一种顶发射oled器件的制作方法
【专利摘要】一种顶发射OLED器件，包括基板及依次形成在基板上的第一电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、至少四层电子传输子层、第二电极层、以及光输出耦合层；其中，所述电子传输层包括多个折射率不同的电子传输子层。电子传输子层排布包括两种方案：一是电子传输子层的折射率沿远离所述发光层的方向逐渐减小，二是电子传输子层包括间隔设置的有机的电子传输子层和无机的电子传输子层。两种方案均可增加光透过性，削弱广角干涉，减小微腔效应，解决了大视角下器件发光性质不佳的技术问题，特别适用于平板显示领域。
【专利说明】—种顶发射OLED器件
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机电致发光领域。具体地说涉及一种改善大视角下发光性质的顶发射OLED器件。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称0LED)是在电场作用下，以有机材料作为发光层的器件，是一种新型的主动式发光的显示器件，具有质量轻、厚度薄、亮度高、视角宽、响应速度快、发光效率高、无需背光照明，且可实现柔性显示等优点，在显示与照明领域有着重要应用，尤其成为最具潜力取代液晶显示器的显示器件。按照器件的发光位置，可分为底发射OLED (Bottom Emitting 0LED，简称BE0LED)和顶发射OLED (TopEmitting OLED,简称 TE0LED)。
[0003]底发射OLED的结构为OLED制作在覆盖有透明的铟锡氧化物(Indium TinOxides，简称ITO)或铟锌氧化物(Indium Zinc Oxides，简称IZO)电极的玻璃衬底上，当对OLED施加电压时，OLED发出的光经透明ITO (或ΙΖ0)电极射出。该结构中，透明ITO(或ΙΖ0)电极与驱动OLED的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)相连，存在OLED发光面积与TFT竞争的问题，导致器件开口率(Aperture Ratio)较低。而顶发射OLED是将不透明的全反射电极覆盖在玻璃或硅衬底上，再制作0LED，对OLED施加电压时，光从顶部的透明或半透明阴极射出。基于顶发射OLED的显示器中，驱动OLED的TFT制作于OLED下方，使出光面与TFT分开，可以使开口率低的问题得到根本解决。
[0004]但是顶发射OLED中包含不透明的全反射电极和半透明电极，这种结构会导致微腔效应。微腔效应中包括广角干涉与多光束干涉两种干涉模式。微腔效应对光源具有选择、窄化和加强等作用，常被用来提高器件的色度、加强特定波长的发射强度及改变器件的发光颜色等，但是由于广角干涉的存在会影响器件的视角特性，即随视角的偏移，发光峰发生偏移，导致亮度的差异与色度的漂移等问题，尤其在大视角下，光学性质不佳，色差较为严重。
[0005]目前改善顶发射OLED视角特性的方案一般是在半透明的阴极上加一层光输出耦合层，如2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉等高折射率低吸收率的有机物，或在半透明的阴极表面蒸镀一层高折射率的电介质ZnSe、ZnS等作为耦合层，提高透射率和光导出率，但上述方案对顶发射OLED中的广角干涉现象的抑制作用有限，视角特性并未得到明显改善。
【发明内容】
[0006]为此，本发明所要解决的技术问题在于改善顶发射OLED器件中由于广角干涉而产生的视角效应，从而提出一种改善大视角下发光性质的顶发射OLED器件。
[0007]为解决上述技术问题，本发明的采用的技术方案如下:
[0008]本发明提供一种顶发射OLED器件，包括基板以及在基板上叠加设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第二电极、光输出稱合层；其中，所述电子传输层包括多个折射率不同的电子传输子层。
[0009]上述的顶发射OLED器件，所述电子传输子层的折射率沿远离所述发光层的方向逐渐减小。
[0010]上述的顶发射OLED器件，所述电子传输子层的折射率IIi值应满足
【权利要求】
1.一种顶发射OLED器件，其特征在于，包括基板以及在基板上叠加设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第二电极、光输出稱合层；其中，所述电子传输层包括多个折射率不同的电子传输子层。
2.根据权利要求1所述的顶发射OLED器件，其特征在于，所述电子传输子层的折射率沿远离所述发光层的方向逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的顶发射OLED器件，其特征在于，所述电子传输子层的折射率Iii值应满足汰=▲.^rijn的关系，其中i=l，2，3，4，……，其中i值越大Iii值对应的电子传输子层越远离所述发光层。
4.根据权利要求1所述的顶发射OLED器件，其特征在于，所述电子传输层包括四个电子传输子层，且所述四个传输子层沿远离所述发光层的方向依次为:有机的电子传输子层，LiF 层，LiF/Mg 层，Mg 层。
5.根据权利要求1所述的顶发射OLED器件，其特征在于，所述电子传输子层的折射率按照高低间隔的方式排列。
6.根据权利要求5所述的顶发射OLED器件，其特征在于，所述电子传输子层包括间隔设置的有机的电子传输子层和无机的电子传输子层，所述无机电子传输子层为Mg层。
7.根据权利要求4或6所述的顶发射OLED器件，其特征在于，所述有机的电子传输子层中有机材料的结构通式为结构通式(I ):
8.根据权利要求7所述的顶发射OLED器件，其特征在于，所述有机的电子传输子层材料的为以下12种结构式的材料中的一种或多种混合物:
9.根据权利要求1所述的顶发射OLED器件，其特征在于，与所述第二电极接触的传输子层的折射率与所述第二电极的折射率之间的差值在0.5以内。
10.根据权利要求1所述的顶发射OLED器件，其特征在于，所述光输出耦合层为2，9-二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉材料层。
【文档编号】H01L51/50GK103762318SQ201310749885
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】李维维, 刘嵩, 何麟 申请人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司, 北京维信诺科技有限公司