层叠陶瓷电容器的制造方法
【专利摘要】本发明的课题是提供一种即使使内部电极层薄层化也能够防止静电电容和电容温度特性的恶化的层叠陶瓷电容器。用于解决课题的方案是：构成层叠陶瓷电容器的电介质层（14）的陶瓷晶粒包括粗晶陶瓷晶粒SPr，该粗晶陶瓷晶粒SPr的粗晶粒径Dcoa，在电介质层（14）的最大厚度为Tmax、电介质层（14）的最小厚度为Tmin时，满足Tmin≤Dcoa≤Tmax的条件。
【专利说明】层叠陶瓷电容器
【技术领域】
[0001]本发明涉及具有内部电极层和电介质层交替层叠的结构的层叠陶瓷电容器。
【背景技术】
[0002]对层叠陶瓷电容器的小型化和大容量化的需求依然较高，为了满足该需求需要使内部电极层和电介质层更加薄层化(参照专利文献I)。
[0003]鉴于层叠陶瓷电容器的内部电极层由相互结合的多种粒径的金属晶粒构成，并且电介质层由相互结合的多种粒径的陶瓷晶粒构成，原则上，作为各原料晶粒使用更细小的金属晶粒和陶瓷晶粒时，能够实现内部电极层和电介质层的进一步薄层化。
[0004]但是，电介质层的原料晶粒通常使用属于强电介质的陶瓷晶粒例如碳酸钡晶粒，但属于强电介质的陶瓷晶粒因尺寸效果的影响，粒径变得越小，相对介电常数越降低。即，使用更加细小的陶瓷晶粒作为电介质层的原料晶粒实现该电介质层的薄层化时，有时电介质层的介电常数的降低导致层叠陶瓷电容器的静电电容和电容温度特性发生恶化。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献I :日本特开2007-258566号公报
【发明内容】
[0008]发明想要解决的技术问题
[0009]本发明的目的在于提供即便使内部电极层薄层化也能够防止静电电容和电容温度特性的恶化的层叠陶瓷电容器。
[0010]用于解决技术问题的技术方案
[0011]为了达成上述目的，本发明提供一种层叠陶瓷电容器，其具有由相互结合的多种粒径的金属晶粒构成的内部电极层、和由相互结合的多种粒径的陶瓷晶粒构成的电介质层交替层叠的结构，该层叠陶瓷电容器的特征在于：构成上述电介质层的陶瓷晶粒包括粗晶陶瓷晶粒，该粗晶陶瓷晶粒的粗晶粒径Dcoa,在上述电介质层的最大厚度为Tmax、上述电介质层的最小厚度为Tmin时,满足Tmin ( Dcoa ( Tmax的条件。
[0012]发明效果
[0013]根据本发明，构成电介质层的陶瓷晶粒包括粗晶陶瓷晶粒，该粗晶陶瓷晶粒的粗晶粒径Dcoa满足电介质层的最小厚度Tmin ( Dcoa (电介质层的最大厚度Tmax的条件，因此即便使内部电极层薄层化也能够防止静电电容和电容温度特性的恶化。
[0014]本发明的上述目的及其以外的目的、构成特征和作用效果，通过以下的说明和附图变得明确。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图I是层叠陶瓷电容器的纵截面图。[0016]图2是图I所示的层叠陶瓷电容器的A部放大图。
[0017]图3 (A)?图3 (F)是图I所示的层叠陶瓷电容器的制法说明图。
[0018]图4是表示样品I?17的规格和特性的图。
【具体实施方式】
[0019](层叠陶瓷电容器的整体结构）
[0020]图I表示层叠陶瓷电容器10的纵截面图。该层叠陶瓷电容器10具备：长度、宽度和高度的基准尺寸具有长度 > 宽度=高度的关系、或长度> 宽度 >高度的关系的大致长方体形状的电容器主体11 ;和设置在该电容器主体11的长度方向两端部的一对外部电极12。
[0021]电容器主体11具有内部电极层13和电介质层14在高度方向上交替层叠的结构，在高度方向的最上位部分和最下位部分存在仅层叠有电介质层14的边缘(无附图标记)。各内部电极层13呈具有比电容器主体11的长度和宽度小的长度和宽度的大致矩形形状，在图I中，从上方起第奇数个的内部电极层13的左端缘与左侧的外部电极12电连接，且从上方起第偶数个的内部电极层13的右端缘与右侧的外部电极12电连接。另外，图I中为了方便表示出共计26层的内部电极层13，但与小型化和大电容化相应的层叠陶瓷电容器10的内部电极层13的层数达到100以上。
[0022]虽然省略图示，但是各外部电极12具有由镍、铜等形成的基底层；和形成在该基底层的表面的由锡、钯、金、锌等形成的表面层构成的两层结构，或者，在这些基底层和表面层之间设置有由钼、钯、金、铜、镍等形成的中间层而构成的三层结构。
[0023](内部电极层和电介质层的详细结构）
[0024]图2表示图I所示的层叠陶瓷电容器10的A部放大图。并且，该图2是基于利用扫描型电子显微镜（Scanning Electron Microscope)观察后述样品I的与图I对应的纵截面而得到的图像。
[0025]各内部电极层13由相互结合的多种粒径的金属晶粒构成，各电介质层14由相互结合的多种粒径的陶瓷晶粒SP构成。构成各内部电极13的金属晶粒包括镍、铜、钯、银之中的至少一种晶粒，构成各电介质层14的陶瓷晶粒SP由包括属于强电介质的碳酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、锆酸钙、锆钛酸钙、锆酸钡、氧化钛之中的任意种的晶粒构成。
[0026]另外，在各电介质层14的上侧界面IFu和下侧界面IFd呈现上侧界面IFu的起伏(高低差Λ Tu) >下侧界面IFd的起伏(高低差Λ Td)的大致波形的起伏。对于呈现这种起伏的原因，在后述《层叠陶瓷电容器的制法》中说明。
[0027]根据图2可知，当使电介质层14的最大厚度为Tmax、电介质层14的最小厚度为Tmin时,构成各电介质层14的陶瓷晶粒SP最少包含一个满足Tmin ( Dcoa ( Tmax的条件的粗晶粒径Dcoa的粗晶陶瓷晶粒SPr。当粗晶陶瓷晶粒SPr的粗晶粒径Dcoa比最小厚度Tmin小时，难以防止作为所期望的课题的静电电容和电容温度特性的恶化。另外，能够获得如图2的左上的粗晶陶瓷晶粒SPr那样最大厚度Tmax与粗晶粒径Dcoa大致相同的形态，所以，粗晶陶瓷晶粒SPr的粗晶粒径Dcoa的上限值可以认为是最大厚度Tmax。
[0028]另外，构成各电介质层14的陶瓷晶粒SP中所包括的粗晶陶瓷晶粒SPr的比例在25?50vol %的范围内，更优选在30?40vol %的范围内。构成各电介质层14的陶瓷晶粒SP中所包括的粗晶陶瓷晶粒SPr的比例小于25ν01%时，难以防止作为所期望的课题的静电电容和电容温度特性的恶化。另外，构成各电介质层14的陶瓷晶粒SP中所包括的粗晶陶瓷晶粒SPr的比例超过50Vol%时，难以将短路的发生抑制得较低。并且，构成各电介质层14的陶瓷晶粒SP中所包括的粗晶陶瓷晶粒SPr的比例超过50vol%时,难以进行各电介质层14的薄层化，即难以使根据（Tmax + Tmin) /2的式、或根据Tmin + [(Δ Tu +Δ Td)/2]的式求出的平均厚度Tabe较薄。
[0029]并且，当使各电介质层14的平均厚度为Tabe时，构成各电介质层14的陶瓷晶粒SP (包含粗晶陶瓷晶粒SPr)的平均粒径Dabe满足O. 15 X Tabe ( Dabe ( O. 3 X Tabe的条件，更优选满足O. 18 X Tabe ^ Dabe ^ O. 25 X Tabe的条件。当构成各电介质层14的陶瓷晶粒SP的平均粒径Dabe小于O. 15XTabe时，难以防止作为所期望的课题的静电电容和电容温度特性的恶化。另外，构成各电介质层14的陶瓷晶粒SP的平均粒径Dabe大于O. 3 X Tabe时，难以将短路的发生抑制得较低。
[0030]《层叠陶瓷电容器的制法》
[0031]图3 (A)~图3 (F)表示图I所示的层叠陶瓷电容器10的制法。在制造时，首先，准备陶瓷浆料和电极膏。陶瓷浆料至少包含陶瓷晶粒、溶剂和粘合剂，根据需要含有各种添加剂。另外，电极膏至少包含金属晶粒、溶剂和粘合剂，根据需要包含各种添加剂。
[0032]陶瓷浆料所含的陶瓷晶粒由包括属于强电介质的碳酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、锆酸钙、锆钛酸钙、锆酸钡、氧化钛之中的任意种的晶粒构成，具有规定的d50 (中值粒径）和粒径分布。另外，溶剂包含甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、二甲苯之中的至少一种，粘合剂包含聚乙烯醇缩丁醛、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚乙烯醇缩醛之中至少一种。各种添加剂能 够使用分散剂、可塑剂、均化剂等，分散剂能够利用阳离子类分散剂、阴离子类分散剂、非离子类分散剂、两性界面活性剂、高分子类分散剂等，可塑剂和均化剂并无特别限制，能够利用公知的产品。
[0033]电极膏中包含的金属晶粒由镍、铜、钯、银之中的至少一种晶粒形成，具有规定的d50(中值粒径)和粒径分布。另外，溶剂包含松油醇（α、β、Y和它们的混合物)、二氢松油醇、乙酸二氢松油酯、辛醇、癸醇、十三醇、二乙二醇一丁醚、二乙二醇一丁醚乙酸酯、甲苯、乙醇的之中至少一种。粘合剂包含乙基纤维素、硝酸纤维素、丙烯酸树脂、聚乙烯醇缩丁醛之中的至少一种。各种添加剂能够使用分散剂、可塑剂、均化剂等，分散剂能够利用阳离子类分散剂、阴离子类分散剂、非离子类分散剂、两性界面活性剂、高分子类分散剂等，可塑剂和均化剂并无特别限制，能够利用公知的产品。
[0034]接着，如图3 (A)所示，使用利用刮刀、缝模等的涂敷机将上述陶瓷浆料涂敷在由聚对苯二甲酸乙二醇酯等形成的基膜BF的上表面，使该涂敷物干燥，在基膜BF上制作形成有规定厚度tl的浆料层SL的第一层叠用片。多种粒径的陶瓷晶粒不规则地排列在该浆料层SL内。
[0035]另外，如图3 (B)所示，利用使用丝网、凹版的印刷机将上述电极膏印刷在第一层叠用片的浆料层SL的上表面，使该印刷物干燥，在浆料层SL上以规定厚度t2制作规定形状的膏层PL按规定排列形成的第二层叠用片。在该膏层PL内多种粒径的金属晶粒不规则地排列。
[0036]接着，如图3 (C)所示，将第一层叠用片的浆料层SL以规定尺寸冲裁，将所冲裁的浆料层SL吸附在吸附头AH的平坦的下表面进行搬送，将该浆料层SL放置在层叠台LT的平坦的上表面。然后，同样地将所冲裁的浆料层SL吸附在吸附头AH的平坦的下表面进行搬送，将该浆料层SL重叠在层叠台LT上的浆料层SL的上表面进行热压接，并将该操作重复规定次数。
[0037]如图3 (D)所示，存在被热压接的规定层数的浆料层SL’之间为相同组成的情况，未显现能够识别的界面，但在热压接前的各浆料层SL内不规则排列的多种粒径的陶瓷晶粒在热压接过程中发生位移，因此，在热压接后的假想的相互接触面(参照虚线）具有起伏。
[0038]接着，如图3 (D)所示，将第二层叠用片的浆料层SL以规定尺寸冲裁，将所冲裁的浆料层SL (包含多个膏层PL)的膏层PL侧吸附在吸附头AH的平坦的下表面进行搬送，将该浆料层SL重叠在已热压接过的浆料层SL’的上表面进行热压接。然后，同样地将所冲裁的浆料层SL (包含多个膏层PL)的膏层PL侧吸附在吸附头AH的平坦的下表面进行搬送，将该浆料层SL重叠在已热压接过的膏层PL’的上表面进行热压接，并将该操作重复规定次数。
[0039]如图3 (E)所示，存在在被热压接的规定层数的浆料层SL’和膏层PL’之间为不同种组成的情况，出现能够识别的界面，而且，由膏层PL’夹着的浆料层SL’的上侧界面的大致波形的起伏比下侧界面的大致波形的起伏大。出现这种起伏的理由能够列举是：在热压接前的各浆料层SL内不规则排列的多种粒径的陶瓷晶粒在热压接过程中发生位移，而且所冲裁的浆料层SL以其膏层PL侧被吸附在吸附头AH的平坦的下表面的状态被热压接，因此在热压接过程中在浆料层SL的上侧界面容易产生起伏。
[0040]接着，如图3 (E)所示，将第一层叠用片的浆料层SL以规定尺寸冲裁，将所冲裁的浆料层SL吸附在吸附头AH的平坦的下表面进行搬送，将该浆料层SL重叠在已热压接过的膏层PL’的上表面进行热压接。然后，同样地将所冲裁的浆料层SL吸附在吸附头AH的平坦的下表面进行搬送，将该浆料层SL重叠在已热压接过的浆料层SL’的上表面进行热压接，并将该操作重复规定次数。
[0041]如图3 (F)所示，存在被热压接的规定层数的浆料层SL’之间为相同组成的情况，未显现能够识别的界面，但在热压接前的各浆料层SL内不规则排列的多种粒径的陶瓷晶粒在热压接过程中发生位移，因此，在热压接后的假想的相互接触面(参照虚线）具有起伏。
[0042]接着,对上述热压接物,通过热等静压机（hot isostatic pressing)等的压制机进行最终的热压接，制作层叠物。接着，将层叠物通过切割装置等的切断机切断为格子状，制作与图I所示的电容器主体11对应的芯片。接着，将多个芯片投入烧成炉，在规定条件下下进行烧成(包含脱粘合剂处理)。
[0043]烧成后的芯片与图I所示的电容器主体11相当，因此，成为具有图2所示的内部电极层13和电介质层14的结构。能够采用下述的两个方法，使得构成烧成后的芯片的电介质层14的陶瓷晶粒SP包含粗晶陶瓷晶粒SPr,该粗晶陶瓷晶粒SPr的粗晶粒径Dcoa满足Tmin ( Dcoa ( Tmax的条件（Tmin是电介质层14的最小厚度,Tmax是电介质层14的最大厚度)。
[0044]第一种方法为：作为上述陶瓷浆料中所包含的陶瓷晶粒，使用（I)具有包含与粗晶粒径Dcoa的粗晶陶瓷晶粒SPr近似的粗晶陶瓷晶粒的粒径分布的、例如在d95前后存在粗晶粒径Dcoa的一种陶瓷晶粒、(2)在具有不包含粗晶粒径Dcoa的粗晶陶瓷晶粒SPr的粒径分布的陶瓷晶粒中添加有粗晶粒径Dcoa的粗晶陶瓷晶粒SPr的混合物、(3) d50小的陶瓷晶粒和d50大且在d95前后存在粗晶粒径Dcoa的陶瓷晶粒的混合物。
[0045]在该方法中，与上述陶瓷浆料中所包含的陶瓷晶粒的粒径分布近似的粒径分布显现于构成烧成后的芯片的电介质层14的陶瓷晶粒SP，因此，将氧化镁、碳酸钡、碳酸钙、碳酸锰、二氧化锰、氧化钦、氧化铒、氧化镱等的晶粒成长抑制剂预先添加至上述陶瓷浆料中，期望极力抑制在上述烧成过程中的粒径分布的变动。另外，如果预先调整上述陶瓷浆料中所包含的陶瓷晶粒的粒径分布，能够使构成烧成后的芯片的电介质层14的陶瓷晶粒SP所包括的粗晶陶瓷晶粒SPr的比例收敛于25~50VOl%的范围内，构成烧成后的芯片的电介质层14的陶瓷晶粒SP的平均粒径Dabe能够满足O. 15XTabe ( Dabe ( O. 3XTabe的条件（Tabe为电介质层14的平均厚度)。
[0046]第二种方法为：作为上述陶瓷浆料中所包含的陶瓷晶粒，使用具有不包含粗晶粒径Dcoa的粗晶陶瓷晶粒SPr的粒径分布的陶瓷晶粒，通过在上述烧成过程中的陶瓷晶粒的粒成长形成粗晶陶瓷晶粒SPr。
[0047]在该方法中，与上述陶瓷浆料中所包含的陶瓷晶粒的粒径分布不同的粒径分布显现于构成烧成后的芯片的电介质层14的陶瓷晶粒SP，因此，构成烧成后的芯片的电介质层14的陶瓷晶粒SP中所包含的粗晶陶瓷晶粒SPr的粗晶粒径Dcoa满足Tmin ( Dcoa ( Tmax的条件（Tmin为电介质层14的最小厚度,Tmax为电介质层14的最大厚度),另外,构成烧成后的芯片的电介质层14的陶瓷晶粒SP中所包含的粗晶陶瓷晶粒SPr的比例收敛于25~50Vol%的范围内，并且，为了使构成烧成后的芯片的电介质层14的陶瓷晶粒SP所包括的陶瓷晶粒SP的平均粒径Dabe满足O. 15XTabe ( Dabe ( O. 3XTabe的条件（Tabe为电介质层14的平均厚度)，期望在考虑粒径分布的变动的基础上，根据需要将上述相同的粒成长抑制剂预先添加于上述陶瓷浆料中。
[0048]接着，利用浸溃涂敷机、辊涂敷机等的涂敷机在烧成后的芯片的长度方向两端部涂敷与上述电极膏相同的电极膏，对该涂敷物实施烧结处理，形成图I所示的外部电极12的基底层。而且，通过电镀等 的镀层法在基底层的表面形成表面层，制作2层结构的外部电极12。或者，通过电镀等的镀层法在基底层的表面依次形成中间层和表面层，制作3层结构的外部电极12。
[0049](由层叠陶瓷电容器能够获得的效果）
[0050]为了验证通过图I和图2所示的层叠陶瓷电容器10能够获得的效果，根据上述《层叠陶瓷电容器的制法》制造下述样品I~17 (层叠陶瓷电容器）各120个。
[0051](样品I)
[0052]·电容器主体的基准尺寸：长度1.0mm、宽度O. 5mm、高度O. 2mm
[0053]·内部电极层
[0054]?平均厚度：0·7μηι
[0055]?层数：100
[0056]·金属晶粒：镍
[0057]?平均粒径：0·2μπι
[0058]·电介质层
[0059]?最小厚度 Tmin :0· 4 μ m
[0060]?最大厚度 Tmax :1. O μ m[0061]·平均厚度 Tabe ：0. 6 μ m
[0062]?层数：100
[0063]·陶瓷晶粒SP :钛酸钡
[0064]·粗晶粒径 Dcoa ：0. 75 μ m
[0065]·平均粒径 Dabe ：0. Ilum
[0066]·粗晶陶瓷晶粒的比例：30vol%
[0067](样品2)
[0068]粗晶粒径Dcoa为O. 90 μ m,除此之外，与样品I相同。
[0069](样品3)
[0070]粗晶粒径Dcoa为O. 45 μ m,除此之外，与样品I相同。
[0071](样品4)
[0072]粗晶粒径Dcoa为O. 35 μ m,除此之外，与样品I相同。
[0073](样品5)`[0074]粗晶陶瓷晶粒的比例为25vol%，除此之外，与样品I相同。
[0075](样品6)
[0076]粗晶陶瓷晶粒的比例为35vol%，除此之外，与样品I相同。
[0077](样品7)
[0078]粗晶陶瓷晶粒的比例为40vol%，除此之外，与样品I相同。
[0079](样品8)
[0080]粗晶陶瓷晶粒的比例为45vol%，除此之外，与样品I相同。
[0081](样品9)
[0082]粗晶陶瓷晶粒的比例为50vol%，除此之外，与样品I相同。
[0083](样品10)
[0084]粗晶陶瓷晶粒的比例为20vol%，除此之外，与样品I相同。
[0085](样品11)
[0086]粗晶陶瓷晶粒的比例为55vol%，除此之外，与样品I相同。
[0087](样品12)
[0088]平均粒径Dabe为0.09 μ m,除此之外，与样品I相同。
[0089](样品13)
[0090]平均粒径Dabe为O. 13 μ m，除此之外，与样品I相同。
[0091](样品14)
[0092]平均粒径Dabe为O. 15 μ m，除此之外，与样品I相同。
[0093](样品15)
[0094]平均粒径Dabe为O. 17 μ m，除此之外，与样品I相同。
[0095](样品16)
[0096]平均粒径Dabe为0.07 μ m,除此之外，与样品I相同。
[0097](样品17)
[0098]平均粒径Dabe为O. 21 μ m，除此之外，与样品I相同。
[0099]图4表示上述样品I~17的规格和特性，以下对该图所示的规格和特性的测定方法进行说明。
[0100]对于各样品I~17中的电介质层的Tmin(最小厚度)、Tmax(最大厚度)和Tabe(平均厚度)，准备样品I~17各10个,用扫描型电子显微镜（Scanning Electron Microscope)以3000倍的倍率观察各个样品的与图I对应的纵截面，分别测定位于观察范围内的电介质层的Tmin (最小厚度）和Tmax (最大厚度)，以10个Tmin (最小厚度）的平均值和10个Tmax (最大厚度）的平均值为样品I~17各自的Tmin (最小厚度）和Tmax (最大厚度)，并且以利用该Tmin (最小厚度）和Tmax (最大厚度）求出的平均厚度为样品I~17各自的Tabe (平均厚度)。
[0101]另外，对于各样品I~17中的陶瓷晶粒的Dcoa (粗晶粒径)、比例和Dabe (平均粒径)，测定位于上述观察范围内的全部陶瓷晶粒的粒径，在上述观察范围内的陶瓷晶粒的数量不足300个的情况下，继续测定位于另外的观察范围内的全部陶瓷晶粒的粒径使得测定数量达到300以上，在此基础上，基于Dcoa (粗晶粒径）及其截面积分别测定粗晶晶粒的体积比例和Dabe (平均粒径)，以10个Dcoa (粗晶粒径)的平均值、10个体积比例的平均值和10个Dabe (平均粒径）的平均值为样品I~17各自的Dcoa (粗晶粒径)、比例和Dabe (平均粒径)。
[0102]另外准备样品I~17各10个，对于各样品I~17的特性的介电常数和静电电容和电容变化率，在频率ΙΚΗζ、电压IV在25°C气氛下，分别测定电介质层的介电常数和整体的静电电容，并且，对它们在85°C气氛下再次分别测定整体的静电电容，按百分比分别求出相对从25°C至85°C的温度变化的电容变化率（电容減少率)，以10个介电常数的平均值、10个静电电容的平均值和10个电容变化率的平均值作为样品I~17各自的介电常数、静电电容和电容变化率。[0103]另外准备样品I~17各100个，对于各样品I~17的特性的短路率，设在DC电压IV下电阻值小于1ΚΩ的样品为短路，将100个样品之中发生短路的样品数量以百分率表示的结果作为样品I~17各自的短路率。
[0104]从图4可知，构成电介质层14的陶瓷晶粒SP中所包括的粗晶陶瓷晶粒SPr的粗晶粒径Dcoa满足Tmin ( Dcoa ( Tmax的条件的样品I~3的静电电容，比粗晶粒径Dcoa不满足该条件的样品4的静电电容高，并且，该样品I~3的电容变化率（电容温度特性)t匕粗晶粒径Dcoa不满足该条件的样品4的电容变化率（电容温度特性）良好（±18%以内）。
[0105]另外，从图4可知，构成电介质层14的陶瓷晶粒SP所包括的粗晶陶瓷晶粒SPr的比例在25~50vol%的范围内的样品I和5~9的静电电容，比粗晶陶瓷晶粒SPr的比例在该范围外的样品10的静电电容高，并且，该样品I和5~9的短路率比粗晶陶瓷晶粒SPr的比例在该范围外的样品11的短路率低（15%以下)。
[0106]而且，在样品I和5~9中，粗晶陶瓷晶粒SPr的比例在30~40vol %的范围内的样品1、6和7的电容变化率（电容温度特性)，也比粗晶陶瓷晶粒SPr的比例在该范围外的样品5的电容变化率（电容温度特性）良好（± 15 %以内），并且，该样品I、6和7的短路率也比粗晶陶瓷晶粒SPr的比例在该范围外的样品8和9的短路率低（8%以下)。
[0107]另外，从图4可知，构成电介质层14的陶瓷晶粒SP的平均粒径Dabe满足
O.15 X Tabe ( Dabe ( O. 3 X Tabe 的条件（在此，0.09 μ m ^ Dabe ( O. 18 μ m)的样品 I 和12~15的静电电容，比平均粒径Dabe不满足该条件的样品16的静电电容高，并且该样品I和12~15的短路率比平均粒径Dabe不满足该条件的样品17的短路率低（12%以下)。[0108]而且，在样品I和12~15中，平均粒径Dabe满足O. 18XTabe≤Dabe≤O. 25XTabe的条件(在此，O. 108 μ m ^ Dabe ( O. 15 μ m)的样品1、13和14的电容变化率（电容温度特性)，比平均粒径Dabe不满足该条件的样品12的电容变化率（电容温度特性）良好（±15%以内），并且，该样品1、13和14的短路率比平均粒径Dabe不满足该条件的样品15的短路率低（10%以下）。
[0109]附图标记说明
[0110]10…层叠陶瓷电容器;11…电容器主体;12…外部电极;13…内部电极层;14…电介质层；SP···陶瓷晶粒；SPr···粗晶陶瓷晶粒。
【权利要求】
1.一种层叠陶瓷电容器，其特征在于： 具有由相互结合的多种粒径的金属晶粒构成的内部电极层、和由相互结合的多种粒径的陶瓷晶粒构成的电介质层交替层叠的结构， 构成所述电介质层的陶瓷晶粒包括粗晶陶瓷晶粒，该粗晶陶瓷晶粒的粗晶粒径Dcoa,在所述电介质层的最大厚度为Tmax、所述电介质层的最小厚度为Tmin时，满足Tmin ^ Dcoa ^ Tmax 的条件。
2.如权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于： 构成所述电介质层的陶瓷晶粒中所包括的所述粗晶陶瓷晶粒的比例在25~50vol%的范围内。
3.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于： 构成所述电介质层的陶瓷晶粒的平均粒径Dabe，在所述电介质层的平均厚度为Tabe时，满足 O. 15XTabe ( Dabe ( O. 3XTabe 的条件。
【文档编号】H01G4/12GK103718260SQ201380002427
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年3月6日 优先权日:2012年3月7日
【发明者】小西幸宏, 粕谷雄一, 西川润, 谷口克哉, 水野高太郎, 小和瀬裕介, 北村翔平 申请人:太阳诱电株式会社