一种对场氧化层进行处理的方法及应用的制作方法
【专利摘要】本发明涉及半导体【技术领域】，公开了一种对场氧化层进行处理的方法及应用，所述对场氧化层进行处理的方法，包括：在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液；对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀；采用清洗液对干法刻蚀后的硅片进行清洗。在本发明技术方案中，采用干法刻蚀的方法对场氧化层进行处理，避免采用化学机械研磨的方法，大大降低了对场氧化层的处理成本，进而降低了半导体器件的成本。
【专利说明】一种对场氧化层进行处理的方法及应用
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】，特别是涉及一种对场氧化层进行处理的方法及应用。
【背景技术】
[0002]目前，国内高频的水平双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LateraldoubIe-Diffused Metal Oxide Semiconductor,简称 LDM0S)的研究正逐步展开，而高频的LDMOS的制作工艺不同于其它功率的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal OxideSemiconductor，简称M0S)，由于高频的LDMOS具有高频特性，所以在制作工艺中需要在场区形成一层较厚的场氧化层，该场氧化层一般通过娃的选择氧化(Local Oxidat1n ofSilicon，简称LOCOS)来实现。在制作完成较厚的场氧化层后，会在硅衬底和场氧化层的接触部分形成凸起，也就是本领域技术人员统称的鸟头或鸟嘴。如图1所示，图1为现有的制作场氧化层后的硅片结构示意图，首先在硅衬底11上形成基底氧化层，再在基底氧化层上形成氮化硅层，采用光刻工艺保留有源区20上的氮化硅层13和基底氧化层12，并刻蚀掉场区21上的氮化硅层和基底氧化层，再采用氧化工艺在场区21上形成场氧化层14，由于长时间的高温氧化，在形成场氧化层14时，有源区20上的氮化硅层13上也会形成一层氮氧化硅层15，该场氧化层14在生长完成后，都会在硅衬底11和场氧化层14的接触部分形成鸟头，该鸟头高出硅衬底11表面的高度与场氧化层14的厚度有关，场氧化层越厚，则鸟头越高。形成的鸟头会给后续的多晶硅布线、场板刻蚀和金属布线造成很大的影响，如会造成多晶硅断条、金属残留和孔填充较差等问题。因此，在形成鸟头之后通常都要对场氧化层进行处理以去除鸟头。
[0003]传统的对场氧化层的处理去除鸟头的工艺一般通过化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing,简称为CMP)的方法实现,具体为:先采用CMP对氮氧化娃层和场氧化层进行研磨，直至研磨掉部分氮化硅层，再用磷酸去除剩余的氮化硅。
[0004]由于化学机械研磨所用的机器国内目前无法制造，全靠进口，而一台全新进口的化学机械研磨机的价格高昂，因此，现有技术对场氧化层的处理成本太高。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种对场氧化层进行处理的方法及应用，用以降低对场氧化层的处理成本，进而降低半导体器件的制作成本。
[0006]本发明对场氧化层进行处理的方法，包括:
[0007]在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液；
[0008]对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀；
[0009]采用清洗液对干法刻蚀后的硅片进行清洗。
[0010]在本发明技术方案中，在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液，由于涂布的刻蚀液在凸起的鸟头部分的液层较薄，因此在对硅片进行干法刻蚀过程中，可以有效地去除场氧化层在硅片表面形成的鸟头，再对剩余的刻蚀液进行清洗，因此，采用本发明的技术方案可避免采用化学机械研磨，大大降低了对场氧化层的处理成本，进而降低了半导体器件的成本。本发明的技术方案特别适合处理较厚的场氧化层，如场氧化层的厚度为2?3微米。
[0011]优选的，所述对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀具体为:对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀，维持刻蚀液的刻蚀速率和场氧化层的刻蚀速率的比例范围为1:1?1.2。
[0012]在本发明优选的技术方案中，采用干法刻蚀，通过控制刻蚀液和场氧化层的蚀刻选择比在1:1?1.2，鸟头上的刻蚀液较薄，其他部分的刻蚀液较厚，在进行刻蚀时，采取刻蚀液和场氧化层的刻蚀速率接近，以保证最大限度地刻蚀掉鸟头并保持硅片表面平齐，进而利于半导体器件制作后期的布线。
[0013]优选的，所述刻蚀液为旋涂玻璃，所述清洗液为0.96%?1%浓度的氢氟酸溶液；或者，所述刻蚀液为光阻，所述清洗液为4:1体积比的98%浓度的浓硫酸和35%浓度的双氧水的混合液。
[0014]在本发明优选的技术方案中，当刻蚀液选为旋涂玻璃时，清洗液选用氢氟酸溶液，优选采用浓度为0.96%?1%的氢氟酸溶液，更优选的为1%浓度的氢氟酸溶液，当刻蚀液选为光阻时，可以选用硫酸双氧水混合液(Sulfuric Peroxide Mix,简称SPM),其采用浓度为98%的浓硫酸和浓度为35%的双氧水以4:1的体积比混合而成的混合液，温度为120°C。
[0015]优选的，所述在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液之前还包括:
[0016]采用腐蚀液对形成场氧化层的硅片进行腐蚀，形成腐蚀后硅片；
[0017]采用加热后的磷酸对所述腐蚀后硅片进行进一步腐蚀。
[0018]在本发明优选的技术方案中，由于在有源区的部分还具有氮化硅层，以及位于氮化硅层之上的氮氧化硅层，因此，还需要在腐蚀场氧化层的同时，对氮化硅层和氮氧化硅层进行腐蚀，优选采用腐蚀液腐蚀掉氮氧化硅层和部分氮化硅层，再采用加热后的磷酸腐蚀掉剩余的氮化硅层。
[0019]较佳的，所述腐蚀液为0.96%?1%浓度的氢氟酸溶液；或者，所述腐蚀液为6:1体积比的49%浓度的氢氟酸和40%浓度的氟化铵的混合液。
[0020]较佳的，所述加热后的磷酸的加热温度为160°C?180°C。
[0021]优选的，对上述任一种对场氧化层进行处理的方法中，在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液具体为:在形成氧化层的硅片上涂布厚度为I?2微米的刻蚀液。
[0022]在本发明优选的技术方案中，若场氧化层的厚度为2微米，则形成鸟头的高度约为0.95微米，所以，一般涂布刻蚀液的厚度为I?2微米，可以在干法刻蚀过程中，保证鸟头基本被刻蚀掉。
[0023]本发明还涉及上述任一种对场氧化层进行处理的方法在半导体制造工艺中的应用，本发明上述任一种对场氧化层进行处理的方法特别适合应用于高频的水平双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制作之中。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1为现有的制作场氧化层后的硅片结构示意图；
[0025]图2为本发明第一实施例对场氧化层进行处理的方法流程示意图；
[0026]图3a为本发明第一实施例在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液后的硅片结构示意图；
[0027]图3b为本发明第一实施例对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀后的硅片结构示意图；
[0028]图3c为本发明第一实施例清洗掉刻蚀液后的硅片结构示意图；
[0029]图4a为本发明第二实施例形成场氧化层后的硅片结构示意图；
[0030]图4b为本发明第二实施例腐蚀后硅片的结构示意图；
[0031]图4c为本发明第二实施例进一步腐蚀后的硅片结构示意图；
[0032]图4d为本发明第二实施例在进一步腐蚀后的硅片上涂布刻蚀液后的硅片结构示意图；
[0033]图4e为本发明第二实施例对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀后的硅片结构示意图；
[0034]图4f为本发明第二实施例清洗掉刻蚀液后的硅片结构示意图。
[0035]附图标记:
[0036]1-娃衬底2-场氧化层3-刻蚀液4-垫氧层5-氮化娃层
[0037]6-氮氧化硅层11-硅衬底12-基底氧化层13-氮化硅层
[0038]14-场氧化层15-氮氧化娃层20-有源区21-场区
【具体实施方式】
[0039]为了降低对场氧化层的处理成本，本发明提供了一种对场氧化层进行处理的方法和应用。在该技术方案中，首先在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液，再采用干法刻蚀的方法刻蚀部分场氧化层并去除鸟头，最后将剩余的刻蚀液进行清洗，由于不使用化学机械研磨的方法，大大降低了对场氧化层处理的成本，并有利于降低半导体器件的成本。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本发明作进一步详细说明。
[0040]本发明实施例提供一种对场氧化层的处理方法，如图2所示，本发明第一实施例对场氧化层进行处理的方法流程示意图，所述对场氧化层进行处理的方法包括:
[0041]步骤101、在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液；
[0042]步骤102、对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀；
[0043]步骤103、采用清洗液对干法刻蚀后的硅片进行清洗。
[0044]在本发明实施例中，在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液，由于涂布的刻蚀液在凸起的鸟头部分的液层较薄，因此在对硅片进行干法刻蚀过程中，可以有效地去除场氧化层在硅片表面形成的鸟头，再对剩余的刻蚀液进行清洗，因此，采用本发明的技术方案可避免采用化学机械研磨，仅仅采用价格低廉的刻蚀液并通过干法刻蚀来实现，大大降低了对场氧化层的处理成本，进而降低了半导体器件的成本。本发明的技术方案特别适合处理较厚的场氧化层，如场氧化层的厚度为2?3微米。
[0045]以下来具体说明本发明第一实施例对场氧化层的处理方法，包括如下步骤:
[0046]步骤一、在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液，如图3a所示，图3a为在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液后的硅片结构示意图，刻蚀液3覆盖硅衬底I和场氧化层2，场氧化层2位于场区21的硅衬底I之上，场区21和有源区20的交界处具有凸起部，即为鸟头，由于鸟头为凸起，则鸟头上的刻蚀液较薄，其他部分的刻蚀液较厚，在进行刻蚀时，采取刻蚀液和场氧化层的刻蚀速率接近，以保证最大限度地刻蚀掉鸟头并保持硅片表面平齐，进而利于半导体器件制作后期的布线。刻蚀液可选用旋涂玻璃(Spin On Glass，简称S0G)，也可以选用光阻，刻蚀液的涂布厚度约为I?2微米，如涂布厚度为I微米、1.3微米、1.5微米、1.7微米或2微米；
[0047]步骤二、对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀，如图3b所示，图3b为对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀后的硅片结构示意图，干法刻蚀掉部分场氧化层2和部分刻蚀液3，使得有源区上保留部分刻蚀液3，如保留小于500埃的刻蚀液，用于保护有源区的硅不受刻蚀损伤，在干法刻蚀过程中，可以调整干法刻蚀所用的各气体的比例，达到对刻蚀液和场氧化层的刻蚀速率大致相同，可以优选刻蚀液和场氧化层的蚀刻选择比为1:1?1.2 ;
[0048]步骤三、采用清洗液对干法刻蚀后的硅片进行清洗，如图3c所示，图3c为清洗掉刻蚀液后的硅片结构示意图，将鸟头去除后，刻蚀液3被清洗液洗去，硅衬底I上的场区表面和有源区表面接近平齐，利于后期半导体器件的布线等，优选的，当步骤一中的刻蚀液为旋涂玻璃时，本实施例中的旋涂玻璃为本领域技术人员常用的旋涂玻璃，其主要成分为二氧化硅，例如，业内通用的S0G211或S0G21F，清洗液选用0.96%?1%浓度的氢氟酸溶液，清洗液可以用I体积的浓度为49%的氢氟酸与48体积至50体积的水在室温下混合得到；或者，当步骤一中的刻蚀液为光阻时，本实施例中的光阻为本领域技术人员常用的可用于干法刻蚀的光阻，例如主要成分为树脂、感光剂和溶剂的光阻，具体的，光阻可以为罗门哈斯(ROHM AND HASS)生产的型号为955或400G的光阻、北京科华微电子材料有限公司生产的型号为KMP C5315的紫外正性光阻、安智AZ MIR-701光阻。清洗液选用硫酸双氧水混合液(Sulfuric Peroxide Mix,简称SPM),具体为4:1体积比的98%浓度的浓硫酸和35%浓度的双氧水在温度为120°C的混合液，清洗时间为30?60分钟。
[0049]本发明一较优选的实施例，所述在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液之前还包括:
[0050]采用腐蚀液对形成场氧化层的硅片进行腐蚀，形成腐蚀后硅片；
[0051]采用加热后的磷酸对所述腐蚀后硅片进行进一步腐蚀。
[0052]在本发明优选的实施例中，由于在有源区的部分还具有氮化硅层，以及位于氮化硅层之上的氮氧化硅层，因此，还需要在腐蚀场氧化层的同时，对氮化硅层和氮氧化硅层进行腐蚀，优选采用腐蚀液腐蚀掉氮氧化硅层和部分氮化硅层，再采用加热后的磷酸腐蚀掉剩余的氮化硅层。
[0053]较佳的，所述腐蚀液为0.96%?1%浓度的氢氟酸溶液；或者，所述腐蚀液为6:1体积比的49%浓度的氢氟酸和40%浓度的氟化铵的混合液。
[0054]较佳的，所述加热后的磷酸的加热温度为160°C?180°C。
[0055]如图4a?图4f所示，以下来具体说明本发明第二实施例对场氧化层的处理方法，包括如下步骤:
[0056]步骤一、在场区形成场氧化层，场氧化层的厚度为2微米?3微米，如图4a所示，图4a为形成场氧化层后的硅片结构示意图，为了减小鸟头，先在硅衬底I上进行垫氧形成垫氧层4，再在垫氧层4上形成氮化硅层5，氮化硅层5可以采用低压化学气相沉积工艺(Low Pressure Chemical Vapor Deposit1n, LPCVD)沉积，再米用光刻工艺保留有源区 20上的氮化硅层5和垫氧层4，并刻蚀掉场区21上的氮化硅层和垫氧层，再采用氧化工艺在场区21上形成场氧化层2，由于长时间的高温氧化，在形成场氧化层2时，有源区20上的氮化娃层5上也会形成一层氮氧化娃层6,例如生长2微米的场氧化层,则氮氧化娃层的厚度约为1600埃，即使采用减小鸟头的工艺，但也会在有源区20的垫氧层4和场区21的场氧化层2的接触部分形成鸟头；
[0057]步骤二、采用腐蚀液对形成场氧化层的硅片进行腐蚀，形成腐蚀后硅片，如图4b所示，图4b为腐蚀后硅片的结构示意图，腐蚀液可以为氢氟酸，例如浓度为0.96%?1%的氢氟酸，腐蚀液也可以为BOE (Buffer Oxide Etching,氢氟酸和氟化氨的混合液),采用腐蚀液漂洗掉氮氧化硅层6，并腐蚀一部分氮化硅层5，在腐蚀时，以过刻30%的氮氧化硅层为宜，同时腐蚀液也会腐蚀掉部分场氧化层2，若氮氧化硅层的厚度约为1600埃，则需要采用浓度为1%的氢氟酸腐蚀1800秒；
[0058]步骤三、采用加热后的磷酸对所述腐蚀后硅片进行进一步腐蚀，如图4c所示，图4c为进一步腐蚀后的硅片结构示意图，采用热磷酸腐蚀掉剩余的氮化硅层5，可以选用热磷酸的温度160?180摄氏度，如160°C、170°C或180°C磷酸的浓度优选为80%?85%，腐蚀时间优选为I小时，腐蚀速率约为50?70埃/分钟；
[0059]步骤四、在进一步腐蚀后的硅片上涂布刻蚀液，如图4d所示，图4d为在进一步腐蚀后的硅片上涂布刻蚀液后的硅片结构示意图，刻蚀液3覆盖有源区的垫氧层4和场区的场氧化层2，场氧化层2的鸟头上的刻蚀液较薄，其他部分的刻蚀液较厚，在进行刻蚀时，采取刻蚀液和场氧化层的刻蚀速率接近，以保证最大限度地刻蚀掉鸟头并保持硅片表面平齐，进而利于半导体器件制作后期的布线。刻蚀液可选用旋涂玻璃(Spin On Glass,简称S0G),也可以选用光阻，刻蚀液的涂布厚度约为I?2微米，如涂布厚度为I微米、1.3微米、1.5微米、1.7微米或2微米；
[0060]步骤五、对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀，如图4e所示，图4e为对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀后的硅片结构示意图，干法刻蚀掉部分场氧化层2和部分刻蚀液3，使得有源区上保留部分刻蚀液3，如保留小于500埃的刻蚀液，用于保护有源区的硅不受刻蚀损伤，在干法刻蚀过程中，可以调整干法刻蚀所用的各气体的比例，达到对刻蚀液和场氧化层的刻蚀速率大致相同，可以优选刻蚀液和场氧化层的蚀刻选择比为1:1?1.2 ;
[0061]步骤六、采用清洗液对干法刻蚀后的硅片进行清洗，如图4f所示，图4f为清洗掉刻蚀液后的硅片结构示意图，将鸟头去除后，刻蚀液3被清洗液洗去，硅衬底I上的场区表面和有源区表面接近平齐，利于后期半导体器件的布线等，优选的，当步骤四中的刻蚀液为旋涂玻璃时，本实施例中的旋涂玻璃为本领域技术人员常用的旋涂玻璃，清洗液选用
0.96%?1%浓度的氢氟酸溶液，清洗液可以用I体积的浓度为49%的氢氟酸与48体积至50体积的水在室温下混合得到；或者，当步骤四中的刻蚀液为光阻时，本实施例中的光阻为本领域技术人员常用的光阻，例如主要成分为树脂、感光剂和溶剂的光阻，清洗液选用硫酸双氧水混合液(Sulfuric Peroxide Mix,简称SPM),具体为4:1体积比的98%浓度的浓硫酸和35%浓度的双氧水在温度为120°C的混合液。
[0062]优选的，对上述任一种对场氧化层进行处理的方法中，在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液具体为:在形成氧化层的硅片上涂布厚度为I?2微米的刻蚀液。
[0063]在本发明优选的实施例中，若场氧化层的厚度为2微米，则形成鸟头的高度约为
0.95微米，所以，一般涂布刻蚀液的厚度为I?2微米，例如，刻蚀液的厚度为I微米、1.3微米、1.5微米、1.8微米或2微米，可以在干法刻蚀过程中，保证鸟头基本被刻蚀掉。
[0064]在上述实施例中，采用扫描电子显微镜对完成鸟头去除的硅片进行观察，发现经过本发明对场氧化层进行处理的方法处理后，鸟头去除完全，硅片表面平坦，可以用于半导体器件后续工艺的制作。
[0065]本发明还涉及上述任一种对场氧化层进行处理的方法在半导体制造工艺中的应用，本发明上述任一种对场氧化层进行处理的方法特别适合应用于高频的水平双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制作之中。
[0066]由于高频的水平双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管需要制备较厚的场氧化层，形成鸟头的高度会较高，因此，本发明对场氧化层进行处理的方法特别适用于高频的LDMOS。
[0067]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，包括: 在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液； 对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀； 采用清洗液对干法刻蚀后的硅片进行清洗。
2.如权利要求1所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，所述对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀具体为:对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀，维持刻蚀液的刻蚀速率和场氧化层的刻蚀速率的比例范围为1:1?1.2。
3.如权利要求1所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，所述刻蚀液为旋涂玻璃，所述清洗液为0.96%?1%浓度的氢氟酸溶液；或者，所述刻蚀液为光阻，所述清洗液为4:1体积比的98%浓度的浓硫酸和35%浓度的双氧水的混合液。
4.如权利要求1所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，所述在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液之前还包括: 采用腐蚀液对形成场氧化层的硅片进行腐蚀，形成腐蚀后硅片； 采用加热后的磷酸对所述腐蚀后硅片进行进一步腐蚀。
5.如权利要求4所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，所述腐蚀液为0.96%?1%浓度的氢氟酸溶液；或者，所述腐蚀液为6:1体积比的49%浓度的氢氟酸和40%浓度的氟化铵的混合液。
6.如权利要求4所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，所述加热后的磷酸的加热温度为160°C?180°C。
7.如权利要求1?6任一项所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，在形成场氧化层的硅片上涂布刻蚀液具体为:在形成氧化层的硅片上涂布厚度为I?2微米的刻蚀液。
8.权利要求1?7任一项所述的对场氧化层进行处理的方法在半导体器件制造工艺中的应用。
【文档编号】H01L21/311GK104465367SQ201310422364
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年9月16日 优先权日:2013年9月16日
【发明者】闻正锋, 马万里, 赵文魁 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司