绿芯片加红荧光粉的长方型高光通led封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种绿芯片加红荧光粉的长方型高光通LED封装结构，包括支架和双电极绿光芯片，所述支架包括碗杯和杯壁；所述碗杯长方型结构；所述杯壁的纵截面为三角形，并位于碗杯的边缘，所述杯壁的杯口呈圆角矩形；所述碗杯的上表面安装有所述双电极绿光芯片，所述双电极绿光芯片通过两根导线与碗杯上的电极相连；所述双电极绿光芯片外侧固化有红色荧光粉胶体层。本实用新型能够提高发光亮度且降低成本。
【专利说明】 绿芯片加红荧光粉的长方型高光通LED封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED封装【技术领域】，特别是涉及一种绿芯片加红荧光粉的长方型高光通LED封装结构。
【背景技术】
[0002]现有LED封装中发光芯片采用的是AllnGaP芯片，由于AllnGaP芯片一般为单电极，封装时正负极性无法变通，AllnGaP为芯片本身的发光波长，其发光波长不可调，AllnGaP芯片材质较脆，容易损坏。同时采用AllnGaP芯片封装的LED光亮度较低，成本较闻。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种绿芯片加红荧光粉的长方型高光通LED封装结构，能够提高发光亮度且降低成本。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种绿芯片加红荧光粉的长方型高光通LED封装结构，包括支架和双电极绿光芯片，所述支架包括碗杯和杯壁；所述碗杯呈长方型结构；所述杯壁的纵截面为三角形，并位于碗杯的边缘，所述杯壁的杯口呈圆角矩形；所述碗杯上安装有所述双电极绿光芯片，所述双电极绿光芯片通过两根导线与碗杯上的电极相连；所述双电极绿光芯片外侧固化有红色荧光粉胶体层。
[0005]所述双电极绿光芯片为InGaN芯片。
[0006]所述红色荧光粉胶体层由红色荧光粉和环氧树脂或硅胶搅拌而成。
[0007]有益效果
[0008]由于采用了上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果:本实用新型采用双电极绿光芯片，在封装时极性可根据需要进行变通，可操作性更强。本实用新型的发光颜色可根据红色荧光粉的浓度进行调节，实现方式灵活多变。本实用新型中的双电极绿光芯片可选用InGaN芯片，该芯片材质较硬，可提高产品品质可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的结构示意图；
[0010]图2是本实用新型中杯口的结构示意图；
[0011]图3是本实用新型中绿光芯片的相对光谱图；
[0012]图4是本实用新型中红色荧光粉的相对光谱图；
[0013]图5是本实用新型的封装结构的相对光谱图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
[0015]本实用新型的实施方式涉及一种绿芯片加红荧光粉的长方型高光通LED封装结构，如图1所示，包括支架I和双电极绿光芯片2，所述支架I包括碗杯11和杯壁12 ;所述碗杯11呈长方型结构；所述杯壁12的纵截面为三角形，并位于碗杯11的边缘，所述杯壁12的杯口呈圆角矩形(见图2)，其中，圆角矩形是将标准矩形的四个角替换为对称圆弧形角的矩形；所述碗杯11的上表面安装有所述双电极绿光芯片2，所述双电极绿光芯片2通过两根导线3与碗杯11上的电极相连；所述双电极绿光芯片2周围固化有红色荧光粉胶体层4。其中，红色荧光粉胶体层4由红色荧光粉和环氧树脂或硅胶搅拌而成。由于杯壁的纵截面为三角形，杯壁的杯口呈圆角矩形，从而可增加光通量。
[0016]其中，所述红色荧光粉胶体层4的高度与所述杯壁12的高度相同。所述双电极绿光芯片2为InGaN芯片。本实用新型利用氮化物红色荧光粉(SrCa) AlSiN3: Eu/CaAlSin3: Eu加上515-535nm氮化铟稼(InGaN)的绿光芯片，通过调节荧光粉的浓度5%到70%，从而激发出535nm-620nm之间的任意波长的LED。表1是绿光芯片和不同浓度荧光粉封装后得到的产品光亮度表。
[0017]
【权利要求】
1.一种绿芯片加红荧光粉的长方型高光通LED封装结构，包括支架(I)和双电极绿光芯片(2)，其特征在于，所述支架(I)包括碗杯(11)和杯壁(12);所述碗杯(11)呈长方型结构；所述杯壁(12)的纵截面为三角形，并位于碗杯(11)的边缘，所述杯壁(12)的杯口呈圆角矩形；所述碗杯(11)的上表面安装有所述双电极绿光芯片(2)，所述双电极绿光芯片(2)通过两根导线(3 )与碗杯(11)上的电极相连；所述双电极绿光芯片(2 )周围固化有红色荧光粉胶体层(4)。
2.根据权利要求1所述的绿芯片加红荧光粉的长方型高光通LED封装结构，其特征在于，所述双电极绿光芯片(2)为InGaN芯片。
【文档编号】H01L33/36GK203415614SQ201320370058
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年6月25日 优先权日:2013年6月25日
【发明者】应园 申请人:宁波协源光电科技有限公司