芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明的实施例提供了一种芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件，涉及有机电致发光【技术领域】，为提高成膜性和氧化还原重复稳定性而发明。所述芳香胺衍生物，结构通式为I：R1、R2、R3和R4各自独立地代表氢、取代或未取代的C1-C40烷基、取代或未取代的C1-C40烷氧基、取代或未取代的C3-C40环烷基、取代或未取代的C6-C50芳基、取代或未取代的含有一个或两个选自N、O或S的杂原子的C3-C50杂芳基、或者与和其连接的苯基一起形成取代或未取代的C10-C40稠合芳基；其中，m、n、p和q各自独立地代表0、1、2、3、4或5；取代基为一个或多个选自卤素、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C3-C20环烷基、C6-C20芳基或C4-C20杂芳基的基团。本发明可用于有机电致发光器件中。
【专利说明】芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机电致发光【技术领域】，尤其涉及一种芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, OLED)是指有机半导体材料在电场作用下发光的技术，因其具有主动发光、全固态、驱动电压低、效率高、响应速度快、视角宽、制作工艺简单及可实现大面积和柔性显示等诸多优点，在平板显示及照明方面有着广阔的应用前景。
[0003]—般而言所公知的OLED器件结构包括空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。为提高OLED器件的发光效率及使用寿命，很多空穴传输材料被研究分析和使用。例如早期在发展影印技术时发明的三芳香胺类物质，具有较高的的载子迁移率，但玻璃化转变温度低，成膜特性不佳，不利于有机电致发光器件的制备。又例如并五苯化合物，显示出很高的载子迁移率，但此类物质具有较高的HOMO能级，其氧化还原重复性不够稳定，即制成的有机电致发光器件的寿命不高。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例的主要目的在于，提供一种成膜性佳、氧化还原重复稳定性的芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件。 [0005]为达到上述目的，本发明提供了一种芳香胺衍生物，结构通式为1:
[0006]
【权利要求】
1.一种芳香胺衍生物，其特征在于，结构通式为1:
2.根据权利要求1所述的芳香胺衍生物，其特征在于， 所述1、R2> R3和R4各自独立地代表氢、取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、取代或未取代的C3-C6环烷基、取代或未取代的C6-C18芳基、取代或未取代的含有一个或两个选自N、O或S的杂原子的C4-Cltl杂芳基、或者与和其连接的苯基一起形成取代或未取代的Cltl-C18稠合芳基； m、n、p和q各自独立地代表0、1、2或3 ； 所述取代基为一个或多个选自C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C6-C18芳基。
3.根据权利要求1或2所述的芳香胺衍生物，其特征在于， [R丄、[R2]n分别与[R3]p、[R4]q相同，并且[R丄、[R2]n在苯基上的取代位置分别与[R3]p、[R4],在苯基上的取代位置相同。
4.根据权利要求1或2所述的芳香胺衍生物，其特征在于， [Rjm、[R2]n, [R3]P> [R4] q均相同，并且在苯基上的取代位置相同。
5.一种如权利要求1所述的芳香胺衍生物的制备方法，其特征在于，包括: 在反应容器中加入结构式为II的5，11- 二取代并噻吩[3’，2’:5，6]吲哚[3，2_b]并噻吩[3，2-f]吲哚、结构式为III的三芳胺、结构式为IV的三芳胺、催化剂、碱、相转移催化剂以及溶剂并混合；其中，X、Y各自独立地代表卤素；
6.根据权利要求5所述的芳香胺衍生物的制备方法，其特征在于， 所述结构式为III的三芳胺与所述结构式为IV的三芳胺相同。
7.根据权利要求6所述的芳香胺衍生物的制备方法，其特征在于，结构式为II的5，11- 二取代并噻吩[3’，2’:5，6]吲哚[3，2_b]并噻吩[3，2-f]吲哚与三芳胺的摩尔比为1:2 ~1:4。
8.根据权利要求5所述的芳香胺衍生物的制备方法，其特征在于，所述结构式为III的三芳胺与所述结构式为IV的三芳胺不同，则所述制备方法包括: 在反应容器中加入结构式为II的5，11- 二取代并噻吩[3’，2’:5，6]吲哚[3，2_b]并噻吩[3，2-f]吲哚、结构式为III的三芳胺、催化剂、碱、相转移催化剂以及溶剂并混合； 在搅拌下回流生成结构式为V的单侧取代中间产物；
9.根据权利要求8所述的芳香胺衍生物的制备方法，其特征在于，结构式为II的5，11- 二取代并噻吩[3’，2’:5，6]吲哚[3，2_b]并噻吩[3，2-f]吲哚与结构式为III的三芳胺的摩尔比为:1:1~1:2 ； 结构式为V的单侧取代中间产物与结构式为IV的三芳胺的摩尔比为:1:1~1:2。
10.根据权利要求1-4任一项所述的芳香胺衍生物用作空穴传输材料的用途。
11.一种有机电致发光器件，包括阴极、至少一个发光单元和阳极，所述发光单元包括空穴传输层，所述空穴传输层包括根据权利要求1-4任一项所述的芳香胺衍生物。
【文档编号】H01L51/54GK103992335SQ201410169185
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年4月24日 优先权日:2014年4月24日
【发明者】刘飞, 徐晓光, 高雪 申请人:京东方科技集团股份有限公司