一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的掺杂层、功函数为2.0eV～3.5eV低功函金属层和金属硫化物层组成；所述掺杂层的材质为金属酞菁类化合物层和金属硫化物形成的混合材料，金属酞菁类化合物层材料易结晶，结晶后形成有序的晶体结构，使光进行散射；金属硫化物可提高器件的光透过率；低功函金属有利于电子的注入；金属硫化物层可对光进行反射，使反射回去的光与向顶部出射的光相遇，形成光的干涉加强，从而提高底发射的发光强度，这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 1987年，美国Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke报道了有机电致发光 研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器 件（OLED)。10V下亮度达到1000cd/m 2,其发光效率为1. 511m/W，寿命大于100小时。
[0003] 0LED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未 占有分子轨道（LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO)。电子和空穴在 发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子 从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0004] 在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其 他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ΙΤ0之间的 折射率之差，玻璃折射率为1. 5, ΙΤ0为1. 8,光从ΙΤ0到达玻璃，就会发生全反射)，引起了 全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。因此，有必要提高0LED的发光效率。
【发明内容】
[0005] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述 有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的掺杂层、功函数为 2. OeV?3. 5eV的低功函金属层和金属硫化物层组成，本发明提高了器件的导电能力和发 光效率。
[0006] 第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃 基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴 极由依次层叠的掺杂层、功函数为2. OeV?3. 5eV的低功函金属层和金属硫化物层组成，所 述掺杂层的材质为金属硫化物和金属酞菁类化合物以质量比1:0. 1?1:0. 4形成的混合材 料，所述金属酞菁类化合物为酞菁铜（CuPc )、酞菁锌（ZnPc )、酞菁镁（MgPc )和酞菁钒（VPc ) 中的一种，所述金属硫化物为硫化锌（ZnS)、硫化镉（CdS)、硫化镁（MgS)和硫化铜（CuS)中 的一种；所述低功函金属层材质为镁（Mg)、锶（Sr)、钙（Ca)和镱（Yb)中的一种；所述金属 硫化物层的材质为硫化锌（ZnS)、硫化镉（CdS)、硫化镁（MgS)和硫化铜（CuS)中的一种。
[0007] 优选地，所述掺杂层的厚度为100?300nm。
[0008] 优选地，所述功函数为2. OeV?3. 5eV的低功函金属层的厚度为5?20nm。
[0009] 优选地，所述金属硫化物层的厚度为200?400nm。
[0010] 优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃（ΑΖ0) 和铟锌氧化物玻璃（ΙΖ0)中的一种，更优选为ΙΤ0。
[0011] 优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钥（m〇o3)、三氧化钨（wo3)和五氧化二钒 (ν2〇5)，厚度为20?80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为M〇03，厚度为25nm。
[0012] 优选地，所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[Ν，Ν'-二（P-甲苯基）氨基]苯 基]环己烷（了4?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)和乂^-(1-萘基)，州'-二 苯基-4, 4' -联苯二胺（ΝΡΒ)中的一种，所述空穴传输层的厚度为20?60nm，更优选地，所 述空穴传输层的材质为TCTA，厚度为30nm。
[0013] 优选地，所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亚萘基蒽（ADN)、4, 4' -双（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -联苯（BCzVBi )和8-羟基喹啉铝（Alq3)中的一种，厚度为5?40nm，更 优选地，所述发光层的材质为Alq 3，厚度为25nm。
[0014] 优选地，所述电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)、3_(联 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑（TAZ)和N-芳基苯并咪唑（TPBI) 中的一种，厚度为40?300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TAZ，厚度为100nm。
[0015] 优选地，所述电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2C03)、氟化铯（CsF)、叠氮铯（CsN 3) 和氟化锂（LiF)中的一种，厚度为0. 5?10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚 度为lnm。
[0016] 本发明有机电致发光器件中的复合阴极由依次层叠的掺杂层、低功函金属层和金 属硫化物层组成；所述掺杂层的材质为金属硫化物和金属酞菁类化合物形成的混合材料， 金属酞菁类化合物易结晶，结晶后形成有序的晶体结构，并使膜层表面形成波纹状结构，使 光进行散射，避免向器件两侧发射，提高出光效率，而金属硫化物透过性较大，在200nm厚 的时候仍可保持80%左右的光透过率，掺杂层可提高器件的光透过率；低功函数金属功函 数较低(功函数为2. OeV?3. 5eV)，接近有机材料的最低未占轨道（LUM0)能级，有利于电子 的注入，同时，可提高器件的导电性；金属硫化物层可形成折射率匹配层，由于其吸收率较 低，在可见光范围内只有5%?10%的吸收，同时，其反射率较高，可对光进行反射，使反射回 去的光与向顶部出射的光相遇，形成光的干涉加强，从而提高底发射的发光强度，这种复合 阴极可有效提高器件发光效率。
[0017] 第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步 骤：
[0018] (1)提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用 热阻蒸镀的方法制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
[0019] (2)在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的掺杂层、功函数为 2. OeV?3. 5eV的低功函金属层和金属硫化物层组成；
[0020] 将金属硫化物和金属酞菁类化合物以质量比1:0. 1?1:0. 4混合形成混合材料， 然后将混合材料热阻蒸镀在电子注入层上，得到所述掺杂层，所述金属酞菁类化合物为 CuPc、ZnPc、MgPc和VPc中的一种；所述金属硫化物为ZnS、CdS、MgS和CuS中的一种；所述 蒸镀压强为5 X 10_5Pa?2 X 10_3Pa，蒸镀速率为0. 1?lnm/s ;
[0021] 在掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备功函数为2. OeV?3. 5eV的低功函金属 层，所述低功函金属层材质为Mg、Sr、Ca和Yb中的一种，所述蒸镀压强为5X l(T5Pa? 2X10_3Pa，蒸镀速率为1?10nm/s ;
[0022] 在低功函数金属层上采用热阻蒸镀的方法制备金属硫化物层；所述金属硫化物为 ZnS、CdS、MgS和CuS中的一种；所述蒸镀压强为5X10_5Pa?2X10_3Pa，蒸镀速率为1? lOnm/s ;得到所述有机电致发光器件。
[0023] 优选地，所述掺杂层的厚度为100?300nm。
[0024] 优选地，所述低功函金属层的厚度为5?20nm。
[0025] 优选地，所述金属硫化物层的厚度为200?400nm。
[0026] 优选地，所述空穴注入层和电子注入层热阻蒸镀条件均为：压强为5Xl(T5Pa? 2XlCT 3Pa，蒸镀速率为1?10nm/s。
[0027] 优选地，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为 5 X 10 5Pa ?2 X 10 3Pa，蒸锻速率为 0· 1 ?lnm/s。
[0028] 优选地，所述提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，具体操作为：将导电阳极玻璃基 底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
[0029] 优选地，所述清洗后干燥的操作为将导电阳极玻璃基底依次用洗洁精，去离子水， 丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
[0030] 优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（IT0)、铝锌氧化物玻璃（AZ0) 和铟锌氧化物玻璃（IZ0)中的一种，更优选为IT0。
[0031] 优选地，所述空穴注入层的材质为M〇03、W03和V 205中的一种，厚度为20?80nm。 更优选地，所述空穴注入层的材质为M〇03，厚度为25nm。
[0032] 优选地，所述空穴传输层的材质为TAPC、TCTA和NPB中的一种，所述空穴传输层材 质厚度为20?60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为TCTA，厚度为30nm。
[0033] 优选地，所述发光层的材质为DCJTB、ADN、BCzVBi和Alq3中的一种，厚度为5? 40nm，更优选地，所述发光层的材质为Alq 3，厚度优选为25nm。
[0034] 优选地，所述电子传输层的材质为Bphen、TAZ和TPBI中的一种，厚度为40? 300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TAZ，厚度为lOOnm。
[0035] 优选地，所述电子注入层的材质为〇820)3工8?工8队和1^?中的一种，厚度为0.5? 10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚度为lnm。
[0036] 本发明有机电致发光器件中的复合阴极由依次层叠的掺杂层、低功函金属层和金 属硫化物层组成；所述掺杂层的材质为金属硫化物和金属酞菁类化合物形成的混合材料， 金属酞菁类化合物易结晶，结晶后形成有序的晶体结构，并使膜层表面形成波纹状结构，使 光进行散射，避免向器件两侧发射，提高出光效率，而金属硫化物光透过性较大，在200nm 厚的时候仍可保持80%左右的光透过率，掺杂层可提高器件的光透过率；低功函数金属功 函数较低(功函数为2. OeV?3. 5eV)，接近有机材料的最低未占轨道（LUM0)能级，有利于电 子的注入，同时，可提高器件的导电性；金属硫化物层可形成折射率匹配层，由于其吸收率 较低，在可见光范围内只有5%?10%的吸收，同时，其反射率较高，可对光进行反射，使反射 回去的光与向顶部出射的光相遇，形成光的干涉加强，从而提高底发射的发光强度，这种复 合阴极可有效提高器件发光效率。
[0037] 实施本发明实施例，具有以下有益效果：
[0038] (1)本发明提供的复合阴极由依次层叠的掺杂层、低功函金属层和金属硫化物层 组成，提高了器件的导电性能和发光效率；
[0039] ( 2)本发明提供的复合阴极的制备方法，工艺简单，成本低。
【专利附图】
【附图说明】
[0040] 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普 通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041] 图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；
[0042] 图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的亮度与流明效率关系 图。
【具体实施方式】
[0043] 下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清 楚、完整地描述。
[0044] 实施例1
[0045] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0046] (1)先将ΙΤ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清 洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层和电子注入层；其中，
[0047] 空穴注入层的材质为M〇03，蒸镀时采用的压强8X l(T5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸镀 厚度为25nm ;
[0048] 空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为8X l(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为30nm ;
[0049] 发光层的材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为8X l(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s，蒸镀 厚度为25nm ;
[0050] 电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为8Xl(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为l〇〇nm ;
[0051] 电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为8Xl(T5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸 镀厚度为lnm ;
[0052] (2)制备复合阴极；
[0053] 将ZnS和CuPc以质量比1:0. 3混合形成混合材料，在电子注入层上热阻蒸镀混合 材料，得到厚度为180nm的掺杂层；蒸镀时采用的压强为8X l(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s ;
[0054] 在掺杂层上热阻蒸镀Mg，得到厚度为10nm的低功函金属层，蒸镀时采用的压强为 8 X 10_5Pa，蒸镀速率为3nm/s ;
[0055] 在低功函金属层上热阻蒸镀ZnS，得到厚度为300nm的金属硫化物层；蒸镀时采用 的压强为8Xl(T 5Pa，蒸镀速率为3nm/s，得到有机电致发光器件。
[0056] 图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，如图1所示，本实施例制 备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底1、空穴注入层2、空穴传输层 3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和复合阴极7,复合阴极7由依次层叠的掺杂层71、 低功函数金属层72和金属硫化物层73组成。具体结构表示为：
[0057] ΙΤ0 玻璃 /Mo03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/ZnS:CuPc(l:0· 3)/Mg/ZnS，其中，斜杠"/"表 示依次层叠，ZnS:CuPc中的冒号"："表示混合，1:0. 3表示前者和后者的质量比，后面实施 例中各个符号表不的意义相同。
[0058] 实施例2
[0059] -种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0060] (1)先将ΑΖ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清 洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层和电子注入层；其中，
[0061] 空穴注入层的材质为W03，蒸镀时采用的压强为2Xl(T3Pa，蒸镀速率为10nm/ S，蒸 镀厚度为80nm ;
[0062] 空穴传输层的材质为NPB，蒸镀时采用的压强为2Xl(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s， 蒸镀厚度为60nm ;
[0063] 发光层的材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2X l(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s，蒸镀 厚度为5nm ;
[0064] 电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为2X l(T3Pa，蒸镀速率为10nm/s， 蒸镀厚度为300nm ;
[0065] 电子注入层的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为2Xl(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s， 蒸镀厚度为l〇nm ;
[0066] (2)制备复合阴极；
[0067] 将CdS与ZnPc以质量比1:0. 1混合形成混合材料，在电子注入层上热阻蒸镀混合 材料，得到厚度为l〇〇nm的掺杂层；蒸镀时采用的压强为2Xl(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s ;
[0068] 在掺杂层上热阻蒸镀Sr，得到厚度为20nm的低功函金属层，蒸镀时采用的压强为 2X10_ 3Pa，蒸镀速率为 0· lnm/s ;
[0069] 在低功函金属层上热阻蒸镀CuS，得到厚度为400nm的金属硫化物层；蒸镀时采用 的压强为2Xl(T 3Pa，蒸镀速率为lOnm/s，得到有机电致发光器件。
[0070] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由层叠的掺杂 层、低功函数金属层和金属硫化物层组成。具体结构表示为：
[0071] AZ0 玻璃 /W03/NPB/ADN/Bphen/CsF/CdS:ZnPc(l:0· l)/Sr/CuS。
[0072] 实施例3
[0073] -种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0074] (1)先将IZ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清 洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层和电子注入层；其中，
[0075] 空穴注入层的材质为V205，蒸镀时采用的压强为5Xl(T 5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为20nm ;
[0076] 空穴传输层的材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为5X l(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为20nm ;
[0077] 发光层的材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为5X l(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀 厚度为40nm ;
[0078] 电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为5X l(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为60nm ;
[0079] 电子注入层的材质为Cs2C03，蒸镀时采用的压强为5Xl(T 5Pa，蒸镀速率为lnm/s， 蒸镀厚度为〇. 5nm ;
[0080] (2)制备复合阴极；
[0081] 将MgS与MgPc以质量比1:0.4混合形成混合材料，在电子注入层上热阻蒸镀混合 材料，得到厚度为300nm的掺杂层；蒸镀时采用的压强为5Xl(T 5Pa，蒸镀速率为lnm/s ;
[0082] 在掺杂层上热阻蒸镀Ca，得到厚度为5nm的低功函金属层，蒸镀时采用的压强为 5X10_ 5Pa，蒸镀速率为lnm/s ;
[0083] 在低功函金属层上热阻蒸镀CdS，得到厚度为200nm的金属硫化物层；蒸镀时采用 的压强为5Xl(T 5Pa，蒸镀速率为lnm/s，得到有机电致发光器件。
[0084] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的掺 杂层、低功函数金属层和金属硫化物层组成。具体结构表示为：
[0085] ΙΖ0 玻璃 /V205/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03/MgS:MgPc(l:0· 4)/Ca/CdS。
[0086] 实施例4
[0087] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0088] (1)先将ΙΖ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清 洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层和电子注入层；其中，
[0089] 空穴注入层的材质为M〇03，蒸镀时采用的压强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸 镀厚度为30nm ;
[0090] 空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为50nm ;
[0091] 发光层的材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为5Xl(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s，蒸 镀厚度为5nm ;
[0092] 电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为5Xl(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为40nm ;
[0093] 电子注入层的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸 镀厚度为lnm ;
[0094] (2)制备复合阴极；
[0095] 将CuS与VPc以质量比1:0. 25混合形成混合材料，在电子注入层上热阻蒸镀混合 材料，得到厚度为200nm的掺杂层；蒸镀时采用的压强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s ;
[0096] 在掺杂层上热阻蒸镀Yb，得到厚度为15nm的低功函金属层，蒸镀时采用的压强为 5 X 10_4Pa，蒸镀速率为5nm/s ;
[0097] 在低功函金属层上热阻蒸镀MgS，得到厚度为300nm的金属硫化物层；蒸镀时采用 的压强为5Xl(T 4Pa，蒸镀速率为5nm/s，得到有机电致发光器件。
[0098] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的掺 杂层、低功函数金属层和金属硫化物层组成。具体结构表示为：
[0099] ΙΖ0 玻璃 /Mo03/TCTA/DCJTB/TAZ/CsN3/CuS:VPc((1:0. 25))/Yb/MgS。
[0100] 对比实施例
[0101] 为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1 的区别在于对比实施例中的阴极为金属单质银(Ag)，厚度为120nm，对比实施例有机电致 发光器件的具体结构为ΙΤ0玻璃/M 〇03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag，分别对应导电阳极玻璃基 底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0102] 效果实施例
[0103] 采用美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国 吉时利公司的电流-电压测试仪Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的 CS-100A色度计测试亮度和色度，得到有机电致发光器件的流明效率随亮度变化曲线，以考 察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件。测试结 果如图2所示。
[0104] 图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的流明效率与亮度的关系 图。从图2可以看到，在不同亮度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的 最大的流明效率为10. 751m/W，而对比例的仅为6. 591m/W，同时，随着亮度的增加，对比例 的流明效率衰减的比较快，而实施例1的衰减较慢。这说明，本发明复合阴极使膜层表面 形成波纹状结构，使光进行散射，提高器件的光透过率有利于电子的注入，提高器件的导电 性，形成光的干涉加强，从而提高底发射的发光强度，这种复合阴极可有效提高器件发光效 率。
[0105] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员 来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为 本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输 层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，其特征在于，所述复合阴极由依次层叠的 掺杂层、功函数为2. OeV?3. 5eV的低功函金属层和金属硫化物层组成，所述掺杂层的材质 为金属硫化物和金属酞菁类化合物以质量比1:0. 1?1:0. 4混合形成的混合材料，所述金 属酞菁类化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中的一种，所述金属硫化物为硫化锌、 硫化铺、硫化缓和硫化铜中的一种；所述低功函金属层的材质为缓、银、f丐和镜中的一种； 所述金属硫化物层的材质为硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中的一种。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂层的厚度为100? 300nm。
3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功函数为2. OeV?3. 5eV 的低功函金属层的厚度为5?20nm。
4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属硫化物层的厚度为 200 ?400nm。
5. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤： (1) 提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用热阻 蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层； (2) 在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的掺杂层、功函数为 2. OeV?3. 5eV的低功函金属层和金属硫化物层组成； 将金属硫化物和金属酞菁类化合物以质量比1:0. 1?1:0. 4混合形成混合材料，然后 将混合材料热阻蒸镀在电子注入层上，得到所述掺杂层，所述金属酞菁类化合物为酞菁铜、 酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中的一种；所述金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中 的一种，所述蒸镀压强为5 X 10_5Pa?2 X 10_3Pa，蒸镀速率为0. 1?lnm/s ; 在掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备功函数为2. OeV?3. 5eV的低功函金属层，所述 低功函金属层的材质为镁、锶、钙和镱中的一种，所述蒸镀压强为5Xl(T5Pa?2Xl(T3Pa，蒸 镀速率为1?l〇nm/s ; 在低功函金属层上采用热阻蒸镀的方法制备金属硫化物层；所述金属硫化物层的材质 为硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中的一种，所述蒸镀压强为5 X l(T5Pa?2 X l(T3Pa，蒸镀 速率为1?10nm/S ;得到所述有机电致发光器件。
6. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述掺杂层的厚 度为100?300nm。
7. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述功函数为 2. OeV?3. 5eV的低功函金属层的厚度为5?20nm。
8. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属硫化物 层的厚度为200?400nm。
9. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层 和电子注入层的热阻蒸镀条件均为：压强为5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸镀速率为1?10nm/ So
10. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输 层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸镀速率为
【文档编号】H01L51/56GK104124338SQ201310143692
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年4月24日 优先权日:2013年4月24日
【发明者】周明杰, 黄辉, 张振华, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司