可降低交流电阻的矩形导体的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种可降低交流电阻的矩形导体，包括矩形的导电体，导电体中设有正电荷存储体，该正电荷存储体中存储有正电荷。所述正电荷存储体的截面为矩形，且所述导电体与所述正电荷存储体的矩形截面的长边及宽边分别平行，且两矩形的中心重合；导电体和正电荷存储体之间设有绝缘层，导电体外部设有外部绝缘层；当导电体通过交流电时，正电荷存储体中的正电荷可将导电体外表层的部分自由导电电子吸引到导电体的内部，从而使导电体内流动的电子分布趋于均匀，降低导电体外表层中影响电子流动的交流电阻，降低电能损耗，提高矩形导体的使用效率。
【专利说明】 可降低交流电阻的矩形导体
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种矩形导体，特别是涉及一种内置正电荷存储体并可降低交流电阻的矩形导体。
【背景技术】
[0002]现有的矩形导体，在传输频率较高的交流电的过程中，存在着“趋肤效应”，即，矩形导体传输交流电时，导体内部电流分布不均匀，电流集中在导体外表层，而导体内部电流较小；趋肤效应增加了导体的交流电阻，造成了额外的电能损耗，且降低了导体的利用效率。
【发明内容】
[0003]鉴于上述原因，本发明的目的在于提供一种可降低交流电阻的矩形导体，该矩形导体传输较高频率交流电时，能使流动的电子在导电体中趋于均匀分布，进而降低矩形导体外表层中的交流电阻，降低电能损耗，提高矩形导体的利用率。
[0004]为实现上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0005]一种可降低交流电阻的矩形导体，包括矩形的导电体，
[0006]所述导电体中设有正电荷存储体，该正电荷存储体中存储有正电荷。
[0007]进一步的，
[0008]所述正电荷存储体的截面为矩形，且所述导电体和所述正电荷存储体的矩形截面的长边及宽边分别平行，且两矩形的中心重合。
[0009]所述正电荷存储体由若干圆形的子正电荷存储体构成，每个子正电荷存储体中均存储有正电荷；若干圆形的子正电荷存储体的圆形截面积相等，且每个圆形的子正电荷存储体的圆心均匀分布于所述导电体的宽边中心线上。
[0010]所述正电荷存储体由若干矩形的子正电荷存储体构成，每个子正电荷存储体中均存储有正电荷；若干矩形的子正电荷存储体的矩形截面积相等，且每个矩形的子正电荷存储体的宽边中心线与所述导电体的宽边中心线重合。
[0011]所述正电荷存储体与所述导电体之间设有绝缘层，所述子正电荷存储体与所述导电体之间设有子绝缘层。
[0012]所述导电体外部设有外部绝缘层。
[0013]所述导电体由良导体材料制成，所述绝缘层、子绝缘层及外部绝缘层均由绝缘材料制成，所述正电荷存储体、子正电荷存储体均由非良导体材料制成。
[0014]本发明的优点在于:
[0015]本发明的可降低交流电阻的矩形导体，在传输较高频率交流电时，能使流动的电子在导电体中趋于均匀分布，进而降低矩形导体外表层中的交流电阻，降低电能损耗，提高矩形导体的利用率。【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是本发明一具体实施例的矩形导体的结构示意图。
[0017]图2是图1的剖面图。
[0018]图3是本发明第二具体实施例的矩形导体的结构示意图。
[0019]图4是图3的剖面图。
[0020]图5是本发明第三具体实施例的矩形导体的结构示意图。
[0021]图6是图5的剖面图。
[0022]图7是本发明一优选实施例的矩形导体的结构示意图。
[0023]图8是图7的剖面图。
【具体实施方式】
[0024]以下结合附图和实施例对本发明作进一步详细的描述。
[0025]图1是本发明一具体实施例的矩形导体的结构示意图，图2是图1的剖面图。如图所示，本发明公开的可降低交流电阻的矩形导体，包括导电体1，导电体I中设有正电荷存储体2，该正电荷存储体2中存储有正电荷，当导电体I通过交流电时，正电荷存储体2中的正电荷可将导电体I外表层的部分自由导电电子吸引到导电体I的内部，从而使导电体内流动的电子分布趋于均勻，降低导电体外表层中影响电子流动的交流电阻，降低电能损耗，提高矩形导体的使用效率；
[0026]导电体I和正电荷存储体2之间还设有绝缘层3，该绝缘层3用于防止正电荷存储体2中的正电荷跑入导电体I ;如图1所示，正电荷存储体2设于矩形的导电体I的中央，且其截面同为矩形，导电体I和正电荷存储体2的矩形截面的长边及宽边分别平行，且两矩形的中心重合。
[0027]图3是本发明第二具体实施例的矩形导体的结构示意图，图4是图3的剖面图。如图所示，于一具体实施例中，正电荷存储体2由设于导电体I中的若干圆形的子正电荷存储体21构成，每个子正电荷存储体21中均存储有正电荷；若干圆形的子正电荷存储体21的圆形截面积相等，且每个圆形的子正电荷存储体21的圆心均匀分布于矩形的导电体I的宽边中心线上；每个圆形的子正电荷存储体21与导电体I之间均设有圆形的子绝缘层31，用于防止每个圆形的子正电荷存储体21中的正电荷跑入导电体I。
[0028]图5是本发明第三具体实施例的矩形导体的结构示意图，图6是图5的剖面图。如图所不，于又一具体实施例中，正电荷存储体2由设于导电体I中的若干矩形的子正电荷存储体22构成，每个子正电荷存储体22中均存储有正电荷；若干矩形的子正电荷存储体22的矩形截面积相等，且每个矩形的子正电荷存储体22的宽边中心线与矩形的导电体I的宽边中心线重合并且均匀分布于导电体I的宽边中心线上；每个矩形的子正电荷存储体22与导电体I之间均设有矩形的子绝缘层32，用于防止每个矩形的子正电荷存储体22中的正电荷跑入导电体I。
[0029]如图7及图8所示,于优选实施例中，导电体I外还设有外部绝缘层4。
[0030]其中，导电体I由良导体材料(如铜)制成，绝缘层、圆形的子绝缘层31、矩形的子绝缘层32及外部绝缘层4均由绝缘材料(如:聚乙烯，聚氯乙烯)制成，正电荷存储体2、圆形的子正电荷存储体21、矩形的子正电荷存储体22均由非良导体材料(如，硅)制成。[0031]需要说明的是，在上述第一、第二、第三具体实施例中，正电荷存储体、子正电荷存储体中存储的正电荷数量，与正电荷存储体、子正电荷存储体的截面积及其所使用的材料，绝缘层、子绝缘层厚度及其所使用的材料，以及导电体通过的电流、电压等有关，不同的材料对应不同的计算方法，且各种适用材料对应的计算方法已属于现有技术，本发明中不再--列举赘述。
[0032]本发明的可降低交流电阻的矩形导体的制作方法是:
[0033]先使用非良导体材料制作正电荷存储体(或子正电荷存储体)，然后在正电荷存储体(或子正电荷存储体)中注入正电荷(也可在制作过程中注入正电荷)；在正电荷存储体(或子正电荷存储体)的外表面紧密结合薄的绝缘层(或子绝缘层)，然后将带有绝缘层(或子绝缘层)的正电荷存储体(或子正电荷存储体)放入模具中，通过挤压拉伸或其它工艺技术，在绝缘层(或子绝缘层)外紧密结合导电体，最后在导电体外紧密结合外部绝缘层，最终制成带有正电荷存储体的矩形导体。
[0034]使用本发明的可降低交流电阻的矩形导体时，只要将其导电体与其它导体、或接线端、或交流电源连接即可。
[0035]以上所述是本发明的较佳实施例及其所运用的技术原理，对于本领域的技术人员来说，在不背离本发明的精神和范围的情况下，任何基于本发明技术方案基础上的等效变换、简单替换等显而易见的改变，均属于本发明保护范围之内。
【权利要求】
1.可降低交流电阻的矩形导体，包括矩形的导电体，其特征在于: 所述导电体中设有正电荷存储体，该正电荷存储体中存储有正电荷。
2.如权利要求1所述的可降低交流电阻的矩形导体，其特征在于: 所述正电荷存储体的截面为矩形，且所述导电体和所述正电荷存储体的矩形截面的长边及宽边分别平行，且两矩形的中心重合。
3.如权利要求1所述的可降低交流电阻的矩形导体，其特征在于: 所述正电荷存储体由若干圆形的子正电荷存储体构成，每个子正电荷存储体中均存储有正电荷；若干圆形的子正电荷存储体的圆形截面积相等，且每个圆形的子正电荷存储体的圆心均匀分布于所述导电体的宽边中心线上。
4.如权利要求1所述的可降低交流电阻的矩形导体，其特征在于； 所述正电荷存储体由若干矩形的子正电荷存储体构成，每个子正电荷存储体中均存储有正电荷；若干矩形的子正电荷存储体的矩形截面积相等，且每个矩形的子正电荷存储体的宽边中心线与所述导电体的宽边中心线重合。
5.如权利要求2或3或4所述的可降低交流电阻的矩形导体，其特征在于: 所述正电荷存储体与所述导电体之间设有绝缘层，所述子正电荷存储体与所述导电体之间设有子绝缘层。
6.如权利要求5所述的可降低交流电阻的矩形导体，其特征在于: 所述导电体外部设有外部绝缘层。
7.如权利要求6所述的可降低交流电阻的矩形导体，其特征在于: 所述导电体由良导体材料制成，所述绝缘层、子绝缘层及外部绝缘层均由绝缘材料制成，所述正电荷存储体、子正电荷存储体均由非良导体材料制成。
【文档编号】H01B7/30GK104036857SQ201410202778
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年5月14日 优先权日:2014年5月14日
【发明者】张念鲁 申请人:北京联合大学