一种附磷涂硼工艺的制作方法

文档序号:6790708阅读:1196来源:国知局
专利名称:一种附磷涂硼工艺的制作方法
技术领域
本发明涉及一种半导体生产工艺,特别是涉及一种用于半导体用硅晶片的附磷涂硼工艺。
背景技术
在半导体领域的生产中,扩散工艺是晶体硅太阳能电池生产过程中的一道关键工序,其中,磷硼同扩工艺,即同时附磷、硼纸进行磷扩散和硼扩散是最常被采用的,其工艺特点在于工艺简单,易操作,生产效率高,但磷硼同扩容易导致扩散不均,影响良品率,生产成本也较高。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种操作简单,扩散均匀,良品率高,生产成本低的附磷涂硼工艺。为解决上述技术问题,本发明提供一种附磷涂硼工艺,包括磷扩散步骤和硼扩散步骤,其特征在于:磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成:步骤1:在晶片表面附磷纸,进行磷扩散;步骤2:在晶片表面涂硼液, 再进行硼扩散。先进行磷扩散再进行硼扩散可以保证磷、硼扩散的均匀性,提高良品率,硼液利用率高,生产成本低。前述的一种附磷涂硼工艺,其特征在于:所述步骤2中,涂硼液的手法为:从晶片外圈向晶片内圈涂。硼液涂抹均匀,有利于硼扩散的均匀性,提高品质。前述的一种附磷涂硼工艺,其特征在于,所述步骤2中,涂硼液在涂片机台上完成,使用涂片机台上的特氟龙片固定晶片。整个附磷涂硼工艺操作简单。本发明所达到的有益效果:
工艺操作简单,磷、硼扩散均匀,良品率高,节省材料,生产成本低。


图1为本发明的工艺流程图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步的说明。如图1所示,首先对硅晶片附磷纸进行磷扩散,磷扩散完成后取出硅晶片,将硅晶片放置于涂片机台上,涂片机台上设有三块用于固定的特氟龙片,在作业过程中使用特氟龙片固定住晶片,以从外圈向内圈的手法对晶片均匀涂硼液,硼液根据需要自行调制,最后将均匀涂有硼液的晶片送入扩散炉进行再次扩散。本发明主要用于硅晶片的扩散工艺,工艺操作简单,磷、硼扩散均匀,良品率高,节省材料,生产成本低。以上实施例不以任何方式限定本发明,凡是对以上实施例以等效变换方式做出的其它改进与应用,都属于 本发明的保护范围。
权利要求
1.一种附磷涂硼工艺,包括磷扩散步骤和硼扩散步骤,其特征在于:磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成: 步骤1:在晶片表面附磷纸,进行磷扩散; 步骤2:在晶片表面涂硼液,再进行硼扩散。
2.根据权利要求1所述的一种附磷涂硼工艺,其特征在于:所述步骤2中,涂硼液的手法为:从晶片外圈向晶片内圈涂。
3.根据权利要求2所述的一种附磷涂硼工艺,其特征在于,所述步骤2中,涂硼液在涂片机台上完成,使用涂片机 台上的特氟龙片固定晶片。
全文摘要
本发明公开了一种附磷涂硼工艺,包括磷扩散步骤和硼扩散步骤,其特征在于磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成步骤1在晶片表面附磷纸,进行磷扩散;步骤2在晶片表面涂硼液,再进行硼扩散。本发明用于半导体制造的扩散工艺,工艺操作简单,磷、硼扩散均匀,良品率高,节省材料,生产成本低。
文档编号H01L21/228GK103227105SQ20131010723
公开日2013年7月31日 申请日期2013年3月29日 优先权日2013年3月29日
发明者张仓生 申请人:昆山东日半导体有限公司
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