一种基于无框架csp封装背面植球塑封封装件的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件，主要由一次塑封体、二次塑封体、键合线、Bump引脚、芯片、铜板、锡球、粘片胶组成。所述芯片与铜板通过粘片胶相连，铜板植有Bump引脚，键合线直接从芯片打到Bump引脚上。一次塑封体和二次塑封体包围了粘片胶、芯片、Bump引脚、键合线、锡球，并构成了电路的整体，芯片、键合线、Bump引脚和锡球构成了电路的电源和信号通道。本实用新型增强了引脚牢固性，提高了产品的封装可靠性。
【专利说明】一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件
【技术领域】
[0001]本实用新型属于集成电路封装【技术领域】，具体涉及一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件。
[0002]【背景技术】
[0003]CSP (Chip Scale Package)封装,是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将
存储容量提高三倍。
[0004]CSP产品的主要特点:封装体尺寸小。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比有极大提高。CSP是最先进的集成电路封装形式，它具有体积小，输入/输出端数可以很多，电性能好，热性能好，体积小重量轻等特点。
[0005]但现有技术存在Bump脱落或Bump过小,影响产品的封装可靠性的问题。
实用新型内容
[0006]为了解决上述现有技术存在的问题，本实用新型提供了一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件，其增加产品背面植球工艺及二次塑封工艺，使表面贴装引脚由原来的Bump转换成锡球，增加外露引脚大小，且第二次塑封的塑封料可以与第一次塑封的塑封料在Bump引脚及锡球之间形成更加有效的防拖拉结构，增强引脚牢固性，使引脚不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性，并在一定程度上降低成本。
[0007]一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件主要由一次塑封体、二次塑封体、键合线、Bump引脚、芯片、铜板、锡球、粘片胶组成。所述芯片与铜板通过粘片胶相连，铜板植有Bump引脚，键合线直接从芯片打到Bump引脚上。一次塑封体和二次塑封体包围了粘片胶、芯片、Bump引脚、键合线、锡球，并构成了电路的整体，塑封体对芯片、Bump引脚、键合线和锡球起到了支撑和保护作用，芯片、键合线、Bump引脚和锡球构成了电路的电源和信号通道。
[0008]一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的工艺流程如下:晶圆减薄一划片—上芯(粘片)一压焊植球一压焊一一次塑封一铜板背面蚀刻一锡膏印刷、回流焊一背面贴膜一二次塑封一打印一产品分离一检验一包装一入库。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1铜板剖面图；
[0010]图2上芯后广品首I]面图；
[0011]图3压焊植Bump弓丨脚剖面图；
[0012]图4压焊键合后产品剖面图；[0013]图5 —次塑封后产品剖面图；
[0014]图6框架背面蚀刻后产品剖面图；
[0015]图7刷锡膏回流焊后产品剖面图；
[0016]图8背面贴膜后产品剖面图；
[0017]图9 二次塑封后产品剖面图；
[0018]图10产品成品剖面。
[0019]图中，I为铜板，2为粘片胶，3为芯片，4为Bump引脚，5为键合线，6为一次塑封体、7为锡球,8为胶膜,9为二次塑封体。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。
[0021]本实用新型主要适用于单芯片封装件。
[0022]如图10所示，一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件主要由一次塑封体6、二次塑封体9、键合线5、Bump引脚4、芯片3、铜板1、锡球7、粘片胶2组成。所述芯片3与铜板I通过粘片胶2相连,铜板I植有Bump引脚4,键合线5直接从芯片3打到Bump引脚4上。一次塑封体6和二次塑封体9包围了粘片胶2、芯片3、Bump引脚4、键合线5、锡球7，并构成了电路的整体，塑封体对芯片3、Bump引脚4、键合线5和锡球7起到了支撑和保护作用，芯片3、键合线4、Bump引脚5和锡球7构成了电路的电源和信号通道。
[0023]一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的工艺流程如下:晶圆减薄一划片—上芯(粘片)一压焊植球一压焊一一次塑封一铜板背面蚀刻一锡膏印刷、回流焊一背面贴膜一二次塑封一打印一产品分离一检验一包装一入库。
[0024]如图1到图10所示，一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的制作工艺，主要按照以下步骤进行:
[0025]1、晶圆减薄:减薄厚度50 μ m?200 μ m,粗糙度Ra 0.1Omm?0.05mm ;
[0026]2、划片:150μπι以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μπι以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
[0027]3、上芯(粘片):采用粘片胶2上芯；
[0028]4、压焊:先使用粗线径键合丝在铜板I上植入Bump作为引脚，再使用常规键合丝在芯片3与Bump引脚4之间键合连接；
[0029]5、一次塑封:用传统塑封料(如9220) —次塑封体6进行塑封；
[0030]6、铜片蚀刻:使用三氯化铁溶液及微蚀液，蚀刻完所有铜板I ;
[0031]7、丝网印刷、回流焊工艺:同常规工艺；
[0032]8、背面贴膜:同框架贴膜工艺，在一次塑封体6背面锡球7表面贴胶膜8，保护住表面锡球7 ；
[0033]9、二次塑封:在一次塑封体6与锡球7表面的胶膜8之间进行注塑二次塑封体9，实现二次塑封。注意二次塑封使用3(T32um颗粒度的塑封料填充，由于用量小，对产品成本影响较小；
[0034]10、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规QFN工艺相同。
【权利要求】
1.一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件，其特征在于:所述封装件主要由一次塑封体(6)、二次塑封体(9)、键合线(5)、Bump引脚(4)、芯片(3)、铜板(I)、锡球(7)、粘片胶(2)组成；所述芯片(3)与铜板(I)通过粘片胶(2)相连，铜板(I)植有Bump引脚(4)，键合线(5)直接从芯片(3)打到Bump引脚(4)上；一次塑封体(6)和二次塑封体(9)包围了粘片胶(2)、芯片(3)、Bump引脚(4)、键合线(5)、锡球(7)，并构成了电路的整体，芯片(3)、键合线(4)、Bump引脚(5)和锡球(7)构成了电路的电源和信号通道。
【文档编号】H01L23/31GK203589000SQ201320267708
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年5月16日 优先权日:2013年5月16日
【发明者】马利, 郭小伟, 朱文辉, 钟环清, 谌世广 申请人:华天科技（西安）有限公司