图形化衬底用掩膜版、图形化衬底及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种图形化衬底用掩膜版、图形化衬底及其制造方法。所述图形化衬底用掩膜版包括光刻板，所述光刻板上包括单元阵列和网格，所述单元阵列包括若干个呈掩膜图形的单元，所述网格由条状边线交叉连接形成，并包括若干个由所述条状边线围成的网格单元，每一个所述网格单元的内部设有所述单元阵列中的一个单元。在利用该图形化衬底用掩膜版制作的图形化衬底上生长的LED结构具有较高的晶体质量和光提取效率，LED器件电学性能优异。
【专利说明】图形化衬底用掩膜版、图形化衬底及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体【技术领域】，具体涉及一种图形化衬底用掩膜版、图形化衬底及其制造方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管(简称LED)是一种能发光的半导体电子元件，其通常由镓(Ga)与砷(As)、磷(P)、氮(N)、铟(In)的化合物制成，当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，从而产生自发辐射的荧光。随着半导体照明技术的不断发展，LED越来越多的进入到各种照明领域中。
[0003]GaN基发光二极管(简称GaN-LED)因具有高效、节能、环保等突出优点而广受关注，其可以生长在硅、碳化硅、蓝宝石等衬底上，其中以蓝宝石衬底作为衬底的GaN-LED商业用途最为广泛。然而，蓝宝石衬底和GaN材料存在巨大的晶格失配和热膨胀系数失配，从而导致异质外延的GaN材料内部具有很高的位错密度，其会引起载流子泄漏和非辐射复合中心增多等不良影响，从而降低器件的内量子效率；另一方面，由于GaN材料折射率高于蓝宝石衬底以及外部封装树脂，使得有源区产生的光子在GaN上下界面发生多次全反射，严重降低器件的光提取效率。
[0004]图形化衬底(简称PSS)通过在蓝宝石衬底表面制作具有细微结构的图形，然后在图形化衬底表面进行LED材料外延，由于图形化的界面改变了 GaN材料的生长过程，从而能够抑制缺陷向外延表面的延伸，进而提高了器件内量子效率；同时，粗糙化的GaN蓝宝石界面能散射从有源区发射的光子，使得原本全反射的光子有机会出射到器件外部，从而能够有效地提高器件的光提取效率。基于图形化衬底的外延材料制成的器件参数表明，其在20mA下的光功率水平相比普通未图形化的蓝宝石衬底制作的器件的光功率增加了 30%以上，因此采用图形化衬底是提高GaN-LED光提取效率的一种有效方法。
[0005]目前，传统的蓝宝石图形化衬底上的图形主要采用圆锥体结构(也称为蒙古包结构，如图1所示)，圆锥体底部的直径约为2-3 μ m，高度约为1-2 μ m，相邻两个圆锥体的底部间距约为0-1 μ m。然而，使用上述结构的图形化衬底生长外延后会在某些局部区域出现较大的缺陷，由于该图形化衬底上GaN外延生长类似于侧向外延，缓冲层经过热处理后会在圆锥体底部区域形成晶核，随着生长温度及生长速率的提高，GaN侧向生长会越来越明显，最后会在圆锥体顶部连接形成平整面，此生长方式会使底部产生的位错等缺陷发生弯曲，甚至集中在圆锥体顶部，形成位错簇，严重的还会在外延表面形成V型缺陷，此缺陷会导致器件性能急剧恶化，尤其以抗静电和反向漏电的恶化表现更加明显。
[0006]此外，该图形化衬底的圆锥体底部间距以及倾角的变化可能会导致从有源区发出的部分光在经过圆锥体的反射后依然在内部形成全反射，在对光的提取效率方面仍然存在一定的上升空间。因此，需要开发一种图形化衬底，使其在进行外延生长时，降低缺陷密度，提高LED器件电学性能，同时改善LED的光提取效率，提高LED器件的光学性能。
【发明内容】
[0007]本发明提供一种图形化衬底用掩膜版、图形化衬底及其制造方法，在利用该图形化衬底用掩膜版制作的图形化衬底上生长的LED结构具有较高的晶体质量和光提取效率，LED器件电学性能优异。
[0008]本发明提供的一种图形化衬底用掩膜版，包括光刻板，所述光刻板上包括单元阵列和网格，所述单元阵列包括若干个呈掩膜图形的单元，所述网格由条状边线交叉连接形成，并包括若干个由所述条状边线围成的网格单元，每一个所述网格单元的内部设有所述单元阵列中的一个单元。
[0009]本发明所提供的图形化衬底用掩膜版用于在衬底上形成预设的衬底图形，其可以是正相掩膜版或者负相掩膜版。
[0010]所述图形化衬底用掩膜版为正相掩膜版时，所述光刻板透光，所述单元阵列和网格不透光，所述单元阵列和网格可以直接设置(如贴附)在所述光刻板的一侧表面上。在使用时，在所述衬底上涂覆正相光刻胶，经曝光和显影后，掩膜版透光部分下方的光刻胶溶解，从而在光刻胶上形成光刻胶图形(即掩膜版上不透光部分组成的图形)，在以该光刻胶图形作为掩膜对衬底进行刻蚀后，可在衬底上形成衬底图形，即可制得图形化衬底。
[0011]进一步地，所述图形化衬底用掩膜版为负相掩膜版时，所述光刻板不透光，所述单元阵列可以为形成于所述光刻板上的呈掩膜图形的开孔，所述网格可以为形成于所述光刻板上的开口。在使用时，在所述衬底上涂覆负相光刻胶，经曝光和显影后，掩膜版不透光部分下方的光刻胶溶解，从而在光刻胶上形成光刻胶图形(即掩膜版上透光部分组成的图形)，在以该光刻胶图形作为掩膜对衬底进行刻蚀后，可在衬底上形成衬底图形，即可制得图形化衬底。
[0012]本发明在图形化衬底用掩膜版上设计网格，并使所述单元阵列中的每一个单元位于所述网格的网格单元内部，利用该图形化衬底用掩膜版所制作的图形化衬底能够使衬底单元之间连接处产生的位错得到有效的抑制，从而使大部分位错终止于衬底单元的侧壁或者网格的侧壁上，因此能够极大提高在该图形化衬底上生长的LED的晶体质量和光提取效率。
[0013]根据本发明所提供的图形化衬底用掩膜版，所述掩膜图形为圆形，所述网格单元呈等边三角形，所述单元位于所述网格单元的中央位置。
[0014]在本发明中，所述圆形不限于常规的圆形，其还可以是类似圆形的其它形状，例如椭圆形、多棱形等；所述网格单元为由所述条状边线围成的最小单元，所述网格单元可以呈正三角形，并且所述圆形的圆心可以位于所述正三角形网格单元的中心位置。
[0015]进一步地，所述单元可以为不透光的圆片。具体地，本发明提供的图形化衬底用掩膜版包括透光的光刻板，所述透光的光刻板上贴附有圆片阵列和网格，所述圆片阵列包括若干个不透光的圆片，所述网格由不透光的条状边线交叉连接形成，所述网格包括若干个由所述条状边线围成的网格单元，每一个所述网格单元的内部设有一个所述圆片。
[0016]进一步地,所述条状边线的宽度为0.l_5um,例如为l_3um,进一步例如为2_3um,所述圆形的直径为0.l-5um,例如l_3um,进一步例如为2_3um,所述等边三角形的边长为
0.Ι-lOum,例如 4_8um,进一步例如为 6_8um。[0017]本发明还提供一种图形化衬底，包括衬底，所述衬底上包括衬底单元阵列和衬底网格，所述衬底单元阵列包括若干个呈衬底图形的衬底单元，所述衬底网格由脊状边线交叉连接形成，并包括若干个由所述脊状边线围成的衬底网格单元，每一个所述衬底网格单元的内部设有所述衬底单元阵列中的一个衬底单元。
[0018]进一步地，所述衬底图形为圆锥体、圆台体或顶部为弧线的圆台体，所述衬底图形的底部直径为0.l-5um，高度为0.l_5um，相邻衬底图形底部之间的间距为0.l_5um ;所述脊状边线横断面的形状呈上窄下宽状(例如可以为三角形、圆弧形、梯形等)，所述脊状边线的底部宽度为0.l_5um，高度为0.l_5um，所述衬底网格单元呈等边三角形，所述等边三角形的边长为0.Ι-lOum，所述衬底单元位于所述衬底网格单元的中央位置。
[0019]进一步地，所述衬底图形的底部直径可以为l-3um，例如2-3um，高度可以为l-3um，例如1-1.5um，角度(即衬底图形侧面与底面之间的夹角)可以为10-80度，例如45-80度；所述脊状边线的底部宽度可以为l-3um，例如2_3um，高度可以为l_3um，例如1-1.5um，所述等边三角形的边长为4-8um，例如6-8um，所述脊状边线的底角可以为10-80度，例如45-80度。
[0020]在本发明中，所述单元阵列/衬底单元阵列的排列方式可以为常规图形化衬底的排列方式；所述网格单元/衬底网格单元的排列方式只要能够使所述每一个所述单元/衬底单元被置于一个网格单元/衬底网格单元的内部即可。在本发明具体方案中，所述网格/衬底网格可以由三组平行的条状边线/脊状边线交叉连接形成，各组平行的条状边线/脊状边线呈一定角度交叉，三组平行的条状边线/脊状边线中的各一条围成所述网格单元/衬底网格单元。具体地，三组平行的条状边线/脊状边线中，第一组可以呈水平分布，第二组可以沿第一组顺时针60度分布，第三组可以沿第一组逆时针60度分布，并且各组平行的条状边线/脊状边线中相邻两条条状边线/脊状边线具有相同的间距，此时可以围成正三角形的网格单元/衬底网格单元。
[0021]进一步地，三组平行脊状边线中的各一条脊状边线相交于一处形成相交处，所述相交处为三棱柱状结构。
[0022]进一步地，所述图形化衬底是利用上述任一所述的图形化衬底用掩膜版对衬底进行光刻和刻蚀而制得。
[0023]本发明还提供一种图形化衬底的制造方法，利用上述任一所述的图形化衬底用掩膜版对衬底进行光刻和刻蚀，制得图形化衬底。
[0024]本发明所采用的衬底可以为硅衬底、碳化硅衬底、玻璃衬底或蓝宝石衬底，所述衬底的尺寸可以为2英寸、3英寸、4英寸或更大尺寸；本发明所述的光刻为本领域常规的光刻技术，所述刻蚀为本领域常规的干法刻蚀或湿法刻蚀，进一步地，所述干法刻蚀可以为电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀。
[0025]具体地，本发明所提供的制造方法，包括如下步骤:
[0026]在衬底上涂覆光刻胶；
[0027]利用上述任一所述的图形化衬底用掩膜版对所述光刻胶进行曝光和显影，在所述光刻胶上形成光刻胶图形；
[0028]对形成所述光刻胶图形的衬底进行干法刻蚀，在衬底上形成衬底图形后，去除光刻胶，制得图形化衬底。[0029]具体地，在使用上述正相掩膜版时，在衬底上涂覆正相光刻胶；在使用上述负相掩膜版时，在衬底上涂覆负相光刻胶。所述光刻胶的厚度可以为2-6um，例如4um。
[0030]进一步地，所述干法刻蚀的刻蚀气体采用Cl2和BCl3,所述Cl2与BCl3的流量比为1:2-8,例如I: 4，所述干法刻蚀的RF功率为1500-2500W,例如2000W, ICP功率为700-1700W，例如 1200W。
[0031]本发明所提供的制造方法，还可以包括如下步骤:
[0032]在衬底上形成阻挡层；
[0033]在所述阻挡层上涂覆光刻胶；
[0034]利用上述任一所述的图形化衬底用掩膜版对所述光刻胶进行曝光和显影，在所述光刻胶上形成光刻胶图形；
[0035]对形成所述光刻胶图形的衬底进行第一次湿法刻蚀，在所述阻挡层上形成阻挡层图形；
[0036]去除光刻胶，对形成所述阻挡层图形的衬底进行第二次湿法刻蚀，在衬底上形成衬底图形后，去除阻挡层，制得图形化衬底。
[0037]进一步地，所述阻挡层可以是二氧化硅层，其厚度可以为l-2um。所述第一次湿法刻蚀采用的刻蚀液可以为常规的BOE溶液(HF =NH4F=1:6)。
[0038]进一步地，所述第二次湿法刻蚀采用的刻蚀液为磷酸和硫酸的混合溶液，所述磷酸的质量百分比浓度为80-85%，所述硫酸的质量百分比浓度为95-98%，所述混合溶液中磷酸与硫酸的体积比为1:1_2，例如1:1.5，所述第二次湿法刻蚀的温度为250-300°C，例如280°C。本发明可以通过控制上述干法刻蚀或湿法刻蚀过程中的相关工艺参数来制得不同形貌的图形化衬底，例如可以使衬底单元为圆锥或圆台等。
[0039]本发明所提供的图形化衬底用掩膜版制作简单，适用性强，其通过在单元外围形成网格，从而使利用该掩膜版制作的图形化衬底在衬底单元外围形成衬底网格，其不仅能够阻止衬底单元周围位错的延伸，而且能够使衬底单元之间连接处产生的位错得到有效的抑制，从而使大部分位错终止于衬底单元的侧壁或者衬底网格的侧壁上，因而能够极大提高在该图形化衬底上生长的LED的晶体质量和光提取效率生长，器件电学性能优异。
【专利附图】
【附图说明】
[0040]图1为现有技术的图形化衬底的结构示意图；
[0041]图2为本发明实施例1的图形化衬底的平面结构示意图；
[0042]图3为本发明实施例1的衬底网格的平面结构示意图；
[0043]图4为图3的衬底网格相交处的局部放大示意图。
【具体实施方式】
[0044]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图和实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0045]实施例1[0046]—、制作图形化衬底用掩膜版
[0047]在透光基板(即光刻板)的一侧表面上贴附不透光网格和若干个不透光圆片，制成图形化衬底用掩膜版，掩膜版上的图形为由不透光网格和不透光圆片组成的图形。
[0048]该图形化衬底用掩膜版中，不透光网格由宽度约为2um的三组平行的不透光条状边线呈60度交叉连接形成，并包括若干个由不透光条状边线围成的形状和尺寸相同的网格单元，网格单元呈正三角形，正三角形的边长约为6um ;不透光圆片的直径约为2um，并且每一个网格单元内部的中央位置贴附有一个不透光圆片，即不透光圆片的圆心位于正三角形网格单元的中心位置。
[0049]二、制造图形化衬底
[0050]采用上述制作的图形化衬底用掩膜版并利用干法刻蚀制造图形化衬底的步骤包括:
[0051]1、光刻
[0052]取2英寸的蓝宝石衬底，在其上涂覆约4 μ m厚的正性光刻胶(如AZ500)后，将光刻胶烘干，并利用上述制作的图形化衬底用掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，在光刻胶上形成光刻胶图形(即将掩膜版的图形复制到光刻胶上)。
[0053]2、干法刻蚀
[0054]采用ICP干法刻 蚀对形成光刻胶图形的蓝宝石衬底进行干法刻蚀，其中刻蚀气体采用Cl2和BCl3, Cl2与BCl3的流量比约为I: 4，1^功率约为2000胃，10?功率约为1200W,从而在蓝宝石衬底上形成衬底图形(即将光刻胶图形转移到蓝宝石衬底上)，去除光刻胶，制得图形化衬底。
[0055]采用扫描电子显微镜(SEM)检测上述制得的图形化衬底的形貌，平面结构示意图如图2所示；该图形化衬底上包括圆锥体阵列和网格102，圆锥体阵列包括若干个圆锥体结构101，圆锥体结构101的底部直径约为2um，高度约为1.5um ;网格102的平面结构示意图如图3所示，网格102由三组平行的脊状边线104呈60度交叉连接形成，脊状边线104横断面呈三角形，脊状边线104的底部宽度约为2um，高度约为1.5um,网格102包括若干个由脊状边线104围成的形状和尺寸相同的网格单元103，网格单元103呈正三角形，正三角形的边长均约为6um，每一个正三角形网格单元103的中心位置上具有一个圆锥体结构102 ;并且，该图形化衬底的网格102中，每三条脊状边线104相交于一处，形成相交处105，每三个相交处105构成正三角形网格单元103的三个顶点，相交处105呈三棱柱状(如图4所示)。
[0056]实施例2
[0057]采用实施例1制作的图形化衬底用掩膜版利用湿法刻蚀制造图形化衬底的步骤包括:
[0058]1、形成阻挡层
[0059]取2英寸蓝宝石衬底，在其上沉积一层厚度为1.5 μ m的二氧化硅层作为阻挡层。
[0060]2、光刻
[0061]在二氧化硅层上涂覆3μπι厚的正性光刻胶后，将光刻胶烘干，并利用实施例1制作的图形化衬底用掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，在光刻胶上形成光刻胶图形。
[0062]3、第一次湿法刻蚀
[0063]采用BOE溶液(HF =NH4F=1:6)对形成光刻胶图形的蓝宝石衬底进行第一次湿法刻蚀，在二氧化硅层上形成阻挡层图形(即将光刻胶图形转移到二氧化硅层上)，随后去除光刻胶。
[0064]4、第二次湿法刻蚀
[0065]对形成阻挡层图形的蓝宝石衬底进行第二次湿法刻蚀，其中刻蚀液为85%的磷酸和98%的硫酸的混合溶液，混合溶液中磷酸与硫酸的体积比为1:1.5，刻蚀的温度为280°C，从而在衬底上形成衬底图形，随后去除二氧化硅层，制得形貌与实施例1相同的图形化衬
。
[0066]实施例3
[0067]在制作图形化衬底用掩膜版步骤中，除不透光网格由宽度约为3um的三组平行的不透光条状边线呈60度交叉连接形成，网格单元呈正三角形，正三角形的边长约为8um，不透光圆片的直径约为3um ;制造图形化衬底步骤中，Cl2与BCl3的流量比约为1: 8外，其它同实施例1，制得图形化衬底。
[0068]采用扫描电子显微镜(SEM)检测上述制得的图形化衬底的形貌，结果表明:该图形化衬底上包括圆台体阵列和网格，圆台体阵列包括若干个圆台体结构，圆台体结构的底部直径约为3um，高度约为lum，角度(即圆台体侧面与底面的夹角)约为45度，相邻圆台体结构底部之间的间距约为4um，网格由三组平行的脊状边线呈60度交叉连接形成，脊状边线横断面呈等腰梯形，脊状边 线的底部宽度约为3um，高度约为lum，底角(即等腰梯形的腰与底边之间的夹角)约为45度，网格包括若干个由脊状边线围成的形状和尺寸相同的网格单元，网格单元呈正三角形，正三角形的边长均约为8um，每一个正三角形网格单元的中心位置上具有一个圆台体结构。
[0069]对照例I
[0070]在透光基板的一侧表面上贴附若干个不透光圆片，制成图形化衬底用掩膜版，不透光圆片的直径为2um，不透光圆片的排列方式与实施例1相同。
[0071]采用上述制作的图形化衬底用掩膜版并利用实施例1的光刻和干法刻蚀步骤制造图形化衬底，采用扫描电子显微镜检测制得的图形化衬底的形貌，结果表明:该图形化衬底上包括圆锥体阵列和网格，圆锥体阵列包括若干个圆锥体结构，圆锥体结构的底部直径为2um，高度为1.5um。
[0072]试验例I
[0073]采用相同的常规LED生长工艺(两步法生长模式)，分别在实施例1和对照例I制得的图形化衬底上生长LED结构，具体包括:首先在实施例1和对照例I制得的图形化衬底上形成20nm的GaN缓冲层，接着在GaN缓冲层上形成2um的不掺杂的GaN层，然后在不掺杂的GaN层上形成1.5um的η型掺杂的GaN层，随后生长InGaN/GaN多量子阱结构(8对)，再生长30nm的P型掺杂的AlGaN层和300nm的掺镁GaN层,最后制作p型欧姆接触和η型欧姆接触，即制得LED结构，将实施例1和对照例I制得的图形化衬底上生长的LED结构分别记作LED结构I和LED结构2。
[0074]采用X射线衍射仪测试上述制得的LED结构晶体质量，结果表明:LED结构I在
(002)和(102)方向的半高宽分别为240和245，而LED结构2在(002)和(102)方向的半高宽为290和300，由此说明在本发明的图形化衬底上生长的LED结构的晶体质量优于传统图形化蓝宝石衬底，其原因可能是由于本发明图形化衬底上的圆锥体结构周围形成有网格，该网格使圆锥体结构之间连接处产生的位错得到了有效的抑制。
[0075]试验例2
[0076]采用常规方法将试验例I中的LED结构I和LED结构2分别制作成尺寸为350 μ mX 350 μ m的芯片，分别记作芯片I和芯片2。
[0077]分别对上述芯片I和芯片2通入20mA的电流后，测定其LED结构的工作电压和发光亮度，结果表明:芯片I的LED结构I的工作电压为2.95V，发光亮度为32mW，而芯片2的LED结构2的工作电压为2.99V，发光亮度为28mW，由此说明在本发明的图形化衬底上生长的LED结构的光提取效率有所提高。
[0078]此外，采用LED抗静电测试仪对上述芯片I和芯片2进行抗静电能力测试，结果表明:芯片I的抗静电击穿电压最高能达到8000V，而芯片2的抗静电击穿电压最高只能达到4000V,由此表明利用本发明的图形化衬底能够大幅提升LED器件的电学性能。
[0079]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【权利要求】
1.一种图形化衬底用掩膜版，其特征在于，包括光刻板，所述光刻板上包括单元阵列和网格，所述单元阵列包括若干个呈掩膜图形的单元，所述网格由条状边线交叉连接形成，并包括若干个由所述条状边线围成的网格单元，每一个所述网格单元的内部设有所述单元阵列中的一个单元。
2.根据权利要求1所述的图形化衬底用掩膜版，其特征在于，所述掩膜图形为圆形，所述网格单元呈等边三角形，所述单元位于所述网格单元的中央位置。
3.根据权利要求2所述的图形化衬底用掩膜版，其特征在于，所述条状边线的宽度为0.l_5um,所述圆形的直径为0.l_5um,所述等边三角形的边长为0.l-10um。
4.一种图形化衬底，其特征在于，包括衬底，所述衬底上包括衬底单元阵列和衬底网格，所述衬底单元阵列包括若干个呈衬底图形的衬底单元，所述衬底网格由脊状边线交叉连接形成，并包括若干个由所述脊状边线围成的衬底网格单元，每一个所述衬底网格单元的内部设有所述衬底单元阵列中的一个衬底单元。
5.根据权利要求4所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底图形为圆锥体、圆台体或顶部为弧线的圆台体，所述衬底图形的底部直径为0.l_5um，高度为0.l_5um，相邻衬底图形底部之间的间距为0.l-5um ;所述脊状边线横断面的形状呈上窄下宽状，所述脊状边线的底部宽度为0.l-5um，高度为0.l-5um，所述衬底网格单元呈等边三角形，所述等边三角形的边长为0.Ι-lOum，所述衬底单元位于所述衬底网格单元的中央位置。
6.根据权利要求4或5所述的图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底是利用权利要求1-3任一所述的图形化衬底用掩膜版对衬底进行光刻和刻蚀而制得。
7.一种图形化衬底的制造方法，其特征在于，包括如下步骤: 在衬底上涂覆光刻胶； 利用权利要求1至3任一所述的图形化衬底用掩膜版对所述光刻胶进行曝光和显影，在所述光刻胶上形成光刻胶图形； 对形成所述光刻胶图形的衬底进行干法刻蚀，在衬底上形成衬底图形后，去除光刻胶，制得图形化衬底。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体采用Cl2和BCl3，所述Cl2与BCl3的流量比为I: 2-8，所述干法刻蚀的RF功率为1500-2500W, ICP功率为 700-1700W。
9.一种图形化衬底的制造方法，其特征在于，包括如下步骤: 在衬底上形成阻挡层； 在所述阻挡层上涂覆光刻胶； 利用权利要求1至3任一所述的图形化衬底用掩膜版对所述光刻胶进行曝光和显影，在所述光刻胶上形成光刻胶图形； 对形成所述光刻胶图形的衬底进行第一次湿法刻蚀，在所述阻挡层上形成阻挡层图形； 去除光刻胶，对形成所述阻挡层图形的衬底进行第二次湿法刻蚀，在衬底上形成衬底图形后，去除阻挡层，制得图形化衬底。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二次湿法刻蚀采用的刻蚀液为磷酸和硫酸的混合溶液，所述磷酸的质量百分比浓度为80-85%，所述硫酸的质量百分比浓度为95-98%，所述混合溶液中磷酸与硫酸的体积比为1: 1-2，所述第二次湿法刻蚀的温度为 250-300°C。
【文档编号】H01L33/22GK103792784SQ201410058087
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2014年2月20日 优先权日:2014年2月20日
【发明者】黄小辉, 郑远志, 周德保, 滕龙, 霍丽艳, 杨东, 陈向东, 康建, 梁旭东 申请人:圆融光电科技有限公司