一种隧穿磁电阻器件的制作方法
【专利摘要】实际应用中，隧穿磁电阻器件需要提供一定的偏置磁场，不同的应用需要的偏置磁场不尽相同。现有的方法是采用线圈提供偏置磁场，存在着结构复杂、功耗高等缺点。本实用新型提供一种隧穿磁电阻器件，包括铁电衬底、应力磁性相变材料层、绝缘层、铁磁层，其中，应力磁性相变材料层生长在铁电衬底上，绝缘层生长在应力磁性相变材料层上，铁磁层生长在绝缘层上。对铁电衬底施加电场，在电场的作用下，铁电衬底发生伸缩，应力传递给应力磁性相变材料层，改变其磁性状态，调节隧穿磁电阻器件的偏置状态。本实用新型具有与现有的电控制兼容、功耗低等优点。
【专利说明】—种隧穿磁电阻器件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及传感器领域，尤其涉及到一种隧穿磁电阻器件。
【背景技术】
[0002]磁传感器广泛的应用于生活、工业、航空等各行各业。隧穿磁电阻器件在室温下的磁电阻大于100%，在高灵敏度的磁传感器领域应用广发。实际应用中，隧穿磁电阻器件需要提供一定的偏置磁场，不同的应用需要的偏置磁场不尽相同。现有的方法是采用线圈提供偏置磁场，存在着结构复杂、功耗高等缺点。
实用新型内容
[0003]本实用新型提供一种隧穿磁电阻器件，利用应力磁性相变材料来制备隧穿磁电阻器件，依赖应力来控制隧穿磁电阻器件的偏置状态，具有与现有的电控制兼容、功耗低等优点。本实用新型所采取的技术方案为，一种隧穿磁电阻器件，包括铁电衬底、应力磁性相变材料层、绝缘层、铁磁层，其中，应力磁性相变材料层生长在铁电衬底上，绝缘层生长在应力磁性相变材料层上，铁磁层生长在绝缘层上。
[0004]对铁电衬底施加电场，在电场的作用下，铁电衬底发生伸缩，应力传递给应力磁性相变材料层，改变其磁性状态，调节隧穿磁电阻器件的偏置状态。本实用新型具有与现有的电控制兼容、功耗低等优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]图1为本实用新型的结构示意图。
[0006]图中:1铁电衬底、2应力磁性相变材料层、3绝缘层、4铁磁层。
【具体实施方式】
[0007]以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
[0008]图1为本实用新型的结构示意图，铁电衬底1、应力磁性相变材料层2、绝缘层3、铁磁层4，其中，应力磁性相变材料层2生长在铁电衬底I上，绝缘层3生长在应力磁性相变材料层2上，铁磁层4生长在绝缘层3上。对铁电衬底I施加电场，在电场的作用下，铁电衬底I发生伸缩，应力传递给应力磁性相变材料层2，改变其磁性状态，调节隧穿磁电阻器件的偏置状态。本实用新型具有与现有的电控制兼容、功耗低等优点。
[0009]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种隧穿磁电阻器件，包括铁电衬底、应力磁性相变材料层、绝缘层、铁磁层，其特征在于:所述的应力磁性相变材料层生长在铁电衬底上，绝缘层生长在应力磁性相变材料层上，铁磁层生长在绝缘层上。
【文档编号】H01L43/10GK203398167SQ201320405203
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年7月2日 优先权日:2013年7月2日
【发明者】徐荣 申请人:徐荣