0/Μο03/NPB/BCzVBi/TPBI/LiF/Ag，分别对应玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0114]效果实施例
[0115]采用光纤光谱仪(美国海洋光学Ocean Optics公司，型号:USB4000)，电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号:2400)、色度计(日本柯尼卡美能达公司，型号:CS_100A)测试有机电致发光器件的流明效率随电流密度变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例5与对比实施例有机电致发光器件。测试结果如图2所示。图2是本发明实施例5与对比实施例有机电致发光器件的流明效率与电流密度的关系图。
[0116]从图2可以看出，在不同电流密度下，实施例5的流明效率都比对比例的要大，实施例5最大的流明效率为8.71m/W，而对比例的仅为4.41m/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，本发明制备的复合阳极提高了器件的出光效率，有效提高光的散射作用，提高了阳极的导电性，并且酞菁类化合物是结晶性有机材料，极易结晶形成规整有序的结构，使光线在有机晶体中进行有效散射，提闻出光效率。
[0117]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种复合阳极，其特征在于，所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层组成；所述掺杂金属氧化物层材质为三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种与氧化镁按照质量比为1:0.1~0.3的比例形成的混合材料，所述P型掺杂层材质为三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05~0.4的比例形成的混合材料，所述酞菁类化合物为酞菁铜、酞菁锌和酞菁钒中的一种。
2.如权利要求1所述的复合阳极，其特征在于，所述掺杂金属氧化物层的厚度为2~30nmo
3.如权利要求1所述的复合阳极，其特征在于，所述导电金属单质层材质为银、铝、钼和金中的一种，所述导电金属单质层的厚度为2~20nm。
4.如权利要求1所述的复合阳极，其特征在于，所述P型掺杂层的厚度为2~30nm。
5.一种复合阳极的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤: 提供所需尺寸的玻璃基底，清洗后干燥； 在玻璃基底出光面上采用真空蒸镀的方法依次制备所述掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层，得到所述复合阳极；其中，所述掺杂金属氧化物层材质为三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种与氧化镁按照质量比为1:0.1~0.3的比例形成的混合材料，所述掺杂金属氧化物层和导电金属单质层蒸镀条件均为:蒸镀压强为2X10—4~3 X10_3Pa，蒸镀速率为I~lOnm/s ;所述ρ型掺杂层材质为三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05~0.4的比例形成的混合材料，所述酞菁类化合物为酞菁铜、酞 菁锌和酞菁钒中的一种，所述P型掺杂层的蒸镀压强为2 Χ10-4~3 X ICT3Pa,蒸镀速率为0.1~lnm/s。
6.如权利要求5所述的复合阳极的制备方法，其特征在于，所述掺杂金属氧化物层的厚度为2~30nm。
7.如权利要求5所述的复合阳极的制备方法，其特征在于，所述导电金属单质层材质为银、铝、钼和金中的一种，所述金属单质层厚度为2~20nm。
8.如权利要求5所述的复合阳极的制备方法，其特征在于，所述ρ型掺杂层的厚度为2~30nm。
9.一种有机电致发光器件,其特征在于，包括依次层叠的复合阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层组成；所述掺杂金属氧化物层材质为三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种与氧化镁按照质量比为1:0.1~0.3的比例形成的混合材料，所述P型掺杂层材质为三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05~0.4的比例形成的混合材料，所述酞菁类化合物为酞菁铜、酞菁锌和酞菁钒中的一种。
10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤: 提供所需尺寸的玻璃基底，清洗后干燥； 在玻璃基底出光面上采用真空蒸镀的方法依次制备所述掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和P型掺杂层，得到所述复合阳极；其中，所述掺杂金属氧化物层材质为三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种与氧化镁按照质量比为1:0.1~0.3的比例形成的混合材料，所述掺杂金属氧化物层和导电金属单质层蒸镀条件均为:蒸镀压强为2 X10-4~3X10_3Pa，蒸镀速率为I~lOnm/s ;所述ρ型掺杂层材质为三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05~0.4的比例形成的混合材料，所述酞菁类化合物为酞菁铜、酞菁锌和酞菁钒中的一种，所述P型掺杂层的蒸镀压强为2 Χ10-4~3Χ l(T3Pa,蒸镀速率为0.1~lnm/s ； 在P型掺杂层上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，最终得到所述有机电致发光器件。
【文档编号】H01L51/56GK104051662SQ201310078234
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年3月12日 优先权日:2013年3月12日
【发明者】周明杰, 王平, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司