一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明旨在提供一种具有封装层结构的有机电致发光器件，该封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，碳氧化硅阻挡层的材质为碳氧化硅，无机阻挡层的材质为B2O3、Al2O3、Ga2O3、In2O3或Tl2O3。该封装层可有效地防止外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，可延长有机电致发光器件的使用寿命。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料廉价，易于大面积制备。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为 光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等 领域有着极为广泛的应用前景。
[0003] 有机电致发光材料对氧气及水汽侵入特别敏感。一方面因为氧气是淬灭剂，会 使发光的量子效率显著下降，氧气对空穴传输层的氧化作用也会使其传输能力下降；另一 方面，水汽会对有机化合物产生水解作用，使其稳定性大大下降，从而导致器件失效，缩短 0LED器件的寿命。因此，常常需要对0LED进行封装保护处理，使发光器件与外界环境隔离， 以防止水分、有害气体等的侵入，进而提高0LED的稳定性和使用寿命。
[0004] 对于0LED产品来说，若使用传统的0LED封装技术，在器件背部加上封装盖板，会 产生重量大、造价高、机械强度差等问题，限制了 0LED产品的性能发挥。目前，多数0LED的 防水氧能力不强，且使用寿命较短，制备工艺复杂、成本高。
【发明内容】
[0005] 为了解决上述问题，本发明旨在提供一种具有封装层结构的有机电致发光器件， 该封装层可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有 机功能材料及电极形成有效的保护，延长有机电致发光器件的使用寿命。本发明还提供了 一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料廉价，易于大面积制备。
[0006] 第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、 发光功能层、阴极和封装层，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发 光层、电子传输层和电子注入层，所述封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡 层；
[0007] 所述碳氧化硅阻挡层的材质为碳氧化硅；
[0008] 所述无机阻挡层的材质为B203、A120 3、Ga203、ln203或！1 203。
[0009] 在阴极外侧设置封装层，封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层。优 选地，与阴极相邻的是碳氧化硅阻挡层。
[0010] 氮氧化硅阻挡层和无机阻挡层经过多次交替层叠可获得更好的水氧阻隔效果。优 选地，封装层为交替层叠3?5次的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层。
[0011] 优选地，碳氧化娃阻挡层的厚度为200?300nm。
[0012] 无机阻挡层的材质为 B203、Al203、Ga20 3、ln203 或 11203。
[0013] 优选地，无机阻挡层的厚度为15?20nm。
[0014] 由B203、Al203、Ga 203、ln203或T120 3形成的膜层是一种陶瓷膜，膜层致密，防水氧能 力商，具有良好的水氧阻隔性，耐商温商压、耐腐蚀。碳氧化娃兼具Si02和Si3N4的特点，具 有稳定的化学性质和较高的阻水性。碳氧化硅阻挡层具有有机物质和无机物质性质，表面 平整度好，有利于无机物的沉积，同时避免出现裂痕。
[0015] 优选地，阳极导电基板的材质为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。更优选地，阳 极导电基板为铟锡氧化物（IT0)。
[0016] 优选地，阳极导电基板的厚度为100nm。
[0017] 发光功能层设置在阳极导电基板上。
[0018] 发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子 注入层。
[0019] 优选地，空穴注入层的材质为M〇03与NPB按照质量比1:3混合形成的混合物。
[0020] 优选地，空穴注入层的厚度为l〇nm。
[0021] 优选地，空穴传输层的材质为4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0022] 优选地，空穴传输层的厚度为40nm。
[0023] 优选地，发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)按照质量比5:95混合形成的混合物。
[0024] 优选地，发光层的厚度为20nm。
[0025] 优选地，电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)
[0026] 优选地，电子传输层的厚度为30nm。
[0027] 优选地，电子注入层的材质为叠氮化铯（CsN3)与Bphen按照质量比1:3混合形成 的混合物。
[0028] 优选地，电子注入层的厚度为20nm。
[0029] 阴极设置在发光功能层上。
[0030] 优选地，阴极的材质为铝（A1)。
[0031] 优选地，阴极的厚度为lOOnm。
[0032] 第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0033] S1、提供清洁的阳极导电基板，并对所述阳极导电基板进行活化处理；
[0034] S2、在所述阳极导电基板表面真空蒸镀制备发光功能层和阴极，所述发光功能层 包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
[0035] S3、在所述阴极表面采用等离子体增强化学气相沉积法制备碳氧化硅阻挡层；
[0036] S4、在所述碳氧化硅阻挡层表面采用原子层沉积法制作无机阻挡层，将制备有 碳氧化硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子层沉积系统的沉积室中，然后往所述 沉积室中分别注入金属源和氧源，所述金属源为B (CH3) 3、A1 (CH3) 3、Ga (CH3) 3、In (CH3) 3或 T1(CH3)3，所述氧源为水蒸气，反应后得到所述无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为B 203、 A1203、Ga203、ln20 3 或 T1203 ;
[0037] 重复步骤S3?S4制得交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到所述 有机电致发光器件。
[0038] 步骤S1中，通过对阳极导电基板的清洗，除去阳极导电基板表面的有机污染物。
[0039] 具体地，阳极导电基板的清洁操作为：将阳极导电基板依次用丙酮、乙醇、去离子 水、乙醇在超声波清洗机中清洗，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到清洁的阳极导电基板。
[0040] 对洗净后的阳极导电基板进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高 导电层表面的功函数。
[0041] 优选地，阳极导电基板的材质为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。更优选地，阳 极导电基板为铟锡氧化物（IT0)。
[0042] 优选地，阳极导电基板的厚度为100nm。
[0043] 步骤S2中，发光功能层通过真空蒸镀设置在阳极导电基板上。
[0044] 优选地，真空蒸镀发光功能层时条件为真空度3X l(T5Pa，蒸发速度 0.1 A/'s ?0.2A/s。
[0045] 发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子 注入层。
[0046] 优选地，空穴注入层的材质为M〇03与NPB按照质量比1:3混合形成的混合物。
[0047] 优选地，空穴注入层的厚度为10nm。
[0048] 优选地，空穴传输层的材质为4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0049] 优选地，空穴传输层的厚度为40nm。
[0050] 优选地，发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)按照质量比5:95混合形成的混合物。
[0051] 优选地，发光层的厚度为20nm。
[0052] 优选地，电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)
[0053] 优选地，电子传输层的厚度为30nm。
[0054] 优选地，电子注入层的材质为叠氮化铯（CsN3)与Bphen按照质量比1:3混合形成 的混合物。
[0055] 优选地，电子注入层的厚度为20nm。
[0056] 阴极通过真空蒸镀设置在发光功能层上。
[0057] 优选地，真空蒸镀阴极时条件为真空度3X l(T5Pa，蒸发速度5人/S。
[0058] 优选地，阴极的材质为铝（A1)。
[0059] 优选地，阴极的厚度为lOOnm。
[0060] 步骤S3中，碳氧化硅阻挡层通过真空蒸镀设置在阴极表面。
[0061] 采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)制备碳氧化硅阻挡层，制得的碳氧化 硅的膜层应力小，不容易有剥离现象发生，具有良好的致密性。优选地，以六甲基二硅氧烷 (HMDSO)、四甲基硅烷（TMS)或四乙氧基硅烷（TEOS)为源，通入一氧化二氮和氩气的混合气 体，制备工艺条件为六甲基二硅氧烷流量20?25sccm，四甲基硅烷流量20?25sccm，四乙 氧基娃烧流量20?25sccm，混合气体流量为20?50sccm，。
[0062] 优选地，一氧化二氮占混合气体的体积分数为40%?60%。
[0063] 优选地，碳氧化硅阻挡层的厚度为200?300nm。
[0064] 步骤S4中，无机阻挡层通过原子层沉积法设置在碳氧化硅阻挡层表面，通过单个 原子层沉积，沉积均匀，薄膜材料以稳定的形式紧密排列，得到致密性好的薄膜，且表面光 滑平整。
[0065] 具体地，将制备有碳氧化硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子层沉积系统 的沉积室中，然后往沉积室中分别注入金属源和氧源，交替暴露在样品表面而进行反应，经 过多个原子层沉积生长周期后，得到无机阻挡层。
[0066] 原子层沉积生长周期分为四步：
[0067] 第一步：将金属源随载气注入所述沉积室中，并吸附在所述碳氧化硅阻挡层上，注 入时间为10?20ms，载气流量为10?20sccm ;
[0068] 第二步：注入载气净化沉积室，移除多余的前驱体，注入时间为5?10s，流量为 10 ?20sccm ;
[0069] 第三步：将水蒸气随载气注入沉积室中，并与所述金属源发生反应，直到表面的金 属源完全消耗，注入时间为10?20ms，载气流量为10?20sccm ;
[0070] 第四步：注入载气净化沉积室，避免副产物的气相反应，注入时间为5?10s，流量 为 10 ?20sccm。
[0071] 优选地，载气为惰性气体。
[0072] 优选地，无机阻挡层的厚度为15?20nm。
[0073] 完成步骤S3?S4后，制得交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到所 述有机电致发光器件。
[0074] 优选地，将步骤S3?S4实施3?5次，得到交替层叠3?5次的碳氧化硅阻挡层 和无机阻挡层。
[0075] 本发明具有如下有益效果：
[0076] (1)本发明提供的一种具有封装层结构的有机电致发光器件，可有效地防止外部 水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，具有较好的密封性和较长的使用寿命。
[0077] (2)由B203、A120 3、Ga203、ln203或T1 203形成的膜层是一种陶瓷膜，膜层致密，防水 氧能力高，具有良好的水氧阻隔性，耐高温高压、耐腐蚀。碳氧化硅兼具Si02和Si3N 4的特 点，具有稳定的化学性质和较高的阻水性。碳氧化硅阻挡层具有有机物质和无机物质性质， 表面平整度好，有利于无机物的沉积，同时避免出现裂痕。
[0078] (3)本发明提供的一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料 廉价，易于大面积制备。
【专利附图】
【附图说明】
[0079] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0080] 图1是本发明实施例6提供的有机电致发光器件的结构图。
【具体实施方式】
[0081] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0082] 实施例1 :
[0083] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0084] (1)提供清洁的阳极导电基板：
[0085] 将IT0玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇在超声波清洗机中清洗，单项 洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的IT0玻璃进行表面活化处理； IT0厚度为100nm ;
[0086] (2)在IT0玻璃基板上真空蒸镀发光功能层：
[0087] 具体地，发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注 入层；
[0088] 空穴注入层的制备：将M〇03与NPB按照质量比1:3混合得到的混合物作为空穴注 入层的材质，厚度l〇nm，真空度3 X l(T5Pa，蒸发速度0.1A/S;
[0089] 空穴传输层的制备：采用4, 4'，4' 三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)作为空穴传输 材料，真空度3 X 10_5Pa，蒸发速度0.1 A/S,蒸发厚度40nm ;
[0090] 发光层的制备：采用Ir (ppy)3与TPBi按照质量比5:95混合形成的混合物作为发 光层的材质，真空度3Xl(T5Pa，蒸发速度0.2A/S,蒸发厚度20nm ;
[0091] 电子传输层的制备：蒸镀一层4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)作为电子传输 材料，真空度3 X 10_5Pa，蒸发速度〇.丨A/S,蒸发厚度30nm ;
[0092] 电子注入层的制备：将CsN3与Bphen按照质量比1:3混合形成的混合物作为电子 注入层的材质，真空度3Xl(T5Pa，蒸发速度0.2人/S,蒸发厚度20nm ;
[0093] (3)在发光功能层表面制备阴极：
[0094] 金属阴极采用铝（A1)，厚度为lOOnm，真空度3Xl(T5Pa，蒸发速度5A/S;
[0095] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0096] 封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层；
[0097] 碳氧化硅阻挡层的制作：以HMDS0为源，通入N20与Ar的混合气体，在PECVD沉积 室中制备碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻挡层，制备工艺条件为HMDS0流量22sCCm，混合气体 流量为3〇SCCm，N20占混合气体的体积分数为50%，生成的碳氧化硅膜层厚度300nm ;
[0098] 无机阻挡层的制作：将制备有碳氧化硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子 层沉积系统的沉积室中，然后，
[0099] (a)将金属源B(CH3)3随氮气注入沉积室中并在碳氧化硅阻挡层上沉积，注入时间 为15ms，氮气流量为15sccm;
[0100] (b)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为15SCCm ;
[0101] (c)然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与金属源发生反应，注入时间为15ms，氮 气流量为15sccm ;
[0102] (d)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为15sCCm ;
[0103] 重复周期（a)?（d)步骤，得到厚度为20nm的无机阻挡层，材质为B20 3;
[0104] 交替制备5次碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到有机电致发光器件。
[0105] 实施例2 :
[0106] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0107] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0108] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0109] 封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层；
[0110] 碳氧化硅阻挡层的制作：以TMS为源，通入N20与Ar的混合气体，在PECVD沉积室 中制备碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻挡层，制备工艺条件为TMS流量25SCCm，混合气体流量 为50sccm，N20占混合气体的体积分数为60%，生成的碳氧化娃膜层厚度280nm ;
[0111] 无机阻挡层的制作：将制备有碳氧化硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子 层沉积系统的沉积室中，然后，
[0112] (a)将金属源A1(CH3)3随氮气注入沉积室中并在碳氧化硅阻挡层上沉积，注入时 间为20ms,氮气流量为20sccm ;
[0113] (b)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为10s，流量为2〇SCCm;
[0114] (c)然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与金属源发生反应，注入时间为20ms，氮 气流量为20sccm ;
[0115] (d)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为10s，流量为2〇SCCm;
[0116] 重复周期（a)?（d)步骤，得到厚度为19nm的无机阻挡层，材质为A120 3 ;
[0117] 交替制备4次碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到有机电致发光器件。
[0118] 实施例3:
[0119] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0120] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0121] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0122] 封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层；
[0123] 碳氧化硅阻挡层的制作：以TE0S为源，通入N20与Ar的混合气体，在PECVD沉积 室中制备碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻挡层，制备工艺条件为TE0S流量2〇SCCm，混合气体 流量为2〇SCCm，N20占混合气体的体积分数为40%，生成的碳氧化硅膜层厚度250nm ;
[0124] 无机阻挡层的制作：将制备有碳氧化硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子 层沉积系统的沉积室中，然后，
[0125] (a)将金属源Ga(CH3)3随氮气注入沉积室中并在碳氧化硅阻挡层上沉积，注入时 间为l〇ms，氮气流量为lOsccm ;
[0126] (b)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为5s，流量为lOsccm;
[0127] (c)然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与金属源发生反应，注入时间为10ms，氮 气流量为lOsccm ;
[0128] (d)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为5s，流量为lOsccm ;
[0129] 重复周期（a)?（d)步骤，得到厚度为18nm的无机阻挡层，材质为Ga20 3 ;
[0130] 交替制备3次碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到有机电致发光器件。
[0131] 实施例4:
[0132] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0133] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0134] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0135] 封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层；
[0136] 碳氧化硅阻挡层的制作：以HMDSO为源，通入N20与Ar的混合气体，在PECVD沉积 室中制备碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻挡层，制备工艺条件为HMDSO流量23SCCm，混合气体 流量为4〇SCCm，N20占混合气体的体积分数为55%，生成的碳氧化硅膜层厚度260nm ;
[0137] 无机阻挡层的制作：将制备有碳氧化硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子 层沉积系统的沉积室中，然后，
[0138] (a)将金属源In(CH3)3随氮气注入沉积室中并在碳氧化硅阻挡层上沉积，注入时 间为15ms，氮气流量为17sccm ;
[0139] (b)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为17sCCm;
[0140] (c)然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与金属源发生反应，注入时间为15ms，氮 气流量为17sccm ;
[0141] (d)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为17sCCm;
[0142] 重复周期（a)?（d)步骤，得到厚度为16nm的无机阻挡层，材质为ln20 3 ;
[0143] 交替制备3次碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到有机电致发光器件。
[0144] 实施例5 :
[0145] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0146] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0147] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0148] 封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层；
[0149] 碳氧化硅阻挡层的制作：以TMS为源，通入N20与Ar的混合气体，在PECVD沉积室 中制备碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻挡层，制备工艺条件为TMS流量22sCCm，混合气体流量 为25sccm，N20占混合气体的体积分数为45%，生成的碳氧化娃膜层厚度240nm ;
[0150] 无机阻挡层的制作：将制备有碳氧化硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子 层沉积系统的沉积室中，然后，
[0151] (a)将金属源T1(CH3)3随氮气注入沉积室中并在碳氧化硅阻挡层上沉积，注入时 间为15ms，氮气流量为llsccm ;
[0152] (b)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为llsccm;
[0153] (c)然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与金属源发生反应，注入时间为15ms，氮 气流量为llsccm ;
[0154] (d)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为llsccm;
[0155] 重复周期（a)?（d)步骤，得到厚度为15nm的无机阻挡层，材质为T1203 ;
[0156] 交替制备3次碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到有机电致发光器件。
[0157] 实施例6:
[0158] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0159] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0160] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0161] 封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层；
[0162] 碳氧化硅阻挡层的制作：以TE0S为源，通入N20与Ar的混合气体，在PECVD沉积 室中制备碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻挡层，制备工艺条件为TE0S流量2〇SCCm，混合气体 流量为3〇SCCm，N20占混合气体的体积分数为50%，生成的碳氧化硅膜层厚度230nm ;
[0163] 无机阻挡层的制作：将制备有碳氧化硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子 层沉积系统的沉积室中，然后，
[0164] (a)将金属源B(CH3)3随氮气注入沉积室中并在碳氧化硅阻挡层上沉积，注入时间 为10ms，氮气流量为15sccm;
[0165] (b)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为10s，流量为15sCCm;
[0166] (c)然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与金属源发生反应，注入时间为10ms，氮 气流量为15sccm ;
[0167] (d)注入氮气冲洗沉积室，注入时间为10s，流量为15sCCm;
[0168] 重复周期（a)?（d)步骤，得到厚度为15nm的无机阻挡层，材质为B20 3 ;
[0169] 交替制备3次碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到有机电致发光器件。
[0170] 图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发 光器件的结构包括依次层叠的阳极导电基板10、发光功能层20、阴极30、封装层40 (包括 碳氧化硅阻挡层401、无机阻挡层402、碳氧化硅阻挡层403、无机阻挡层404、碳氧化硅阻挡 层405、无机阻挡层406)。
[0171] 效果实施例
[0172] 测试有机电致发光器件的寿命（T70@1000cd/m2)，从初始亮度lOOOcd/m 2衰减到 70%所需的时间。本发明实施例1?6制备的有机电致发光器件的寿命如表1所不。从表 中可以看出，有机电致发光器件的寿命时间保持在13700以上，最长可达到13788小时。这 说明，本发明制备的具有封装层结构的有机电致发光器件可有效地防止外部水、氧等活性 物质对有机电致发光器件的侵蚀，具有较好的密封性和较长的使用寿命。
[0173] 表 1
[0174]
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装 层，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子 注入层，其特征在于，所述封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层； 所述碳氧化硅阻挡层的材质为碳氧化硅； 所述无机阻挡层的材质为B203、A1203、Ga203、ln203或H203。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装层为交替层叠3?5 次的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层。
3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氧化硅阻挡层的厚度 为 200 ?300nm。
4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为 15 ?20nm〇
5. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 51、 提供清洁的阳极导电基板，并对所述阳极导电基板进行活化处理； 52、 在所述阳极导电基板表面真空蒸镀制备发光功能层和阴极，所述发光功能层包括 依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层； 53、 在所述阴极表面采用等离子体增强化学气相沉积法制备碳氧化硅阻挡层； 54、 在所述碳氧化硅阻挡层表面采用原子层沉积法制作无机阻挡层，将制备有碳氧化 硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子层沉积系统的沉积室中，然后往所述沉积室中 分别注入金属源和氧源，所述金属源为B(CH3) 3、A1 (CH3)3、Ga(CH3)3、In(CH3) 3或II(CH3) 3，所 述氧源为水蒸气，反应后得到所述无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为B203、Al203、Ga203、 ln203 或T1203 ; 重复步骤S3?S4制得交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到所述有机 电致发光器件。
6. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤S3中的等离 子体增强化学气相沉积法以六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷、四乙氧基硅烷为源，通入一氧化 二氮和氩气的混合气体，制备工艺条件为六甲基二硅氧烷流量20?25sCCm，四甲基硅烷流 量20?25sccm，四乙氧基娃烧流量20?25sccm，混合气体流量20?50sccm。
7. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤S4的原子层 沉积法的一个制备周期为： (a) 将金属源随载气注入所述沉积室中并在所述碳氧化硅阻挡层上沉积，注入时间为 10?20ms，载气流量为10?20sccm; (b) 注入载气冲洗沉积室，注入时间为5?10s，流量为10?2〇SCCm; (c) 然后将水蒸气随载气注入沉积室中，与所述金属源发生反应，注入时间为10? 20ms，载气流量为10?20sccm; (d) 注入载气冲洗沉积室，注入时间为5?10s，流量为10?2〇SCCm。
8. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装层为交 替层叠3?5次的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层。
9. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述碳氧化硅阻 挡层的厚度为200?300nm。
【文档编号】H01L51/52GK104518163SQ201310456872
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日
【发明者】周明杰, 钟铁涛, 王平, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司