具有三重图案化金属层结构的位格的制作方法
【专利摘要】揭示一种具有三重图案化金属层结构的位格。具体实施例包括：经由金属层的第一图案化制程，提供为字符线结构、接地线结构、电源线结构及位线结构中的第一者的第一结构；经由该金属层的第二图案化制程，提供与该第一结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第二者的第二结构；以及经由该金属层的第三图案化制程，提供与该第一结构及该第二结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构线、该电源线结构及该位线结构中的第三者的第三结构。
【专利说明】具有三重图案化金属层结构的位格
【技术领域】
[0001]本揭示内容是有关于微型化静态随机存取内存(SRAM)位格(bit cell)的制造。本揭示内容尤其可应用于可超越20奈米(nm)技术节点(例如，14奈米及其它技术节点)的SRAM位格。
【背景技术】
[0002]随着技术进步，以及持续缩减晶体管装置的尺寸，越来越难以维持用于制造半导体装置的设计的微影可印性。例如，图1A中的现有SRAM位格100包含用于字符线的金属I接着垫101，用于接地线的金属I接着垫103，以及金属I位线结构105，以及金属2层结构107。此外，位格100包含主动区触点109，金属触点111，以及用于完成与金属I层结构101、103及105关连的各种互连的通孔I结构113，以及金属2层结构107。不过，位格100可能难以印在晶圆上，因为位格100中颜色相同(或图案化)的金属结构彼此太接近。如图标，例如，字符线接着垫101可能太靠近接地线接着垫103，以及接着垫101、103可能太靠近位线结构105。因此，变成越来越难以进一步缩小位格100的设计。此外，如图1B所示的另一现有SRAM位格130，单一图案化金属线(例如，金属I层结构131及133)占据重要的空间。不过，如果减少位格130的高度(例如，以减少占用空间)，金属I层结构133之间的端边至端边间距(tip-to-tip spacing,其中端边为结构的短边),特别是在相同的颜色空间中，会变成太靠近，这对位格130的微影可印性有不利影响。
[0003]因此，亟须一种有改良微影可印性的微型化SRAM位格及致能方法。
【发明内容】
[0004]本揭示内容的一方面为一种用于实现具有三重图案化金属层结构的位格的方法。
[0005]本揭示内容的另一方面为一种用有三重图案化金属层结构的位格实现的装置。
[0006]本揭示内容的其它方面及特征会在以下说明中提出以及部分在本技艺一般技术人员审查以下内容或学习本揭示内容的实施后会明白。按照随附权利要求书所特别提示，可实现及得到本揭示内容的优点。
[0007]根据本揭示内容，一些技术效果的达成部分可通过一种方法，其包含:经由金属层的第一图案化制程，提供为字符线结构、接地线结构、电源线结构及位线结构中的第一者的第一结构；经由该金属层的第二图案化制程，提供与该第一结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第二者的第二结构；以及经由该金属层的第三图案化制程，提供与该第一结构及该第二结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第三者的第三结构。
[0008]本揭示内容的数个方面包括:提供具有该第一结构、该第二结构及该第三结构的位格。附加方面包括:经由该第一图案化制程，提供该位格的该字符线结构、该电源线结构、或其组合；经由该第二图案化制程，提供该位格的该位线结构；以及经由该第三图案化制程，提供该位格的该接地线结构。不同的方面包括:提供该位线结构于该字符线结构与该电源线结构之间、于该接地线结构与该电源线结构之间、或其组合。其它方面包括:该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构均为金属I层结构。
[0009]某些方面包括:提供具有第一边缘以及比该第一边缘长0至10百分比的第二边缘的该第一结构、该第二结构、该第三结构、或其组合。一些方面包括:提供具有该等第一边缘及该等第二边缘的该字符线结构、该接地线结构、或其组合。其它方面包括:提供与该电源线结构有32奈米至42奈米的距离的该位线结构；以及提供与该位线结构有32奈米至42奈米的距离的该字符线结构、该接地线结构、或其组合。其它方面包括:提供与该接地线结构有32奈米至42奈米的距离的该字符线结构。
[0010]本揭示内容的一附加方面为一种装置，其包含:字符线结构；接地线结构；电源线结构；以及位线结构，其中该字符线结构、该接地线结构、该位线结构、或其组合都有第一边缘以及邻接该第一边缘而且比该第一边缘长0至10百分比的第二边缘。
[0011]数个方面包括:一种装置，其具有包含该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构的位格。附加方面包含:有该等第一边缘及该等第二边缘的该字符线结构、该接地线结构、或其组合。一些方面包括:该位线结构与该电源线结构有32奈米至42奈米的距离，以及该字符线结构、该接地线结构、或其组合与该位线结构有32奈米至42奈米的距离。某些方面包括:该字符线结构与该接地线结构有32奈米至42奈米的距离。其它方面包括:该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构均为金属I层结构。
[0012]本揭示内容的另一方面包括:经由金属层的第一图案化制程，提供为位格的字符线结构、接地线结构及电源线结构中的一者的第一结构；经由该金属层的第二图案化制程，提供该位格的位线结构；以及经由该金属层的第三图案化制程，提供与该第一结构不同而且为该字符线结构及该接地线结构线中的一者的第二结构。
[0013]附加方面包含:提供该位线结构于该字符线结构与该电源线结构之间、于该接地线结构与该电源线结构之间、或其组合。一些方面包括:提供具有第一边缘及第二边缘的该第一结构、该第二结构、或其组合，该等第二边缘是邻接该等第一边缘而且比该等第一边缘长0至10百分比。不同的方面包括:提供具有该等第一边缘及该等第二边缘的该字符线结构、该接地线结构、或其组合。其它方面包括:该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构均为金属I层结构。
[0014]熟谙此艺者由以下详细说明可明白本揭示内容的其它方面及技术效果，其中仅以预期可实现本揭示内容的最佳模式举例描述本揭示内容的具体实施例。应了解，本揭示内容能够做出其它及不同的具体实施例，以及在各种明显的方面，能够修改数个细节而不脱离本揭示内容。因此，附图及说明内容本质上应被视为图解说明用而不是用来限定。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]在此用附图举例说明而不是限定本揭示内容，图中类似的组件用相同的组件符号表不。
[0016]图1A及图1B示意图标有单一图案化金属层结构的SRAM位格；
[0017]图2根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标有三重图案化金属层结构的位格；
[0018]图3根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标有三重图案化金属层结构的位格的电路图；
[0019]图4根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标与有三重图案化金属层结构的位格关连的n型阱区及主动区；
[0020]图5根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标与有三重图案化金属层结构的位格关连的多晶娃结构及多晶娃切割区；
[0021]图6根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标与有三重图案化金属层结构的位格关连的主动区触点、栅极触点及通孔0结构；以及
[0022]图7根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标与有三重图案化金属层结构的位格关连的通孔0结构及金属I层结构。
[0023]符号说明
[0024]
【权利要求】
1.一种方法，其包含: 经由金属层的第一图案化制程，提供为字符线结构、接地线结构、电源线结构及位线结构中的第一者的第一结构； 经由该金属层的第二图案化制程，提供与该第一结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第二者的第二结构；以及 经由该金属层的第三图案化制程，提供与该第一结构及该第二结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构线、该电源线结构及该位线结构中的第三者的第三结构。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括: 提供具有该第一结构、该第二结构及该第三结构的位格。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括: 经由该第一图案化制程，提供该位格的该字符线结构、该电源线结构、或彼等的组合； 经由该第二图案化制程，提供该位格的该位线结构；以及 经由该第三图案化制程，提供该位格的该接地线结构。
4.根据权利要求2所述的方法，还包括: 提供该位线结构于该字符线结构与该电源线结构之间、于该接地线结构与该电源线结构之间、或其组合。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括: 提供具有第一边缘以及比该第一边缘长O至10百分比的第二边缘的该第一结构、该第二结构、该第三结构、或其组合。`
6.根据权利要求5所述的方法，还包括: 提供具有该等第一边缘及该等第二边缘的该字符线结构、该接地线结构、或其组合。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括: 提供与该电源线结构有32奈米至42奈米的距离的该位线结构；以及 提供与该位线结构有32奈米至42奈米的距离的该字符线结构、该接地线结构、或其组入口 o
8.根据权利要求1所述的方法，还包括: 提供与该接地线结构有32奈米至42奈米的距离的该字符线结构。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构均为金属I层结构。
10.一种装置，其包含: 字符线结构； 接地线结构； 电源线结构；以及 位线结构，其中该字符线结构、该接地线结构、该位线结构、或其组合具有第一边缘以及邻接该第一边缘而且比该第一边缘长0至10百分比的第二边缘。
11.根据权利要求10所述的装置，还包含: 具有该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构的位格。
12.根据权利要求10所述的装置，其中，该字符线结构、该接地线结构、或其组合具有该第一边缘与该第二边缘。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，该位线结构与该电源线结构有32奈米至42奈米的距离，以及该字符线结构、该接地线结构、或其组合与该位线结构有32奈米至42奈米的距离。
14.根据权利要求10所述的装置，其中，该字符线结构与该接地线结构有32奈米至42奈米的距离。
15.根据权利要求10所述的装置，其中，该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构均为金属I层结构。
16.—种方法,其包含: 经由金属层的第一图案化制程，提供为位格的字符线结构、接地线结构及电源线结构中的一者的第一结构； 经由该金属层的第二图案化制程，提供该位格的位线结构；以及 经由该金属层的第三图案化制程，提供与该第一结构不同而且为该字符线结构及该接地线结构线中的一者的第二结构。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括: 提供该位线结构于该字符线结构与该电源线结构之间、于该接地线结构与该电源线结构之间、或其组合。
18.根据权利要求16所述的方法，还包括: 提供具有第一边缘及第 二边缘的该第一结构、该第二结构、或其组合，该等第二边缘是邻接该等第一边缘且比该等第一边缘长0至10百分比。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括: 提供具有该等第一边缘及该等第二边缘的该字符线结构、该接地线结构、或其组合。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构均为金属I层结构。
【文档编号】H01L23/528GK103681472SQ201310410551
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月10日 优先权日:2012年9月14日
【发明者】J·金, J·桂 申请人:格罗方德半导体公司