用于阳极活性材料的硅浆料和碳-硅复合物的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料，它包括硅颗粒和分散介质，其中，当用D90来表示累积粒度分布为90%的硅粒径以及用D50来表示累积粒度分布为50%的硅粒径时，硅浆料满足1≤D90/D50≤2.5且2nm<D50<180nm的分散条件。
【专利说明】用于阳极活性材料的硅浆料和碳-硅复合物
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于阳极活性材料的硅浆料和一种碳-硅复合物。
【背景技术】
[0002] 电池IT设备和汽车需要能够实现具有高容量的锂二次电池的阳极材料。在这种 情况下，硅由于是用于高容量的锂二次电池的阳极材料而引人关注。例如，已知纯硅具有 4200mAh/g的高理论容量。
[0003] 然而，由于与碳类材料相比，硅的循环特性劣化，因此难以使硅商品化。这是因为， 当将诸如硅的无机颗粒用作锂嵌入或脱嵌的阳极活性材料时，由于在锂二次电池的充放电 期间阳极活性材料的体积变化，所以活性材料之间的导电性劣化或阳极活性材料从阳极集 流体中释放。那是因为，通过充电，包含在锂嵌入的阳极活性材料中的诸如硅颗粒的无机颗 粒膨胀到其体积的约300%?约400%。此外，当在放电期间锂脱嵌时，无机颗粒收缩。因为， 由于在反复充电期间无机颗粒和阳极活性材料之间所产生的空闲空间（emptyspace)而引 起的可能的电绝缘，锂二次电池的寿命遭受迅速劣化，所以将无机颗粒应用于锂二次电池 具有严重阻碍。
【发明内容】
[0004] 本发明的一方面是提供用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料，所述硅浆料可以 提高二次电池的容量和寿命。
[0005] 本发明的另一方面是提供使用上述用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料来制 备的碳-硅复合物。
[0006] 根据本发明的一方面，用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料包括硅颗粒和分散 介质，其中，当用D90来表示累积粒度分布为90%的硅粒径以及用D50来表示累积粒度分布 为50%的硅粒径时，所述硅浆料满足约1彡D90/D50彡2. 5,且约2nm〈D50〈180nm的分散条 件。
[0007] 在一个实施方式中，所述硅浆料可以具有约1彡D90/D50彡约2. 0,且约2nm〈D50〈 约160nm的娃颗粒分布。
[0008] 在另一个实施方式中，所述硅浆料可以具有约1彡D90/D50彡约1.75,且约 2nm〈D50〈约120nm的娃颗粒分布。
[0009] 硅可以以约0·lwt%?约30wt%的量存在。
[0010] 所述分散介质可以包括选自由N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP)、四氢呋喃（THF)、水、 乙醇、甲醇、环己醇、环己酮、甲基乙基酮、丙酮、乙二醇、辛炔（octyne)、碳酸二乙酯、二甲基 亚砜（DMS0)，及其混合物组成的组中的至少一种。
[0011] 所述硅浆料还可以包括添加剂。
[0012] 所述添加剂可以包括选自由聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸 甲酯、聚丙烯酰胺、羧甲基纤维素、聚乙酸乙烯酯、聚马来酸、聚乙二醇、聚乙烯树脂、它们的 共聚物、包括对Si具有高亲和性的嵌段和对Si具有低亲和性的嵌段的嵌段共聚物，及其混 合物组成的组中的至少一种。
[0013] 基于100重量份的硅颗粒，所述添加剂可以以约0. 1重量份?约50重量份的量存 在。
[0014] 可以使所述硅浆料经受超声处理。
[0015] 所述超声处理可以以批次方式（batchmanner)或以连续循环方式来进行，在批次 方式中，使全部硅浆料经受超声处理，在连续循环方式中，连续地使硅浆料的一部分经受超 声处理，同时使所述硅浆料循环。
[0016] 所述娃楽料可以通过使平均粒径为约2nm?约200nm的娃粉末与分散介质混合来 制备。
[0017] 根据本发明的另一方面，提供了由混合的组合物制备的碳-硅复合物，在所述混 合的组合物中，硅料浆与碳混合。
[0018] 所述碳可以包括选自由浙青、天然石墨、人造石墨、软碳、硬碳、石墨烯、碳纳米管， 及其混合物组成的组中的至少一种。
[0019] 基于100重量份的碳，娃可以以约0. 5重量份?约30重量份的量存在。
[0020] 所述碳-硅复合物可以通过对所述混合的组合物进行热处理并随后碳化来制备。
[0021] 根据本发明，由于用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料提供了浆料形式的非常 均匀地分散的硅纳米颗粒，所以硅浆料可以被应用到用于二次电池的阳极活性材料中并提 高二次电池的容量和寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0022] 从与附图相结合的下面的实施方式的详细描述中，本发明的上述和其它方面、特 征和优点将变得清晰可见，其中：
[0023] 图1是描绘通过动态光散射测量的实施例2和比较例1?5中制备的硅浆料的硅 颗粒分布的图示；
[0024] 图2是描绘通过动态光散射测量的实施例1?4和实施例6及比较例6中制备的 硅浆料的硅颗粒分布的图示；
[0025] 图3是描绘将实施例2和比较例1?4中制备的硅浆料静置一段时间之后，实施 例2和比较例1?4中制备的硅浆料低于相分离的层的高度的图示；
[0026] 图4 (a)和图4(b)分别是将实施例2和比较例1?4中制备的硅浆料静置一段 时间之前和之后实施例2和比较例1?4中制备的硅浆料的照片；
[0027] 图5是描绘在制备实施例2和5的硅浆料期间取决于超声处理时间的平均粒度的 变化的图示；
[0028] 图6是描绘当使用实施例7的硅浆料来制备以致包括3wt%和7wt%的硅的用于阳 极活性材料的涂料组合物，分别使用上述涂料组合物来制备二次电池时，每个二次电池的 容量/单位重量的硅的图示；
[0029] 图7是描绘当使用实施例7的硅浆料来制备以致包括I. 64wt%、I. 38wt%、I. 2wt%、 I. 74wt%和2.Owt%的娃的用于阳极活性材料的涂料组合物，分别使用上述涂料组合物来制 备二次电池时，每个二次电池的容量/单位重量的硅的图示；
[0030] 图8是描绘当使用实施例7的硅浆料来制备以致包括2.Owt%的硅的用于阳极活 性材料的涂料组合物，使用该涂料组合物来制备二次电池时，取决于循环的二次电池的容 量的图示；以及
[0031] 图9是当使用实施例7的硅浆料来制备以致包括2.Owt%的硅的用于阳极活性材 料的涂料组合物，使用该涂料组合物来制备二次电池时，在20次循环之后通过聚焦离子束 (FIB)切割的二次电池的电极的SEM图像。
【具体实施方式】
[0032] 在下文中，将参照附图对本发明的实施方式进行详细描述。然而，本领域技术人员 应当理解的是，本发明并不限于下面的实施方式，并且仅通过示例的方式来提供这些实施 方式。本发明的范围应该仅通过所附权利要求及其等同物来限定。
[0033] 根据本发明的一个方面，用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料包括硅（Si)颗粒 和分散介质，其中，当用D90来表示累积粒度分布为90%的硅粒径以及用D50来表示累积 粒度分布为50%的硅粒径时，所述硅浆料满足约1彡D90/D50彡约2. 5,且约2nm〈D50〈约 180nm的分散条件。
[0034] 上述用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料具有小的D50和均匀且窄的粒度分 布。由包括在分散介质中均匀分散的硅纳米颗粒的浆料所制备的用于二次电池的硅类阳极 活性材料可以减轻二次电池充放电期间的体积膨胀，从而提高二次电池的寿命。此外，上述 硅类阳极活性材料表现出优异的再现性。
[0035] 通常，通过将用于形成阳极活性材料层的涂料组合物涂覆在阳极集流体上来形成 二次电池的阳极活性材料层，并且通过添加阳极活性材料来制备用于形成阳极活性材料层 的涂料组合物。此外，通常以粉末的形式将硅类阳极活性材料添加到用于形成阳极活性材 料层的涂料组合物中。
[0036] 可以以硅颗粒均匀分散在分散介质中的浆料状态将用于二次电池的阳极活性材 料的硅浆料添加到用于形成阳极活性材料层的涂料组合物中。也就是说，基本上以硅颗粒 均匀分散在分散介质中的浆料状态来使用用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料。
[0037] 以这种方式中，由于以硅颗粒均匀分散在分散介质中的浆料状态来使用用于二次 电池的阳极活性材料的硅浆料，所以不像以粉末状态使用硅颗粒的情况，硅颗粒不会暴露 到空气中，从而抑制硅的氧化。
[0038] 结果，考虑到所使用的硅的量，用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料，通过提高 其分布特性以及通过使用具有高容量的硅作为用于二次电池的阳极活性材料，可以获得优 异的容量。例如，可以获得容量为硅的理论容量的约80%的二次电池。
[0039] 用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料可以包括约0.lwt%至约30wt%的硅颗粒。 硅浆料可以满足上述约1彡D90/D50彡约2. 5,且约2nm〈D50〈约180nm的分散条件，同时包 括大量的硅颗粒。此外，由于硅浆料以浆料状态来使用，所以硅浆料可以保持均匀的分散状 态，同时包括大量的硅颗粒并具有小的平均粒径。
[0040] 为了获得满足上述约1彡D90/D50彡约2. 5,且约2nm〈D50〈约180nm的分散条件 的硅浆料，可以使用用于提高分散的各种方法。具体地，为了获得使用具有相对大的平均粒 径的硅粉末的硅浆料，可以组合进行或应用各种方法。
[0041] 对于提高分散的方式的例子，可以使用：调节分散介质的种类、向硅浆料中添加添 加剂、对硅浆料进行超声处理等。对于提高分散，本领域中已知的各种其它方法可以单独或 组合应用。
[0042] 在一个实施方式中，通过使用前述方法来提高分散，硅浆料可以具有约I<D90/ D50彡约2. 0,且约2nm〈D50〈约160nm的硅颗粒分布。
[0043] 在另一个实施方式中，通过进一步提高分散，硅浆料可以具有约ISD90/D50S约 1. 75,且约2nm〈D50〈约120nm的硅颗粒分布。
[0044] 分散介质可以包括选自由N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP)、四氢呋喃（THF)、水、乙醇、 甲醇、环己醇、环己酮、甲基乙基酮、丙酮、乙二醇、辛炔、碳酸二乙酯、二甲基亚砜（DMS0)，及 其混合物组成的组中的至少一种。
[0045] 使用上述分散介质可以辅助硅浆料的均匀分布。
[0046] 为了实现硅颗粒的均匀分布，硅浆料还可以包括添加剂。
[0047] 添加剂可以包括选自由聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲 酯、聚丙烯酰胺、羧甲基纤维素、聚乙酸乙烯酯、聚马来酸、聚乙二醇、聚乙烯树脂、它们的共 聚物、包括对Si具有高亲和性的嵌段和对Si具有低亲和性的嵌段的嵌段共聚物，及其混合 物组成的组中的至少一种。
[0048] 添加剂可以辅助阻止硅颗粒的凝聚。
[0049] 作为具体的例子，在添加剂中，嵌段共聚物可以与浆料中的硅颗粒一起形成 Si-嵌段共聚物核-壳纳米颗粒。该Si-嵌段共聚物核-壳纳米颗粒包括：Si核和嵌段共 聚物壳，该嵌段共聚物壳包括对Si具有高亲和性的嵌段和对Si具有低亲和性的嵌段并形 成围绕Si核的球形胶束结构。
[0050] 对Si具有高亲和性的嵌段通过范德瓦尔斯相互作用等被拉向Si核的表面。在 此，对Si具有高亲和性的嵌段可以包括聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯 酸甲酯、聚丙烯酰胺、羧甲基纤维素、聚乙酸乙烯酯，或聚马来酸，但并不限于此。
[0051] 对Si具有低亲和性的嵌段通过范德瓦尔斯相互作用等被拉向Si核的外部。在此， 对Si具有低亲和性的嵌段可以包括聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚酚、聚乙二醇、聚甲基丙烯酸月 桂酯，或聚二氟乙烯，但并不限于此。
[0052] 嵌段共聚物壳可以是聚丙烯酸-聚苯乙烯嵌段共聚物壳。在此，聚丙烯酸可以 具有约l〇〇g/mol?约100000g/mol的数均分子量（Mn),以及聚苯乙烯可以具有约IOOg/ mol?约100000g/mol的数均分子量（Mn),但并不限于此。
[0053] 基于100重量份的硅颗粒，添加剂可以以约0. 1重量份?约50重量份的量存在。 在添加剂的上述含量范围内，添加剂可以辅助用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料获得 均匀的分散特性。
[0054] 为了获得上述分散特性，可以使用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料经受各 种处理，诸如超声处理、精磨、球磨、三棍磨（threerolImi11ing)、球磨、捣磨、润流研磨 (eddymilling)、均勻混合（homomixing)、行星式离心混合、均质化、振动台处理等。
[0055] 在一个实施方式中，为了实现均匀的分散特性，可以使硅浆料经受超声处理。
[0056] 所述超声处理可以以批次方式或以连续循环方式来进行，在批次方式中，使全部 硅浆料经受超声处理，在连续循环方式中，连续地使硅浆料的一部分经受超声处理，同时使 所述硅浆料循环。
[0057] 由于用于进行超声处理的装置通常具有尖端，并且使用从该尖端的端部产生的超 声波能量来分散硅颗粒，所以超声波能量可以转移到的接触面积有限。因此，如果必须使大 量的硅浆料经受超声处理，那么可以通过进行连续循环过程的超声处理来提高超声处理效 率，其中，连续地使硅浆料经受超声处理，同时使硅浆料循环，而不是批次方式。也就是说， 通过连续循环型超声处理，在相同电功率下，历时相同时间，可以使更大量的硅浆料经受超 声处理。
[0058] 在过程条件的具体例子中，当使硅浆料以批次方式经受超声处理时，可以使约 IOOOml或更少的硅浆料经受超声处理约30秒?约1小时，同时供给约100W?约500W的电 功率。
[0059] 在过程条件的另一个具体例子中，当使硅浆料以连续循环方式经受超声处理时， 可以使约3600ml/h的硅浆料经受超声处理约30秒?1小时，同时供给约500W的电功率。
[0060] 在过程条件的另外一个具体例子中，可以以约IOkHz?约IOOkHz进行超声处理， 但并不限于此。
[0061] 通常，虽然通过将硅粉末与分散介质混合来制备用于二次电池的阳极活性材料的 硅浆料，但是当硅粉末分散在分散介质中时，硅颗粒凝聚并形成簇。也就是说，浆料中包括 的硅颗粒具有增加的平均粒径，并且浆料变成了硅颗粒不均匀分散的浆料。
[0062] 相反地，如上所述，例如，通过选择合适类型的分散介质、通过添加添加剂，或通 过进行诸如超声处理的用于提高分散的额外过程等，使用平均粒径为约2nm?约200nm 的硅粉末，根据本发明的用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料可以获得在硅浆料中约 KD90/D50 <约2. 5,且约2nm〈D50〈约180nm的分布特性。也就是说，即使使用平均粒径 为约2nm?约200nm，特别是为约IOnm?约150nm的娃粉末，也能够得到包括在分散介质中 均匀分散的硅粉末的用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料。
[0063] 由于用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料使硅粉末能够获得约KD90/D50 < 约2. 5,且约2nm〈D50〈约180nm的分布特性，所以在浆料中硅粉末的分散提高，并且可以防 止硅浆料中以浆料状态存在的硅被氧化，而诸如硅粉末的暴露在空气中的硅容易被氧化。 以这种方式，当硅被防止氧化时，当应用到阳极活性材料中时，硅浆料可以进一步提高在该 硅浆料中具有相同确定量的硅的二次电池的容量。结果，使用硅浆料所制备的阳极活性材 料能够获得二次电池的优异的电性能。
[0064] 因此，可以将上述用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料有效地应用于二次电池 的阳极活性材料。
[0065] 如上所述，上述用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料使硅颗粒能够更均匀分 散，从而获得优异的分散特性。
[0066] 在一个实施方式中，用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料可以具有约KD90/ D50彡约2. 0,且约2nm〈D50〈约160nm的硅颗粒分布。
[0067]在另一个实施方式中，用于二次电池的阳极活性材料的硅浆料可以具有约 1彡D90/D50彡约L75,且约2nm〈D50〈约120nm的硅颗粒分布。
[0068] 在根据本发明的另一方面，提供了由混合的组合物制备的碳-硅复合物，在该混 合的组合物中，硅浆料与碳混合。该碳-硅复合物可以用于制备二次电池，并且可以特别用 作形成二次电池的阳极的阳极活性材料。
[0069] 获得上述分散特性的硅浆料用于制备碳-硅复合物。
[0070] 上述混合的组合物通过将碳添加到如上所述而制备的硅浆料中来制备，并使该混 合的组合物经受热处理，随后碳化，从而制备碳-硅复合物。
[0071] 上述碳可以包括选自由浙青、天然石墨、人造石墨、软碳、硬碳、石墨烯、碳纳米管， 及其混合物组成的组中的至少一种，但并不限于此。优选地，该碳是浙青。
[0072] 基于碳-硅复合物中100重量份的碳，硅可以以约0. 5重量份?约30重量份的量 存在。
[0073] 当将包括该量比的碳和硅的碳-硅复合物用作二次电池的阳极活性材料时，该 碳-硅复合物使二次电池不遭受充放电期间由硅引起的过度体积膨胀，同时使二次电池确 保高容量，从而确保二次电池的长寿命。
[0074] 在下文中，将参照一些实施例对本发明进行更详细地描述。然而，应当注意的是， 这些实施例仅被提供用于示例，并不以任何方式解释为限制本发明。
[0075](实施例）
[0076] 实施例1
[0077] 通过将平均粒径为50nm的硅粉末与NMP混合，随后以连续循环方式在20kHz和 500W下进行超声处理30分钟来制备包括10wt%的硅的浆料，从而制备了满足I<D90/ D50彡2. 5,且2nm〈D50〈180nm的分散条件的硅浆料。
[0078] 实施例2
[0079] 通过将平均粒径为50nm的硅粉末与NMP混合来制备包括10wt%的硅的浆料；并基 于100重量份的硅粉末，将10重量份的聚丙烯酸-聚苯乙烯嵌段共聚物作为添加剂添加到 该浆料中。使所制备的浆料以连续循环方式在20kHz和500W下经受超声处理30分钟，从 而制备了满足1彡D90/D50彡2. 5,且2nm〈D50〈180nm的分散条件的硅浆料。
[0080] 实施例3
[0081] 除了将聚丙烯酸-聚丙烯腈嵌段共聚物而不是聚丙烯酸-聚苯乙烯嵌段共聚物用 作添加剂外，以与实施例2中相同的方式制备了满足KD90/D50 < 2. 5,且2nm〈D50〈180nm 的分散条件的硅浆料。
[0082] 实施例4
[0083] 除了将聚丙烯酸而不是聚丙烯酸-聚苯乙烯嵌段共聚物用作添加剂外，以与实施 例2中相同的方式制备了满足1彡D90/D50彡2. 5,且2nm〈D50〈180nm的分散条件的硅浆 料。
[0084] 实施例5
[0085] 通过将平均粒径为50nm的硅粉末与NMP混合来制备包括10wt%的硅的浆料；并基 于100重量份的硅粉末，将10重量份的聚丙烯酸-聚苯乙烯嵌段共聚物作为添加剂添加到 该浆料中。使所制备的浆料以批次方式在20kHz和500W下经受超声处理45分钟，从而制 备了满足1彡D90/D50彡2. 5,且2nm〈D50〈180nm的分散条件的硅浆料。
[0086] 实施例6
[0087]除了将聚马来酸而不是聚丙烯酸-聚苯乙烯嵌段共聚物用作添加剂外，以与实施 例2中相同的方式制备了满足1彡D90/D50彡2. 5,且2nm〈D50〈180nm的分散条件的硅浆 料。
[0088] 实施例7
[0089] 将浙青与实施例2中所制备的硅浆料混合，随后将该混合物搅拌约30分钟，从而 制备了混合的组合物。在此，基于100重量份的浙青，硅以5重量份的量存在。在真空下， 在125°C下蒸发NMP。然后，在KKKTC下使该混合的组合物碳化5小时，从而形成硅-碳复 合物。使所得到的硅-碳复合物以200rpm经受球磨1小时，随后分类，从而得到仅包括所 选择的粒径为20μm?50μm的颗粒的粉末。
[0090] 比较例1
[0091] 将平均粒径为50nm的硅粉末与混合溶剂(在该混合溶剂中，将NMP与环己酮以 50:50的重量比混合）混合，从而制备了包括10wt%的硅的硅浆料。
[0092] 比较例2
[0093] 将平均粒径为50nm的硅粉末与混合溶剂(在该混合溶剂中，将NMP与环己醇以 50:50的重量比混合）混合，从而制备了包括10wt%的硅的硅浆料。
[0094] 比较例3
[0095] 将平均粒径为50nm的硅粉末与混合溶剂(在该混合溶剂中，将NMP与甲基乙基酮 (MEK)以50:50的重量比混合）混合，从而制备了包括10wt%的硅的硅浆料。
[0096] 比较例4
[0097] 将平均粒径为50nm的硅粉末与混合溶剂(在该混合溶剂中，将NMP与碳酸二乙酯 (DC)以50:50的重量比混合）混合，从而制备了包括10wt%的硅的硅浆料。
[0098] 比较例5
[0099] 将平均粒径为50nm的硅粉末与四氢呋喃（THF)混合，从而制备了包括10wt%的硅 的硅浆料。
[0100] 比较例6
[0101] 除了将丙烯酸单体而不是聚丙烯酸-聚苯乙烯嵌段共聚物用作添加剂外，以与实 施例2中相同的方式制备了满足表2中所表示的分散条件的硅浆料。
[0102] 实骀例1
[0103] 使用ELS-Z2(OtsukaElectronicsCo.，Ltd.(大冢电子株式会社)），通过动态光 散射测量了实施例1?4和6以及比较例1?6中所制备的硅浆料的硅颗粒的分布特性。 结果示于图1和图2中，并且对应于上述结果的D90/D50的值和D50的值示于表1和表2 中。
[0104] [表 1]
[0105]
【权利要求】
1. 一种娃浆料，所述娃浆料用于二次电池的阳极活性材料，所述娃浆料包括娃颗粒和 分散介质，其中，当用D90来表示累积粒度分布为90%的娃粒径W及用D50来表示累积粒度 分布为50%的娃粒径时，所述娃浆料满足1《D90/D50《2. 5,且2皿<050<180皿的分散条 件。
2. 根据权利要求1所述的娃浆料，其中，所述娃浆料具有1《D90/D50《2. 0,且 2nm<D50<160nm的娃颗粒分布。
3. 根据权利要求1所述的娃浆料，其中，所述娃浆料具有1《D90/D50《1. 75,且 2nm<D50<120nm的娃颗粒分布。
4. 根据权利要求1所述的娃浆料，其中，娃W 0. Iwt%?30wt%的量存在。
5. 根据权利要求1所述的娃浆料，其中，所述分散介质包括选自由N-甲基-2-化咯 焼丽、四氨巧喃、水、己醇、甲醇、环己醇、环己丽、甲基己基丽、丙丽、己二醇、辛快、碳酸二己 醋、二甲基亚讽，及其混合物组成的组中的至少一种。
6. 根据权利要求1所述的娃浆料，还包括添加剂，所述添加剂包括选自由聚丙帰酸、聚 丙帰酸醋、聚甲基丙帰酸、聚甲基丙帰酸甲醋、聚丙帰醜胺、駿甲基纤维素、聚己酸己帰醋、 聚马来酸、聚己二醇、聚己帰树脂、它们的共聚物、包括对Si具有高亲和性的嵌段和对Si具 有低亲和性的嵌段的嵌段共聚物，及其混合物组成的组中的至少一种。
7. 根据权利要求6所述的娃浆料，其中，基于100重量份的所述娃颗粒，所述添加剂W 约0. 1重量份?约50重量份的量存在。
8. 根据权利要求1所述的娃浆料，其中，所述娃浆料受过超声处理。
9. 根据权利要求8所述的娃浆料，其中，所述超声处理W批次方式或W连续循环方式 来进行，在所述批次方式中，使全部所述娃浆料经受超声处理，在所述连续循环方式中，连 续地使所述娃浆料的一部分经受超声处理，同时使所述娃浆料循环。
10. 根据权利要求1所述的娃浆料，其中，所述娃浆料通过使平均粒径为2nm?200nm 的娃粉末与所述分散介质混合来制备。
11. 一种碳-娃复合物，所述碳-娃复合物由混合的组合物制备，在所述混合的组合物 中，碳与根据权利要求1?10中任意一项所述的娃浆料混合。
12. 根据权利要求11所述的碳-娃复合物，其中，所述碳包括选自由渐青、天然石墨、人 造石墨、软碳、硬碳、石墨帰、碳纳米管，及其混合物组成的组中的至少一种。
13. 根据权利要求11所述的碳-娃复合物，其中，基于100重量份的所述碳，娃W约0. 5 重量份?约30重量份的量存在。
14. 根据权利要求11所述的碳-娃复合物，其中，所述碳-娃复合物通过对所述混合的 组合物进行热处理并随后碳化来制备。
【文档编号】H01M4/38GK104347860SQ201410079821
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年3月5日 优先权日:2013年8月9日
【发明者】金尧燮, 郑恩惠, 郑圣虎, 金亨洛 申请人:Oci有限公司