强化基板加热控制的有无基座式基板支座的基板处理系统的制作方法
【专利摘要】在此提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括：第一环，在基板的周边边缘附近支撑所述基板；第二环，设置在所述第一环周围；和路径，形成在所述第一环与所述第二环之间，使所述第一环得以对所述第二环旋转，其中所述路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进，所述第一空间设置在所述第一环与所述第二环下方，而所述第二空间设置在所述第一环与所述第二环上方。
【专利说明】强化基板加热控制的有无基座式基板支座的基板处理系统
【技术领域】
[0001 ] 本发明的实施方式一般涉及基板处理系统。
【背景技术】
[0002]当装置的临界尺寸持续缩小，基板处理系统需要更敏感地控制加热、气体流量与类似条件。发明人已观察到，基板处理系统(例如设置成用于外延沉积工艺的基板处理系统)可通过在无须基座板支撑基板的情况下使用多区域灯而实现改善的工艺控制，该基座板会使多区块的加热功效非期望地热平均(average)。
[0003]因此，发明人已提供改良的用于处理基板的方法和设备。
【发明内容】
[0004]在此提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，该处理配件包括:第一环，在基板的周边边缘附近支撑该基板；第二环，设置在该第一环周围；和路径，形成在该第一环与该第二环之间，该路径使该第一环得以对该第二环旋转，其中该路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进，该第一空间设置在该第一环与该第二环下方，而该第二空间设置在该第一环与该第二环上方。
[0005]在一些实施方式中，一种设备包括:处理腔室，该处理腔室具有基板支座，该基板支座包括第一环，该第一环在基板的周边边缘支撑该基板；第二环，设置在该基板支座周围；灯头，当基板设置在该基板支座上时该灯头提供能量给该基板；温度传感器，与该灯头相对，以测量从该基板辐射的能量；和路径，形成在该第一环与该第二环之间，使该第一环得以相对该第二环旋转，其中该路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进，该第一空间设置在该第一环与该第二环下方，而该第二空间设置在该第一环与该第二环上方。
[0006]其他与进一步的本发明实施方式于下文中描述。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]通过参考于附图中描绘的说明性质的本发明的实施方式，可了解于上文中简要概括且于下文中将详细讨论的本发明的实施方式。然而应注意附图仅描绘本发明的典型实施方式，因而不应视为限制本发明的范围，因为本发明可允许其他同等有效的实施方式。
[0008]图1描绘根据本发明的一些实施方式的基板处理系统的示意性视图。
[0009]图2A至图2D描绘根据本发明的一些实施方式的基板支座的示意性部分侧视图。
[0010]图3描绘根据本发明的一些实施方式的基板支座的示意性部分侧视图。
[0011]图4描绘根据本发明的一些实施方式的基板支座的示意性部分侧视图。
[0012]图5描绘根据本发明的一些实施方式的基板支座的示意性部分侧视图。
[0013]为助于了解，如可能则使用同一标号来表示附图所共有的同一元件。所述图式并未按照比例尺绘制，且可能为了明确起见而经简化。预期一个实施方式的元件与特征可有利地并入其他实施方式中，而无须进一步记叙。
【具体实施方式】
[0014]在此提供用于处理基板的方法和设备。一些实施方式中，本发明的设备可有利地提供基板处理系统中强化的基板热控制，该基板处理系统在无基座板的情况下支撑基板。下文中将讨论本发明的其他与进一步的实施方式。
[0015]在此公开的本发明的方法和设备的实施方式可适于用在任何适合的处理腔室，所述处理腔室包括那些适于执行外延沉积工艺的处理腔室，诸如RP EPI反应器，该反应器可购自美国加州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials, Inc.)。在下文中,针对图1描述示范性的处理腔室，图1描绘根据本发明的一些实施方式的半导体基板处理腔室100的示意截面视图。处理腔室100可例如适于执行外延沉积工艺，且包括腔室主体110、支持系统130和控制器140 (此仅为用作说明)。描绘于图1的处理腔室仅为说明性质，而其他处理腔室(包括构造成用于除了外延沉积工艺之外的工艺的那些处理腔室)可根据在此提供的教导修改。
[0016]腔室主体110大体上包括上部102、下部104和包壳(enclosure) 120。真空系统123可耦接腔室主体110，以助于在腔室主体110内维持期望压力。在一些实施方式中，真空系统123可包括节流阀(图中未示)和真空泵119，所述节流阀和真空泵119用于使腔室主体110排气(exhaust)。在一些实施方式中，腔室主体110内的压力可通过调整节流阀和/或真空泵119而调节。上部102设置在下部104上，且包括盖106、夹持环108、第一衬垫116、基底板112和上高温计156。在一些实施方式中，盖106具有圆顶状的形状因子(formfactor)，然而，也应考量具有其他形状因子的盖(例如，扁平或反曲线的盖)。
[0017]下部104耦接处理气体引入通口 114和排气通口 118，且该下部104包括基底板组件121、下圆顶132、基板支座124、预热环(例如，第二环122，将在下文中讨论)、下衬垫111和灯头138，该灯头138可包括排列于多个区域中的多盏灯，其中每一灯区域可分别受到控制。尽管用语“环”用于描述处理腔室100的某些部件(诸如预热环)，应考量，这些部件的形状不需为圆形，且可包括任何形状，这些形状包括(但不限于)矩形、多边形、卵形与类似形状。气源117可耦接腔室主体110，以提供一或多种处理气体给该腔室主体110。在一些实施方式中，净化器115可耦接气源117，以在所述一或多种处理气体进入腔室主体110之前先过滤或净化所述一或多种处理气体。
[0018]基板支座(诸如基板支座124)的一些实施方式描绘于图1和图2A至图2B中。基板支座124可包括可适于与基板支座和/或处理腔室的各种实施方式一起运作的处理配件125的多个部分。例如，处理配件125可包括基板支座124的元件与腔室的元件，基板支座124的元件诸如是第一环126 (例如边缘环)与第三环127 (例如支撑环)，而腔室的元件诸如是第二环122 (例如预热环)。处理配件125可包括形成在第一环126与第二环122之间的路径128。该路径128可允许诸如处理期间基板支座124旋转时第一环126与第二环122之间的旋转。路径128可构造成使得来自灯头138的光受到限制(例如，实质上防止)或防止来自灯头138的光经由第一空间131与第二空间133之间的路径行进，该第一空间131设置在第一环126与第二环122下方，而该第二空间133 (例如，处理空间)设置在第一环126与第二环122上方。再者，路径128可限制(例如，实质上防止)或防止第二空间133中所用的处理气体经由该路径行进至第一空间131中。如在此所用“实质上被防止”或“实质上防止”意味着未被防止沿着该路径行进的光或处理气体的量微小得不足以影响处理。
[0019]例如，路径128必须限制或防止的来自灯头138的光可具有能被上高温计156 (例如温度传感器)所测量到的波长。其他元件(诸如第一衬垫116和第二衬垫111)也可用于限制或防止来自灯头138的光抵达高温计156，如将于下文所讨论。
[0020]发明人已发现，在无基座板下对基板支撑有利地防止基座板能非期望地提供的热平均效应。然而，发明人已进一步发现，无基座板可能使某些波长下的光传输通过基板，这是非所期望的。据此，为了准确测量处理期间基板的温度，需提供一种温度传感器以测量由基板辐射但不会传输通过基板的一或多个光波长。然而，发明人已经发现，供以加热基板而绕基板周围递送的光能量可与基板温度的准确测量相干涉。所以，在一些实施方式中，本发明的设备有利地限制或防止来自灯头的光抵达温度传感器。
[0021]在一些实施方式中(诸如图1与图2A至图2B中所绘示的那些实施方式)，基板支座124包括第一环126，该第一环126在基板101的周边边缘附近支撑基板101。虽然如图所示第一环126的基板支撑表面129平行基板101，但该第一环126的基板支撑表面129可相对于基板101呈倾斜，或以任何适合的设置方式设置，以修改与基板101的周边边缘接触的表面。在一些实施方式中，第一环126可相对地薄以减少热质量(thermal mass),使得第一环126确实会显著地对基板101的周边边缘附近的温度分布曲线(temperature profile)有所助益，该第一环126可诸如具有范围从约0.20mm至约Imm的厚度。第一环126可包含诸如下述物质中一或多者的材料:碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、有SiC涂布的石墨、有玻璃碳涂布的石墨、有SiN涂布的石墨、玻璃碳或类似物。
[0022]第三环127可设置在第一环126与第二环122之间，如图1与图2A至图2B所绘示。第三环127可包含诸如下述物质中一或多者的材料:SiC、SiN、有SiC涂布的石墨、有玻璃碳涂布的石墨、有SiN涂布的石墨、玻璃碳、有SiC涂布的硅土(silica)、有玻璃碳涂布的娃土、有SiC涂布的“娃土、招土(alumina)和镁土(magnesia) ”的陶瓷合金或类似物。第三环127可支撑第一环126。在一些实施方式中，第三环127可包括内唇部134，该内唇部134从第三环127的内表面135朝第一环126径向延伸。突出部136可从第三环127的内唇部134向上延伸，使得第一环126被支撑在该突出部136上。突出部136可在内唇部134周围连续设置。突出部136的端部可构造成使得热传递限制在第三环127与第一环126之间。例如，在一些实施方式中，突出部136可呈斜角(beveled)或可渐缩(taper)，或者突出部136可具有一些其他几何形状使得突出部136在内唇部134附近具有第一厚度，该第一厚度大于位在突出部136接触第一环126的端部处的第二厚度，以最小化第一环126与第三环127之间的接触面积。同样，突出部136可为齿形或以其他方式配置以使与126的接触受到限制。如图1与图2A至图2B所示，突出部136的端部可以是刀状边缘或类似物，而限制对第一环126的接触面积。
[0023]内唇部134与突出部136可部分界定第三环127中形成的沟槽，以收纳一部分的第一环126。例如，沟槽137可界定在突出部136、内唇部134与第三环127的内表面135之间。沟槽137可收纳第二突出部139，该第二突出部139从第一环126的与基板相对(substrate-opposing)侧向下延伸。第二路径141可形成在沟槽与第一环126的第二突出部139之间。类似第一路径128，第二路径141可限制或防止光在第一空间131与第二空间133之间行进。在一些实施方式中，第二路径141可包括一或多个特征143，所述一或多个特征143设置在沟槽137的表面或第二突出部139的表面的至少一者上(如图2D所绘示)，以进一步阻碍光行进通过第二路径141。在一些实施方式中，所述一或多个特征143可包括径向突出部，该径向突出部延伸围绕第二突出部139的表面或沟槽137的表面的整个周边。以替代方式或组合方式，可使所述一或多个特征143包括这样的径向突出部:仅部分延伸围绕第二突出部139的表面或沟槽137的表面的周边。
[0024]回到图1与图2A至图2B，第三环127包括外唇部145，该外唇部145从第三环127的外表面147朝向第二环122径向延伸。第二环122可包括第二内唇部148，该第二内唇部148从第二环122的内表面149朝向第三环127径向延伸。第二环122可包含诸如下述物质中一或多者的材料:SiC、SiN、有SiC涂布的石墨、有玻璃碳涂布的石墨、有SiN涂布的石墨、玻璃碳、有SiC涂布的硅土、有玻璃碳涂布的硅土、有SiC涂布的“硅土、铝土和镁土”的陶瓷合金或类似物。在一些实施方式中，且如图1与图2A至图2B所绘示，路径128可通过第三环127的外唇部145与第二环122的第二内唇部148的重叠所形成。如图2C所绘不，一或多个特征150可设置在外唇部145的表面、第二内唇部148的表面、第三环的外表面147或第二环149的内表面的其中至少一者上，以进一步限制或防止光在第一空间131与第二空间133之间行进。一或多个特征143、150可以是任何适合的形状或设计，和/或可排列成有助于限制或防止光通过路径128、141的任何适合的图案。
[0025]基板支座124可包括基底152，该基底152设置在第一环126、第二环122和第三环127下方，如图1所绘示。基底152可对灯头138提供的光波长透明。基底152可由实质上透明的材料形成，所述材料诸如是熔娃石(fused silica)、招土、蓝宝石、氧化乾或类似物的一或多者。基底可装设至升降组件154，该升降组件154可包括轴杆158，该轴杆158相对于基底152呈置中设置，且该轴杆158构造成抬高与降低基板支座124。轴杆158可耦接升降机构，该升降机构设置在下圆顶132外部。进一步而言，旋转机构可耦接轴杆158，以在处理期间旋转基板支座124。在一些实施方式中，升降销160处于静态位置时可装设和/或构造成安置在圆顶132上。在操作时，升降机构可相对升降销160降低基板支座124，使得升降销160收纳基板101以传进或传出系统100。在一些实施方式中，升降销可被支座124捕捉且移动，但会自由地垂直滑动，以当支座下降时接合且支撑基板。
[0026]一或多个构件162可从基底152延伸，以将第一环126支撑在基底152上方。如在图1与图2A至图2B所绘示，一或多个构件可直接支撑第三环127。一或多个构件162可以是多个棒(rod)、实心圆柱体或其他用于将第一环126支撑在基底152上方的适当地塑形的构件。所述一或多个构件162可由诸如下述物质中一或多者的材料形成，所述物质为:SiC, SiN、有SiC涂布的石墨、有玻璃碳涂布的石墨、有氮化硅涂布的石墨、玻璃碳、石墨、有SiC涂布的硅土、有玻璃碳涂布的硅土、有SiC涂布的“硅土、铝土和镁土”的陶瓷合金、硅土、铝土、氧化钇，“硅土、铝土和镁土”的陶瓷合金或类似物。一或多个构件162可具有狭窄的截面、低密度和/或低热质量，使得基底152 (或该一或多个构件162)与基板101之间的能量传送得以受到限制，或被防止通过该一或多个构件162。一或多个构件162可具有变化的截面，如下文中于图3所绘示的实施方式中所讨论。一或多个构件162可对称地在基底152周围设置。
[0027]如图1与图2A至图2B所绘示，裙部(或圆柱状主体)164可设置在第三环127下方。圆柱状主体164可用作防止可从第二空间133进入第一空间131的处理气体沉积在基板101的背侧上。例如，圆柱状主体164可助于形成第三路径166，该第三路径166减少第二空间133与基板101的背侧之间的处理气流。
[0028]在一些实施方式中，圆柱状主体164可从第三环127向下延伸，且第三路径166可由圆柱状主体164与基板支座124形成，如图1与图2A中所绘示。或者，在一些实施方式中，第三路径166可形成在圆柱状主体164与第三环127之间。例如，如图2B所绘示，圆柱状主体164可从基底152的周边边缘朝第三环127向上延伸。图2B的实施方式可为备受期望的，以例如进一步减少第三环127的热质量。在一些实施方式中，一或多个特征(类似一或多个特征143、150)可沿着第三路径166的表面设置，以进一步限制气流通过第三路径166。
[0029]处理期间，基板101设置在基板支座124上。盖106、夹持环108与下圆顶132由石英所形成；然而，也可使用其他的对IR透明且与工艺相容的材料形成这些部件。灯头138是红外线(IR)辐射(即，热)源且在操作上该灯头138遍及基板101上生成预定的温度分布。灯头138可提供某些波长的能量，该波长范围从约300纳米(nm)至约5000纳米。灯头128提供充分能量范围，使得第一能量(在第一波长或第一波长范围)可传输通过基板，且第二能量(在第二波长或第二波长范围)被基板101吸收。基板101可于第二波长或波长范围辐射。上高温计156可构造成测量第二能量且不测量第一能量。因此，路径128、141可用于限制或防止来自灯头138的光(例如非源自基板101的在第二波长或第二波长范围的光)抵达处理期间测量基板101的温度的上高温计156。
[0030]本发明的设备的替代性实施方式绘示于图3至图5。如图3至图5中所绘示，路径128可由第一环126的与基板相对端及第二环122之间的重叠所形成。第一环126可直接设置在一或多个构件162上。进一步而言，基底152可延伸，使得基底152的周边边缘设置在第二环122下方。圆柱状主体164可从基底152的周边边缘向上延伸，以在圆柱状主体164与第二环122之间形成第三路径166。因此，所述一或多个构件162可由基底152的周边边缘向内设置，如图3至图5所示。
[0031]如图3所示，一或多个构件162可具有第一截面，该第一截面在基底152附近且比在第一环126附近的第二截面宽。第一环126附近的窄的第二截面可助于减少一或多个构件162与第一环126之间的热传递。一或多个构件162可于中心支撑第一环126，如图3所绘示。肋材(rib)302从第一环126向下延伸且设置在该第一环126周围，该肋材302可用于对第一环126提供额外的支撑。例如，可能需要额外的支撑，以当处理期间系统100中温度增加时限制第一环126的变形。在一些实施方式中，肋材302可设置在一或多个构件162附近，如图3所示。路径128可由第一环126的与基板相对端与第二内唇部148之间的重叠所形成，该第二内唇部148由第二构件122的内表面149径向向内延伸。
[0032]本发明的设备的替代性实施方式绘示于图4中。图4中所绘示的实施方式可实质上类似前文所讨论且绘示于图3中的所述实施方式。然而，一或多个构件162可具有彻底地均匀的截面，其中该截面被最小化，以助减少一或多个构件162与第一环126之间的热传递。进一步而言，第一环126可由一或多个构件162支撑在第一环126的与基板相对端附近。
[0033]本发明的设备的替代性实施方式绘示于图5中。图5中所绘示的实施方式可实质上类似前文所讨论且绘示于图4中的所述实施方式。然而，路径128可形成于第二突出部502与第一突出部504之间，该第二突出部502由第二环122的第二内唇部148向下延伸，而该第一突出部504从第一环126的与基板相对端向上延伸。以替代方式或以结合方式，可使第二内唇部148与第一环126分别包括多个第二突出部502与多个第一突出部504，所述第一突出部502与第二突出部504可用于形成路径128。例如，多个第二突出部502与多个第一突出部 504 可形成蛇纹状(serpentine-like)、迷宫状(Iabyrinthine-1ike)Jj^W或任何适合的插入配置方式的路径128。
[0034]进一步而言，可利用系统100的其他元件限制或防止光离开第一空间132和/或抵达高温计156。例如，第一衬垫116与第二衬垫111可包含适合吸收或反射第二波长或第二波长范围的光的材料。第一衬垫116与第二衬垫111可由诸如不透明的熔硅石、黑熔硅石或类似物的一或多者的材料所形成。
[0035]回到图1，支持系统130包括用于执行与监视处理腔室100中的预定工艺(例如生长外延膜)的部件。这样的部件大体上包括处理腔室100的各种子系统和装置，子系统例如为气体面板、气体分配导管、真空与排气子系统与类似物，而装置例如为电源供应器、工艺控制设备与类似物。这些部件为所属【技术领域】的技术人员已知，而为了明确起见从附图中略去。
[0036]可提供控制器140，并且可将该控制器140耦接处理腔室100以控制处理腔室100的部件。控制器140可以是用于控制基板处理腔室的操作的任何适合的控制器。该控制器140大体上包含中央处理单元(CPU) 142、存储器144与支持电路146，且该控制器140耦接及控制处理腔室100与支持系统130，该耦接及控制方式为直接耦接及控制(如图1所示)，或者可替代地经由与处理腔室及/或支持系统相连的计算机(或控制器)耦接及控制。
[0037]CPU 142可以是任何形式的可用于工业设施中的通用计算机处理器。支持电路146耦接CPU 142且可包括高速缓冲存储器、时脉电路、输入/输出子系统、电源供应器与类似物。软件程序可存储在控制器140的存储器144中，该软件程序诸如为在此公开的用于处理基板的方法(例如针对2图于下文所公开的方法)。当所述软件程序由CPU 142所执行时，将CPU 142转变成专用计算机(控制器)140。软件程序也可由第二控制器(图中未示)存储和/或执行，该第二控制器位在控制器140的远端。以替代方式或以结合方式，在一些实施方式中(例如，处理腔室100是多腔室处理系统的一部分的实施方式)，多腔室处理系统的每一处理腔室可具有该处理腔室自身的控制器，以控制可于该特定处理腔室中执行的在此公开的本发明的方法的多个部分。在这样的实施方式中，个别的控制器可构造成类似于控制器140，且可耦接控制器140以同步处理腔室100的操作。
[0038]虽然前述内容涉及本发明的实施方式，可设计本发明的其他与进一步的实施方式，但不可背离本发明的基本范围。
【权利要求】
1.一种处理配件，所述处理配件包括: 第一环，所述第一环在基板的周边边缘附近支撑所述基板； 第二环，所述第二环设置在所述第一环周围；和 路径，所述路径形成在所述第一环与所述第二环之间，所述路径使所述第一环得以对所述第二环旋转，其中所述路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进，所述第一空间设置在所述第一环与所述第二环下方，而所述第二空间设置在所述第一环与所述第二环上方。
2.如权利要求1所述的处理配件，进一步包括: 第三环，所述第三环设置在所述第一环与所述第二环之间，所述第三环具有内唇部与外唇部，所述内唇部从所述第三环的内表面朝所述第一环径向延伸，所述外唇部从所述第三环的外表面朝所述第二环径向延伸；和 其中所述第二环进一步包括: 第二内唇部，所述第二内唇部从所述第二环的内表面朝所述第三环径向延伸，其中所述路径由所述外唇部与所述第二内唇部的重叠所形成。
3.如权利要求2所述的处理配件，其中所述第三环进一步包括: 突出部，所述突出部从所述内唇部向上延伸，其中所述突出部具有在所述内唇部附近的第一厚度，所述第一厚度大于位在所述突出部接触所述第一环的端部处的第二厚度； 沟槽，所述沟槽形成在所述突出部、所述内唇部、与所述内表面之间，以收纳第二突出部，所述第二突出部从所述第一环的与基板相对侧向下延伸；和 第二路径，所述第二路径形成在所述第一环的所述第二突出部与所述沟槽之间，其中所述第二路径限制光在所述第一空间与所述第二空间之间行进。
4.如权利要求3所述的处理配件，进一步包括: 一或多个特征，所述一或多个特征设置在下述的其中至少一者上:所述沟槽的表面、所述第一环的所述第二突出部的表面、所述外唇部的表面、所述第二内唇部的表面、所述第三环的所述外表面、或所述第二环的所述内表面，其中所述一或多个特征沿着所述第一路径或所述第二路径的至少一者设置，以限制光在所述第一空间与所述第二空间之间行进。
5.如权利要求2至4的任一项中所述的处理配件，进一步包括: 圆柱状主体，所述圆柱状主体设置在所述第三环下方。
6.如权利要求5所述的处理配件，其中所述圆柱状主体从所述第三环向下延伸，且进一步包括: 第三路径，所述第三路径由所述圆柱状主体与基板支座所形成，所述处理配件设置在所述基板支座上，其中所述第三路径减少当基板设置在所述第一环上时所述基板的背侧与所述第二空间之间的处理气流。
7.如权利要求5所述的处理配件，进一步包括: 第三路径，所述第三路径形成在所述圆柱状主体与所述第三环之间，其中所述第三路径减少当基板设置在所述第一环上时所述基板的背侧与所述第二空间之间的处理气流。
8.如权利要求1所述的处理配件，其中所述第二环进一步包括: 第二内唇部，所述第二内唇部从所述第二环的内表面径向向内延伸，其中所述路径由所述第一环的与基板相对端以及所述第二内唇部之间的重叠所形成。
9.如权利要求8所述的处理配件，进一步包括: 圆柱状主体，所述圆柱状主体设置在所述第二环下方；和 第三路径，所述第三路径形成在所述圆柱状主体与所述第二环之间，其中所述第三路径减少当基板设置在所述第一环上时所述基板的背侧与所述第二空间之间的处理气流。
10.如权利要求9所述的处理配件，其中所述第一环进一步包括: 第一突出部，所述第一突出部从所述第一环的所述与基板相对端向上延伸；且其中所述第二环进一步包括: 第二突出部，所述第二突出部从所述第二内唇部向下延伸，其中所述路径由所述第一突出部与所述第二突出部形成。
11.一种用于处理基板的设备，所述设备包括: 处理腔室，所述处理腔室具有基板支座，所述基板支座包括第一环、基底和一或多个构件，所述第一环在所述基板的周边边缘附近支撑所述基板，所述基底设置在所述第一环下方，所述一或多个构件从所述基底延伸，以将所述第一环支撑在所述基底上方； 第二环，所述第二环设置在所述基板支座周围； 灯头，当基板设置在所述基板支座上时，所述灯头提供能量给所述基板；温度传感器，所述温度传感器与所述灯头相对，以测量从所述基板辐射的能量；和路径，所述路径形成在所述第一环与所述第二环之间，使所述第一环得以相对所述第二环旋转，其中所述路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进，所述第一空间设置在所述第一环与所述第二环下方，而所述第二空间设置在所述第一环与所述第二环上方。
12.如权利要求11所述的设备，其中所述灯头提供第一能量与第二能量，当基板设置在所述基板支座上时，所述第一能量传输通过所述基板，且当基板设置在所述基板支座上时，所述第二能量被所述基板吸收。
13.如权利要求12所述的设备，其中所述温度传感器构造成测量所述第二能量且不测量所述第一能量，且其中所述基底对所述第一能量与所述第二能量具传输性。
14.如权利要求13所述的设备，其中所述基板支座进一步包括: 第三环，所述第三环设置在所述第一环与所述第二环之间，所述第三环具有内唇部与外唇部，所述内唇部从所述第三环的内表面朝所述第一环径向延伸，所述外唇部从所述第三环的外表面朝所述第二环径向延伸；和其中所述第二环进一步包括: 第二内唇部，所述第二内唇部从所述第二环的内表面朝所述第三环径向延伸，其中所述路径由所述外唇部与所述第二内唇部的重叠所形成。
15.如权利要求14所述的设备，其中所述第三环的第一端进一步包括: 突出部，所述突出部从所述内唇部向上延伸，其中所述突出部具有在所述内唇部附近的第一厚度，所述第一厚度大于位在所述突出部接触所述第一环的端部处的第二厚度；沟槽，所述沟槽形成在所述突出部、所述内唇部、与所述内表面之间，以收纳第二突出部，所述第二突出部从所述第一环的与基板相对侧向下延伸；和 第二路径，所述第二路径形成在所述第一环的所述第二突出部与所述沟槽之间，其中所述第二路径限制光在所述第一空间与所述第二空间之间行进。
【文档编号】H01L21/205GK104205320SQ201380016403
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2013年3月21日 优先权日:2012年3月30日
【发明者】约瑟夫·M·拉内什, 凯拉什·帕塔雷 申请人:应用材料公司