N型晶体硅高效双面电池片的制作方法

文档序号:7017323阅读:742来源:国知局
N型晶体硅高效双面电池片的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种N型晶体硅高效双面电池片,包括P形硅,P形硅的两侧分别设置有反射极和聚集电极,其特征在于在所述P形硅与反射极之间设置有N+层,所述P形硅与聚集电极之间设置有P+层硼扩散膜。本实用新型可以有效抑制入射光的反射,能够有效的降低生产成本,还可以提高光电转换效率,本实用新型的优点是电池片表面均有减反射膜,正面光电转换效率达到18.0%,背面光电转换效率达到14.4%,正反面转换效率之比为0.8,相比常规电池片其转换效率更高,增加了企业的效益。
【专利说明】 N型晶体硅高效双面电池片
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电池领域,具体是一种N型晶体硅高效双面电池片。
【背景技术】
[0002]随着经济的发展,人们生活水平的不断提高,对能源需求越来越多,同时对坏境保护带来更大压力,为解决这个问题,越来越多的国家出台财政补贴政策,鼓励使用清理可再生资源,在此背景下,太阳能光伏行业得到了快速的发展。
[0003]常规的电池生产工艺是:硅片清洗制绒、扩散制结、等离子刻蚀、去磷硅玻璃、减反射膜制备、丝网印刷、烧结和检测分类,在这种工艺生产出来的电池片厚度一般均为200左右,而扩散深度一般为0.3、.5 Pm。而部分波长比较长的光线能穿过硅片到达硅片背部,而背部远离前面的PN结,有光电效应产生的少数载流电子要经过长距离的扩散才能到达PN结。由于晶体硅的内耗,光生载流子不能充分利用,导致光电转换效率不高。并且由于太阳东升西落的特点,常规电池片封装成组件后,安装系统时对于安装位置已经倾斜角度有着非常苛刻的要求,不能够完美的和建筑物一体化。
实用新型内容
[0004]为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种N型晶体硅高效双面电池片。
[0005]一种N型晶体硅高效双面电池片,包括P形硅,P形硅的两侧分别设置有反射极和聚集电极,其特征在于在所述P形硅与反射极之间设置有N+层,所述P形硅与聚集电极之间设置有P+层硼扩散膜。
[0006]所述的一种N型晶体硅高效双面电池片,其特征在于所述P+层硼扩散膜和N+层的外侧分别设置有抗氧化膜。
[0007]所述的一种N型晶体硅高效双面电池片,其特征在于所述反射极一侧的抗氧化膜的外侧设置有AR减反射膜。
[0008]本实用新型的N型晶体娃闻效双面电池片,可以有效抑制入射光的反射,能够有效的降低生产成本,还可以提高光电转换效率,本实用新型的优点是电池片表面均有减反射膜,正面光电转换效率达到18.0%,背面光电转换效率达到14.4%,正反面转换效率之比为0.8,相比常规电池片其转换效率更高,增加了企业的效益。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的N型晶体硅高效双面电池片的正极外观示意图;
[0010]图2是本实用新型的N型晶体硅高效双面电池片的负极外观示意图;
[0011]图3是本实用新型的N型晶体硅高效双面电池片的截面示意图;
[0012]图中,I一正极;2—负极;3—反射极;4一抗氧化膜;5 — P型硅;6—AR减反射膜;7一P+层硼扩散膜;8—聚集电极;9一N+层。【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型进行详细说明。
[0014]如图1至图3所示,本实用新型提供了一种N型晶体硅高效双面电池片,包括P形娃5, P形娃5的两侧分别设置有反射极3和聚集电极8,在P形娃5与反射极3之间设置有N+层9,P形硅5与聚集电极8之间设置有P+层硼扩散膜7,P+层硼扩散膜7和N+层9的外侧分别设置有抗氧化膜4,反射极3 —侧的抗氧化膜4的外侧设置有AR减反射膜6。本实用新型的电池正面背面均进行扩散,背面采用硼扩散,并且正反两面都经过刻蚀处理的棱椎体,可以有效抑制入射光的反射。正面是磷扩散,在正面形成n+p结,整个反面为硼扩散的P+形成BSF,这样能够有效的降低生产成本,还可以提高光电转换效率。本实用新型的PN结等电池内部结构沿用传统的电池生产工艺,而在加工正极i时采用P+层硼扩散使得电池片的正反面均形成电极厂,使得电池片两面均能吸收光通过“光生伏打”效应转换成电能。
[0015]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种N型晶体娃高效双面电池片,包括P形娃(5), P形娃(5)的两侧分别设置有反射极(3)和聚集电极(8),其特征在于在所述P形硅(5)与反射极(3)之间设置有N+层(9),所述P形硅(5)与聚集电极(8)之间设置有P+层硼扩散膜(7)。
2.如权利要求1所述的一种N型晶体硅高效双面电池片,其特征在于所述P+层硼扩散膜(7 )和N+层(9 )的外侧分别设置有抗氧化膜(4 )。
3.如权利要求2所述的一种N型晶体硅高效双面电池片,其特征在于所述反射极(3)一侧的抗氧化膜(4)的外侧设置有AR减反射膜(6)。
【文档编号】H01L31/042GK203386768SQ201320333316
【公开日】2014年1月8日 申请日期:2013年6月9日 优先权日:2013年6月9日
【发明者】金建江, 李叶生, 李林江 申请人:浙江金诺新能源科技有限公司
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