接触孔的制造方法

接触孔的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种接触孔的制造方法，包括：提供一基底，对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔，对所述接触孔执行预烘干，对预烘干后的接触孔执行金属填充。在本发明提供的接触孔的制造方法中，接触孔刻蚀后进行预烘干工序，除去了接触孔中凝集的易挥发性有机聚合物（Condense）。由此，避免了接触孔刻蚀缺陷的发生，提高了产品的良率。
【专利说明】接触孔的制造方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造【技术领域】，特别涉及一种接触孔的制造方法。

【背景技术】
[0002]随着集成电路产业的发展，器件的外形尺寸不断缩小，从而对集成电路制造工艺要求越来越高。集成电路生产工艺也从早期的0.8微米、0.6微米线宽一直发展到今天的45纳米、40纳米线宽。所谓线宽一般是指栅极的宽度。因为线宽越小，晶体管也越小，让晶体管工作需要的电压和电流就越低，晶体管开关的速度也就越快，晶体管的性能也就更好。
[0003]集成电路制造过程中一般包括接触孔刻蚀工艺和金属填充过程，其目的是在两层互连金属线之间的膜层中刻蚀出一系列接触孔，然后在接触孔里面填入用于两层金属线间的互连金属，比如铜，通过这些金属线把成千上万的晶体管连成具有一定功能的器件。随着器件尺寸的缩小，接触孔的尺寸也越来越小。接触孔刻蚀的难度也越来越大。一旦出现接触孔刻蚀缺陷，比如接触孔刻蚀不到位或者刻蚀后接触孔堵塞就可能使得金属布线开路，导致器件失效。
[0004]在45纳米、40纳米小线宽工艺过程中发现，30%的生产批次会出现接触孔刻蚀缺陷，造成约17%的产品不良，严重影响了产品良率。


【发明内容】

[0005]本发明的目的在于提供一种接触孔的制造方法，以解决现有的45纳米、40纳米小线宽工艺中因接触孔刻蚀缺陷造成器件失效，导致产品良率低的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种接触孔的制造方法，所述接触孔的制造方法包括以下步骤:
[0007]提供一基底；
[0008]对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔；
[0009]对所述接触孔执行预烘干；
[0010]对预烘干后的接触孔执行金属填充。
[0011]可选的，在所述的接触孔的制造方法中，所述预烘干的温度为100°C?300°C。
[0012]可选的，在所述的接触孔的制造方法中，所述预烘干的时间为10秒?600秒。
[0013]可选的，在所述的接触孔的制造方法中，执行所述金属填充所使用的材料为铜。
[0014]可选的，在所述的接触孔的制造方法中，所述接触孔刻蚀采用两层掩膜层，其中第一层掩膜层是NFC，第二层掩膜层是LT0。
[0015]可选的，在所述的接触孔的制造方法中，在执行金属填充之前，在执行预烘干之后,还包括执行浅槽刻蚀,形成浅槽。
[0016]可选的，在所述的接触孔的制造方法中，所述浅槽刻蚀采用两层掩膜层，其中第三层掩膜层是NFC，第四层掩膜层是LT0。
[0017]可选的，在所述的接触孔的制造方法中，在同一个工艺步骤中执行所述预烘干和涂布第三层掩膜层NFC。
[0018]发明人发现，造成现有的45纳米、40纳米小线宽工艺过程中发生接触孔刻蚀缺陷的原因在于，在接触孔刻蚀工艺过程中易挥发性有机聚合物(Condense)凝结在接触孔内，易挥发性有机聚合物(Condense)遮挡了接触孔下面的膜层刻蚀，导致填充在接触孔中的金属层与基底中的金属层无法导通，造成器件的金属布线开路，最终使得器件失效。在本发明提供的接触孔的制造方法中，接触孔刻蚀后进行预烘干工序，除去了接触孔中凝集的易挥发性有机聚合物(Condense)。由此，避免了接触孔刻蚀缺陷的发生，提高了产品的良率。

【专利附图】

【附图说明】
[0019]图1是现有技术中执行接触孔刻蚀后的器件的结构示意图；
[0020]图2是现有技术中执行金属填充后的器件的结构示意图；
[0021]图3是本发明实施例一的接触孔的制造方法的流程图；
[0022]图4是本发明实施例二的接触孔的制造方法的流程图；
[0023]图5是本发明实施例的接触孔刻蚀前的器件的结构示意图；
[0024]图6是本发明实施例一的执行金属填充后的器件的结构示意图；
[0025]图7是本发明实施例二的执行金属填充过程后的器件的结构示意图；
[0026]图8是现有技术中接触孔刻蚀缺陷的测试结果；
[0027]图9是为本发明实施例的接触孔刻蚀缺陷的测试结果。

【具体实施方式】
[0028]以下结合附图和具体实施例对本发明提出的接触孔的制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0029]现有的45纳米、40纳米小线宽工艺过程发现接触孔刻蚀缺陷发生率很高，经常导致金属布线开路使得器件失效。发明人对此进行了深入的研究，发现造成现有的接触孔刻蚀缺陷的原因在于，45纳米、40纳米小线宽的工艺过程中形成的接触孔的深宽比很大，接触孔刻蚀工艺过程中产生的易挥发性有机聚合物(Condense)容易凝结在接触孔内。请参考图1，其为现有技术中执行接触孔刻蚀后的器件的结构示意图，如图1所示，接触孔刻蚀完成后，易挥发性有机聚合物(Condense)凝结在接触孔内。这种易挥发性有机聚合物(Condense )需要强电子束、烘烤或者酸液清洗才能除去。
[0030]凝结在接触孔内的易挥发性有机聚合物(Condense)如果没有及时清除，会影响后续工艺过程，如图1所示，易挥发性有机聚合物(Condense)凝结在接触孔内，遮住了其下面的NDC绝缘层，导致这个位置的NDC绝缘层没有被刻蚀掉。金属填充后，接触孔内填充的金属铜与基底中的金属铜无法导通。该位置的金属布线开路(Open)，导致器件失效。具体请参考图2，其为现有技术中执行金属填充后的器件的结构示意图，如图2所示，完成金属填充后，在没有凝结易挥发性有机聚合物(Condense)的接触孔内，填充的金属层与基底中的金属层导通，而在之前凝结有易挥发性有机聚合物(Condense)的接触孔内，填充的金属层与基底中的金属层不导通。
[0031]综上，造成现有的45纳米、40纳米小线宽工艺过程中接触孔刻蚀缺陷的原因在于，易挥发性有机聚合物(Condense)凝结在接触孔内，导致器件的金属布线开路，器件失效。虽然，在接触孔刻蚀之后进行湿法清洗工序，也能够除去易挥发性有机聚合物(Condense)，避免产生接触孔刻蚀缺陷，但是会增加工艺时间和制造成本。目前，接触孔刻蚀后一般不进行湿法清洗。
[0032]为了解决上述问题，本申请提出了如下技术方案:
[0033]【实施例一】
[0034]请参考图3，其为本发明实施例一的接触孔的制造方法的流程图。如图3所示，所述接触孔的制造方法I包括以下步骤:
[0035]提供一基底100 ；
[0036]对所述基底100执行接触孔刻蚀，形成接触孔；
[0037]对所述接触孔执行预烘干；
[0038]对预烘干后的接触孔执行金属填充。
[0039]具体的，请参考图5，其为本发明实施例的接触孔刻蚀前的器件的结构示意图，如图5所示，提供的基底100上具有绝缘层和金属层110，其中，金属层110所使用的材料是铜(Cu)，绝缘层中包括NDC绝缘层，NDC绝缘层覆盖在金属层110的上面。接着，在所述基底100上进行NFC涂布，NFC涂布之烘干后形成第一层掩膜层NFC。然后，通过低温化学气相沉积法形成Si02膜，即第二层掩膜层LT0。如图5所示，所述基底100上依次形成了第一层掩膜层NFC和第二层掩膜层LT0。在所述基底100上依次形成第一层掩膜层NFC和第二层掩膜层LTO之后，利用第一层掩膜层NFC和第二层掩膜层LTO进行接触孔刻蚀形成接触孔。
[0040]对基底100执行接触孔刻蚀时，一般会保留金属层110上面的NDC绝缘层，接触孔刻蚀所形成的接触孔的下面依次是NDC绝缘层和金属层110。为除去接触孔内的易挥发性有机聚合物(Condense)，接触孔刻蚀完成后需要对接触孔执行预烘干，预烘干结束后再除去接触孔下面的NDC绝缘层，最后对所述接触孔执行金属填充。接触孔刻蚀也可以不保留NDC绝缘层，直接刻蚀到金属层110，接触孔刻蚀形成的接触孔的下面是金属层110。接触孔刻蚀完成后执行预烘干，之后直接进行金属填充。请参考图6，其为本发明实施例一的执行金属填充后的器件的结构示意图，如图6所示，接触孔内形成了第二金属层120，第二金属层120与金属层110连接。执行金属填充所使用的材料为铜(Cu)。
[0041]其中，预烘干的温度为100°C~300°C，优选的，预烘干的温度为150°C、20(TC或250°C。预烘干的时间为10秒~600秒，优选的，预烘干的时间为60秒、100秒、150秒、200秒、250秒、300秒、350秒、400秒、450秒、500秒或550秒。预烘干工序可以利用NFC涂布设备完成，只需在第一层掩膜层NFC涂布程序之前增加设置预烘干程序即可。所述接触孔的制造方法I中只需稍微调整NFC涂布设备的程序设置，不会影响工艺时间和制造成本。
[0042]【实施例二】
[0043]请参考图4，其为本发明实施例二的接触孔的制造方法的流程图。如图4所示，所述接触孔的制造方法2包括以下步骤:
[0044]提供一基底；
[0045]对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔；
[0046]对所述接触孔执行预烘干；
[0047]执行浅槽刻蚀，形成浅槽；
[0048]执行金属填充。
[0049]具体的，提供的基底上具有绝缘层和金属层210，其中，金属层210所使用的材料是铜(Cu)。接着，在所述基底上涂布NFC，烘干之后形成第一层掩膜层NFC。然后通过低温化学气相沉积法形成Si02膜，即第二层掩膜层LT0。在所述基底上依次形成第一层掩膜层NFC和第二层掩膜层LTO之后，利用第一层掩膜层NFC和第二层掩膜层LTO进行曝光刻蚀形成接触孔。
[0050]为除去接触孔内的易挥发性有机聚合物(Condense )，接触孔刻蚀完成后进行预烘干。其中，预烘干的温度为100°c?300°C，优选的，预烘干的温度为150°C、200°C或250°C。预烘干的时间为10秒?600秒，优选的，预烘干的时间为60秒、100秒、150秒、200秒、250秒、300秒、350秒、400秒、450秒、500秒或550秒。
[0051 ] 预烘干结束后接着进行NFC涂布，NFC涂布之后烘干形成第三层掩膜层NFC。然后，通过低温化学气相沉积法形成Si02膜，即第四层掩膜层LT0。依次形成第三层掩膜层NFC和第四层掩膜层LTO之后，利用第三层掩膜层NFC和第四层掩膜层LTO进行浅槽刻蚀形成浅槽。最后执行金属填充，请参考图7，其为本发明实施例二的执行金属填充后的器件的结构示意图，如图7所示，金属填充过程形成了第二金属层220，第二金属层220与金属层210连接。执行金属填充所使用的材料为铜(Cu)。
[0052]可见，所述接触孔的制造方法2还包括执行浅槽刻蚀，浅槽刻蚀在执行金属填充之前，在执行预烘干之后。预烘干工序可以利用NFC涂布设备，预烘干可以与第三层掩膜层NFC涂布设置在同一个工艺步骤中，只需在第三层掩膜层NFC涂布程序之前加设预烘干程序即可。所述接触孔的制造方法2中只需稍微调整NFC涂布设备的程序设置，不会影响工艺时间和制造成本。
[0053]请继续参考图8和图9，其为现有技术中接触孔刻蚀缺陷的测试结果和本发明实施例的接触孔刻蚀缺陷的测试结果，图中黑点密集表示接触孔刻蚀缺陷，如8图所示，接触孔刻蚀后没有进行预烘干的3片晶圆，接触孔刻蚀缺陷非常严重。而图9中采用本发明实施例提供的接触孔的制造方法，接触孔刻蚀后执行预烘干的3片晶圆，基本没有接触孔刻蚀缺陷。
[0054]综上，在本发明实施例提供的接触孔的制造方法中，在接触孔刻蚀后对器件进行预烘干，除去接触孔内凝集的易挥发性有机聚合物(Condense)，避免了接触孔刻蚀缺陷的发生，提高了产品的良率。而且，在本发明实施例提供的接触孔的制造方法不会延长工艺时间、增加制造成本。
[0055]上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
【权利要求】
1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基底； 对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔； 对所述接触孔执行预烘干； 对预烘干后的接触孔执行金属填充。
2.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述预烘干的温度为100°C?300。。。
3.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述预烘干的时间为10秒?600 秒。
4.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，执行所述金属填充所使用的材料为铜。
5.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述接触孔刻蚀采用两层掩膜层，其中第一层掩膜层是NFC，第二层掩膜层是LTO。
6.如权利要求1至5中任一项所述的接触孔的制造方法，其特征在于，在执行金属填充之前，在执行预烘干之后，还包括执行浅槽刻蚀，形成浅槽。
7.如权利要求6所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述浅槽刻蚀采用两层掩膜层，其中第三层掩膜层是NFC，第四层掩膜层是LTO。
8.如权利要求7所述的接触孔的制造方法，其特征在于，在同一个工艺步骤中执行所述预烘干和涂布第三层掩膜层NFC。
【文档编号】H01L21/768GK104078413SQ201310103937
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年3月27日 优先权日:2013年3月27日
【发明者】钟鑫生, 严凯, 丁超, 张英男, 李斌生, 孙超 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司