一种集成封装led发光晶体芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种集成封装LED发光晶体芯片，包括支架、金属基板、基座孔、LED晶粒，金属基板两端上固定有支架，基座孔与LED晶粒交错布置在金属基板上，LED晶粒以阵列的形式排列，LED晶粒之间的间隔为1.8-11mm，所述的金属基板表面涂镀有高反射率涂层，涂层厚度为6-20μm，所述的金属基板上固定有与散热铝鳍板连接的热管。优点是：芯片通过银胶固化直接与金属基板绑定，减少了传统小功率光源必须通过附加一层FR4/铝基材料的焊接层环节，简化热通道，将热量直接通过金属铝基板传导到散热器上。以降低芯片结温，提高了LED晶粒性能；金属基板表面的高反射率涂层提高了发光效率。
【专利说明】一种集成封装LED发光晶体芯片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED灯制造【技术领域】，尤其涉及一种集成封装LED发光晶体芯片。
【背景技术】
[0002]传统LED光通量与白炽灯和荧光灯等通用光源相比，具有高效、节能、环保、使用寿命长的优势。
[0003]从节能减排的角度看，作为路灯，LED灯比普通高压纳灯节电可达60%以上，如推广在全省道路照明使用的400万盏高压纳灯全部采用LED路灯，每年就可节约用电达38亿度以上，相当于节省142万吨标准煤的发电量，经济和生态效益相当可观。
[0004]如果将现有的LED灯作为路灯，需要提高芯片的发光效率，有效降低淤积于光源内部的热量，而且通过多种形式串并联的芯片间连接，间接降低芯片上电流密度，减少热量的广生，提闻防尘防水等级。
实用新型内容
[0005]为克服现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种集成封装LED发光晶体芯片，提高发光效率。
[0006]为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案实现:
[0007]一种集成封装LED发光晶体芯片，包括支架、金属基板、基座孔、LED晶粒，金属基板两端上固定有支架，基座孔与LED晶粒交错布置在金属基板上，LED晶粒以阵列的形式排列，LED晶粒之间的间隔为1.8-llmm，所述的金属基板表面涂镀有高反射率涂层，涂层厚度为6-20 μ m,所述的金属基板上固定有与散热铝鳍板连接的热管。
[0008]所述的支架与金属基板为一体式结构。
[0009]所述的LED晶粒之间由铝导线连接。
[0010]所述的LED晶粒通过银胶固化在金属基板上。
[0011 ] 所述的金属基板的覆铜层大于或等于90 μ m。
[0012]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:
[0013]芯片通过银胶固化直接与金属基板绑定，减少了传统小功率光源必须通过附加一层FR4/铝基材料的焊接层环节，简化热通道，将热量直接通过金属铝基板传导到散热器上。以降低芯片结温，提高了 LED晶粒性能；支架与金属基板的一体式结构提高了密封度，增强防尘效果；金属基板表面的高反射率涂层提高了发光效率；LED晶粒的阵列排列使发光更加均匀。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是本实用新型的结构示意图。
[0015]图中:1_支架，2-金属基板，3-基座孔，4-LED晶粒。【具体实施方式】
[0016]下面结合说明书附图对本实用新型进行详细地描述，但是应该指出本实用新型的实施不限于以下的实施方式。
[0017]见图1，集成封装LED发光晶体芯片，包括支架1、金属基板2、基座孔3、LED晶粒4，金属基板2两端上固定有支架1，基座孔3与LED晶粒4交错布置在金属基板2上，LED晶粒4以阵列的形式排列，LED晶粒4之间的间隔为1.8-llmm，所述的金属基板2表面涂镀有高反射率涂层，涂层厚度为6-20 μ m，所述的金属基板2上固定有与散热铝鳍板连接的热管。
[0018]所述的支架I与金属基板2为一体式结构。
[0019]所述的LED晶粒4之间由铝导线连接。
[0020]所述的LED晶粒4通过银胶固化在金属基板2上。
[0021]所述的金属基板2的覆铜层大于或等于90 μ m。
[0022]利用热管导热，将热量传导到散热铝鳍板，由于热管本身具有体积小、重量轻、造价低、无能耗、高效率等优点，因而可提升整个芯片的热导效率。
[0023]将本芯片应用到路灯时，可将多个芯片拼接组成大规模的路灯，也可加大金属基板面积，增加LED晶粒数量，提高照明度。
[0024]本实用新型芯片通过银胶固化直接与金属基板绑定，减少了传统小功率光源必须通过附加一层FR4/铝基材料的焊接层环节，简化热通道，将热量直接通过金属铝基板传导到散热器上。以降低芯片结温，提高了 LED晶粒性能；提高金属基板的覆铜层厚度，由原来的不足60 μ m，提高到90 μ m以上，增加了导电率，增强了散热效果；支架与金属基板的一体式结构提高了密封度，增强防尘效果；金属基板表面的高反射率涂层提高了发光效率；LED晶粒的阵列排列使发光更加均匀。
【权利要求】
1.一种集成封装LED发光晶体芯片，其特征在于，包括支架、金属基板、基座孔、LED晶粒，金属基板两端上固定有支架，基座孔与LED晶粒交错布置在金属基板上，LED晶粒以阵列的形式排列，LED晶粒之间的间隔为1.8-11_，所述的金属基板表面涂镀有高反射率涂层，涂层厚度为6-20 μ m ;所述的金属基板上固定有与散热铝鳍板连接的热管。
2.根据权利要求1所述的一种集成封装LED发光晶体芯片，其特征在于，所述的支架与金属基板为一体式结构。
3.根据权利要求1所述的一种集成封装LED发光晶体芯片，其特征在于，所述的LED晶粒之间由铝导线连接。
4.根据权利要求1所述的一种集成封装LED发光晶体芯片，其特征在于，所述的LED晶粒通过银胶固化在金属基板上。
5.根据权利要求1所述的一种集成封装LED发光晶体芯片，其特征在于，所述的金属基板的覆铜层大于或等于90 μ m。
【文档编号】H01L33/60GK203536468SQ201320644054
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年10月18日 优先权日:2013年10月18日
【发明者】罗学民, 肖飞, 吴冰 申请人:长兴恒动光电有限公司