一种钼硒酸盐发光薄膜及其制备方法和应用的制作方法
【专利摘要】提供了一种钼硒酸盐发光薄膜及其制备方法和应用。本发明提供的钼硒酸盐发光薄膜结构式为R2(MoSe4)3:xEu3+，其中R为Al、Ga、In或Tl，x的取值范围为0.01～0.05，具有良好的结构稳定性，在620nm位置附近有很强的发光峰，在薄膜电致发光器件等领域具有诱人的应用前景。本发明还提供了一种薄膜电致发光器件及其制备方法。
【专利说明】一种钼硒酸盐发光薄膜及其制备方法和应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及无机发光材料领域，尤其涉及一种钥硒酸盐发光薄膜及其制备方法和 应用。
【背景技术】
[0002] 与传统的发光粉制作的显示屏相比，发光薄膜在对比度、分辨率、热传导、均匀性、 与基底的附着性、释气速率等方面都显示出较强的优越性。因此，作为功能材料，发光薄膜 在诸如阴极射线管（CRTs)、电致发光显示（ELDs)及场发射显示（FEDs)等平板显示领域中 有着广阔的应用前景。
[0003] 薄膜电致发光显示器（TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角 大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至 全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。然而，铕掺杂钥硒酸盐发光薄膜 仍未见报道。
【发明内容】
[0004] 为了解决上述问题，本发明提供了一种钥硒酸盐发光薄膜及其制备方法和应用。
[0005] 第一方面，本发明提供了一种钥硒酸盐发光薄膜，结构式为R2(M〇Se 4)3:XEU3+，其 中，R2 (MoSe4)3为基质，Eu3+为激活元素，R为Al、Ga、In或Tl，x的取值范围为0. 01?0. 05。
[0006] Eu3+是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心，在本材料体系中，其在\ - 7F2 能级之间的跃迁福射出620nm的红光。
[0007] 优选地，x的取值为0? 03。
[0008] 优选地，发光薄膜的厚度为80?150nm。
[0009] 更优选地，发光薄膜的厚度为150nm。
[0010] 本发明制备了钥硒酸盐R2 (MoSe4) 3: xEu3+发光薄膜，以R2 (MoSe4) 3为基质，Eu3+ 是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心。本发明提供的铕掺杂钥硒酸盐发光薄膜 (R2 (MoSe4) 3: xEu3+)在620nm位置附近有很强的红光的发光峰。钥硒酸盐发光薄膜中，基质 钥硒酸盐具有较高的热学和力学稳定性，还具有着良好的光学透明性，较低的声子能量，为 发光离子提供了优良的晶场，从而在光电能量转换的过程中产生较少无辐射跃迁，具有较 高的发光效率。对于掺杂离子，Eu 3+离子的能级丰富，可以不同的晶场激发比较宽范围的波 长，在本材料体系中，其在- 7F2能级之间的跃迁辐射出620nm的红光。
[0011] 第二方面，本发明提供了一种钥硒酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0012] 以摩尔比为2:3:(0.01?0.05)的￠-二酮金属化合物、六羰基钥和四甲基庚二 酮酸铕为反应源；
[0013] 在真空度为1. OX 1(T3?1. OX l(T2Pa的气相沉积设备中，将衬底转速设置为50? 1000转/分，通入含有反应源的惰性气体，气流量为5?15 SCCm，再通入硒化氢，在述衬底 上沉积得到所述钥硒酸盐发光薄膜；
[0014] 所述钥硒酸盐发光薄膜的结构式为馬(1〇564) 3:述113+，其中1?为41、6&、111或1'1，1 的取值范围为0.01?0.05。
[0015] 优选地，x的取值为0? 03。
[0016] 本发明采用金属有机气相沉积设备（M0CVD)制备钥硒酸盐发光薄膜，以0 -二酮 金属化合物、六羰基钥和四甲基庚二酮酸铕为反应源，通过沉积得到发光薄膜。
[0017] @ _二酮金属化合物表示为（DPM) 3R，R为Al、Ga、In或T1。@ -二酮金属化合物 为二酮螯合物，可以通过四甲基庚二酮和金属氯化物反应生成。化学反应式如下：
[0018]
【权利要求】
1. 一种钥硒酸盐发光薄膜，其特征在于，结构式为R2 (MoSe4) 3: xEu3+，其中R为Al、Ga、 In或Tl，x的取值范围为0. 01?0. 05。
2. 如权利要求1所述的钥硒酸盐发光薄膜，其特征在于，x的取值为0. 03。
3. 如权利要求1所述的钥硒酸盐发光薄膜，其特征在于，所述发光薄膜的厚度为80? 300nm。
4. 一种钥硒酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 以摩尔比为2:3: (0. 01?0. 05)的0 -二酮金属化合物、六羰基钥和四甲基庚二酮酸 铕为反应源； 在真空度为1. 〇 X 1(T3?1. 0 X l(T2Pa的气相沉积设备中，将衬底转速设置为50?1000 转/分，通入含有反应源的惰性气体，气流量为5?15Sccm，再通入硒化氢，在所述衬底上沉 积得到所述钥硒酸盐发光薄膜； 所述钥硒酸盐发光薄膜的结构式为馬(1〇564)3:述113+，其中1?为41、6 &、111或1'1，1的取 值范围为0. 01?0. 05。
5. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，x的取值为0. 03。
6. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述￠-二酮盐为￠-二酮铝、￠-二 酮镓、0 -二酮铟或0 -二酮铊。
7. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述通入硒化氢的气流量为10? 200sccm〇
8. -种薄膜电致发光器件，包括衬底、发光层和阴极，其特征在于，所述发光层的材质 为钥硒酸盐发光薄膜，所述钥硒酸盐发光薄膜的结构式SR2(M〇Se4) 3:XEu3+，其中R为A1、 Ga、In或Tl，x的取值范围为0. 01?0. 05。
9. 如权利要求8所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，x的取值为0. 03。
10. -种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供清洁的衬底； 以摩尔比为2:3: (0. 01?0. 05)的0 -二酮金属化合物、六羰基钥和四甲基庚二酮酸 铕为反应源； 在真空度为1. 〇 X 1(T3?1. 0 X l(T2Pa的气相沉积设备中，将衬底转速设置为50?1000 转/分，通入含有反应源的惰性气体，气流量为5?15Sccm，再通入硒化氢，在所述衬底上沉 积得到所述钥硒酸盐发光薄膜，所述钥硒酸盐发光薄膜的结构式为R2 (MoSe4) 3: xEu3+，其中R 为Al、Ga、In或Tl，x的取值范围为0. 01?0. 05 ; 继续通入硒化氢，待温度降到l〇〇°C以下后取出，在所述发光薄膜上蒸镀阴极； 以上步骤完成后，得到所述薄膜电致发光器件。
【文档编号】H01L33/50GK104449736SQ201310442591
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年9月25日 优先权日:2013年9月25日
【发明者】周明杰, 陈吉星, 王平, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司