二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法
【专利摘要】本发明涉及一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法，所述结构包括金属基板框（1），所述金属基板框（1）内部设置有基岛（2）和引脚（3），所述基岛（2）背面与引脚（3）的台阶面齐平，所述引脚（3）的台阶面上设置有金属层（4），所述基岛（2）背面正装有芯片（6），所述芯片（6）表面与金属层（4）表面之间通过金属线（7）相连接，所述金属基板框（1）内部区域填充有塑封料（8），所述塑封料（8）正面与引脚（3）台阶面齐平，所述塑封料（8）背面与金属基板框（1）背面齐平，所述基岛（2）正面、引脚（3）的正面和背面以及金属基板框（1）的正面和背面设置有抗氧化层（9），所述引脚（3）背面设置有金属球（10）。本发明的有益效果是：它能够解决传统金属引线框无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。
【专利说明】二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法，属于半导体封装【技术领域】。
【背景技术】
[0002]传统的四面扁平无引脚金属引线框结构主要有两种:
一种是四面扁平无引脚封装(QFN)引线框，这种结构的引线框由铜材金属框架与耐高温胶膜组成(如图23所示)；
一种是预包封四面扁平无引脚封装(PQFN)引线框，这种结构的引线框结构包括引脚与基岛，引脚与基岛之间的蚀刻区域填充有塑封料(如图24所示)。
[0003]上述传统金属引线框存在以下缺点:
1、传统金属引线框作为装载芯片的封装载体，本身不具备系统功能，从而限制了传统金属引线框封装后的集成功能性与应用性能；
2、由于传统金属引线框本身不具备系统功能，只能在引线框正面进行芯片及组件的平铺或者堆叠封装，而功率器件与控制芯片封装在同一封装体内，功率器件的散热会影响控制芯片信号的传输；
3、由于传统金属引线框本身不具备系统功能，所以多功能系统集成模块只能在传统金属引线框正面通过多芯片及组件的平铺或堆叠而实现，相应地也就增大元器件模块在PCB上所占用的空间。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服上述不足，提供一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法，它能够解决传统金属引线框缺乏系统功能的问题。
[0005]本发明的目的是这样实现的:一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构，它包括金属基板框，所述金属基板框内部设置有基岛和引脚，所述引脚呈台阶状，所述基岛和引脚的正面与金属基板框正面齐平，所述引脚的背面与金属基板框的背面齐平，所述基岛背面与引脚的台阶面齐平，所述引脚的台阶面上设置有金属层，所述基岛背面通过导电或不导电粘结物质正装有芯片，所述芯片表面与金属层表面之间通过金属线相连接，所述金属基板框内部区域填充有塑封料，所述塑封料正面与引脚台阶面齐平，所述塑封料背面与金属基板框背面齐平，所述基岛正面、引脚的正面和背面以及金属基板框的正面和背面设置有金属抗氧化层或是披覆抗氧化剂(OSP)，所述引脚背面设置有金属球。
[0006]所述芯片与基岛背面之间设置有金属层。
[0007]—种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的工艺方法，所述方法包括以下步骤:
步骤一、取金属基板 步骤二、贴光阻膜作业 在金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；
步骤三、金属基板正面及背面去除部分光阻膜
利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面及背面后续需要进行电镀的区域；步骤四、电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)
在步骤三中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域电镀上抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)；
步骤五、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜；
步骤六、贴光阻膜作业
在步骤四完成电镀抗氧化金属层后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；
步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜
利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域；
步骤八、蚀刻
在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻；
步骤九、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜；
步骤十、贴光阻膜作业
在步骤八完成蚀刻后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；
步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜
利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面蚀刻区域后续需要进行电镀的区域；
步骤十二、电镀金属线路层
在步骤十一中金属基板背面蚀刻区域去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层，金属线路层电镀完成后即在金属基板背面形成相应的基岛和引脚；
步骤十三、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜；
步骤十四、装片
在步骤十二形成的基岛背面通过导电或不导电粘结物质植入芯片；
步骤十五、金属线键合
在芯片正面与步骤十二形成的引脚之间进行键合金属线作业；
步骤十六、环氧树脂塑封
在完成装片打线后的金属基板背面蚀刻区域进行环氧树脂塑封保护；
步骤十七、贴光阻膜作业
在步骤十六完成环氧树脂塑封后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻
膜；步骤十八、金属基板正面去除部分光阻膜
利用曝光显影设备将步骤十七完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域；
步骤十九、蚀刻
在步骤十八中金属基板正面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻；
步骤二十、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜；
步骤二 ^—、植球 在步骤二十去除光阻膜后的引脚背面植入金属球。
[0008]当步骤四电镀的抗氧化金属层为镍金或镍钯金时，步骤六和步骤七可省略。
[0009]与现有技术相比，本发明具有以下有益效果:
1、金属减法技术引线框架的夹层可以因为系统与功能的需要而在需要的位置或是区域内埋入主动元件或是组件或是被动的组件，成为一个单层线路系统级的金属引线框架；
2、从金属减法技术引线框架成品的外观完全看不出来内部夹层已埋入了因系统或是功能需要的对象，尤其是硅材的芯片的埋入连X光都无法检视，充分达到系统与功能的隐密性及保护性；
3、金属减法技术引线框架的夹层在制作过程中可以埋入高功率器件，二次封装再进行控制芯片的装片，从而高功率器件与控制芯片分别装在金属减法技术引线框两侧，可以避免高功率器件因热辐射而干扰控制芯片的信号传输；
4、金属减法技术引线框架本身内含埋入对象的功能，二次封装后可以充分实现系统功能的集成与整合，从而同样功能的元器件模块的体积尺寸要比传统引线框封装的模块来的小，相应在PCB上所占用的空间也就比较少，从而也就降低了成本；
5、金属减法技术引线框架的夹层在制作过程中可以因为导热或是散热需要而在需要的位置或是区域内埋入导热或是散热对象，从而改善整个封装结构的散热效果；
6、金属减法技术引线框架成品本身就富含了各种的组件，如果不再进行后续第二次封装的情况下，将金属减法技术引线框架依照每一格单元切开，本身就可成为一个超薄的封装体；
7、金属减法技术引线框架除了本身内含对象的埋入功能之外还可以在封装体外围再叠加不同的单元封装或是系统级封装，充分达到单层线路金属引线框架的双系统或是多系统级的封装技术能力；
8、金属减法技术引线框架内所埋入的物件或对象均与金属厚度齐平，充分的体现出超薄与高密度的填充在金属减法技术引线框内的厚度空间之中。
[0010]9、二次先蚀后镀金属框减法技术引线框会在金属引线框表面塑封料正面呈现一定的高低断差，其优点是在第二次塑封料塑封后可以牢牢的抓扣住金属凸点，从而降低了塑封体与金属引线框因为CTE (膨胀系数或是收缩率)的差距而产生分层的可靠性的不良。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图广图21为本发明一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构工艺方法的各工序不意图。[0012]图22为本发明一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的示意图。
[0013]图23为传统四面扁平无引脚封装(QFN)引线框结构的示意图。
[0014]图24为预包封四面扁平无引脚封装(PQFN)引线框结构的示意图。
[0015]其中:
金属基板框I 基岛2
引脚3 金属层4
导电或不导电粘结物质5
芯片6
金属线7
塑封料8
抗氧化层9
金属球10。
【具体实施方式】
[0016]参见图22，本发明一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构，它包括金属基板框1，所述金属基板框I内部设置有基岛2和引脚3，所述引脚3呈台阶状，所述基岛2和引脚3的正面与金属基板框I正面齐平，所述引脚3的背面与金属基板框I的背面齐平，所述基岛2背面与引脚3的台阶面齐平，所述引脚3的台阶面上设置有金属层4，所述基岛2背面通过导电或不导电粘结物质5正装有芯片6，所述芯片6表面与金属层4表面之间通过金属线7相连接，所述金属基板框I内部区域填充有塑封料8，所述塑封料8正面与引脚3台阶面齐平，所述塑封料8背面与金属基板框I背面齐平，所述基岛2正面、引脚3的正面和背面以及金属基板框I的正面和背面设置有抗氧化层9，所述引脚3背面设置有金属球10。
[0017]所述芯片6与基岛2背面之间设置有金属层4。
[0018]其工艺方法如下:
步骤一、取金属基板
参见图1，取一片厚度合适的金属基板，金属基板的材质可以是铜材、铁材、镀锌材、不锈钢材、铝材或可以达到导电功能的金属物质或非金属物质，厚度的选择可依据产品特性进行选择；
步骤二、贴光阻膜作业
参见图2，在金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是湿式光阻膜；
步骤三、金属基板正面及背面去除部分光阻膜
参见图3，利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面及背面后续需要进行电镀的区域；
步骤四、电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP) 参见图4，在步骤三中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域电镀上抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)；
步骤五、去除光阻膜
参见图5，去除金属基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化学药水软化并采用高压水冲洗即可；
步骤六、贴光阻膜作业
参见图6，在步骤四完成电镀抗氧化金属层后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是湿式光阻膜；
步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜
参见图7，利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域；
步骤八、蚀刻
参见图8，在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻，化学蚀刻的技术可以采用氯化铜、氯化铁或是可以进行腐蚀金属材料的化学药剂；
步骤九、去除光阻膜
参见图9，去除金属基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化学药水软化并采用高压水冲洗即可；
步骤十、贴光阻膜作业
参见图10，在步骤八完成蚀刻后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是湿式光阻膜；
步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜
参见图11，利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面蚀刻区域后续需要进行电镀的区域；
步骤十二、电镀金属线路层
参见图12，在步骤十一中金属基板背面蚀刻区域去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层，金属线路层电镀完成后即在金属基板背面形成相应的基岛和引脚，金属线路层的材质可以是银、镍金或镍钯金等，可以根据不同特性变换电镀的厚度或是可导电的金属材料，电镀方式可以是电解电镀也可以采用化学沉积的方式；
步骤十三、去除光阻膜
参见图13，去除金属基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化学药水软化并采用高压水冲洗即可；
步骤十四、装片
参见图14，在步骤十二形成的基岛背面通过导电或不导电粘结物质植入芯片，植入芯片的方式可以根据产品特性灵活选择，可以采用基岛正面点胶装片、芯片背面覆盖胶层或DAF(Die Attach Film)膜的方式进行装片；
步骤十五、金属线键合
参见图15，在芯片正面与步骤十二形成的引脚之间进行键合金属线作业；步骤十六、环氧树脂塑封
参见图16，在完成装片打线后的金属基板背面蚀刻区域进行环氧树脂塑封保护，环氧树脂材料可以依据产品特性选择有填料或是没有填料的种类；
步骤十七、贴光阻膜作业
参见图17，在步骤十六完成环氧树脂塑封后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；
步骤十八、金属基板正面去除部分光阻膜
参见图18，利用曝光显影设备将步骤十七完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域；
步骤十九、蚀刻
参见图19，在步骤十八中金属基板正面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻，化学蚀刻的技术可以采用氯化铜、氯化铁或是可以进行腐蚀金属材料的化学药剂；
步骤二十、去除光阻膜
参见图20，去除金属基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化学药水软化并采用高压水冲洗即可；
步骤二 ^--、植球
参见图21，在步骤二十去除光阻膜后的引脚背面植入金属球，植球的方式可以是直接植入金属球也可以是采用掩模板(MASK)刷入金属膏，再经过高温回流而行成金属球。
【权利要求】
1.一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构，其特征在于:它包括金属基板框(1)，所述金属基板框(I)内部设置有基岛(2)和引脚(3)，所述引脚(3)呈台阶状，所述基岛(2)和引脚(3)的正面与金属基板框(I)正面齐平，所述引脚(3)的背面与金属基板框(O的背面齐平，所述基岛(2)背面与引脚(3)的台阶面齐平，所述引脚(3)的台阶面上设置有金属层(4)，所述基岛(2)背面通过导电或不导电粘结物质(5)正装有芯片(6)，所述芯片(6)表面与金属层(4)表面之间通过金属线(7)相连接，所述金属基板框(I)内部区域填充有塑封料(8)，所述塑封料(8)正面与引脚(3)台阶面齐平，所述塑封料(8)背面与金属基板框(I)背面齐平，所述基岛(2)正面、引脚(3)的正面和背面以及金属基板框(I)的正面和背面设置有抗氧化层(9)，所述引脚(3)背面设置有金属球(10)。
2.根据权利要求1所述的一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构，其特征在于:所述芯片(6)与基岛(2)背面之间设置有金属层(4)。
3.一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤: 步骤一、取金属基板 步骤二、贴光阻膜作业 在金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤三、金属基板正面及背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面及背面后续需要进行电镀的区域；步骤四、电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP) 在步骤三中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域电镀上抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)； 步骤五、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤六、贴光阻膜作业 在步骤四完成电镀抗氧化金属层后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域； 步骤八、蚀刻 在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻； 步骤九、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤十、贴光阻膜作业 在步骤八完成蚀刻后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面蚀刻区域后续需要进行电镀的区域； 步骤十二、电镀金属线路层 在步骤十一中金属基板背面蚀刻区域去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层，金属线路层电镀完成后即在金属基板背面形成相应的基岛和引脚； 步骤十三、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤十四、装片 在步骤十二形成的基岛背面通过导电或不导电粘结物质植入芯片； 步骤十五、金属线键合 在芯片正面与步骤十二形成的引脚之间进行键合金属线作业； 步骤十六、 环氧树脂塑封 在完成装片打线后的金属基板背面蚀刻区域进行环氧树脂塑封保护； 步骤十七、贴光阻膜作业 在步骤十六完成环氧树脂塑封后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤十八、金属基板正面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤十七完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域； 步骤十九、蚀刻 在步骤十八中金属基板正面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻； 步骤二十、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤二 ^—、植球 在步骤二十去除光阻膜后的引脚背面植入金属球。
4.根据权利要求3所述的一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的工艺方法，其特征在于:当步骤四电镀的抗氧化金属层为镍金或镍钯金时，步骤六和步骤七可省略。
【文档编号】H01L23/495GK103646939SQ201310645452
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年12月5日 优先权日:2013年12月5日
【发明者】梁志忠, 梁新夫, 王亚琴 申请人:江苏长电科技股份有限公司