一种硅片制绒方法
【专利摘要】本发明涉及一种硅片制绒方法，该方法包括：1）硅片预清洗；2）硅片表面掺杂；3）湿法化学腐蚀法制绒；4）清洗并甩干。与现有技术相比，本发明所制得的绒面结构细小而均匀、反射率低，而且操作简单、适合大规模生产、电池转换效率高，在太阳能电池领域具有广阔的应用前景。
【专利说明】一种硅片制绒方法
【技术领域】
[0001]本发明属于晶硅太阳能电池领域，尤其是涉及一种硅片制绒方法。
【背景技术】
[0002]制绒工艺和扩散工艺是影响太阳能电池光电转换效率的重要步骤，也是太阳能电池制备流程中较为成熟的工艺。
[0003]制绒工艺有机械刻槽法、掩膜腐蚀蜂窝绒面结构技术、电化学腐蚀法、反应离子刻蚀技术等。在当前电池工艺生产中普遍采用湿法化学溶液腐蚀法制绒，其中单晶硅片采用碱腐蚀液制绒法形成“金字塔”绒面结构；多晶硅片利用酸腐蚀液制绒法形成“蚯蚓”状绒面织构。
[0004]扩散过程中，硅表面会形成高浓度掺杂层，成为一些硅表面附近有害的杂质的吸杂中心，在后续工艺中将吸杂层去除，减少复合中心，达到提高少子寿命、提高太阳电池转化效率目的。目前主要是磷吸杂、铝吸杂和硼吸杂。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种硅片经扩散后湿法化学腐蚀的制绒方法。该法主要是利用扩散过程中硅片表面形成的磷原子或硼原子改变硅片表面的状态，形成许多原子级尺寸的均匀晶格畸变层，这些密布在硅片中的缺陷成为硅片体内和近表面的杂质吸杂中心，从而减少硅体内的复合中心；同时这些通过扩散进入硅片表面的原子、被表面的吸杂中心俘获的原处于硅片体内和硅片近表面的杂质、硅片表面的缺陷等便成为后续化学腐蚀制绒的活跃腐蚀“激活”点，这些点的腐蚀反应激活能较低，成为硅片表面化学腐蚀法制绒的种子层，使得硅片表面反应速率比普通化学腐蚀制绒快，也使得整个硅片表面的腐蚀速率均匀。用这种方法制备的绒面细小而均匀，反射率低，适用于单晶硅、多晶硅、准单晶硅，制备的电池转换效率高，是普通扩散工艺和普通化学腐蚀制绒工艺的融合，成本较低，工艺时间缩短，适应工业生产要求，发展前景广阔。
[0006]本发明的技术方案提供了一种硅片制绒方法:将硅片预清洗，然后在扩散炉进行表面掺杂；进一步将所得硅片进行湿法化学腐蚀法制绒；之后清洗硅片表面残余的制绒腐蚀液，最后清洗并甩干，即可得绒面结构硅片。
[0007]根据上述技术方案提供的方法，共包含以下步骤:1)将硅片预清洗；2)将步骤I)所得硅片进行表面掺杂；3)将步骤2)所得硅片进行湿法化学腐蚀制绒；4)将步骤3)所得硅片清洗并甩干。
[0008]在一些实施方式中，步骤I)中所述清洗液为酸性腐蚀液或碱性腐蚀液，预清洗温度为3-85°C，预清洗时间为1-40分钟。在一些实施方式中，酸性腐蚀液是硝酸、氢氟酸与水的混合溶液，其中硝酸的质量分数为5-65%,氢氟酸的质量分数为2-45% ;碱性腐蚀液是无机碱的水溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-30% ;所述无机碱选自氨水,氢氧化锂,氢氧化钠或氢氧化钾。[0009]在一些实施方式中，步骤2)中所述表面掺杂的表面掺杂剂选自磷源表面掺杂剂或硼源表面掺杂剂。在一些实施方式中，磷源表面掺杂剂选自三氯氧磷、三氯化磷、三溴化磷、磷酸、磷酸三甲酯、五氧化二磷、磷微晶玻璃、磷硅玻璃或含磷二氧化硅乳胶源；硼源表面掺杂剂选自三氯化硼、三溴化硼、硼酸、硼酸三甲酯、硼酸三丙酯、二氧化二硼、氮化硼、硼微晶玻璃、含硼二氧化硅乳胶源或硼硅玻璃。在一些实施方式中，步骤2)中掺杂方式为液态扩散源、片状扩散源、箱法扩散、固固扩散、涂源扩散、闭管扩散、气态扩散或沉淀扩散。在一些实施方式中，步骤2)中所述掺杂热处理温度为800-1050°C，掺杂热处理时间为5-120分钟；掺杂保护气氛选自IS气、氮气、氧气或空气；娃片表面掺杂深度为0.1-15 μ m。
[0010]在一些实施方式中，步骤3)中所述湿法化学腐蚀制绒的腐蚀液为酸性腐蚀液或碱性腐蚀液，腐蚀次数为1-4次。在一些实施方式中，湿法化学腐蚀制绒的腐蚀液为酸性腐蚀液，是氢氟酸、腐蚀试剂与水的混合溶液，其中氢氟酸的质量分数为2%-45% ;腐蚀制绒温度为0-30°C，腐蚀制绒时间为1-20分钟；腐蚀试剂选自硝酸、醋酸、磷酸、硫酸或铬酸。在一些实施方式中，湿法化学腐蚀制绒的腐蚀液为碱性腐蚀液，是无机碱、异丙醇、硅酸钠、制绒添加剂与水的混合溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-15% ;腐蚀制绒温度为20-85°C，腐蚀制绒时间为5-40分钟；无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾。在一些实施方式中，本发明步骤3)中所述硅片制绒腐蚀量为0.005-0.2mg/cm2。
[0011]在一些实施方式中，步骤4)中硅片的清洗溶液为酸性水溶液或碱性水溶液，清洗温度为15-30°C，清洗时间为1-25分钟。酸性水溶液是盐酸、氢氟酸和水的混合溶液，其中盐酸质量分数2-10%，氢氟酸质量分数2-10% ;碱性水溶液是无机碱的水溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-15% ;所述无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾。
[0012]本发明所述的制绒方法，适用于P型或N型太阳能级硅片。经扩散后湿法化学腐蚀制绒工艺，硅片表面附近杂质被吸除，减少复合中心，有助于提高少子寿命，改善硅片质量，降低反射率，增加PN结有效面积，绒面结构更加合理，进而达到提高电池转换效率的目的。该方法融合了目前普通的扩散工艺和湿法化学制绒工艺，具有成本低、操作简单、制绒重复性和均匀性好等优点，适合产线上生产要求，具有较高的商业价值。
[0013]除非明确地说明与此相反，否则，本发明引用的所有范围包括端值。例如，“腐蚀制绒时间为1-20分钟”表示腐蚀制绒的时间T范围为Imin ^ 20min。
[0014]本发明使用的术语“或”表示备选方案，如果合适的话，可以将它们组合，也就是说，术语“或”包括每个所列出的单独备选方案以及它们的组合。例如，“无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾”表示无机碱可以是氨水、氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾的一种，也可以是其一种以上的组合。
[0015]与现有制绒技术相比，本发明的技术方案提供的制绒方法具有如下优点:
[0016]1、掺杂热处理过程中硅片表面形成的扩散吸杂层，能够吸除硅片近表面和体内杂质，减少复合中心，有助于提闻少子寿命和电池转换效率；
[0017]2、经掺杂处理后硅片表面形成密布的化学腐蚀“激活“点，作为化学腐蚀制绒的种子层，绒面结构细小而均匀，绒面深度和宽度适中；
[0018]3、由于表面掺杂层的存在，形成原子畸变层，在后续的化学腐蚀制绒过程中，腐蚀速度较快，缩短工艺时间；
[0019]4、适用于太阳能级P型或N型单晶硅片、多晶硅片、准单晶硅，特别是对于杂质含量较高的低质量硅片，适用范围广；
[0020]5、扩散工艺和普通化学腐蚀制绒工艺要求简单，绒面效果重复性好，适合工业化大规模生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1为本发明实施例1制绒后的多晶硅片表面扫描电镜图。
[0022]图2为本发明实施例2制绒后的多晶硅片表面扫描电镜图。
[0023]图3为本发明实施例3制绒后的单晶硅片表面扫描电镜图。
[0024]图4为本发明实施例4制绒后的准单晶硅片的多晶区域表面扫描电镜图。
【具体实施方式】
[0025]以下所述的是本发明的优选实施方式，本发明所保护的不限于以下优选实施方式。应当指出，对于本领域的技术人员来说在此发明创造构思的基础上，做出的若干变形和改进，都属于本发明的保护范围。
[0026]实施例1
[0027]I)将电阻率为0.5-3 Ω.cm、厚度为180 μ m、尺寸为156X 156的P型多晶硅片预
清洗，溶液由硝酸、氢氟酸、去离子水组成，硝酸质量分数44%，氢氟酸质量分数4.9%，预清洗温度为8°C，预清洗时间为5分钟。
[0028]2)将步骤I)所得硅片进行磷掺杂:采用液态扩散源法，磷源为三氯氧磷，掺杂温度850°C，保护气体为高纯氮气和高纯氧气，流量各为1.5L/min，携磷源氮气流量为0.5L/min，掺杂时间为20分钟，测得硅片表面掺杂深度为2 μ m。
[0029]3)将步骤2)所得硅片进行湿法化学腐蚀制绒:制绒腐蚀液由氢氟酸、硝酸与去离子水组成，硝酸质量分数44%，氢氟酸质量分数4.9%，制绒温度为6°C，制绒时间2分钟，测得娃片制绒前后腐蚀量为0.01mg/cm2。
[0030]4)将步骤3)所得硅片清洗并甩干:先用质量分数为1.5%的氢氧化钠溶液漂洗，温度为20°C，漂洗时间为10分钟；再用酸溶液漂洗，盐酸质量分数为5.6%，氢氟酸质量分数为5.4%，温度为20°C,漂洗时间为10分钟；最后经去离子水清洗后甩干。
[0031]所得硅片测试其在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为19.6%，其扫描电镜照片如图1所示。
[0032]实施例2
[0033]I)将电阻率为0.5-3 Ω.cm，厚度为180 μ m、尺寸为156X 156的P型多晶硅片预
清洗，溶液由硝酸、氢氟酸、去离子水组成，硝酸质量分数27%，氢氟酸质量分数3%，预清洗温度为10°C，预清洗时间为10分钟。
[0034]2)将步骤I)所得硅片进行硼掺杂:采用液态扩散源法，硼源为三溴化硼，掺杂温度920°C，保护气体为高纯氮气和高纯氧气，流量各为lL/min，携硼源氮气流量为lL/min，掺杂时间为30分钟，测得硅片表面掺杂深度为5 μ m。
[0035]3)将步骤2)所得硅片进行湿法化学腐蚀制绒:制绒腐蚀液由氢氟酸、磷酸与去离子水组成，磷酸质量分数44%，氢氟酸质量分数5%，制绒温度为8°C，制绒时间2.5分钟，测得娃片制绒前后腐蚀量为0.03mg/cm2。[0036]4)将步骤3)所得硅片清洗并甩干:先用质量分数为3%的氢氧化钠溶液腐蚀，温度为30°C,腐蚀时间为5分钟；再用酸溶液漂洗,盐酸质量分数为3.8%,氢氟酸质量分数为5%,温度为25°C,漂洗时间为25分钟；最后经去离子水清洗后甩干。
[0037]所得硅片测试其在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为19%，其扫描电镜照片如图2所示。
[0038]实施例3
[0039]I)将电阻率约为3 Ω.cm，厚度为200 μ m、尺寸为156X156的N型单晶硅片预清洗，所用氢氧化钠溶液质量分数为20%，预清洗温度为80°C，预清洗时间为15分钟。
[0040]2)将步骤I)所得硅片进行磷掺杂:采用丝网印刷法和采用液态扩散源法，磷源为磷浆和三氯氧磷，硅片表面印刷磷浆经200°C烘干后进行掺杂热处理，掺杂温度880°C，保护气体为高纯氮气和高纯氧气，流量各为0.5L/min，携磷源氮气流量为0.5L/min，掺杂时间为35分钟，测得硅片表面掺杂深度为6.6 μ m。
[0041]3)将步骤2)所得硅片进行湿法化学腐蚀制绒:制绒腐蚀液组成为氢氧化钠质量分数2.5%，异丙醇体积分数为10%，硅酸钠质量分数为5%，时创单晶制绒添加剂S929-B体积分数为5%，制绒温度83°C，制绒时间25分钟，测得硅片制绒前后腐蚀量为0.1mg/cm2。
[0042]4)将步骤3)所得硅片清洗并甩干:用酸溶液漂洗，盐酸质量分数为10%，氢氟酸质量分数为10%，温度为30°C，漂洗时间为15分钟；最后经去离子水清洗后甩干。
[0043]所得硅片测试其在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为9.3%，其扫描电镜照片如图3所示。
[0044]实施例4
[0045]I)将电阻率约为1-3 Ω.cm，厚度为180 μ m、尺寸为156X156，(100)晶粒面积占
整个硅片面积> 60%的P型准单晶硅片预清洗，溶液由硝酸、氢氟酸、去离子水组成，硝酸质量分数10%，氢氟酸质量分数40%，预清洗温度为15°C，预清洗时间为6分钟。
[0046]2)将步骤I)所得硅片进行硼掺杂:采用液态扩散源法，硼源为硼酸三甲酯，掺杂温度900°C;保护气体为高纯氮气和高纯氧气，流量分别为lL/min、0.2L/min，携硼源氩气气流量为lL/min，掺杂时间为10分钟，测得硅片表面掺杂深度为0.5 μ m。
[0047]3)将步骤2)所得硅片进行湿法化学腐蚀制绒:先酸性腐蚀液制绒后碱性腐蚀液制绒，酸性腐蚀液由氢氟酸、硝酸与水组成，硝酸质量分数40%，氢氟酸质量分数4.5%，制绒温度为5°C，制绒时间I分钟；碱性腐蚀液氢氧化钾质量分数2%，异丙醇体积分数为5%，硅酸钠质量分数为5%，时创单晶制绒添加剂S929-B体积分数为5%，制绒温度80°C，制绒时间20分钟,测得娃片制绒前后腐蚀量为0.04mg/cm2o
[0048]4)将步骤3)所得硅片清洗并甩干:用酸溶液漂洗，盐酸质量分数为7%，氢氟酸质量分数为8.8%，温度为15°C，漂洗时间为15分钟；最后经去离子水清洗后甩干。
[0049]所得硅片测试其在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为9.8%，其多晶区域扫描电镜照片如图4所示。
[0050]实施例5
[0051]I)将电阻率为(λ 5-3Ω.ο?，厚度为180μπι(±5μπι)、尺寸为156X156的N型多晶
硅片预清洗，溶液由硝酸、氢氟酸、去离子水组成，硝酸质量分数5%，氢氟酸质量分数10%，预清洗温度为3°C，预清洗时间为20分钟。[0052]2)将步骤I)所得硅片进行硼掺杂:采用固固扩散法，硼源为氮化硼，掺杂温度1050°C，保护气体为高纯氮气和氧气，流量分别为2L/min、0.lL/min，掺杂时间为120分钟，测得硅片表面掺杂深度为15 μ m。
[0053]3)将步骤2)所得硅片进行湿法化学腐蚀制绒:制绒腐蚀液由氢氟酸、醋酸、硝酸与去离子水组成，醋酸质量分数5%，硝酸质量分数3%，氢氟酸质量分数40%，制绒温度为10°C，制绒时间15分钟，测得硅片制绒前后腐蚀量为0.18mg/cm2。
[0054]4)将步骤3)所得硅片清洗并甩干:先用质量分数为15%的氢氧化钾和5%的氨水混合溶液漂洗，温度为25°C，漂洗时间为2分钟；再用酸溶液漂洗，盐酸质量分数为10%，氢氟酸质量分数为10%，温度为25°C，漂洗时间为25分钟；最后经去离子水清洗后甩干。
[0055]所得硅片测试其在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为19.8%。
[0056]实施例6
[0057]I)将电阻率约为3 Ω.cm，厚度为200 μ m(±5 μ m)、尺寸为156X156的P型单晶硅片预清洗，所用氢氧化钠溶液质量分数为10%，预清洗温度为85°C，预清洗时间为10分钟。
[0058]2)将步骤I)所得硅片进行硼掺杂:采用片状扩散源法，硼源为硼微晶玻璃，掺杂温度950°C，保护气体为过滤除尘后的空气，流量为2L/min，掺杂时间为60分钟，测得硅片表面掺杂深度为10 μ m。
[0059]3)将步骤2)所得硅片进行湿法化学腐蚀制绒:制绒腐蚀液组成为氢氧化钾质量分数10%，异丙醇体积分数为5%，硅酸钠质量分数为3%，时创单晶制绒添加剂S929-B体积分数为5%，制绒温度75°C，制绒时间15分钟，测得硅片制绒前后腐蚀量为0.12mg/cm2。
[0060]4)将步骤3)所得硅片清洗并甩干:用酸溶液漂洗，盐酸质量分数为2%，氢氟酸质量分数为2%，温度为30°C，漂洗时间为5分钟；最后经去离子水清洗后甩干。
[0061]所得硅片测试其在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为10%。
[0062]实施例7
[0063]I)将电阻率为2 Ω.cm、厚度为180 μ m(±5 μ m)、尺寸为156X156的P型多晶硅
片预清洗，溶液由硝酸、氢氟酸、去离子水组成，硝酸质量分数20%，氢氟酸质量分数20%，预清洗温度为25°C，预清洗时间为3分钟。
[0064]2)将步骤I )所得硅片进行先磷掺杂后硼掺杂:采用液态扩散源法，磷源为三氯氧磷，磷掺杂温度850°C，保护气体为高纯氮气和高纯氧气，流量各为1.5L/min，携磷源氮气流量为0.5L/min，掺杂时间为10分钟；硼源为三溴化硼，硼掺杂热温度950°C，保护气体为高纯氮气和高纯氧气，流量各为2L/min，携硼源氮气流量为0.5L/min，掺杂时间为10分钟，测得硅片表面掺杂深度为4 μ m。
[0065]3)将步骤2)所得硅片进行湿法化学腐蚀制绒:制绒腐蚀液由氢氟酸、磷酸、硫酸与去离子水组成，硫酸质量分数5%，磷酸质量分数为5%，氢氟酸质量分数10%，制绒温度为15°C，制绒时间5分钟，测得硅片制绒前后腐蚀量为0.12mg/cm2。
[0066]4)将步骤3)所得硅片清洗并甩干:先用质量分数为5%的氢氧化钾溶液漂洗，温度为25°C,漂洗时间为3分钟；再用酸溶液漂洗,盐酸质量分数为6%,氢氟酸质量分数为6%,温度为25°C，漂洗时间为10分钟；最后经去离子水清洗后甩干。
[0067]所得硅片测试其在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为20%。[0068]实施例8
[0069]I)将电阻率为I Ω.cm、厚度为180 μ m(±5 μ m)、尺寸为156X156的P型多晶硅
片预清洗，溶液由硝酸、氢氟酸、去离子水组成，硝酸质量分数40%，氢氟酸质量分数10%，预清洗温度为6°C，预清洗时间为8分钟。
[0070]2)将步骤I )所得硅片进行磷掺杂:采用涂源扩散源法，磷源为含磷二氧化硅乳胶源，硅片表面涂布乳胶源，经自然条件下干燥后进行掺杂热处理，掺杂温度890°C，保护气体为高纯氩气和高纯氧气，流量各为1.5L/min，掺杂时间为40分钟，测得硅片表面掺杂深度为 7 μ m0
[0071]3)将步骤2)所得硅片进行湿法化学腐蚀制绒:制绒腐蚀液由氢氟酸、硝酸与去离子水组成，硝酸质量分数10%，氢氟酸质量分数44%，制绒温度为6°C，制绒时间2.5分钟，测得娃片制绒前后腐蚀量为0.15mg/cm2。
[0072]4)将步骤3)所得硅片清洗并甩干:先用质量分数为7%的氢氧化钠溶液漂洗，温度为20°C,漂洗时间为5分钟；再用酸溶液漂洗,盐酸质量分数为5.6%,氢氟酸质量分数为
5.4%,温度为20°C漂洗时间为10分钟；最后经去离子水清洗后甩干。
[0073]所得硅片测试其在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为21%。
【权利要求】
1.一种硅片制绒方法，其特征是:将硅片预清洗，然后在扩散炉进行表面掺杂；进一步将所得硅片进行湿法化学腐蚀法制绒；之后清洗硅片表面残余的制绒腐蚀液，最后清洗并甩干，即可得绒面结构硅片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预清洗的清洗液为酸性腐蚀液或碱性腐蚀液，预清洗温度为3-85℃，预清洗时间为1-40分钟。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述酸性腐蚀液是硝酸、氢氟酸与水的混合溶液，其中硝酸的质量分数为5-65%,氢氟酸的质量分数为2-45% ;所述碱性腐蚀液是无机碱的水溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-30%。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述无机碱选自氨水，氢氧化锂，氢氧化钠或氢氧化钾。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面掺杂的表面掺杂剂选自磷源表面掺杂剂或硼源表面掺杂剂。
6.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述磷源表面掺杂剂选自三氯氧磷、三氯化磷、三溴化磷、磷酸、磷酸三甲酯、五氧化二磷、磷微晶玻璃、磷硅玻璃或含磷二氧化硅乳胶源；硼源表面掺杂剂选自三氯化硼、三溴化硼、硼酸、硼酸三甲酯、硼酸三丙酯、二氧化二硼、氮化硼、硼微晶玻璃、含硼二氧化硅乳胶源或硼硅玻璃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面掺杂的掺杂方式为液态扩散源、片状扩散源、箱法扩散、固固扩散、涂源扩散、闭管扩散、气态扩散或沉淀扩散。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面掺杂的掺杂温度为800-1050℃，掺杂的热处理时间为5-120分钟；掺杂的保护气氛选自氩气、氮气、氧气或空气；硅片表面掺杂深度为0.1-15 μ m。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法化学腐蚀制绒的腐蚀液为酸性腐蚀液或碱性腐蚀液，腐蚀次数为1-4次。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述酸性腐蚀液是氢氟酸、腐蚀试剂与水的混合溶液，其中氢氟酸的质量分数为2%-45%，腐蚀制绒温度为0-30℃，腐蚀制绒时间为1-20分钟。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述腐蚀试剂选自硝酸、醋酸、磷酸、硫酸或铬酸。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述碱性腐蚀液为无机碱、异丙醇、硅酸钠、制绒添加剂与水的混合溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-15%;腐蚀制绒温度为20-85℃，腐蚀制绒时间为5-40分钟。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，硅片制绒的腐蚀量为0.005-0.2mg/cm2。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗并甩干操作所用清洗溶液为酸性水溶液或碱性水溶液，清洗温度为15-30℃，清洗时间为1-25分钟。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述酸性溶液是盐酸、氢氟酸和水的混合溶液，其中盐酸质量分数2-10%，氢氟酸质量分数2-10% ;所述碱性水溶液是无机碱的水溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-15%,无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾。
【文档编号】H01L31/18GK103904157SQ201310746508
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年12月27日 优先权日:2012年12月27日
【发明者】郑兰花, 李国民, 卢海江, 程四兴 申请人:东莞市长安东阳光铝业研发有限公司