发光二极管芯片的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种发光二极管芯片，其包括：N型半导体层；活性层，其设置在该N型半导体层上；P型半导体层，其设置在该活性层上；透明导电层，其设置在该P型半导体层的远离该活性层的表面上，该透明导电层为铟锡氧化物薄膜；N型电极，其连接该N型半导体层；P型电极，其设置在该透明导电层上；以及保护层，其覆盖透明导电层，该保护层包括氮化硅材料。
【专利说明】发光二极管芯片
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种发光二极管芯片。
【背景技术】
[0002]一般的发光二极管芯片，包括依次成长在基板上的第一型半导体层，活性层、第二型半导体层、透明导电层、保护层以及电极。通常，保护层为二氧化硅层，其折射系数为
1.44"!.55。而透明导电层为铟锡氧化物薄膜(indium tin oxide, ITO),其折射系数为
1.8^2.1。由于透明导电层的折射系数与保护层的折射系数相差较大，从而导致光线经过该透明导电层后到达该保护层时，容易造成全反射，从而导致该半导体磊晶结构的出光效率低。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，有必要提供一种具有较高出光效率的发光二极管芯片。
[0004]一种发光二极管芯片，其包括:Ν型半导体层；活性层，其设置在该N型半导体层上；ρ型半导体层，其设置在该活性层上；透明导电层，其设置在该P型半导体层的远离该活性层的表面上，该透明导电层为铟锡氧化物薄膜；Ν型电极，其连接该N型半导体层；Ρ型电极，其设置在该透明导电层上；以及保护层，其覆盖透明导电层，该保护层包括氮化硅材料。
[0005]该发光二极管芯片的透明导电层为铟锡氧化物薄膜，保护层为氮化硅，二者的折射系数比较接近，因此，光线经过透明导电层后到达该保护层时，不容易造成全反射，从而提高该发光二极管芯片的出光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1是本发明第一实施方式提供的发光二极管芯片的剖面示意图。
[0007]图2是本发明第二实施方式提供的发光二极管芯片的剖面示意图。
[0008]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种发光二极管芯片，其包括: N型半导体层； 活性层，其设置在该N型半导体层上； P型半导体层，其设置在该活性层上； 透明导电层，其设置在该P型半导体层的远离该活性层的表面上，该透明导电层为铟锡氧化物薄膜； N型电极，连接该N型半导体层； P型电极，其设置在该透明导电层上；以及 保护层，覆盖透明导电层，该保护层包括氮化硅材料。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该保护层具有一个远离该N型半导体层的表面，该表面的表面粗糙度大于等于0.1微米且小于等于I微米。
3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该保护层具有一个远离该透明导电层的第一表面，该第一表面上形成有多个纳米级孔洞结构。
4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，该多个孔洞结构均匀间隔排布。
5.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，每个孔洞结构的截面呈矩形状。
6.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，该多个孔洞结构的深度相同。
7.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，每个孔洞结构延伸至该透明导电层。
8.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，N型半导体层上形成有平台结构，N型电极设于该平台结构上。
9.如权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，保护层还延伸至该平台结构上。
【文档编号】H01L33/44GK104183681SQ201310191843
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2013年5月22日 优先权日:2013年5月22日
【发明者】洪梓健, 沈佳辉, 彭建忠 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司