电子部件的制作方法
【专利摘要】根据一个实施例，一种电子部件包括：具有多个电极的器件；与所述多个电极中每一个电极电连接的导线；密封所述导线的一部分和所述器件的第一树脂体；以及连接至所述导线并能够与第二导体接触的第一导体。
【专利说明】电子部件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于2012年12月27日申请的日本专利申请N0.2012-286118并要求其优先权，该申请的全部内容通过引用包含于此。
【技术领域】
[0003]在此描述的实施例一般地涉及电子部件。
【背景技术】
[0004]近来，其中使用诸如氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)之类的宽禁带半导体作为功率半导体器件的技术已经受到瞩目。
[0005]然而，通常宽禁带半导体器件与硅半导体器件相比，对静电的耐性较低。即使在宽禁带半导体器件被包含在树脂密封的半导体封装内的情况下，该情况也保持不变。
[0006]为了改善半导体封装对静电的耐性，存在一种与半导体封装一起安装外部保护电路的方法。然而，这类技术需要额外的工作并且导致成本增加。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1A是根据第一实施例的电子部件的示意性立体图，图1B是根据第一实施例的电子部件的示意性平面图；
[0008]图2A是导体剥离前的电子部件的示意性平面图，图2B是导体移除后的电子部件的示意性平面图；
[0009]图3A是根据第二实施例的电子部件的示意性立体图，图3B是根据第二实施例的电子部件的示意性平面图；
[0010]图4A是根据第三实施例的电子部件的示意性立体图，图4B是根据第三实施例的电子部件的示意性平面图；
[0011]图5A是根据第四实施例的电子部件的示意性截面图，图5B是根据第四实施例的电子部件的示意性平面图；
[0012]图6是根据第五实施例的电子部件的示意性立体图；
[0013]图7A是根据第六实施例的电子部件的示意性立体图，图7B是根据第六实施例的电子部件的示意性平面图；以及
[0014]图8是根据第七实施例的电子部件的示意性立体图。
【具体实施方式】
[0015]一般地，根据一个实施例，一种电子部件包括:具有多个电极的器件；与所述多个电极中每一个电极电连接的导线；密封所述导线的一部分和所述器件的第一树脂体；以及连接至所述导线并能够与第二导体接触的第一导体。
[0016]其后，将参考附图如下描述各实施例。在随后的描述中，相同的参考编号应用于相同的元件，并且对于已经描述过一次的元件，将适当省略其描述。
[0017](第一实施例)
[0018]图1A是根据第一实施例的电子部件的示意性立体图。图1B是根据第一实施例的电子部件的示意性平面图。
[0019]图1A和图1B中所示的电子部件I是其中在树脂内密封诸如晶体管等的半导体器件的所谓半导体封装。电子部件I还因为被安装在随后描述的电路板上而被称为表面安装封装。半导体器件包括功率半导体器件。
[0020]电子部件I包括半导体器件10、多根导线20、树脂体30 (第一树脂体)、多个导体
40(第一导体)和导体50 (第二导体)。
[0021]半导体器件10例如是金属氧化物半导体场效应晶体管。半导体器件10具有多个电极。多个电极例如是场效应晶体管的栅极电极、源极电极和漏极电极。半导体器件10的半导体衬底包括氮化镓(GaN)层和碳化硅(SiC)层之一。可替换地，半导体器件10的半导体衬底可以是硅(Si)层。
[0022]当半导体器件10的半导体衬底包括氮化镓层或碳化硅层时，该半导体器件10是以降低的功率损失进行高速切换方面优异的宽禁带半导体器件。注意该半导体器件10不限于场效应晶体管，可以是二极管。当半导体器件10是二极管时，多个电极包括阳极和阴极等。
[0023]多根导线20包括导线20a、20b和20e，它们电连接至半导体器件10的相应的多个电极。例如，对于多根导线20，导线20a连接至半导体器件10的栅极电极10g，导线20b连接至半导体器件10的源极电极10s，而导线20e连接至半导体器件10的漏极电极10d。
[0024]注意，导线20c和20d与导线20b —起并联连接至半导体器件10的源极电极10s，导线20d至20h与导线20e —起并联连接至半导体器件10的漏极电极10d。
[0025]半导体器件10和多根导线20的各自的部分被密封在树脂体30内。每根导线20包括作为由树脂体30密封部分的内导线以及从树脂体30的表面突出的外导线。树脂体30具有绝缘属性。多个导体40分别被设置在树脂体30上。多个导体40分别连接至多根导线20a、20b和20e。例如，多个导体40可以分别能够接触到多根导线20a、20b和20e的外导体。多个导体40可以各自接触导体50。导体50能够被安装在树脂体30的表面上，并且能从该表面移除。在安装之后，在树脂体30上设置导体50并将其连接至多个导体40中的全部导体。
[0026]树脂体30包括上表面30u、下表面30d和侧表面30w。树脂体30的外形例如可以是立方体。多根导线20中每根导线具有由树脂体30密封的部分。除了多根导线20中的每根导线的上述部分以外的每根导线的部分从树脂体30的一个或者其他的侧表面30w突出。导体40在这些突出部分连接至导线20。
[0027]多个导体40中的每个导体沿着树脂体30的侧表面30w从多根导线20a、20b和20e中的相应导线延伸至树脂体30的上表面30u。多个导体40中的每个导体由金属层形成。
[0028]在本实施例中，“金属”指代包括从铜(Cu)、铝(Al)、钼(Pt)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)等中选出的至少一种金属的材料。同样地，“树脂”指代包括环氧树脂的树脂。[0029]在树脂体30的上表面30u上以及延伸至上述树脂体30的上表面30u的多个导体40上设置导体50。多个导体40的电阻以及多个导体40与导体50的接触电阻总计为150 Ω或更小。
[0030]导体50例如是导电密封。导电密封例如是导电膜或金属蒸汽沉积膜(metal vapordeposition film)等。导电密封是具有导电和粘合两者属性的密封,并且能够容易地从树脂体30剥离。
[0031 ] 此外，可以为导电密封选择在被加热至预定温度时呈现出导电性急剧变化的材料。例如，当电子部件I被安装在电路板上时，通常使用焊料作为半导体部件I和电路板之间的接合材料。对于导电密封而言，可以选择在焊料的熔点(例如，为150至300°C)之上呈现出电阻急剧增加的材料。
[0032]注意，导体50不限于导电密封，也可以是包括导电材料和粘合材料两者的导体。导电材料例如可以是金属或金属微粒等，粘合材料例如可以是聚酯纤维粘合材料和粘合性丙烯酸材料等。导体50是导电材料和粘合材料的混合物。可替换地，导体50可以是导电胶。
[0033]对于粘合材料而言，可以选择在被加热至预定温度(诸如焊料的熔点)时呈现出黏度急剧下降的材料。
[0034]进一步地，导体50可以是金属薄膜、导电蒸汽沉积膜等。
[0035]图2A是导体剥离前的电子部件的示意性平面图，图2B是导体移除后的电子部件的示意性平面图。
[0036]在图2A中，例示了电子部件I刚安装在电路板60上之后的状态。电子部件I在电路板60上的安装使用回流工艺执行。在回流工艺中，加热以将温度升至焊料70的熔点或更高，并且随后冷却该焊料70，以使得焊料70的温度落至熔点以下。
[0037]结果，与半导体器件10的栅极电极IOg相连接的导线20a经由焊料70联接至电路板60上的电路图案60a。与半导体器件10的源极电极IOs相连接的导线20b经由焊料70联接至电路板60的电路图案60b。与半导体器件10的漏极电极IOd相连接的导线20e经由焊料70联接至电路板60的电路图案60c。
[0038]接下来，如图2B所示，从电子部件I移除导体50。对于图2B所示的导体50，例如可以使用上述导电密封。例如，可以通过自动或手动剥离导体50来从电子部件I移除导体50。在已将导体50从电子部件I移除之后，半导体器件10的栅极电极10g、源极电极IOs和漏极电极IOd各自处于未被电连接的状态。注意，由从电子部件I移除导体50所得到的电子部件的形态同样被包括在该第一实施例中。
[0039]从将半导体器件10的分离片密封在树脂体30中开始到刚安装后为止，该导体50被设置在树脂体30的表面上。因此，在使用树脂体30密封半导体器件10和刚安装后之间的时间段(其后称为“时间段”)内，半导体器件10的栅极电极10g、源极电极IOs和漏极电极IOd各自被电短路。
[0040]短路是电连接至栅极电极IOg的导线20a、电连接至源极电极IOs的导线20b以及电连接至漏极电极IOd的导线20e经由导体40分别连接至导体50的结果。
[0041]在此时间段内，电子部件I被可靠地保护免于静电。提供这一保护是因为栅极电极log、源极电极IOs和漏极电极IOd由于短路全都处于同一电势。于是，即使静电被施加于电子部件I上的任意位置处，栅极电极log、源极电极IOs和漏极电极IOd的任意之间也不会有放电电流流动。
[0042]在半导体器件10的衬底是诸如GaN或SiC的宽禁带半导体的情况下，半导体器件10的抗静电属性倾向于比硅半导体器件的抗静电属性要弱。这一倾向对于其中使用树脂来密封半导体器件10的电子部件I不会改变。抗静电属性低下的一个因素是宽禁带半导体器件的寄生电容比硅半导体器件的寄生电容小。
[0043]在这类状况下，除非提供导体50，否则存在有在即将安装前源于静电的放电电流在栅极电极log、源极电极IOs和漏极电极IOd的任意之间流动的风险。更具体地，电子部件在即将安装前可能由静电导致缺陷。
[0044]为了防止即将安装前的静电破坏，例如已经为硅半导体器件设置齐纳二极管以保护器件内部免受静电的影响。然而，无法为宽禁带半导体器件设置齐纳二极管。
[0045]还存在有在电子部件I的外部设置齐纳二极管的对策，但是这一对策会导致成本增加和性能降低。在此，“性能降低”指的是电子部件I的寄生电容由于外部齐纳二极管的设置而实质性地增加。换句话说，这就失去了使用宽禁带半导体作为半导体器件10的衬底的意义。
[0046]于是，在一个实施例中，虽然半导体器件10是宽禁带半导体器件，但是该电子部件I的抗静电属性通过设置导体50而得到改善。
[0047]而且，能够通过简单的剥离动作将导体50从电子部件I移除。于是，电子部件I的使用不会导致电子部件I用户侧的额外工作。而且，由于导体50具有构造简单，因此电子部件I的成本增加不多。
[0048]同样地，连接至导线20的导体40从导线20的部分沿着树脂体30的侧表面30w行进至树脂体30的上表面30u。导体50被设置在上表面30u上。在此，上表面30u例如是二维平坦表面。于是，在第一实施例中，保留二维平坦表面作为设置导体50的区域。这一区域的设置使得由导体50歪斜等变形引起的与导体40的接触不良难以发生。于是能够确保导体50的粘合和保护。进一步地，导体50能被容易地移除。同样地，由于导体50能被可靠移除，因此导体50移除后的电子部件I (半导体器件10)的可靠性增加。
[0049]注意，移除导体50的方式不限于剥离。
[0050]例如，可以通过在回流工艺期间加热导体50以改变导电性来使该导体50的导电性灭活化(deactivate)。可替换地,可以通过在回流工艺期间加热以使粘合材料的粘合力灭活化来移除导体50。
[0051]进一步地，可以在安装之后通过物理的(例如，拉开)、化学的(溶解)、热的(熔化、变质)或光学的(使用紫外线分解、激光切断)方式来断开导体50。
[0052](第二实施例)
[0053]图3A是根据第二实施例的电子部件的示意性立体图。图3B是根据第二实施例的电子部件的示意性平面图。
[0054]在图3A和图3B中，省略对半导体器件10的描述。电子部件2包括图1A和图1B所示的半导体器件10。进一步地，设置在电子部件2上的导体51的材料与导体50的材料相同。然而，导体51在纵向上比导体50长。在树脂体30上设置导体51并将其与多个导体40中的全部导体接触。[0055]根据第二实施例的电子部件2除了电子部件I的元件之外，还包括帽状树脂体31(第二树脂体)。树脂体31具有绝缘属性。树脂体31经由导体51覆盖树脂体30的上表面30a以及侧表面30wa和侧表面30wb各自的一部分。换句话说，密封半导体器件10的树脂体的结构是包括树脂体30和树脂体31的双层结构。导体51被设置在该双层结构的树脂层之间。
[0056]在电子部件2中，例如能够以方向A将导体51从树脂体30和树脂体31之间拉出。例如，在电子部件2被安装在电路板上之后，能够通过从树脂体30和树脂体31之间拉出导体51而将导体51从电子部件2移除。在已将导体51从电子部件2移除之后，半导体器件10的栅极电极10g、源极电极IOs和漏极电极IOd各自处于未被电连接的状态。注意，由从电子部件2移除导体51所得到的电子部件的形态同样被包括在该第二实施例中。
[0057]电子部件2包括导体51。结果，电子部件2具有与电子部件I相同的效果。电子部件2还具有如下效果。
[0058]在电子部件2中，即便在从电子部件2移除导体51的情况下，树脂体31也被设置在导体40上。因此，在从电子部件2移除导体51之后，多个导体40中的每一个都被树脂体31覆盖。
[0059]随着电子部件2的平坦表面变得越来越小，电子部件2变得越来越易受静电影响。例如,在电子部件2的平坦表面尺寸为边长5mm正方形或更小时，连接至导线20a的导体40和连接至导线20e的导体40之间的距离可以是几毫米量级(例如，3mm)。
[0060]在这类状况下，如果多个导体40在安装之后没有被树脂体31覆盖，多个导体40将会更易受静电影响。更具体地，即使在安装之后，也存在有放电电流在栅极电极10g、源极电极IOs和漏极电极IOd中的任意之间流动的风险。结果，在电路板上设置的电子部件会由静电导致缺陷。
[0061]作为一种对策，在电子部件2中，即便在移除导体51之后，多个导体40中的每一个导体仍被树脂体31覆盖。于是，在安装之后，静电将不会被施加在多个导体40的任意导体上。因此，对于电子部件2，安装前后的抗静电属性得到改善。
[0062](第三实施例)
[0063]图4A是根据第三实施例的电子部件的示意性立体图。图4B是根据第三实施例的电子部件的示意性平面图。
[0064]图4B例示了刚安装后的电路板60以及电子部件3。
[0065]在图4A和图4B中，省略对半导体器件10的描述。电子部件3包括图1A和图1B所示的半导体器件10。进一步地，设置在电子部件3上的导体52的材料与导体50的材料相同。导体52在纵向上比导体50长。
[0066]在根据第三实施例的电子部件3中，导体52被设置在树脂体30的下表面30d上。导体52与多个导体40中的全部导体接触。
[0067]更具体地，树脂体30包括上表面30a、下表面30d和侧表面30w。多根导线20中的每根导线的一部分从树脂体30的两个侧表面30w之一突出。多个导体40中的每个导体从多根导线20a、20b和20e中的对应导线沿着侧表面30w延伸至下表面30d。导体52与延伸至下表面30d的多个导体40接触。
[0068]在电子部件3中，导体52能被从树脂体30移除。在电子部件3的情况下，在将电子部件3安装在电路板60之后，导体52例如能以箭头A所标记的方向被从树脂体30和电路板60之间拉出。在已将导体52从电子部件3移除之后，半导体器件10的栅极电极10g、源极电极IOs和漏极电极IOd各自处于未被电连接的状态。注意，由从电子部件3移除导体52所得到的电子部件的形态同样被包括在该第三实施例中。
[0069]电子部件3包括导体52。结果，电子部件3具有与电子部件I相同的效果。电子部件3还具有如下效果。
[0070]在电子部件3中，即便在从电子部件3移除导体52的情况下，树脂体30也被设置在导体40上。因此，在从电子部件3移除导体52之后，多个导体40中的每一个导体都被树脂体30覆盖。换句话说，多个导体40中的每个导体都被树脂体30本身覆盖。
[0071]于是，在电子部件3中，即便在移除导体52之后，多个导体40中的每一个导体仍被树脂体30覆盖。于是，在安装之后，静电将不会被施加在多个导体40的任意导体上。因此，对于电子部件3，安装前后的抗静电属性得到改善。
[0072](第四实施例)
[0073]图5A是根据第四实施例的电子部件的示意性截面图。图5B是根据第四实施例的电子部件的示意性平面图。
[0074]图5A例示了图5B中X-Y的截面图。
[0075]在图5A和图5B中，省略对半导体器件10的描述。电子部件4包括图1A和图1B所示的半导体器件10。
[0076]除了上述半导体器件10之外，电子部件4包括多根导线20、树脂体30、多个通孔
41(导体)和导体50。
[0077]多个通孔41分别被连接至多根导线20a、20b和20e。多个通孔41各自具有被树脂体30密封的部分。在树脂体30的上表面30u处，多个通孔41中每个通孔的上端41u被暴露。导体50被设置在树脂体30上。导体50与多个通孔41中的全部通孔接触。
[0078]在电子部件4中，电连接至栅极电极IOg的导线20a、电连接至源极电极IOs的导线20b以及电连接至漏极电极IOd的导线20e各自经由相应通孔41连接至导体50。于是，电子部件4具有与电子部件I相同的效果。
[0079](第五实施例)
[0080]图6是根据第五实施例的电子部件的示意性立体图。
[0081]在第二实施例中，在已从电子部件2中移除导体51之后，导体40由树脂体31保护。然而，电保护导体40的元件不限于树脂体31。
[0082]在图6中，省略对半导体器件10的描述。电子部件5包括图1A和图1B所示的半导体器件10。除了上述半导体器件10之外，电子部件5包括多根导线20、树脂体30、导体40和绝缘体32。
[0083]绝缘体32被设置在树脂体30上。绝缘体32与多个导体40中的全部导体接触。绝缘体32在从电子部件5剥离上述导体50之后通过涂覆法等形成。
[0084]在电子部件5中，即便在移除导体50之后，多个导体40中的每个导体仍被绝缘体32覆盖。于是，在安装之后，静电将不会被施加在多个导体40的任意导体上，因此，对于电子部件5，安装前后的抗静电属性得到改善。
[0085](第六实施例)[0086]图7A是根据第六实施例的电子部件的示意性立体图。图7B是根据第六实施例的电子部件的示意性平面图。
[0087]图7A例示了图7B中X-Y的截面图。
[0088]在图7A和图7B中，省略对半导体器件10的描述。电子部件6包括图1A和图1B所示的半导体器件10。
[0089]除了上述半导体器件10之外，电子部件6包括多根导线20、树脂体30、导体40和绝缘体33。
[0090]绝缘体33被设置在树脂体30上。绝缘体33与多个导体40中的全部导体接触。在从电子部件6剥离上述导体50之后，绝缘体33的一部分作为与树脂体30紧密配合的结果附接至该树脂体30。例如，绝缘体33上的突出部33a与设置在树脂体30侧表面上的凹入部30h紧密配合。
[0091]在电子部件6中，即便在移除导体50之后，多个导体40中的每个导体仍被绝缘体33保护。于是，在安装之后，静电将不会被施加在多个导体40的任意导体上。因此，对于电子部件6，安装前后的抗静电属性得到改善。
[0092](第七实施例)
[0093]图8是根据第七实施例的电子部件的示意性立体图。
[0094]根据本实施例的电子部件不限于上述表面安装封装，可以是插入型封装。
[0095]图8例示的电子部件7是用树脂体35密封的诸如金属氧化物半导体场效应晶体管之类的半导体器件。电连接至半导体器件的栅极电极的导线20g、电连接至源极电极的导线20s以及电连接至漏极电极的导线20d经由导体40连接至导体53。导体53的材料与导体50的材料相同。这一形态的电子部件同样被包括在本实施例中。
[0096]进一步地，上述半导体器件10不限于MOSFET或二极管，可以是半导体存储器器件或磁性存储器器件。因此，根据本实施例的电子部件包括这类器件。
[0097]至此，参考具体例子描述了本发明的示例性实施例。然而，本发明的实施例不限于这些具体的例子。也就是说，这些具体例子能由本领域技术人员适当添加设计变形，并且这些具体例子被包括在含有各实施例的特征的实施例范围内。包括在前述具体例子中的部件及其布置、材料、状况、形状或大小等不限于例示，并且能够被适当修改。
[0098]包括在前述实施例中的各部件只要技术上可行能够彼此组合，并且这些组合只要符合本发明精神则也被涵盖在本发明的范围内。本领域技术人员还能够设想各实施例精神范围内的各种其他变形和修改，并且应该理解这些变形和修改也被涵盖在各实施例的范围内。
[0099]虽然已经描述了一些实施例，但是这些实施例仅作为例子呈现，而非旨在限制本发明的范围。在此描述的新的实施例的确能够以各种其他形式具体化；此外，在不脱离本发明的精神的范围内，可以对在此描述的各实施例形式做出各种省略、替换和变更。所附权利要求及其等同旨在覆盖落入本发明范围和精神内的这些形式或修改。
【权利要求】
1.一种电子部件，包括: 具有多个电极的器件； 与所述多个电极中每一个电极电连接的导线； 密封所述导线的一部分和所述器件的第一树脂体；以及 连接至所述导线并能够与第二导体接触的第一导体。
2.如权利要求1所述的电子部件，还包括所述第二导体，所述第二导体与所述第一导体接触，并且所述第二导体被设置在所述第一树脂体的表面上。
3.如权利要求2所述的电子部件，其中所述第一树脂体包括上表面、下表面和侧表面， 除所述导线的所述一部分之外的部分从所述第一树脂体的所述侧表面突出， 所述第一导体从所述导线沿着所述侧表面延伸至所述上表面，并且 所述第二导体被设置在所述上表面上以及延伸至所述上表面的所述第一导体上。
4.如权利要求2所述的电子部件，还包括第二树脂体，并且所述第二树脂体经由所述第二导体覆盖所述第一树脂体的所述侧表面的一部分和所述上表面。
5.如权利要求2所述的电子部件，其中所述第一树脂体包括上表面、下表面和侧表面， 除所述导线的所述一部分之外的部分从所述第一树脂体的所述侧表面突出， 所述第一导体从所述导线经由所述侧表面延伸至所述上表面，并且 所述第二导体被设置在所述下表面上并且与延伸至所述下表面的所述第一导体相接触。
6.如权利要求2所述的电子部件，其中所述第二导体是导电密封、导电胶和导电沉积膜中的一种。
7.如权利要求6所述的电子部件，其中所述导电密封包括导电材料和粘合材料。
8.如权利要求7所述的电子部件，其中所述粘合材料的粘合力通过加热而下降。
9.如权利要求2所述的电子部件，其中所述第二导体通过加热而变形。
10.如权利要求1所述的电子部件，其中所述器件是场效应晶体管，并且 所述多个电极包括所述场效应晶体管的栅极电极、源极电极和漏极电极。
11.如权利要求10所述的电子部件，其中所述场效应晶体管包括氮化镓层或碳化硅层。
12.如权利要求1所述的电子部件，其中所述多个第一导体的电阻以及所述多个第一导体与所述第二导体的接触电阻总计为150 Ω或更少。
13.一种电子部件，包括: 具有多个电极的器件； 与所述多个电极中每一个电极电连接的导线； 密封所述导线的一部分和所述器件的第一树脂体；以及 连接至所述导线并能够与第二导体接触的第一导体，所述第一导体的一部分被所述第一树脂体密封。
14.如权利要求13所述的电子部件，还包括所述第二导体，所述第二导体与所述第一导体接触，并且所述第二导体被设置在所述第一树脂体的表面上。
15.如权利要求14所述的电子部件，其中所述第一树脂体包括上表面、下表面和侧表 面，所述第一导体从所述导线延伸至所述上表面，并且 所述第二导体被设置在所述上表面上以及延伸至所述上表面的所述导线上。
16.如权利要求14所述的电子部件，还包括第二树脂体，并且所述第二树脂体经由所述第二导体覆盖所述第一树脂体的所述侧表面的一部分和所述上表面。
17.如权利要求14所述的电子部件，其中所述第二导体是导电密封、导电胶和导电沉积膜中的一种。
18.如权利要求17所述的电子部件，其中所述导电密封包括导电材料和粘合材料。
19.如权利要求18所述的电子部件，其中所述粘合材料的粘合力通过加热而下降。
20.—种电子部件，包括: 具有多个电极的器件； 与所述多个电极中每一个电极电连接的导线； 密封所述导线的一部分和所述器件的树脂体； 设置在所述树脂体上并连接至所述导线的导体；以及 设置在所述树脂体上并与所述导体相接触的绝缘体。
【文档编号】H01L23/31GK103904043SQ201310729392
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年12月26日 优先权日:2012年12月27日
【发明者】池田健太郎 申请人:株式会社东芝