导电薄膜、其制备方法及应用的制作方法
【专利摘要】一种导电薄膜，包括层叠的TiO2-xFx层及MO3层，其中，x为0.1～0.6，MO3为氧化钨、氧化钼和氧化铼中的至少一种。上述导电薄膜通过在TiO2-xFx层的表面沉积高功函的MO3层制备双层导电薄膜，既能保持TiO2-xFx层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜 的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。 导电薄膜、其制备方法及应用
【背景技术】
[0002] 导电薄膜电极是有机电致发光器件（0LED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着 整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材 料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜 阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4. 3eV，经过UV 光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4. 5?5. leV，与一般的有机发光层的HOMO能级(典型 的为5. 7?6. 3eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的 提1?。
【发明内容】
[0003] 基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄 膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光 器件。
[0004] -种导电薄膜，包括层叠的Ti02_xFx层及M0 3层，其中，X为0. 1?0. 6, M03为氧化 鹤、氧化钥和氧化铼中的至少一种。
[0005] 所述Ti02_xFx层的厚度为50nm?300nm，所述M0 3层的厚度为0. 5nm?5nm。
[0006] 一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0007] 将Ti02_xFx靶材、M0 3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔 体的真空度为l.〇Xl(T5Pa?1.0Xl(T 3Pa，所述Ti02_xFjE材中的X为0. 1?0. 6，]\?3为氧 化鹤、氧化钥和氧化铼中的至少一种；
[0008] 在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti0 2_xFx层的工艺参数为：基靶间距为 45mm?95mm，溅射功率为30W?150W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为 lOsccm ?35sccm，衬底温度为 250°C ?750°C ;
[0009] 在所述Ti02_xFx层表面溅镀M0 3层，溅镀所述M03层的工艺参数为：基靶间距为 45mm?95mm，溅射功率为30W?150W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为 lOsccm?35sccm，衬底温度为250°C?750°C ;及
[0010] 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
[0011] 所述Ti02_xFx靶材由以下步骤得到：将Ti0 2和TiF4粉体混合均勻，TiF4的摩尔百 分数为2. 6%?17. 6%，将混合均匀的粉体在900°C?1300°C下烧结制成靶材。
[0012] 一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、Ti02_xF x层及冊3层，其中，X 为0. 1?0. 6, M03为氧化鹤、氧化钥和氧化铼中的至少一种。
[0013] 所述Ti02_xFx层的厚度为50nm?300nm,所述M0 3层的厚度为0. 5nm?5nm。
[0014] 一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤：
[0015] 将Ti02_xFx靶材、M0 3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔 体的真空度为
【权利要求】
1. 一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的Ti02_xF x层及腸3层，其中，X为0. 1?0.6， M03为氧化鹤、氧化钥和氧化铼中的至少一种。
2. 根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述Ti02_xFx层的厚度为50nm? 300nm，所述M03层的厚度为0· 5nm?5nm。
3. -种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将Ti02_xFx靶材、M03靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的 真空度为l.〇Xl(T5Pa?L0Xl(T3Pa，所述Ti02_ xFjE材中的X为(λ 1?0·6，Μ03为氧化钨、 氧化钥和氧化铼中的至少一种； 在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti02_ xFx层的工艺参数为：基靶间距为 45mm?95mm，溅射功率为30W?150W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为 lOsccm ?35sccm，衬底温度为 25CTC ?75CTC ; 在所述Ti02_xFx层表面溅镀M03层，溅镀所述M0 3层的工艺参数为：基靶间距为45mm? 95mm，溅射功率为30W?150W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为 lOsccm?35sccm，衬底温度为250°C?750°C ;及 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
4. 根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述Ti02_xFx靶材由以下 步骤得到：将Ti0 2和TiF4粉体混合均匀，TiF4的摩尔百分数为2. 6%?17. 6%，将混合均匀 的粉体在900°C?1300°C下烧结制成靶材。
5. -种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、Ti02_ xFx层及M03 层，其中，X为〇. 1?〇. 6, M03为氧化鹤、氧化钥和氧化铼中的至少一种。
6. 根据权利要求5所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述Ti02_xFx层的厚 度为50nm?300nm，所述M0 3层的厚度为0· 5nm?5nm。
7. -种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将Ti02_xFx靶材、M03靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的 真空度为l.〇Xl(T5Pa?L0Xl(T3Pa，所述Ti02_ xFjE材中的X为(λ 1?0·6，Μ03为氧化钨、 氧化钥和氧化铼中的至少一种； 在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti02_ xFx层的工艺参数为：基靶间距为 45mm?95mm，溅射功率为30W?150W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为 lOsccm ?35sccm，衬底温度为 250°C?750°C ; 在所述Ti02_xFx层表面溅镀M03层，溅镀所述M0 3层的工艺参数为：基靶间距为45mm? 95mm，溅射功率为30W?150W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为 lOsccm ?35sccm，衬底温度为 250°C?750°C。
8. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述 Ti02_xFx靶材由以下步骤得到：将Ti02和TiF 4粉体混合均勻，TiF4的摩尔百分数为2. 6%? 17. 6%，将混合均匀的粉体在900°C?1300°C下烧结制成靶材。
9. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述 阳极包括层叠的Ti0 2_xFx层及M03层，其中，X为0. 1?0. 6, M03为氧化钨、氧化钥和氧化铼 中的至少一种。
10. 根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述Ti02_xFx层的厚度为
【文档编号】H01L51/56GK104060223SQ201310092616
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2013年3月21日 优先权日:2013年3月21日
【发明者】周明杰, 王平, 陈吉星, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司