带保护膜ccd芯片封装工艺的制作方法
【专利摘要】为解决现有技术CCD芯片封装工艺存在的CCD芯片正面易被颗粒物污染和易被划伤，从而导致CCD芯片封装后不合格的问题，本发明提出一种带保护膜CCD芯片封装工艺。本发明带保护膜CCD芯片封装工艺，包括，贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合工序，其特征在于，在贴蓝膜工序前先在CCD芯片正面粘贴一层紫外光固化保护膜，在粘接工序后剥离紫外光固化保护膜，然后，再进行粘接固化和引线键合工序。本发明带保护膜CCD芯片封装工艺的有益技术效果能够在CCD芯片封装过程中保护CCD芯片光敏面（即芯片正面）不受颗粒物的污染和/或划伤，提高了CCD芯片封装的合格率。
【专利说明】带保护膜CCD芯片封装工艺
[0001]
发明领域
[0002]本发明涉及到CXD芯片封装技术，特别涉及到一种带保护膜CXD芯片封装工艺。【背景技术】
[0003]现有技术C⑶芯片封装工艺通常包括贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合等多道工序。在封装过程中，CXD芯片的光敏面(即芯片正面)暴露在环境中，环境中的颗粒、人体及工具等带入的颗粒均可能引入芯片正面，遮盖光敏区，形成黑点或黑条缺陷，影响CCD的光响应非均匀性、疵点数等。另外，操作时引入的芯片正面的划伤也可能直接造成CCD的交直流短路。而封装是CCD芯片产品的最后一道工艺，封装过程造成的产品失效尤其不可接受。不论是封装过程中引入芯片正面的颗粒物，或者是操作过程引入的芯片正面的划伤，都会造成C⑶芯片封装后产品不合格，严重制约了 C⑶芯片的封装成品率。显然，现有技术CXD芯片封装工艺存在着CXD芯片正面易被颗粒物污染和易被划伤，从而导致CCD芯片封装后不合格的问题。
【发明内容】
[0004]为解决现有技术CXD芯片封装工艺存在的CXD芯片正面易被颗粒物污染和易被划伤，从而导致CCD芯片封装后不合格的问题，本发明提出一种带保护膜CCD芯片封装工艺。本发明带保护膜CCD芯片封装工艺，包括，贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合工序，其特征在于，在贴蓝膜工序前先在CCD芯片正面粘贴一层紫外光固化保护膜，在粘接工序后剥离紫外光固化保护膜，然后，再进行粘接固化和引线键合工序。
[0005]进一步的，本发明带保护膜CXD芯片封装工艺在CXD芯片正面贴上的紫外光固化保护膜为琳得科Iintec公司生产的Adill T-5782紫外光固化保护膜。
[0006]进一步的，本发明带保护膜CXD芯片封装工艺剥离紫外光固化保护膜的工序，包括:
51、紫外光照射使保护膜失去粘性，所述紫外光的波长为365nm，功率为120mW/cm2，能量为 160mJ/cm2 ；
52、烘烤使保护膜发生卷缩，烘烤温度为100℃，烘烤时间为10分钟。
[0007]本发明带保护膜CCD芯片封装工艺的有益技术效果能够在CCD芯片封装过程中保护CCD芯片光敏面(即芯片正面)不受颗粒物的污染和/或划伤，提高了 CCD芯片封装的合格率。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]附图1是现有技术CXD芯片封装工艺的流程示意图；
附图2是本发明带保护膜CCD芯片封装工艺的流程示意图； 附图3为本发明带保护膜CCD芯片封装工艺粘贴保护膜后CCD芯片的结构示意图。
[0009]下面结合附图及具体实施例对本发明带保护膜CCD芯片封装工艺作进一步的说明。
【具体实施方式】
[0010]附图1是现有技术CXD芯片封装工艺的流程示意图，由图可知，现有技术C⑶芯片封装工艺通常包括贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合等多道工序。在封装过程中，CXD芯片的光敏面(即芯片正面)暴露在环境中，环境中的颗粒、人体及工具等带入的颗粒均可能引入芯片正面，遮盖光敏区，形成黑点或黑条缺陷，影响CCD的光响应非均匀性、疵点数等。另外，操作时引入的芯片正面的划伤也可能直接造成CCD的交直流短路。显然，现有技术CCD芯片封装工艺存在着CCD芯片正面易被颗粒物污染和易被划伤，从而导致CCD芯片封装后不合格的问题。
[0011]附图2是本发明带保护膜CCD芯片封装工艺的流程示意图，附图3为本发明带保护膜CCD芯片封装工艺粘贴保护膜后CCD芯片的结构示意图，图中，I为紫外光固化保护膜，2为芯片，3为蓝膜。由图可知，本发明带保护膜CXD芯片封装工艺，包括，贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合工序，其特征在于，在贴蓝膜工序前先在CCD芯片正面粘贴一层紫外光固化保护膜，在粘接工序后剥离紫外光固化保护膜，然后，再进行粘接固化和引线键合工序。
[0012]本发明带保护膜(XD芯片封装工艺在CXD芯片正面贴上的紫外光固化保护膜为琳得科Iintec公司生产的Adill T-5782紫外光固化保护膜。
[0013]本发明带保护膜(XD芯片封装工艺剥离紫外光固化保护膜的工序，包括:
51、紫外光照射使保护膜失去粘性，所述紫外光的波长为365nm，功率为120mW/cm2，能量为 160mJ/cm2 ；
52、烘烤使保护膜发生卷缩，烘烤温度为10(TC，烘烤时间为10分钟。
[0014]本发明带保护膜(XD芯片封装工艺在CXD芯片正面粘贴紫外光固化保护膜后，可以有效的保护芯片正面在封装过程中不受颗粒物的污染，也不会被划伤。由于紫外光固化保护膜通过紫外光照射后即失去粘性，在随后的烘烤过程中发生卷曲，很容易剥离，不会伤害芯片正面，也不会留下污染物，不会对芯片产生任何不利的影响，有效提高了 CCD芯片封装的合格率。
[0015]显然，本发明带保护膜CXD芯片封装工艺的有益技术效果能够在CXD芯片封装过程中保护CCD芯片光敏面(即芯片正面)不受颗粒物的污染和/或划伤，提高了 CCD芯片封装的合格率。
【权利要求】
1.一种带保护膜CXD芯片封装工艺，包括，贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合工序，其特征在于，在贴蓝膜工序前先在CCD芯片正面粘贴一层紫外光固化保护膜，在粘接工序后剥离紫外光固化保护膜，然后，再进行粘接固化和引线键合工序。
2.根据权利要求1所述带保护膜CCD芯片封装工艺，其特征在于，在CCD芯片正面贴上的紫外光固化保护膜为琳得科Iintec公司生产的Adill T-5782紫外光固化保护膜。
3.根据权利要求1所述带保护膜CCD芯片封装工艺，其特征在于，剥离紫外光固化保护膜的工序，包括: . 51、紫外光照射使保护膜失去粘性，所述紫外光的波长为365nm，功率为120mW/cm2，能量为 160mJ/cm2 ； . 52、烘烤使保护膜发生卷缩，烘烤温度为10(TC，烘烤时间10分钟。
【文档编号】H01L27/148GK103646956SQ201310723204
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年12月25日 优先权日:2013年12月25日
【发明者】程顺昌, 王艳, 谷顺虎 申请人:中国电子科技集团公司第四十四研究所