一种厚膜高频微波衰减片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种厚膜高频微波衰减片，包括基片，基片上端面设有相对且平行放置的基板，基板之间放置有电阻，电阻与基板相互垂直，电阻两侧的基片上放置有与基板平行的电极。本实用新型从设计结构上对厚膜高频微波衰减片进行了改进优化，提高了该产品的使用频率，衰减精度更高，驻波比更小，频响曲线更平坦。
【专利说明】一种厚膜高频微波衰减片
[0001]【技术领域】:
[0002]本实用新型涉及衰减片加工技术，尤其涉及一种厚膜高频微波衰减片。
[0003]【背景技术】:
[0004]衰减器是为使输出端口提供的功率小于输入端口的入射功率而设计的双端口器件。
[0005]传统的厚膜高频微波衰减片一般采用单一的T性或Pi型电阻网络，使用频率低于3GHZ，因此，无法满足在更高频率领域内的精度，频响，驻波比。
[0006]实用新型内容:
[0007]为了弥补现有技术问题，本实用新型的目的是提供一种厚膜高频微波衰减片，提高了厚膜高频微波衰减片在更高频率领域内的精度，频响，驻波比。
[0008]本实用新型的技术方案如下:
[0009]厚膜高频微波衰减片，其特征在于:包括基片，基片上端面设有相对且平行放置的基板，基板之间放置有电阻，所述的电阻两侧的基片上放置有与基板平行的电极。
[0010]所述的厚膜高频微波衰减片，其特征在于:所述的基片采用陶瓷基片。
[0011]所述的厚膜高频微波衰减片，其特征在于:所述的电阻采用分布式电阻网络结构。
[0012]所述的厚膜高频微波衰减片，其特征在于:所述的基板、电阻、电极之间的基片空隙上设有膜状的绝缘涂层。
[0013]本实用新型的优点是:
[0014]本实用新型从设计结构上对厚膜高频微波衰减片进行了改进优化，提高了该产品的使用频率，衰减精度更高，驻波比更小，频响曲线更平坦。
[0015]【专利附图】
【附图说明】:
[0016]图1为本实用新型的结构示意图。
[0017]【具体实施方式】:
[0018]参见图1:
[0019]厚膜高频微波衰减片，包括基片1，基片I上端面设有相对且平行放置的基板2，基板2之间放置有电阻3，电阻3两侧的基片I上放置有与基板2平行的电极4，提高了该产品的使用频率，衰减精度更高，驻波比更小，频响曲线更平坦。
[0020]基片I采用陶瓷基片。
[0021]电阻3采用分布式集中电阻网络结构。
[0022]基板2、电阻3、电极4之间的基片空隙上设有膜状的绝缘涂层5。
【权利要求】
1.一种厚膜高频微波衰减片，其特征在于:包括基片，基片上端面设有相对且平行放置的基板，基板之间放置有电阻，所述的电阻两侧的基片上放置有与基板平行的电极。
2.根据权利要求1所述的厚膜高频微波衰减片，其特征在于:所述的基片采用陶瓷基片。
3.根据权利要求1所述的厚膜高频微波衰减片，其特征在于:所述的电阻采用分布式电阻网络结构。
4.根据权利要求1所述的厚膜高频微波衰减片，其特征在于:所述的基板、电阻、电极之间的基片空隙上设有膜状的绝缘涂层。
【文档编号】H01P1/22GK203423240SQ201320419945
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年7月15日 优先权日:2013年7月15日
【发明者】徐勇军, 王利, 陈启玉, 曹维常 申请人:安徽斯迈尔电子科技有限公司