一种晶体硅片的制绒设备及制绒工艺方法
【专利摘要】本发明公开了一种晶体硅片的制绒设备，包括主槽槽组、副槽槽组、烘干处理系统、传动系统和控制系统，所述的主槽槽组包括依次设置的混酸制绒槽、喷淋水洗槽、碱制绒槽、喷淋水洗槽、酸处理槽、喷淋水洗槽，其中：所述的混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均采用双层槽结构，其包括下槽、由下槽槽底向上伸出并高出其顶端的上槽，所述上槽的长、宽均小于下槽的长、宽。本发明对制绒设备中的加热系统、补液系统、传动系统、主槽结构，以及主槽中的挡水组件和主槽之间的密封结构进行了特殊设计，同时对制绒工艺方法做了改进，极大地提高了多晶硅的转换效率，从而提高了生产效率，降低了生产成本。
【专利说明】—种晶体硅片的制绒设备及制绒工艺方法【技术领域】
[0001]本发明涉及太阳能晶体硅片加工领域，尤其涉及一种晶体硅片的制绒设备及制绒工艺方法。
【背景技术】
[0002]传统的多晶硅片减反射绒面制备的工艺方法是多晶硅酸式制绒，其采用硝酸加上氢氟酸的混酸进行制绒，制绒的目的是根据多晶硅片不同晶面相错的特点进行酸性腐蚀，达到表面晶界钝化的效果，并在硅片表面形成凹陷坑以降低硅片的反射率，但是多晶硅酸式制绒的一个最大的缺点就是制绒后的反射率偏高，这也极大的影响了多晶硅转换效率的提高，这种工艺方法中只包括了背面刻蚀和去PSG (磷酸玻璃)清洗，如果需要较大地提高硅片背面的反射率，还需将清洗后的硅片另外进行背面抛光处理，这种方式增加了工艺流程和人力、物力成本。同时，传统的制绒设备中还有如下缺陷:
1、为满足硅片处理时间的要求，传统的主反应槽需要做很长，由此导致配套的循环副槽的体积非常庞大，每次所需要配置的化学药液也更多，如果单纯将主反应槽变浅，虽可以减小循环副槽的体积，但是槽体的综合力学性能会降低，容易变形，且不利于其它附属系统的安装和稳定性的保持；
2、直接影响硅片最终处理效果的主要因数有三个，即时间、温度和药液配比浓度，而作为三个最重要的因数之一，药液配比浓度直接影响着硅片的处理效果，从而最终影响制成电池片时的转换效率，传统的制绒设备不能及时地精确补充药液来保证药液的浓度配比，影响了硅片处理效果；
3、加热系统是采用电阻加热管直接对药液加热来实现的，这种方式热利用率低，能源损耗高,且电阻加热管损坏率高,不仅增加了生产成本,还加大了短路触电的危险性；
4、主槽槽组之间通过一平行结构对接，然后通过一长条形的密封盖盖住，受其结构局限性影响，该种结构往往不可靠，主反应槽溢流或滴在密封盖上的药液会通过平行结构的对接处漏到主反应槽外，从而造成危害；
5、主槽中，固定板跟槽体侧板采用镶嵌的形式安装，挡水板与槽体侧板预留细微间隙安装。当预留间隙小时，两者密封良好，但受热膨胀后会产生变形；当预留间隙大时，两者密封欠佳，液面高度难以保证或者以消耗更多能源来提高液面高度。并且，挡水板的高度调节依赖操作人员手工上提或下压，其自由性太大，难以控制调节量。
【发明内容】
[0003]本发明提出一种改进的晶体硅片的制绒设备及制绒工艺方法。
[0004]本发明设计的晶体硅片的制绒设备包括:主槽槽组、副槽槽组、烘干处理系统、传动系统和控制系统，所述的主槽槽组包括依次设置的混酸制绒槽、喷淋水洗槽、碱制绒槽、喷淋水洗槽、酸处理槽、喷淋水洗槽，其中，所述的混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均采用双层槽结构，其包括下槽、由下槽槽底向上伸出并高出其顶端的上槽，所述上槽的长、宽均小于下槽的长、宽。
[0005]在一实施例中，所述的主槽槽组中相邻的槽之间均设有密封结构。
[0006]所述的混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均设置有自动补液系统；所述的碱制绒槽还设置有在线加热及槽外循环系统。
[0007]所述的自动补液系统包括依次连接的进液管、补液桶、补液管；进、补液管上分别设置有与所述控制系统连接的进、补液控制阀，所述的补液桶内设有超声波液位仪，其一端从补液桶中伸出并与控制系统连接；所述的补液控制阀包括一对相并联的精补阀和粗补阀。
[0008]所述的在线加热及槽外循环系统包括加热组件、循环泵；所述的加热组件包括一导磁且耐腐蚀的加热桶、缠绕于加热桶外层的感应线圈，和与感应线圈端头连接的电磁控制器；所述的加热桶外壁设有一层保温棉，所述的感应线圈缠绕在保温棉外层；所述的加热桶、循环泵与一副槽通过管路依次连接形成循环回路。
[0009]所述的在线加热及槽外循环系统还包括一设于碱制绒槽中的温度检测仪，该温度检测仪连接所述控制系统，控制系统发送信号至所述电磁控制器，电磁控制器接收所述信号并控制所述加热组件开启或关闭。
[0010]所述的密封结构包括设于主槽槽体两侧壁顶部的封板，设于相邻两封板上的盖板；所述的封板向槽体外侧倾斜，所述的盖板为倒V字形；所述的盖板与封板之间还设有密封条，所述的盖板、密封条和封板通过螺钉形成紧密连接。
[0011]所述的主槽中设有挡水组件，包括固定于槽体底板的固定板，和安装在固定板上的可上下滑动的挡水板，还包括固定在槽体侧板上的边板；所述固定板与边板、挡水板贴合安装，所述边板的侧边与固定板、挡水板之间设有间隙；
所述的挡水组件还包括安装在所述挡水板外侧的高度调节装置，该装置上端横向伸出一卡件，顶部设有一手柄；所述的挡水板上设有与所述卡件配合的调节孔；
所述的边板为一直角弯折板，其上一弯折面与所述固定板贴合；
所述的固定板顶端设有凹槽，凹槽的长度小于所述挡水板的长度。
[0012]本发明还提出一种晶体硅片的制绒工艺方法，包括以下步骤:
步骤1:首先将硅片置于温度控制在10°c -12°c，体积浓度在6-7 %的HF和37-40%的HN03的混合溶液中浸泡1-1.5分钟，进行酸腐蚀处理，达到对硅片背面去PSG的目的；
步骤2:将酸腐蚀后的硅片随即流转至12-16ΜΩ.cm纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低酸液在硅片表面的附着为目的；
步骤3:再将硅片放入温度控制在70-80°C，体积浓度在13-18%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行2-3分钟的碱腐蚀处理，经此工艺可将硅片背面反射率提高到40%以上，从而达到对硅片背面进行抛光目的；
步骤4:将碱腐蚀后的硅片也随即流转至12-16ΜΩ._纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低碱液在硅片表面的附着为目的；
步骤5:然后将硅片流转至体积浓度在8-10%的HF溶液中浸泡1-1.5分钟，进行酸腐蚀处理，达到对硅片正面去PSG的目的；
步骤6:将酸洗后的硅片随即流转至12-16ΜΩ.cm纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低酸液和硅片表面附着物为目的；步骤7:将以上处理过的硅片进行干燥处理，保证硅片表面无水迹，以利于硅片进入后面的生产流程。
[0013]步骤1、3、5中均采用所述的自动补液系统补充对应的溶液，以保证溶液的适当配比；步骤3中采用所述的在线加热及槽外循环系统对溶液进行加热，以保证溶液的适当温度。
[0014]与现有技术相比，本发明对制绒设备中的加热系统、补液系统、传动系统、主槽结构，以及主槽中的挡水组件和主槽之间的密封结构进行了特殊设计，同时对制绒工艺方法做了改进，极大地提高了多晶硅的转换效率，从而提高了生产效率，降低了生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为本发明一实施例的局部示意图；
图2为图1所示实施例一侧面示意图；
图3为图1所示实施例另一侧面示意图；
图4为图1所示实施例中主槽槽组之间密封结构的示意图；
图5为图4中A部分的放大图；
图6为图1所示实施例中挡水组件局部结构的主视示意图；
图7为图6的俯视不意图；
图8为图6所示挡水组件中高度调节装置与挡水板装配后的侧面示意图；
图9为图1所示实施例中双层槽结构的示意图；
图10为图1所示实施例中自动补液系统的示意图；
图11为图1所示实施例中传动系统的局部示意图；
图12图11所示传动系统中两相邻插件板的俯视示意图；
图13为图11所示传动系统中插件的示意图；
图14为图1所示实施例中在线加热及槽外循环系统示意图；
图15为图14所示在线加热及槽外循环系统中加热组件的结构示意图；
图16为本发明提出的工艺方法的流程图。
【具体实施方式】
[0016]本发明提出了一种晶体硅片的制绒设备及制绒工艺方法。
[0017]如图1至图3所示，本发明提出晶体硅片的制绒设备包括:构成设备整体骨架的机架2，设于机架两侧的上、下料台1、6，设置在机架中部的主槽槽组5和下部的副槽槽组8，安装在主槽槽组上端的传动系统9，以及安装于机架尾端的烘干处理系统和控制设备运行的控制系统，同时在设备的顶部设有抽风系统4。在本发明中，为了制绒的工艺需要，主槽槽组包括依次设置的混酸制绒槽、喷淋水洗槽、碱制绒槽、喷淋水洗槽、酸处理槽、喷淋水洗槽。
[0018]在一实施例的主槽槽组8中，槽与槽之间设置有过渡连接的密封结构81，各槽中设有挡水组件82 ;其中，混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均采用双层槽结构83，且这些槽中均设有自动补液系统84。
[0019]参见图4、图5，密封结构81包括:固定在主槽811两侧壁顶部的封板812，该封板向槽体外侧倾斜，设置在相邻两封板812上的盖板813,该盖板为倒V字形，同时在盖板与封板之间设有密封条814 ;封板、密封条和盖板通过螺钉815形成紧密连接。该密封结构密封面积大、结构简单，有效防止了因槽体受热伸缩、变形导致密封不良的问题。
[0020]参见图6至图8，挡水组件82包括:固定于主槽底板上的固定板821，固定于主槽侧板上的边板822，固定板上安装有挡水板823，该挡水板可上下滑动；固定板821与边板822、挡水板823贴合安装，同时边板的侧边与固定板、挡水板之间设有间隙。该挡水组件在提高槽体密封性的同时保证了槽内药液的高度，也保证了挡水板在高温环境下的直线度，同时还提闻了液面闻度调节的精确性，提闻了生广效率。
[0021]详见图7，挡水板823和固定板821贴合在一起；边板822为一直角弯折板，其上的一弯折面与固定板821贴合，该弯折面相邻的侧面与挡水板823之间留有间隙作为伸缩余量，另一弯折面与固定板I的侧面之间也留有间隙作为伸缩余量，保证了在高温情况下挡水板不变形，从而保证了液面的稳定性及槽体的可靠性。
[0022]详见图8，在挡水板3的外侧设置有调节挡水板上下滑动的高度调节装置825，该装置的上端向挡水板横向垂直伸出一卡件8251，顶部向上伸出一手柄8252，结合图6，挡水板823的下端设有与卡件8251对应配合的调节孔824，固定板821顶端设有用于溢流药液的凹槽8211，该凹槽的长度小于挡水板823的长度。调节该装置时，旋动手柄8252，带动卡件8251上升或下降，卡件通过调节孔824带动挡水板823上升或下降；当挡水板顶端的高度低于固定板顶端边缘时，挡水板顶端边缘与固定板上的凹槽形成药液的溢流口。本实施例中，挡水板的高度通过螺纹调节，避免手工提拉的任意性，调节更精确，更方便。
[0023]参见图9，双层槽结构83包括:固定安装在机架2上的下槽831，从下槽内向上伸出并高出其顶端的上槽832，该上槽的侧壁向下伸出一支架833，该支架与下槽的槽底固定，并且上槽832的长、宽均小于下槽831的长、宽，这样设计便于上槽中的药液溢流到下槽中，保证了系统的安全性。该双层槽结构在保证主槽长度的基础上缩小了副槽的体积，从而减少了药液配置量，提高了药液利用率，该结构还可防止药液回流时溢出主槽，提高了设备运行的安全性。
[0024]参见图2、图10，自动补液系统84包括依次连接的进液管841、补液桶842和补液管843。进液管841和补液管843均设置在补液桶842的底部，其中进液管841上设置有一与控制系统连接的进液控制阀8410，补液管843的出液口设置在主槽844中，药液依次流经进液管、补液桶和补液管进入主槽中，以供太阳能硅片、电池片的清洗或处理使用。
[0025]补液桶842的侧壁上伸出一与控制系统连接的液位检测开关846，其作用是对补液桶进行极限液位保护；一与控制系统连接的超声波液位仪845从补液桶的顶部伸入其内，同时超声波液位仪底端设于补液桶的下极限液位以下。
[0026]补液管843上设置有一手动阀847，其作用是在设备进行检修时用于关闭补液管；在手动阀847和主槽844之间的补液管上设置有一补液控制阀，该补液控制阀包括一对并联连接的精补阀848和粗补阀849，该精、粗补阀均与控制系统连接。本发明中，精、粗补阀的作用是通过控制系统控制两者的开启和闭合，从而控制药液以小流量或大流量流入反应槽中，进而达到精准补液。
[0027]自动补液系统84工作时，用户首先通过设备的人机对话界面设定所需要添加的药液数量，然后启动补液系统并开始工作，超声波液位仪845记录下补液桶842中当前的药液数量，并与用户设定的添加数量对比得出补液停止时应该剩下的药液数量，此时控制系统开启粗补阀849往盛放药液的主槽844内补液，超声波液位仪实时记录补液桶内当前的药液数量，当补液桶内药液数量接近应剩下的数量时开启精补阀848并关闭粗补阀849,精补阀以较小流量补完剩余药液并停止工作，此次补液操作完成。当补液桶842内剩余药液达到下极限液位控制高度时，进液控制阀8410开启并对补液桶842内的药液进行补充以维持桶内药液数量。自动补液系统极大提高了补液精度，保证了实际补液量与工艺配方的一致性，降低了外在因素的影响，提高了系统的稳定性，同时其结构简单，安装维护方便。
[0028]参见图11至图13，传动系统9中传动辊的调节机构91包括安装板911、无头螺丝912、插件板913、插件914。其中安装板911固定在主槽槽体的底板上,安装板的顶部开有凹槽，插件板913通过不锈钢螺丝固定在该凹槽中，插件板上活动安装有用于安装传动辊的插件914，同时在插件板和安装板之间连接有无头螺丝912，无头螺丝的顶端托起插件。
[0029]详见图13，插件914为一 U形件，其上的U形槽9141中设有一活动件9145，该活动件在U型槽中可上下活动，活动件的上下端均设有凹槽，下部的凹槽与U形槽9141形成安装传动棍的安装孔9142 ;插件的两端面向内凹陷形成用于定位的定位槽9144。
[0030]详见图12，插件板913上间隔设有用于安装插件914的安装槽9131，其外形与插件匹配，该安装槽的两内侧面上分别设有两条定位棱9132 ;相邻的插件板之间采用嵌入的方式安装形成一整体，其边缘部之间设有间隙9133，该间隙为插件板边缘部分的受热膨胀预留了空间，而又不至于使液体大量流出影响槽体内液面的高度，保证了工艺的稳定性和传动辊正常运转的稳定性。
[0031]装配时，首先将插件914安装在插件板913的安装槽9131中，并通过其上的定位槽9144与插件板上的定位棱9132配合实现定位，同时在安装槽的下方通过螺孔设置无头螺丝912，无头螺丝在连接插件板和安装板的同时托起插件。在调节传动辊水平时，先将传动辊平放于插件914上，然后通过水平仪和直尺测出传动辊与基准面相差多少，再根据所测量的数值与无头螺丝912的螺距进行比较，算出应该调节的角度，最终实现传动辊的水平调整，然后放好插件及传动辊，完成整个调节过程。传动辊的调节机构挺高了设备的稳定性、安全性和效率，同时其结构简单，安装方便。
[0032]参见图3、图14，在本实施例中，碱制绒槽内的溶液必须在一定温度下进行，故为其配有在线加热及槽外循环系统85，该系统包括加热组件853和循环泵852 ;加热桶853、循环泵852与副槽851通过管路854依次连接形成槽外循环回路。同时副槽851中还设有一温度检测仪，该温度检测仪连接控制系统。
[0033]详见图15，加热组件853包括一导磁且耐腐蚀的加热桶8531，该加热桶的外壁包裹着一层用于增强加热桶保温性能的保温棉8532，在该保温棉的外表层缠绕着感应线圈8533,其端头与一电磁控制器8534连接。控制系统发送信号至电磁控制器，该电磁控制器接收所述信号并控制加热组件开启或关闭。本系统的在线加热部分提高了电热转换效率和控温精度，同时也避免了漏电和短路，提高了设备的稳定性和安全性；槽外循环部分避免了药液污染，同时方便了系统的安装和检修，降低了生产成本。
[0034]本发明还提出了一种晶体硅片的制绒工艺方法。参见图16，该方法包括以下步骤:
步骤1:首先将硅片置于温度控制在10°c -12°c，体积浓度在6-7 %的HF和37-40%的HN03的混合溶液中浸泡1-1.5分钟，进行酸腐蚀处理，达到对硅片刻蚀的目的。在此过程中根据溶液与硅片反应的消耗量，通过自动补液系统适时地补充一定量的HF和HNO3,以保证溶液的适当配比。
[0035]步骤2:将酸腐蚀后的硅片随即流转至12-16ΜΩ.cm纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低酸液在硅片表面的附着为目的。
[0036]步骤3:将硅片放入温度控制在70_80°C，体积浓度在13_18%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行2-3分钟的碱腐蚀处理。
[0037]在步骤3的过程中，通过在线加热及槽外循环系统保证溶液温度控制在70_80°C。经步骤3处理后可将硅片背面反射率提高到40%以上，从而达到对硅片背面进行抛光目的。在此过程中根据溶液与硅片反应的消耗量，通过自动补液系统适时的补充一定量的TMAH(四甲基氢氧化铵)，以保证溶液的适当配比。
[0038]步骤4:将碱腐蚀后的硅片流转至12-16ΜΩ.cm纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低碱液在硅片表面的附着为目的。
[0039]步骤5:然后将硅片流转至体积浓度在8-10%的HF溶液中浸泡1-1.5分钟，进行酸腐蚀处理，对硅片表面包括PSG (磷酸玻璃)和其他氧化物进行有效去除，达到去除PSG (磷酸玻璃)和避免氧化物影响硅片的最终质量。在此过程中根据溶液与硅片反应的消耗量，通过自动补液系统适时的补充一定量的HF，以保证溶液的适当配比。
[0040]步骤6:将酸洗后的硅片随即流转至12-16ΜΩ._纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低酸液和硅片表面附着物为目的。
[0041]步骤7:将以上处理过的硅片进行干燥处理，保证硅片表面无水迹，以利于硅片进入后面的生产流程。
[0042]与现有的工艺方法相比，本发明提出的工艺方法可使硅片的光转换效率提升
0.15% ;同时可以在湿法刻蚀设备进行简单的改造后实施本工艺方法，其改造周期短，成本低，易于实现；本工艺方法工艺功能集中，有效的将背面刻蚀、背面抛光、去PSG技术结合到一起了，减少分步实施这些工艺的人力和物力成本。
【权利要求】
1.一种晶体硅片的制绒设备，包括主槽槽组、副槽槽组、烘干处理系统、传动系统和控制系统，所述的主槽槽组包括依次设置的混酸制绒槽、喷淋水洗槽、碱制绒槽、喷淋水洗槽、酸处理槽、喷淋水洗槽，其特征在于:所述的混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均采用双层槽结构，其包括下槽、由下槽槽底向上伸出并高出其顶端的上槽，所述上槽的长、宽均小于下槽的长、宽。
2.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于:所述的主槽槽组中相邻的槽之间均设有密封结构。
3.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于:所述的混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均设置有自动补液系统；所述的碱制绒槽还设置有在线加热及槽外循环系统。
4.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于:所述的自动补液系统包括依次连接的进液管、补液桶、补液管；进、补液管上分别设置有与所述控制系统连接的进、补液控制阀，所述的补液桶内设有超声波液位仪，其一端从补液桶中伸出并与控制系统连接；所述的补液控制阀包括一对相并联的精补阀和粗补阀。
5.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于:所述的在线加热及槽外循环系统包括加热组件、循环泵；所述的加热组件包括一导磁且耐腐蚀的加热桶、缠绕于加热桶外层的感应线圈，和与感应线圈端头连接的电磁控制器；所述的加热桶外壁设有一层保温棉，所述的感应线圈缠绕在保温棉外层；所述的加热桶、循环泵与一副槽通过管路依次连接形成循环回路；所述的在线加热及槽外循环系统还包括一设于碱制绒槽中的温度检测仪，该温度检测仪连接所述控制系统，控制系统发送信号至所述电磁控制器，电磁控制器接收所述信号并控制所述加热组件开启或关闭。
6.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于:所述的密封结构包括设于主槽槽体两侧壁顶部的封 板，设于相邻两封板上的盖板；所述的封板向槽体外侧倾斜，所述的盖板为倒V字形；所述的盖板与封板之间还设有密封条，所述的盖板、密封条和封板通过螺钉形成紧密连接。
7.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于:所述的主槽中设有挡水组件，包括固定于槽体底板的固定板，和安装在固定板上的可上下滑动的挡水板，还包括固定在槽体侧板上的边板；所述固定板与边板、挡水板贴合安装，所述边板的侧边与固定板、挡水板之间设有间隙；所述的挡水组件还包括安装在所述挡水板外侧的高度调节装置，该装置上端横向伸出一卡件，顶部设有一手柄；所述的挡水板上设有与所述卡件配合的调节孔；所述的边板为一直角弯折板，其上一弯折面与所述固定板贴合；所述的固定板顶端设有凹槽，凹槽的长度小于所述挡水板的长度。
8.一种晶体硅片的制绒工艺方法，其特征在于包括以下步骤:步骤1:首先将硅片置于温度控制在10°C -12°C，体积浓度在6-7 %的HF和37-40%的HN03的混合溶液中浸泡1-1.5分钟，进行酸腐蚀处理，达到对硅片背面去PSG的目的；步骤2:将酸腐蚀后的硅片随即流转至12-16ΜΩ.cm纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低酸液在硅片表面的附着为目的；步骤3:再将硅片放入温度控制在70-80°C，体积浓度在13-18%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行2-3分钟的碱腐蚀处理，经此工艺可将硅片背面反射率提高到40%以上，从而达到对硅片背面进行抛光目的；步骤4:将碱腐蚀后的硅片也随即流转至12-16ΜΩ._纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低碱液在硅片表面的附着为目的；步骤5:然后将硅片流转至体积浓度在8-10%的HF溶液中浸泡1-1.5分钟，进行酸腐蚀处理，达到对硅片正面去PSG的目的；步骤6:将酸洗后的硅片随即流转至12-16ΜΩ.cm纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低酸液和硅片表面附着物为目的；步骤7:将以上处理过的硅片进行干燥处理，保证硅片表面无水迹，以利于硅片进入后面的生产流程。
9.如权利要求8所述晶体硅片的制绒工艺方法，其特征在于:步骤1、3、5中均采用所述的自动补液系统补充对应的溶液，以保证溶液的适当配比。
10.如权利要求8所述晶体硅片的制绒工艺方法，其特征在于线加热及槽外循环系统对溶液进 行加热，以保证溶液的适当温度。:步骤3中采用所述的在
【文档编号】H01L21/306GK103441070SQ201310369031
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月22日 优先权日:2013年8月22日
【发明者】邓建华, 左国军 申请人:常州捷佳创精密机械有限公司