一种amoled显示面板及膜层制作方法、显示装置制造方法

文档序号:7041198阅读:525来源:国知局
一种amoled显示面板及膜层制作方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板、AMOLED显示装置及AMOLED膜层制作方法,用以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。所述AMOLED显示面板,包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层,其中,所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层;和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。
【专利说明】—种AMOLED显不面板及膜层制作方法、显不装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】,尤其涉及一种AMOLED显示面板及膜层制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)相比传统的液晶面板,具有反应速度快、对比度高、视角较广、显示效果优异以及低电能消耗等优点。AMOLED具有自发光的特点,不需使用背光板,因此比薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)能够做得更轻薄,而且不需使用背光板的AMOLED可以节省占TFT-1XD三到四成比重的背光模块成本。
[0003]AMOLED因为是自发光,所以在老化过程中会出现不同像素老化程度不一样,导致亮度不一样,可能导致显示屏留下残影,其中蓝色子像素的亮度衰减较红色子像素和绿色子像素的亮度衰减更快。现有技术中为了解决AMOLED显示屏在使用一段时间后出现的残影,通常的方法是通过增大蓝色子像素发光层13,即B像素发光层13的面积,来减小其电流密度,从而对蓝色子像素的亮度衰减进行补偿,如图1所示,将蓝色子像素发光层13的面积设置为大于红色子像素发光层11,即R像素发光层11和绿色子像素发光层12,即G像素发光层12的面积,而蓝色子像素发光层的面积增大,会导致AMOLED显示屏的整体解析度降低。
[0004]综上所述,现有技术中的AMOLED显示屏的整体解析度较低,AMOLED显示屏的整体
品质较差。

【发明内容】

[0005]本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板、AMOLED显示装置及AMOLED膜层制作方法,用以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。
[0006]根据本发明提供的一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板,包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层,其中,所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层;和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。
[0007]由本发明提供的一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板,由于AMOLED显示面板,包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层,其中,空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层;和/或阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层,可以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。[0008]本发明还提供了一种AMOLED显示装置,该装置包括上述的AMOLED显示面板。
[0009]由本发明提供的一种AMOLED显示装置,由于包括上述的AMOLED显示面板,故该显示装置可以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。
[0010]本发明还提供了一种AMOLED膜层制作方法,所述方法包括:
[0011]在基板上依次制作阳极层和空穴传输层;
[0012]在空穴传输层上依次制作发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层;其中,所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层;和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。
[0013]由本发明提供的一种AMOLED膜层制作方法,由于在基板上依次制作阳极层和空穴传输层;在空穴传输层上依次制作发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层;其中,所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层;和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层,可以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。
【专利附图】

【附图说明】
[0014]图1为现有技术中一种AMOLED显示屏像素排布示意图;
[0015]图2为本发明一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图;
[0016]图3为本发明一实施例提供的AMOLED显示面板中阴极保护层厚度与发光层发光强度之间的关系图;
[0017]图4为现有技术中的一种AMOLED显示面板结构示意图;
[0018]图5为制作图4的AMOLED显示面板中的阴极保护层时采用的蒸镀掩膜板示意图;
[0019]图6为制作本发明实施例提供的AMOLED显示面板中的阴极保护层时采用的蒸镀掩膜板示意图;
[0020]图7为本发明另一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图;
[0021]图8为本发明另一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图;
[0022]图9为本发明另一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图;
[0023]图10为本发明实施例提供的一种AMOLED显示装置示意图。
【具体实施方式】
[0024]本发明实施例提供了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板、AMOLED显示装置及AMOLED膜层制作方法,用以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、优化AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。
[0025]下面给出本发明具体实施例提供的技术方案的详细介绍。
[0026]如图2所示,本发明一具体实施例提供的一种AMOLED显示面板包括:基板20、阳极层21、空穴传输层22、发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26,其中,阴极保护层26为各处厚度相同且连续不间断的膜层,发光层包括R像素发光层231,G像素发光层232和B像素发光层233,其中,阴极保护层26可选Alq3 (喹啉铝)等有机材料,或CaO,SiO2等陶瓷材料。
[0027]本发明实施例提供的AMOLED膜层制作方法包括:在基板20上依次制作阳极层21和空穴传输层22 ;在空穴传输层22上依次制作发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26 ;其中阴极保护层26为各处厚度相同且连续不间断的膜层,发光层包括R像素发光层231,G像素发光层232和B像素发光层233。
[0028]本发明具体实施例中阴极保护层26的厚度选择标准为:阴极保护层26的厚度使得B像素发光层233的光耦合效率得到最佳。由于R像素发光层231、G像素发光层232和B像素发光层233的发光波长不同,故制作得到的阴极保护层26的厚度在B像素发光层233的光稱合效率最佳时,R像素发光层231和G像素发光层232的光稱合效率一般。
[0029]具体地,表1为本发明实施例提供的一种AMOLED显示面板中阴极保护层厚度与各像素发光层发光强度之间的关系。
[0030]表1
【权利要求】
1.一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板,包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层,其中,所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层;和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。
2.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板,其特征在于,所述发光层包括多个R像素发光层、G像素发光层和B像素发光层,所述R像素发光层、G像素发光层和B像素发光层的面积相同。
3.根据权利要求2所述的AMOLED显示面板,其特征在于,所述发光层还包括设置在B像素发光层上的微镜。
4.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板,其特征在于,所述阴极保护层的厚度为75nm_115nm0
5.一种AMOLED显示装置,其特征在于,所述装置包括权利要求1-4任一权项所述的AMOLED显示面板。
6.一种AMOLED膜层制作方法,其特征在于,所述方法包括: 在基板上依次制作阳极层和空穴传输层; 在空穴传输层上依次制作发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层;其中,所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层;和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述制作空穴传输层时,包括:选用开孔与面板的显示区大小相同的蒸镀掩膜板在阳极层上沉积空穴传输层。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述制作阴极保护层时,包括:选用开孔与面板的显示区大小相同的蒸镀掩膜板在阴极层上沉积阴极保护层。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述发光层包括多个R像素发光层、G像素发光层和B像素发光层。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法还包括: 在所述B像素发光层上制作微镜。
【文档编号】H01L51/56GK103915571SQ201410040747
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2014年1月27日 优先权日:2014年1月27日
【发明者】熊志勇, 钱栋 申请人:上海天马有机发光显示技术有限公司, 天马微电子股份有限公司
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