固体摄影装置制造方法
【专利摘要】实施方式的固体摄影装置中，多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有：多个微透镜；配设在多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及在元件分离区域上且设置在多个微透镜与多个光电变换部之间的磁场发生部。
【专利说明】固体摄影装置
[0001]关联申请的参照
[0002]本申请享受2013年9月10日申请的美国临时专利申请号为61876178的优先权的利益，在本申请中援引该美国临时专利申请的全部内容。
【技术领域】
[0003]实施方式涉及固体摄影装置。
【背景技术】
[0004]以往，固体摄影装置被广泛应用为成像传感器。成像传感器搭载于照相机装置等各种装置，近年来，伴随固体摄影装置的高像素化，像素尺寸的缩小化不断发展。
[0005]固体摄影装置具有排列为二维阵列状的多个像素区域，针对每个像素区域设置有对光进行聚光微透镜、分开颜色的彩色滤光器、进行光电变换的光电二极管。
[0006]像素尺寸的缩小化提高了各像素中的入射距离与聚光口宽度的比率、即纵横比，各像素区域中的光电二极管层等的纵横比也提高，容易产生混色等问题。
【发明内容】
[0007]本发明所要解决的课题是提供不易产生混色等问题的固体摄影装置。
[0008]一实施方式的固体摄影装置将多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有:多个微透镜；配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；在所述元件分离区域上且设置在所述多个微透镜与所述多个光电变换部之间的磁场发生部。
[0009]另一实施方式的固体摄影装置是多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有:多个微透镜；配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及设置在形成有所述多个光电变换部的层之下、且以向所述层的下方引入在所述光电变换部中进行光电变换了的电荷的方式产生磁场的磁场发生部。
[0010]根据上述结构的固体摄影装置，不易产生混色等问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是用于说明第I实施方式的固体摄影装置的结构的固体摄影装置的示意性的俯视图。
[0012]图2是用于说明与第I实施方式有关的、俯视二维阵列时的固体摄影装置的受光面中的像素排列的图。
[0013]图3是沿着图2中的II1-1II线的固体摄影装置I的示意性的部分剖面图。
[0014]图4是用于说明与第I实施方式有关的、应用了磁铁时的固体摄影装置I的受光面中的像素排列和磁铁排列的图。
[0015]图5是沿着图4中的V-V线的固体摄影装置IA的示意性的部分剖面图。
[0016]图6是示出与第I实施方式有关的磁铁18A的例子的图，该磁铁18A包括仅包括N极单极子磁铁18η、和仅包括S极的单极子磁铁18s。
[0017]图7是用于说明与第I实施方式有关的、将棒磁铁用作磁场发生部时的、固体摄影装置I的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。
[0018]图8是用于说明与第I实施方式有关的、将多个棒磁铁用作磁场发生部时、在纵方向以及横方向排列并设置所分割出的多个棒磁铁19A时的、固体摄影装置I的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。
[0019]图9是用于说明第2实施方式的固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和磁铁排列的图。
[0020]图10是沿着图9中的X-X线的固体摄影装置IA的示意性的部分剖面图。
[0021]图11是用于说明与第2实施方式有关的、将棒磁铁用作磁场发生部时的固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。
[0022]图12是用于说明与第2实施方式有关的、将多个棒磁铁用作磁场发生部时的、在纵方向以及横方向排列并设置分割出的多个棒磁铁19A时的固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。
[0023]图13是用于说明与第2实施方式有关的、将布线用作磁场发生部时的固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和布线的排列的图。
[0024]图14是沿着图13中的XIV-XIV线的固体摄影装置IA的示意性的部分剖面图。
【具体实施方式】
[0025]实施方式的固体摄影装置将多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有:多个微透镜；配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及在所述元件分离区域上且设置在所述多个微透镜与所述多个光电变换部之间的磁场发生部。
[0026]实施方式的固体摄影装置将多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有:多个微透镜；配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及设置在形成有所述多个光电变换部的层之下、且以向所述层的下方引入在所述光电变换部中被进行光电变换了的电荷的方式产生磁场的磁场发生部。
[0027]另外，以下的说明所使用的各图中，因为将各结构要素设为在图面上可识别的程度的大小，所以是使比例尺针对各结构要素的每一个不同的图，本发明不仅限于这些图所记载的结构要素的数量、结构要素的形状、结构要素的大小的比率以及各结构要素的相对的位置关系。
[0028](第I实施方式)
[0029](固体摄影装置的结构)
[0030]根据本实施方式的固体摄影装置，能够减轻混色。特别是，因为像素区域的纵横比增加时混色的影响变大，所以以下说明的固体摄影装置的布线、磁铁等成为有效的混色抑制手段。
[0031]图1是用于说明固体摄影装置的结构的固体摄影装置的示意性的俯视图。图2是用于说明俯视二维阵列时的、固体摄影装置的受光面中的像素排列的图。另外，在此，以背面照射型固体摄影装置的例子来说明本实施方式的固体摄影装置。
[0032]如图1以及图2所示，固体摄影装置I是在未图示的硅基板上具有摄影区域2的成像传感器，在该摄影区域2中，多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状。在此，摄影区域2中的多个RGB像素排列例如为拜耳排列。
[0033]如图2所示，RGB的各像素区域例如具有大致正方形形状，多条布线配设在纵横方向上。在图2中，在纵方向(以下也称作Y方向)延伸设置的多条导电性的布线LL，LR在横方向(以下也称作X方向)排列并配设。同样地，在X方向延伸设置的多条导电性的布线LU，LD在Y方向排列并配设。在图2中，用虚线示出布线LL、LR、LU、LD。
[0034]图3是沿着图2中的II1-1II线的固体摄影装置I的示意性的部分剖面图。图3示出蓝(B)、绿(G)以及蓝(B)的3个像素区域的剖面。背面照射型的固体摄影装置I中，从与形成有信号读出回路的半导体基板的一面侧的相反侧的面入射来自被拍摄体的光。在图3中，来自被拍摄体的光L朝向图3的纸面从上方入射到固体摄影装置I的微透镜。
[0035]固体摄影装置I具有:具有从入射来自被拍摄体的光L的面朝向硅基板入射光的多个微透镜的微透镜层11、RGB的3色的彩色滤光器层12、绝缘膜13、光电二极管层14以及多层布线层15。
[0036]针对每个像素区域设置有与该像素对应的微透镜、彩色滤光器以及光电二极管。多个彩色滤光器配置在多个微透镜之下，多个光电二极管配设在多个彩色滤光器之下。即多个光电二极管配置在多个微透镜之下，透射过对应的微透镜的光入射到作为光电变换部的各光电二极管。图3中示出在蓝色的像素区域设置有微透镜lib、彩色滤光器12b、光电二极管区域14b，在绿色的像素区域设置有微透镜llg、彩色滤光器12g、光电二极管区域Hg。虽然未图示，但在红色的像素区域设置有微透镜llr、彩色滤光器12r、光电二极管区域 14r。
[0037]在相邻的两个光电二极管区域间设置有元件分离区域16。图3示出在相邻的光电二极管区域14b、14g间设置有元件分离区域16。
[0038]而且，在各像素区域中，读出在光电二极管区域发生的电荷的读出晶体管设置在光电二极管区域的下部。图3示出读出晶体管17b和17g分别形成在光电二极管区域14b和14g之下的多层布线层15上。
[0039]如图2所示，在俯视固体摄影装置I的半导体基板时，以夹着各像素的像素中央部的方式设置有多个布线LL、LR、LU、LD。多个布线LL、LR、LU、LD可以设置在微透镜层11与光电二极管层14之间的任意位置。在本实施方式中，如图3所示，多个布线LL、LR、LU、LD配设在设置于微透镜层11与光电二极管层14之间的绝缘膜13内。即多个一对布线LL、LR、LU、LD在形成有多个微透镜的微透镜层11与形成有多个光电二极管的光电二极管层14之间，且俯视多个像素区域的二维阵列时，设置于邻接的两个光电二极管区域之间的绝缘膜13内。特别地，一对布线LL、LR、LU、LD设置在元件分离区域16上的微透镜与作为光电变换部的光电二极管之间。
[0040]如图3所示，绝缘膜13的下侧区域13L设置有在Y方向延伸的多个一对布线LL、LR，在绝缘膜13的上侧区域13U设置有在X方向延伸的多个一对布线LU、LD。具体而言，多个一对布线LL、LR以在二维阵列的纵方向延伸的方式设置多条，多个一对布线LU、LD (用虚线示出)以在二维阵列的横方向延伸的方式设置多条。绝缘膜13具有作为设置在纵方向延伸的一对布线LL、LR的层的下侧区域13L、作为设置在横方向延伸的一对布线LU、LD的层的上侧区域13U。而且，如图3所示，各布线LL、LR、LU、LD设置在元件分离区域16之上。
[0041]由此，在各像素区域中，在俯视二维阵列时，以夹着各像素区域的像素中央部的方式设置有一对布线LL、LR的一方布线LL和另一方的布线LR。同样地，在各像素区域中，在俯视二维阵列时，以夹着各像素区域的像素中央部的方式，设置有一对布线LU、LD的一方的布线LU和另一方的布线LD。即在各像素区域中，以夹着各像素区域的像素中央部的方式设置有一对布线LL、LR和一对布线LU、LD。
[0042]在绝缘膜13的下侧区域13L的布线LL、LR的各个中，电流在规定的方向上流过。在一对布线LL、LR中以在各像素的像素中央部中产生从上侧(微透镜侧)朝向下侧(多层布线层侧)的方向的磁场的方式电流在相互相反的方向上流过。如图3所示，在布线LL中以产生用虚线表示的磁场ml的方式流过电流，在布线LR中以产生用虚线表示的磁场m2的方式流过电流。
[0043]在绝缘膜13的上侧区域13U的布线LU、LD各自中也在规定的方向流过电流。图3中未图示，但为了从微透镜朝向光电二极管引入光电子，在一对布线LU、LD中也以在各像素的像素中央部产生从上侧(微透镜侧)朝向下侧(多层布线层侧)的方向的磁场的方式电流在相互相反的方向上流过。布线LL、LR、LU、LD构成磁场发生部。
[0044]另外，在此，布线LL、LR、LU、LD设置于元件分离区域16上的绝缘膜13，但在俯视像素区域2时，各布线LL、LR、LU、LD的一部分也可以重叠于光电二极管14。即在俯视二维阵列时，一对布线的至少一部分也可以设置为与设置在相邻的光电二极管区域间的元件分离区域重叠。
[0045](作用)
[0046]来自被拍摄体的光入射到微透镜层11，通过彩色滤光器层12和绝缘膜13到达光电二极管层14。
[0047]特别地，在光电二极管区域的纵横比高的情况下，在入射到微透镜层11的光相对半导体基板从倾斜方向进入了时，设为作为所发生的光电子的电荷进入邻接的像素区域。另外，如果纵横比提高，则彩色滤光器层12的各彩色滤光器也倾斜地形成，有时也具有锥形部。但是，通过由上述的布线LL、LR、LU、LD生成的磁场，电荷朝向像素中央部，所以减轻了由倾斜地入射的光等引起的混色。
[0048]另外，在上述的例子中，设置有在X方向排列的多个纵方向的一对布线LL、LR和在Y方向排列的多个横方向的一对布线LU、LD,但也可以设为仅设置纵方向或横方向的任意一方向的多个一对布线。
[0049]例如，也可以设为没有在Y方向排列的多个在横方向延伸设置的一对布线LU、LD，而仅设置在X方向排列的多个在纵方向延伸设置的布线LL、LR。或者，也可以设为没有在X方向排列的多个在横方向延伸设置的布线LL、LR，而仅设置在Y方向排列的多个在纵方向延伸设置的布线LU、LD。虽然向像素中央部引入电荷的磁场减小，但能够得到减轻混色的效果。
[0050](变形例)
[0051]另外，也可以替代上述的多个布线LL、LR、LU、LD而使用磁铁。
[0052]图4是用于说明替代图2所示的多个布线而使用了磁铁时的、固体摄影装置I的受光面中的像素排列和磁铁排列的图。图5是沿着图4中的V-V线的固体摄影装置I的示意性的部分剖面图。
[0053]在俯视二维阵列时，以夹着各像素区域的中央的像素中央部的方式在纵方向以及横方向配设有4个磁铁18。如图4所不,在二维阵列上,在纵方向以及横方向排列并配设有多个磁铁18。
[0054]多个磁铁18是永久磁铁,设置于元件分离部16上的绝缘膜13。如图5所示,各磁铁18设置为N极侧18N朝向作为彩色滤光器层12侧的上方，S极侧18S朝向作为光电二极管层14侧的下方。
[0055]因为将多个磁铁18配设为这样的方向，所以在图5中，在虚线示出的方向产生磁场。
[0056]另外，磁铁18也可以使用单极子磁铁。图6是示出磁铁18A的例子的图，磁铁18A包括仅包括N极的单极子磁铁18η和仅包括S极的单极子磁铁18s。也可以替代磁铁18而配设图6所示的磁铁18A。
[0057]图6的情况下，各磁铁18A也设置为N极侧18η成为彩色滤光器层12侧、S极侧18s成为光电二极管层14侧。如图4所示，在俯视二维阵列时，4个磁铁18A也以夹着像素中央部的方式设置在与4个磁铁18相同的位置，并且，以在图5中用虚线示出的方向产生磁场的方式设置在彩色滤光器层12的下方。即在俯视二维阵列时，在各像素区域中以夹着像素中央部的方式设置的一对磁铁18或18A构成磁场发生部。
[0058]再另外，关于上述的磁铁也可以使用棒磁铁。
[0059]图7是用于说明将棒磁铁用作磁场发生部时的、固体摄影装置I的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。
[0060]在将多个棒磁铁用作磁场发生部的情况下，多个棒磁铁19排列设置在纵方向以及横方向。在各像素区域中，以用两根棒磁铁19夹着像素中央部的方式设置有多个棒磁铁19。沿着图7中的V-V线的固体摄影装置I的示意性的部分剖面图与图5相同。
[0061]另外，在纵方向延伸设置的多个棒磁铁和在横方向延伸设置的多个棒磁铁配置在绝缘膜13的不同层。
[0062]再另外，也可以分割棒磁铁而排列。图8是用于说明将多个棒磁铁用作磁场发生部的情况下，所分割出的多个棒磁铁19A排列设置在纵方向以及横方向时的固体摄影装置I的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。根据这样的结构，能够在绝缘膜13的相同层中配设在纵方向延伸设置的多个棒磁铁19A。因此，绝缘膜13不需要设置多层，能够简化制造工序。
[0063]另外，在上述的实施方式中，布线LL、LR、LU、LD设置在绝缘膜13内，但也可以如图3中用虚线所示的那样地设置于彩色滤光器层12。同样地，上述的变形例中的各磁铁18、18A、各棒磁铁19、19A也可以设置于彩色滤光器层12。
[0064](第2实施方式)
[0065]根据本实施方式的固体摄影装置，能够减轻由于光电二极管区域的纵横比提高，从光电二极管读出的电荷量根据颜色而不同的情况。
[0066]以下，说明本实施方式的固体摄影装置，不过关于与第I实施方式的固体摄影装置I相同的结构要素，赋予相同的符号而省略说明。本实施方式的固体摄影装置IA的俯视图与第I实施方式的图1相同。在此，也以背面照射型固体摄影装置的例子来说明本实施方式的固体摄影装置。
[0067]图9是用于说明本实施方式的固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和磁铁排列的图。图10是沿着图9中的X-X线的固体摄影装置IA的示意性的部分剖面图。固体摄影装置IA的摄影区域2中的多个RGB的像素排列也是例如拜耳排列。
[0068]各像素区域具有例如大致正方形形状，在俯视二维阵列时，以夹着各像素区域的方式在纵方向以及横方向配设有4个磁铁21。如图9所示，多个磁铁21在二维阵列上排列配置在纵方向以及横方向。
[0069]多个磁铁21是永久磁铁，设置于元件分离区域16之下的多层布线层15。如图10所示，各磁铁21设置为N极侧21N朝向作为光电二极管层14侧的上方，S极侧21S朝向作为硅基板(未图示)侧的下方。
[0070]因为将多个磁铁21配设为这样的朝向，所以在图10中，在虚线示出的方向产生磁场。
[0071 ] 在俯视二维阵列时，用于读出各光电二极管区域的电荷的读出晶体管被设置在各光电二极管之下、且在各像素区域中设置在像素中央部。
[0072]另外，磁铁21也可以使用图6所示的单极子磁铁。
[0073](作用)
[0074]如果各像素的纵横比提高、且光电二极管区域的纵横比也提高，则产生从读出光电二极管区域的电荷的读出晶体管读出的电荷量根据颜色而不同的问题。
[0075]光向物体内的深达度根据光的波长而不同。例如，在图10的情况下，从微透镜层11侧入射的光中的蓝色的光相比于红色和绿色的光，更难到达光电二极管区域14b的深部。如图10所示，与积聚在光电二极管区域14g的电荷相比，积聚在光电二极管区域14b的电荷的位置积聚在光电二极管区域的更上部的位置。
[0076]即，基于蓝色的光的电荷积聚在从设置于光电二极管区域14b之下的读出晶体管17b离开的位置，与此相对，基于绿色和红色的光的电荷到达光电二极管区域14g等的深部，积聚在读出晶体管17g等的附近。由此，通过读出晶体管17b读出的电荷量变得比通过读出晶体管17g等读出的电荷量更少。
[0077]本实施方式的固体摄影装置IA中，为了抑制由这样的颜色的差异而产生的读出的电荷量的差，如上述那样地，设为在俯视固体摄影装置IA时，以围着像素中央部的方式配置4个磁铁21，4个磁铁21在各像素中向光电二极管区域的下方引入电荷。即，多个磁铁21设置于形成有多个光电二极管区域的光电二极管层14之下，在各像素区域的像素中央部中，以产生朝向光电二极管层14的下方引入在光电二极管区域中进行光电变换而产生的电荷的磁场的方式构成磁场发生部。
[0078]由此，通过磁铁21的磁场向光电二极管区域14b的下方牵拉由蓝色的光产生的、积聚在光电二极管区域14b的上部(即从读出晶体管17b离开的部位)的电荷，所以与由绿色、红色的光产生的电荷相比，减轻了通过读出晶体管读出由蓝色的光产生的电荷的电荷量减少的情况。
[0079]另外，也可以替代上述的多个磁铁21而使用棒磁铁或布线。
[0080]图11是用于说明将棒磁铁用作磁场发生部时的、固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。
[0081]在将多个棒磁铁用作磁场发生部的情况下，多个棒磁铁22排列设置在纵方向以及横方向。在各像素区域中，以用两根棒磁铁22夹着像素中央部的方式设置有多个棒磁铁22。沿着图11中的X-X线的固体摄影装置IA的示意性的部分剖面图与图10相同。
[0082]另外，在纵方向延伸设置的多个棒磁铁、和在横方向延伸设置的多个棒磁铁在硅基板的深度方向上配设在不同的位置。
[0083]再另外，也可以设为分割棒磁铁并排列。图12是用于说明将多个棒磁铁用作磁场发生部的情况下、所分割出的多个棒磁铁19A排列设置在纵方向以及横方向时的、固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。根据这样的结构，在纵方向延伸设置的多个棒磁铁19A不需要在硅基板的深度方向配置在不同的位置。
[0084]图13是用于说明将布线用作磁场发生部时的、固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和布线的排列的图。图14是沿着图13中的XIV-XIV线的固体摄影装置IA的示意性的部分剖面图。
[0085]在将多个布线用作磁场发生部的情况下，多个一对布线23排列设置在纵方向以及横方向。在各像素区域中，以用4根布线23夹着像素中央部的方式设置有多个布线23。一对布线23中，电流在相互相反的方向上流过。电流仅在读出电荷时流过一对布线23。
[0086]另外，在纵方向延伸设置的多个一对布线23、和在横方向延伸设置的一对布线23配设在绝缘膜13的不同层。
[0087]由此，在俯视二维阵列时，在各像素区域中以夹着像素中央部的方式设置的多个一对布线23构成磁场发生部。
[0088]如以上所述，即使使用棒磁铁或布线也能够在各像素区域中产生向光电二极管区域的下方引入电荷那样的磁场。
[0089]另外，在上述的例子中，在俯视二维阵列时，以夹着像素中央部的方式在纵方向和横方向设置有多个磁场发生部，但也可以仅在纵方向或者横方向中的任意一个方向设置多个磁场发生部。
[0090]例如，在图9的情况下，也可以设置为在俯视二维阵列时，以夹着像素中央部的方式在各像素区域中仅在纵方向或横方向中的任意一个方向设置多个磁铁21。S卩，也可以设为在各像素区域中以夹着像素中央部的方式在纵方向或横方向的至少一方设置一对磁铁21。
[0091]在图11的情况下，也可以以夹着像素中央部的方式设置仅在纵方向或者横方向中的任意一方延伸设置的多个棒磁铁22。即，也可以设为在各像素区域中以夹着像素中央部的方式在纵方向或横方向的至少一方设置一对棒磁铁22。
[0092]另外，发生磁场的磁铁不限于棒磁铁。也可以在相邻的像素间设置多个磁铁。
[0093]在图13的情况下，也可以以夹着像素中央部的方式设置仅在纵方向或者横方向中的某一方延伸设置的多个布线23。S卩，以在二维阵列的纵方向或横方向的至少一个方向延伸的方式设置多个一对布线23，并在各像素区域中以夹着像素中央部的方式设置一对布线23的一方的布线和另一方的布线。
[0094]再另外，也可以仅在设置于微透镜层11之下的彩色滤光器层12中的、蓝色的滤光器的像素区域的像素中央部，以朝向光电二极管层14的下方引入光电子的方式仅在蓝色的像素区域设置上述的磁场发生部。
[0095]以上记载了特定的实施方式，但所记载的实施方式仅为一个例子，而不用于限定发明的范围。此处记载的新装置能够通过各种其他样式具体化。另外，关于此处记载的装置的样式，在不脱离发明的要旨的范围内，能够实现各种省略、置换以及变更。所附的权利要求及其均等物包含于发明的范围以及要旨中，包括这样的各种样式以及变形例。
【权利要求】
1.一种固体摄影装置，多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有: 多个微透镜； 配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器； 配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及 在所述元件分离区域上且设置在所述多个微透镜与所述多个光电变换部之间的磁场发生部。
2.根据权利要求1所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述磁场发生部以从各微透镜朝向各光电变换部引入光电子的方式产生磁场。
3.根据权利要求1所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述磁场发生部是设置在邻接的两个像素区域间的一对布线。
4.根据权利要求3所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述固体摄影装置还具备设置在各彩色滤光器与各像素区域间的、至少包括2层的绝缘膜， 所述一对布线形成在相互不同的所述绝缘膜的层。
5.根据权利要求4所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述一对布线以在所述多个像素区域间在纵方向以及横方向延伸的方式设置多条， 所述绝缘膜具有:第I层，设置有在所述纵方向延伸的一对布线；以及与所述第I层不同的第2层,该第2层设置有在所述横方向延伸的一对布线。
6.根据权利要求3所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述一对布线以在所述多个像素区域间在纵方向或横方向中的至少一个方向延伸的方式设置多条， 在各像素区域中，以夹着所述各像素区域的方式设置有所述一对布线的一方的布线和另一方的布线。
7.根据权利要求3所述的固体摄影装置，其特征在于， 在所述一对布线中，电流在相互相反的方向上流过。
8.根据权利要求3所述的固体摄影装置，其特征在于， 在俯视所述二维阵列时，所述一对布线的至少一部分设置为与设置在相邻的光电二极管间的元件分离区域重叠。
9.根据权利要求1所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述磁场发生部是设置在所述邻接的两个光电变换部间的一对磁铁。
10.根据权利要求9所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述一对磁铁是一对棒磁铁。
11.根据权利要求1所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述多个光电变换部是光电二极管。
12.—种固体摄影装置，多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有: 多个微透镜； 配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器； 配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及 设置在形成有所述多个光电变换部的层之下、且以向所述层的下方引入在所述光电变换部中进行光电变换了的电荷的方式产生磁场的磁场发生部。
13.根据权利要求12所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述磁场发生部是设置在所述元件分离区域之下的一对磁铁。
14.根据权利要求13所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述一对磁铁以夹着所述像素区域的方式在纵方向或横方向中的至少一方设置多个。
15.根据权利要求13所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述一对磁铁是一对棒磁铁。
16.根据权利要求15所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述一对棒磁铁以夹着所述像素区域的方式设置在纵方向或横方向中的至少一方。
17.根据权利要求12所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述磁场发生部是以夹着所述像素区域的方式设置的一对布线。
18.根据权利要求17所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述一对布线以在所述多个像素区域间在纵方向或横方向中的至少一个方向延伸的方式设置多条， 以夹着所述像素区域的方式设置有所述一对布线的一方的布线和另一方的布线。
19.根据权利要求17所述的固体摄影装置，其特征在于， 在所述一对布线中，电流在相互相反的方向上流过。
20.根据权利要求12所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述多个光电变换部是光电二极管。
【文档编号】H01L27/146GK104425524SQ201410075979
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年3月4日 优先权日:2013年9月10日
【发明者】濑田渉二 申请人:株式会社东芝