改善闪存高温氧化处理的方法
【专利摘要】本发明提供了一种改善闪存高温氧化处理的方法，包括：将晶圆从用于放置和传输晶圆盒的设备传递至炉体内的反应腔体；将炉体连接至气体集成系统，并且利用导管将炉体连接至与气体集成系统相连的抽真空泵；在炉体内的反应腔体对晶圆执行高温氧化处理，其中气体集成系统用于控制反应腔体内的工艺气体，并且其中开启抽真空泵以便在高温氧化处理的过程中对炉体进行抽真空。在根据本发明的改善闪存高温氧化处理的方法中，通过外加真空排气功能减少环境中氯离子的残留，有效地改善闪存产品的良率。
【专利说明】改善闪存高温氧化处理的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种改善闪存高温氧化处理的方法。
【背景技术】
[0002]闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。
[0003]闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。
[0004]然而，在现有技术中，闪存广品的良率很难提闻，由此提闻闪存广品的良率是值得期待的方法。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够闪存产品的良率的方法。
[0006]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种改善闪存高温氧化处理的方法，其包括:
[0007]第一步骤:将晶圆从用于放置和传输晶圆盒的设备传递至炉体内的反应腔体；
[0008]第二步骤:将炉体连接至气体集成系统，并且利用导管将炉体连接至与气体集成系统相连的抽真空泵；
[0009]第三步骤:在炉体内的反应腔体对晶圆执行高温氧化处理，其中气体集成系统用于控制反应腔体内的工艺气体，并且其中开启抽真空泵以便在高温氧化处理的过程中对炉体进行抽真空。
[0010]优选地，所述改善闪存高温氧化处理的方法用于在高温800摄氏度的环境中以低压<500mToll生长500A?600A厚度的二氧化硅SiO2薄膜的工艺。
[0011]优选地，所述改善闪存高温氧化处理的方法用于生长作为隔离物的氧化物的闪存制造工艺。
[0012]优选地，在高温氧化处理中发生了如下化学反应:
[0013]SiH2Cl2+2N20 — Si02+2N2+2HC1。
[0014]优选地，在高温氧化处理中发生了如下化学反应:
[0015]4SiH2Cl2+4H20 — (SiH2O) 4 (固体)+8HC1。
[0016]优选地，在高温氧化处理中发生了如下化学反应:
[0017]SiH2Cl2+02 — SiO2 (固体)+2HCl。[0018]在闪存制造的高温氧化处理中产生了会影响闪存产品的良率的氯离子(Cl_)副产品，相应地，在根据本发明的改善闪存高温氧化处理的方法中，通过外加真空排气功能减少环境中氯离子的残留，有效地改善闪存产品的良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0020]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的改善闪存高温氧化处理的方法的流程图。
[0021]图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的改善闪存高温氧化处理的方法的具体示例的示意图。
[0022]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0023]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0024]在闪存的制造工艺中，存在需要进行高温氧化处理以生长氧化物(例如，作为隔离物的氧化物)的工艺步骤。例如，在某些具体闪存工艺中，会需要在高温800摄氏度的环境中，以低压<500mToll，生长500A?600A厚度的二氧化硅SiO2薄膜。
[0025]本发明的发明人有利地发现，在高温氧化处理会不期望地出现的氯离子(CD副产品，如果不去除氯离子，则最终会影响闪存产品的良率。相应地，本发明的发明人提出通过外加真空排气功能减少环境中氯离子的残留，以改善闪存产品的良率。
[0026]具体地说，图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的改善闪存高温氧化处理的方法的流程图。而且，图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的改善闪存高温氧化处理的方法的具体示例的示意图。
[0027]例如，根据本发明优选实施例的改善闪存高温氧化处理的方法可用于在高温800摄氏度的环境中以低压<500mToll生长500A?600A厚度的二氧化硅SiO2薄膜的工艺。
[0028]更具体地说，如图1所示，根据本发明优选实施例的改善闪存高温氧化处理的方法包括:
[0029]第一步骤S1:将晶圆从用于放置和传输晶圆盒的设备100 (如图2所示)传递至炉体200内的反应腔体201 ；
[0030]第二步骤S2:将炉体200连接至气体集成系统300，并且利用导管400将炉体200连接至与气体集成系统300相连的抽真空泵500 ；
[0031]第三步骤S3:在炉体200内的反应腔体201对晶圆执行高温氧化处理，其中气体集成系统300用于控制反应腔体201内的工艺气体，并且其中开启抽真空泵500以便在高温氧化处理的过程中对炉体200进行抽真空。
[0032]例如，在具体示例中，在高温氧化处理中发生了如下化学反应中的一种或者多种:[0033]SiH2Cl2+2N20 — Si02+2N2+2HC1 ；
[0034]4SiH2Cl2+4H20 — (SiH2O) 4 (固体)+8HC1 ；
[0035]SiH2Cl2+02 — SiO2 (固体)+2HC1。
[0036]以下给出根据现有技术的工艺的“实验一”以及根据本发明实施例的“实验二”，可以看出，通过采用根据本发明优选实施例的改善闪存高温氧化处理的方法，氯离子平均浓度从202.35下降为195.74。
[0037]
【权利要求】
1.一种改善闪存高温氧化处理的方法，其特征在于包括: 第一步骤:将晶圆从用于放置和传输晶圆盒的设备传递至炉体内的反应腔体； 第二步骤:将炉体连接至气体集成系统，并且利用金属管将炉体连接至与气体集成系统相连的抽真空泵； 第三步骤:在炉体内的反应腔体对晶圆执行高温氧化处理，其中气体集成系统用于控制反应腔体内的工艺气体，并且其中开启抽真空泵以便在高温氧化处理的过程中对炉体进行抽真空。
2.根据权利要求1所述的改善闪存高温氧化处理的方法，其特征在于，所述改善闪存高温氧化处理的方法用于在高温800摄氏度的环境中以低压〈500 mToll生长500A~600A厚度的二氧化硅SiO2薄膜的工艺。
3.根据权利要求1或2所述的改善闪存高温氧化处理的方法，其特征在于，所述改善闪存高温氧化处理的方法用于生长作为隔离物的氧化物的闪存制造工艺。
4.根据权利要求1或2所述的改善闪存高温氧化处理的方法，其特征在于，在高温氧化处理中发生了如下化学反应:`
SiH2Cl2+2N20 — Si02+2N2+2HC1。
5.根据权利要求1或2所述的改善闪存高温氧化处理的方法，其特征在于，在高温氧化处理中发生了如下化学反应:
4SiH2Cl2+4H20 — (SiH2O) 4(固体)+8HCl。
6.根据权利要求1或2所述的改善闪存高温氧化处理的方法，其特征在于，在高温氧化处理中发生了如下化学反应:
SiH2Cl2+02 — SiO2 (固体)+2HCl。
【文档编号】H01L21/8247GK103839893SQ201410097591
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2014年3月17日 优先权日:2014年3月17日
【发明者】李占斌 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司