扩张均匀性高的扩晶的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种半导体行业和LED行业使用的扩晶机，沿互相垂直的两条芯片切割道方向扩张十字形蓝膜，使得粘贴在十字形蓝膜上已经切好的晶元均匀扩张、芯片互相分离，相邻芯片之间的距离相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，达到芯片级封装或晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。
【专利说明】扩张均匀性高的扩晶机
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体行业和LED行业使用的扩晶机，使得晶元均匀扩张，相邻芯片之间的距离相等，减少后续的测量和分选工艺占用的机器分辨和定位时间，达到晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。
【背景技术】
[0002]晶元(wafer)上正方形和矩形芯片的切割道(cutting street)是沿互相垂直的两个方向:X方向和Y方向，X方向与晶元的平边(flat)平行。现有的扩晶机(waferexpander)都是沿晶元的半径方向扩张，因此，同一切割道方向上的相邻芯片(chip)之间的距离不相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较多的机器分辨和定位时间。另外，芯片级封装(chip scale package)或晶元级封装(wafer level package)要求同一切割道方向上的芯片之间的距离基本上相同。因此，需要一种扩晶机，使得扩张后的晶元上的同一切割道方向的芯片之间的距离基本上相同。
【发明内容】
[0003]本发明的首要目的是提供一种扩晶机，使得扩张后的晶元上同一切割道方向上相邻的芯片之间的距离基本相同，芯片之间的沿X方向的距离与沿Y方向的距离相同，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，满足芯片级封装的要求。第二个目的是提供一种扩晶机，使得扩张后的晶元在X方向的相邻的芯片之间的距离基本上相同，在Y方向的相邻的芯片之间的距离基本上相同，芯片之间的沿X方向的距离与沿Y方向的距离不同，因此，适用于矩形芯片，满足芯片级封装的要求。第三个目的是提供一种带有附件的扩晶机，达到上述第一和第二个目的。
[0004]本发明的扩晶机的工作原理:扩晶机包括:框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构。顶膜结构设置在框架结构的内部，沿垂直方向往返运动，扩张放置在其上的十字形蓝膜。压膜结构设置在框架结构上方，压紧和放松十字形蓝膜。压环结构设置在顶膜结构的上方，压环结构下降，将扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态。其特征在于，顶膜结构使得十字形蓝膜沿晶元的芯片切割道方向扩张。
[0005]本发明的扩晶机的实施实例:顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面，十字形蓝膜放置在蓝膜接触面上。蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，决定了十字形蓝膜扩张方向。一个实施实例:顶膜结构包括一个主体。主体的顶端表面是蓝膜接触面。蓝膜接触面的俯视的形状为正方形或矩形体。一个实施实例:顶膜结构包括第一主体和第二主体。第一主体设置在第二主体上方。第二主体的外形是圆柱体。第一主体的顶端的表面是蓝膜接触面，蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形。
[0006]本发明的扩晶机的实施实例:顶膜结构的顶端形成凸台和扩晶环支持面。十字形蓝膜放置在凸台的蓝膜接触面和内扩晶环的顶面上。放在扩晶环支持面上的内扩晶环的顶端的外周的俯视形状为正方形或矩形，决定了十字形蓝膜沿X和Y方向扩张。一个实施实例:顶膜结构包括一个主体。主体的顶端形成凸台和扩晶环支持面。一个实施实例:顶膜结构包括第一主体和第二主体。第一主体设置在第二主体上方。第二主体的形状为圆柱体。第一主体的顶端形成凸台和扩晶环支持面。
[0007]本发明的扩晶机的实施实例:顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面。顶膜结构的顶端形成扩晶环槽。扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分:内蓝膜接触面和外蓝膜接触面。外蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，决定了十字形蓝膜沿X和Y方向扩张。十字形蓝膜放置在内蓝膜接触面和外蓝膜接触面上，使得十字形蓝膜上的晶元在内蓝膜接触面上方，晶元的外周边缘没有超过内蓝膜接触面的外周边界。扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和。扩晶环槽的深度等于或大于内扩晶环或外扩晶环的宽度。一个实施实例:顶膜结构包括一个主体，主体的顶端表面形成扩晶环槽。一个实施实例:顶膜结构包括第一主体和第二主体。第一主体设置在第二主体上方。第二主体的形状为圆柱体。第一主体的顶端形成扩晶环槽。
[0008]本发明的扩晶机的实施实例:顶膜结构具有加热结构。
[0009]本发明的带有附件的扩晶机的工作原理:在传统的或本发明的扩晶机的顶膜结构的顶端设置一个附件，附件的顶端的表面与顶膜结构的顶端的表面在同一平面。附件的顶端的表面是蓝膜接触面，蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元的芯片切割道方向扩张，达到相邻的芯片之间的距离相同的目的。
[0010]带有附件的扩晶机的一个实施实例:顶膜结构的顶端形成凸台和扩晶环支持面；扩晶环支持面的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，扩晶环支持面的深度等于或大于内扩晶环或者外扩晶环的宽度。
[0011]带有附件的扩晶机的一个实施实例:顶膜结构的顶端形成扩晶环槽，扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，扩晶环槽的深度等于或大于内扩晶环的宽度。扩晶环槽把蓝膜接触面分成2部分:内蓝膜接触面和外蓝膜接触面。晶元在内蓝膜接触面上方。
[0012]带有附件的扩晶机的一个实施实例:在图1a展示的传统的扩晶机的顶膜结构的顶端设置一个附件，附件的外周的形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿X和Y两个方向扩张，达到相邻的芯片之间的距离相同的目的。
[0013]带有附件的扩晶机的一个实施实例:附件的靠近附件的通孔的位置处形成附件上的内扩晶环支持面。附件上的内扩晶环支持面的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，附件上的内扩晶环支持面的深度等于或者大于内扩晶环的宽度。
[0014]带有附件的扩晶机的一个实施实例:附件的顶端形成扩晶环槽，扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，扩晶环槽的深度等于或大于内扩晶环的宽度。
[0015]本发明的带有附件的扩晶机的工作原理:在传统的或本发明的扩晶机的顶膜结构的顶端设置一个附件，附件的顶端的表面与顶膜结构的顶端的表面在同一平面。一个实施实例:附件的顶端的外侧形成一个附件上的外扩晶环支持面，附件上的外扩晶环支持面的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，附件上的外扩晶环支持面的深度等于或者大于内扩晶环的宽度；放置在附件上的外扩晶环支持面上的内扩晶环的顶端的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。[0016]带有附件的扩晶机的一个实施实例:附件具有对附件进行加热的加热结构。
[0017]下面的事项对所有本发明的扩晶机的实施实例都适用:⑴顶膜结构顶端的蓝膜接触面上形成一个为了晶元的平边对位用的标记200。(2)所有蓝膜采用十字形蓝膜；放置晶元在十字形蓝膜的中心位置处，并使得晶元的平边与十字形蓝膜的一条边平行；放置十字形蓝膜在顶膜结构的顶端的蓝膜接触面上，晶元的平边103与对位标记200对准，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。(3)附图中的尺寸不成比例。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图la、图lb、图1c分别是传统扩晶机的顶膜结构的俯视图和截面图。
[0019]图2a和图2b是本发明的扩晶机的工作原理图。
[0020]图3a和图3b是本发明的扩晶机的实施实例的工作原理图。
[0021]图3c和图3d分别是图3a的顶膜结构的实施实例的示意图。
[0022]图3e和图3f分别是图3a的顶膜结构的实施实例的俯视图。
[0023]图4a和图4b是本发明的扩晶机的实施实例的工作原理图。
[0024]图4c和图4d分别是图4a的顶膜结构的凸台的实施实例的示意图。
[0025]图4e和图4f分别是图4a的顶膜结构的凸台的实施实例的俯视图。
[0026]图4g和图4h分别是图4a的顶膜结构的凸台的实施实例的示意图。
[0027]图4i和图4j分别是图4a的顶膜结构的凸台的实施实例的俯视图。
[0028]图5a和图5b是本发明的扩晶机的实施实例的工作原理图。
[0029]图5c和5d分别是图5a的监I旲接触面和扩晶环槽的实施实例的不意图。
[0030]图5e和图5f分别是图5a的蓝膜接触面和扩晶环槽的实施实例的俯视图。
[0031]图6a、图6b、图6c、图6d、图6e、图6f分别是本发明的带有附件的扩晶机的实施实例的工作原理图。
[0032]图6g、图61、图6k、图6n和图6h、图6 j、图6m、图6p分别是附件的实施实例的俯
视图和截面图。
[0033]图7a和图7b分别是内扩晶环和外扩晶环的俯视图和截面图。
[0034]图中的数字符号代表的含义如下:
[0035]10表示顶膜结构，
[0036]IOa和IOb分别表示顶膜结构10的第一主体和第二主体，
[0037]11表示顶膜结构10的表面的蓝膜接触面，
[0038]Ila表示顶膜结构10的表面的内蓝膜接触面，
[0039]Ilb表示顶膜结构10的表面的外蓝膜接触面，
[0040]12表示顶膜结构上的扩晶环支持面，
[0041]12a和12b分别表示扩晶环支持面的宽度和深度，
[0042]13表示凸台，
[0043]14表示扩晶环槽，
[0044]14a和14b分别表示扩晶环槽的宽度和深度，
[0045]15和15c分别表不顶膜结构10和第一主体的外周，
[0046]15a和15b分别与十字形蓝膜的边22和边23平行，[0047]20a和20b分别表不扩张前和扩张后的传统的蓝膜，
[0048]21a和21b分别表示扩张前和扩张后的十字形蓝膜，
[0049]22表示十字形蓝膜的一个边，边22与芯片切割道102平行，
[0050]23表示十字形蓝膜的与边22垂直的另一个边，边23与平边103平行，
[0051]30表示框架结构，
[0052]40表示压膜结构，
[0053]50表示压环结构，
[0054]60表示附件，
[0055]61表示附件的扩晶环槽，
[0056]61a和61b分别表示附件的外扩晶环支持面和附件的内扩晶环支持面，
[0057]62a和62b分别表示附件的通孔，
[0058]63表示附件的蓝膜接触面，
[0059]65表不附件的外周，
[0060]100表示晶元，
[0061]101表示X方向的芯片切割道，芯片切割道101与平边103平行，
[0062]102表示与X方向垂直的Y方向的芯片切割道，
[0063]103表示晶元的平边(flat)，芯片切割道101与平边103垂直，
[0064]105、105a、105b、105c、105d、105e分别表示蓝膜扩张后的芯片，
[0065]110表示贴片环，
[0066]120a和120b分别表示外扩晶环和内扩晶环，
[0067]121和122分别表示外扩晶环和内扩晶环的宽度和厚度，
[0068]123表示外扩晶环和内扩晶环的厚度之和，
[0069]200对位标记。
【具体实施方式】
[0070]为使本发明的实施实例的目的、工作原理、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施实例中的附图，对本发明的实施实例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施实例是本发明的一部分实施实例，而不是全部的实施实例。基于本发明中的实施实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施实例，都属于本发明保护的范围。
[0071]图la、图1b和图1c分别是传统的扩晶机的顶膜结构的俯视图和截面图。圆柱体的顶膜结构10的顶端形成凸台13和扩晶环支持面12，扩晶环支持面12具有宽度12a，凸台13的高度为12b。圆形的内扩晶环120b放置在扩晶环支持面12上，内扩晶环120b的内侧与凸台13的侧面相接近，内扩晶环120b的顶面与凸台13的蓝膜接触面11基本在同一平面上。蓝膜20a放置在蓝膜接触面11和内扩晶环120b的顶面上。晶元100黏贴在蓝膜20a的中心位置。晶元100具有平边103，X方向的芯片切割道101，Y方向的芯片切割道102。当顶膜结构10向上运动时，蓝膜20a被圆形的内扩晶环120b的顶面外侧边缘顶起并扩张，外扩晶环120a下压，把扩张后的蓝膜20b夹紧在内扩晶环120b和外扩晶环120a之间。蓝膜20a是沿圆形的内扩晶环120b的半径扩张，所以，沿X芯片切割道101和Y芯片切割道102方向分离的相邻芯片之间的距离不相同，增加了后续的测量和分选工艺的机器分辨和定位时间，不能做晶元级封装。
[0072]图2a和图2b展示本发明的扩晶机的目的:相邻芯片之间分离的距离基本相同。工作原理:只沿芯片切割道101与芯片切割道102两个方向扩张十字形蓝膜21a。技术方案:(I)采用十字形蓝膜21a ； (2)放置晶元100在十字形蓝膜21a的中心位置处，晶元100的平边103与十字形蓝膜21a的边23平行，十字形蓝膜21a放置在顶膜结构上，使得晶元100的平边103与对位标记200对准；(3)决定十字形蓝膜的扩张方向的顶膜结构10的蓝膜接触面11 (图3a)和Ilb (图5a)或内扩晶环120b (图4b)的顶端的外周或附件60 (图6a、图6b、图6d、图6e和图6f)的顶端的外周65或放在附件的外扩晶环支持面上的内扩晶环的顶面的外周(图6c)的俯视形状是正方形或矩形；因此，(4)当顶膜结构10上升时，十字形蓝膜21a只沿芯片切割道方向扩张，扩张后的十字形蓝膜21b上X方向的相邻芯片(例如，芯片105a和芯片105b之间以及芯片105b和芯片105c之间)分离的距离基本相同，Y方向相邻芯片(例如，芯片105a和芯片105d之间以及芯片105a和芯片105e之间)分离的距离基本相同，降低了后续的测量和分选工艺的机器分辨和定位时间，可以直接进行晶元级封装。
[0073]图3a和图3b展示本发明的扩晶机的实施实例的工作原理。扩晶机包括，框架结构30、顶膜结构10、压膜结构40、压环结构50。顶膜结构10设置在框架结构30的内部。压膜结构40设置在框架结构30的上方，压紧和放松十字形蓝膜。压环结构50设置在顶膜结构10和框架结构30的上方，蓝膜被扩张后，压环结构50下降，把贴片环110压在扩张后的十字形蓝膜21b上，十字形蓝膜21b粘结在贴片环110上并保持扩张状态。顶膜结构10的顶端的表面是蓝膜接触面11。蓝膜接触面11的外周15的俯视形状决定十字形蓝膜扩张的方向，外周15的俯视形状为正方形(图3e)或矩形(图3f)，使得十字形蓝膜只沿互相垂直的两个方向扩张。
[0074]图3c展示的顶膜结构10包括，第一主体IOa和第二主体10b。第一主体IOa的顶端是蓝膜接触面11及对位标记200 ;蓝膜接触面11的外周15c是正方形或矩形。第二主体IOb具有圆柱体结构。第一主体IOa设置在第二主体IOb的上方。图3d展示的顶膜结构10只有一个六面体主体，其顶端是正方形或矩形蓝膜接触面11及对位标记200。
[0075]蓝膜接触面11 (图3e)的外周15的俯视形状是正方形，使得十字形蓝膜沿互相垂直的X和Y方向有相同程度的扩张，因此，相邻芯片之间的距离相同，这种顶膜结构10适用于正方形芯片。例如，图2b中，芯片105a与105b之间的距离、芯片105b与105c之间的距离、芯片105a与105d之间的距离和芯片105a与105e之间的距离基本相同。蓝膜接触面11(图3f)的外周15的俯视形状是矩形，使得十字形蓝膜沿矩形的短边方向的扩张小于沿长边方向的扩张，因此，相邻芯片之间的在同一方向的距离相同，但是，与另一方向的芯片之间的距离不同，这种顶膜结构10适用于矩形芯片。例如，图2b中，沿X方向:芯片105a与105b之间的距离和芯片105b与105c之间的距离相同。沿Y方向:芯片105a与105d之间的距离和芯片105a与105e之间的距离相同。但是，芯片105a与105b之间的距离和芯片105a与105d之间的距离不相同。
[0076]图4a和图4b展示本发明的扩晶机的实施实例的工作原理。图4a展示的扩晶机与图3a展示的扩晶机相似，不同之处在于:图4a的顶膜结构10的顶端形成凸台13和扩晶环支持面12，扩晶环支持面12的外周15 (也是顶膜结构10的外周)的俯视形状是正方形(图4e)或矩形(图4f)。注:扩晶环支持面12的外周15的俯视形状也可以是圆形(未在图中展示)，只要内扩晶环120b的顶部外周的俯视形状是正方形或矩形，并且扩晶环支持面12可以支持内扩晶环120b即可。内扩晶环120b的顶部外周形状使得十字形蓝膜沿X和Y方向扩张。
[0077]图4c展示的顶膜结构10只有一个主体，其顶端具有凸台13和扩晶环支持面12，凸台13顶部是蓝膜接触面11及对位标记200。凸台13的高度是12b，扩晶环支持面12的宽度是12a (图4e)。图4d展示的顶膜结构具有第一主体IOa和第二主体10b。第一主体IOa的顶端具有正方形或矩形凸台13和扩晶环支持面12，凸台13顶部是蓝膜接触面11及对位标记200。第一主体IOa设置在圆柱体形状的第二主体IOb的上方。第一主体IOa和第二主体IOb既可以分别制造后组装也可以一次成型。图4c的扩晶环支持面12的外周15和图4d的扩晶环支持面12的外周15c分别是正方形或者矩形。注:扩晶环支持面12的外周15 (图4c)和外周15c (图4d)的俯视形状也可以是圆形(未在图中展示)。扩晶环支持面12的宽度12a等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和123，凸台13的高度12b等于或者大于内扩晶环的宽度。
[0078]图4e展示的凸台13的外周的俯视形状与顶膜结构的外周的俯视形状相同，是正方形。图4f展示的凸台13的外周的俯视形状与顶膜结构的外周的俯视形状相同，都是矩形。凸台13具有蓝膜接触面11。扩晶环支持面12的外周15的俯视形状是正方形(图4e)或矩形(图4f)。
[0079]图4g展示的顶膜结构10只有一个主体，主体的外周15的俯视形状为正方形或矩形。顶膜结构10的顶端形成外周的俯视形状为圆形的凸台13,凸台13的顶端具有蓝膜接触面11及对位标记200。图4h展示的顶膜结构具有第一主体IOa和第二主体10b。第一主体IOa的外周15c的俯视形状为正方形或矩形。第一主体IOa的顶部具有圆形凸台13,凸台13具有蓝膜接触面11及对位标记200。第一主体IOa设置在圆柱体形状的第二主体IOb的上方。图4g和图4h展示的扩晶环支持面12的内边是圆形、外周15或者外周15c的俯视形状分别是正方形或矩形。
[0080]图4i展示的凸台13的外周的俯视形状为圆形。顶膜结构的外周15的俯视形状是正方形。图4j展示的凸台13的外周的俯视形状为圆形，顶膜结构的外周15的俯视形状是矩形。图4i和图4j展示的凸台13分别具有蓝膜接触面11及对位标记200。扩晶环支持面12具有内边是圆形、外边是正方形或矩形的环形形状。
[0081]注:(I)图4c和图4g的主体10可以分别是圆柱体，只要主体10可以分别支持外周的俯视形状为正方形或矩形的内扩晶环。(2)图4d和图4h的第一主体IOa可以分别是圆柱体，只要第一主体IOa可以分别支持外周的俯视形状为正方形或矩形的内扩晶环。
[0082]图5a和图5b展示本发明的扩晶机的实施实例的工作原理。图5a展示的扩晶机与图3a展示的相似。不同之处在于:图5a的顶膜结构10的顶端形成宽度14a和深度14b的扩晶环槽14。扩晶环槽14把顶膜结构10顶端的蓝膜接触面分成两部分:内蓝膜接触面IIa和外蓝膜接触面lib。外蓝膜接触面Ilb的外周15 (图5c)或者15c (图5d)的俯视形状分别为正方形(图5e)或矩形(图5f)。内蓝膜接触面Ila的外周的俯视形状为圆形(图5e)或正方形或矩形(图5f)。内蓝膜接触面Ila的外周的最小尺寸【直径(图5e)或宽度(图5f))或一边的边长(正方形，未在图中展示)】大于晶元的直径。扩晶环槽14的宽度14a大于等于内扩晶环120b和外扩晶环120a的厚度之和123 (图7b)，扩晶环槽14的深度14b大于等于内扩晶环120b的宽度121 (图7b)，使得内扩晶环120b和外扩晶环120a可以放入扩晶环槽14中。当十字形蓝膜21a扩张后，压环结构50下降，把外扩晶环120a压在十字形蓝膜21b上，继续向下压，直至把外扩晶环120a压在扩晶环槽14的底面，将扩张后的十字形蓝膜21b夹在外扩晶环120a和内扩晶环120b之间，以便进行后续工艺。其优势在于，对于内蓝膜接触面Ila的外周的俯视形状为圆形(图5e)的实施实例，可以继续使用现有的圆形扩晶环。扩晶环槽14的宽度14a等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和123，扩晶环槽14的深度14b等于或者大于内扩晶环的宽度
[0083]图5c展示的顶膜结构10只有一个主体，主体的外周15的俯视形状为正方形或矩形。顶膜结构10的顶端形成扩晶环槽14，扩晶环槽14把顶膜结构10顶端的蓝膜接触面分成两部分:内蓝膜接触面Ila和外蓝膜接触面lib。图5d展示的顶膜结构具有第一主体IOa和第二主体10b。第一主体IOa的外周15c的俯视形状为正方形或矩形。第一主体IOa的顶端形成圆形扩晶环槽14，扩晶环槽14把顶膜结构10顶端的蓝膜接触面分成两部分:内蓝膜接触面Ila和外蓝膜接触面lib。第二主体IOb具有圆柱体结构。第一主体IOa设置在第二主体IOb的上方。注:(I)图5c和图5d展示的扩晶环槽14也可以具有正方形或矩形的环形形状，如图5f的扩晶环槽14。(2)内蓝膜接触面Ila上形成对位标记200。
[0084]图6a至图6e展示本发明的带有附件的扩晶机的实施实例。图6a至图6e中的附件60设置在顶膜结构10的顶端的外周，顶膜结构10带动附件60共同运动。附件60的外周65的俯视形状是正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿互相垂直的两条芯片切割道方向扩张。晶元100黏贴在十字形蓝膜上。附件60向上运动，十字形蓝膜被附件60的正方形或矩形的外周65的边缘顶起，十字形蓝膜沿晶元的2条芯片切割道101和102扩张。
[0085]一个实施实例:图6a展示的扩晶机与图1a展示的传统的扩晶机相似:区别在于:图6a的扩晶机包括固定在顶膜结构10的顶端的外周的附件60 (图6k和图6n)。附件60的顶端的蓝膜接触面63与顶膜结构10的蓝膜接触面11在同一平面。附件60的中心形成通孔62a，通孔62a的直径与顶膜结构10的直径相配合，使得附件60可以固定在顶膜结构10的顶端。
[0086]一个实施实例:图6a展示的扩晶机与图4a展示的扩晶机相似:区别在于:(I)图6a的扩晶环支持面12的外周15也可以是圆形；⑵图6a的扩晶机包括附件60(如图6k、图6m和图6n、图6p所示)。附件60的中心形成通孔62b，通孔62b的形状和尺寸与顶膜结构10的外周15的形状和尺寸相配合，使得附件60可以固定在顶膜结构10的顶端。
[0087]一个实施实例:图6b展示的扩晶机与图5a展示的扩晶机相似:区别在于:(I)图6b的顶膜结构的外周15的俯视形状也可以是圆形；⑵图6b的扩晶机包括附件60(如图6k、图6m和图6n、图6p所示)。形成在附件60的中心的通孔62a (图6k)或通孔62b (图6n)的形状和尺寸与顶膜结构10的外周15的形状和尺寸相配合，使得附件60可以固定在顶膜结构10的顶端。
[0088] 一个实施实例:图6c展示的扩晶机与图3a展示扩晶机相似:区别在于:⑴图6c的扩晶机的顶膜结构的顶端的外周的俯视形状可以是圆形或正方形或矩形；(2)包括附件60，固定在顶膜结构10的顶端的外周。附件60的中心具有通孔62a (图6g)或正方形或矩形通孔62b，通孔62a的直径与顶膜结构10的直径相配合，使得附件60可以固定在顶膜结构10的顶端。附件60的外侧形成一个附件上的外扩晶环支持面61a，正方形或矩形的内扩晶环120b放置在附件上的外扩晶环支持面61a中。通孔62b的形状与尺寸与顶膜结构10的形状与尺寸相配合，使得附件60可以固定在顶膜结构10的顶端的外周。附件上的外扩晶环支持面61a的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和123 (图7b)。
[0089]一个实施实例:图6d展示的扩晶机与图3a展示的扩晶机相似:区别在于:(I)图6d的扩晶机的顶膜结构的顶端的外周的俯视形状可以是圆形；(2)包括附件60。附件60固定在顶膜结构10的顶端的外周。附件60的中心形成通孔62a或通孔62b,通孔62a或通孔62b的形状和尺寸与顶膜结构10的顶端的形状和尺寸相配合，使得附件60可以固定在顶膜结构10的顶端的外周。在靠近附件的通孔62a或通孔62b的位置处形成附件上的内扩晶环支持面61b。附件上的内扩晶环支持面61b的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和。正方形或矩形的内扩晶环120b放置在附件上的扩晶环支持面61b上。十字形蓝膜放置在顶膜结构10的蓝膜接触面11、内扩晶环120b的顶面(未展示)和附件60的蓝膜接触面63上。
[0090]一个实施实例:图6e展示的扩晶机与图6d展示的扩晶机相似:区别在于:图6e的扩晶机的附件60上没有形成如图6d中的附件上的内扩晶环支持面61b，而是附件60上形成扩晶环槽61。扩晶环槽61可以容纳内扩晶环和外扩晶环。
[0091]一个实施实例:图6f展示的扩晶机与图6e展示的扩晶机相似:区别在于:图6f的扩晶机的附件60 (如图6k、图6m、图6n、图p)上没有扩晶环槽。图6f展示的扩晶机的顶膜结构可以是圆柱体。
[0092]图6g和图6h分别展示附件的一个实施实例的俯视图和截面图。附件60的外周65的俯视形状具有正方形(图6g)或矩形(未展示)，附件60具有与蓝膜接触的顶面63，中间具有通孔62a，外扩晶环支持面61a。
[0093]图6i和图6j分别展示附件的一个实施实例的俯视图和截面图。附件60的外周65具有正方形(图6i)或矩形(未展示)形状，与蓝膜接触的顶面63，中间具有通孔62a，具有圆环形的附件上的内扩晶环支持面61b。
[0094]注:(1)图6g、图6h、图6i和图6j中的附件60的中间部位也可以具有正方形或矩形通孔以代替通孔62a; (2)附件上的外扩晶环支持面61a和内扩晶环支持面61b也可以是正方形环形或矩形环形以代替圆环形。
[0095]图6k和图6m分别展示附件的一个实施实例的俯视图和截面图。附件60的外周65具有正方形(未展示)或矩形(图6k)形状，与蓝膜接触的顶面63，中间形成通孔62a。
[0096]图6n和图6p分别展示附件的一个实施实例的俯视图和截面图。附件60的外周65具有正方形(未展示)或矩形(图6n)形状，与蓝膜接触的顶面63，中间形成通孔62b。
[0097]图7a和图7b分别展示内扩晶环和外扩晶环的俯视图和截面图。内扩晶环120b和外扩晶环120a具有基本相同的宽度121和基本相同的厚度122。内扩晶环120b的外周半径与外扩晶环120a的内径基本相同，使得内扩晶环120b和外扩晶环120a可以套在一起，内扩晶环120b和外扩晶环120a的厚度的和123。
[0098]最后应说明的是:以上实施实例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施实例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述实施实例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施实例技术方案的精神和范围。
【权利要求】
1.一种扩晶机，包括:框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构；所述顶膜结构沿竖直方向往返运动，扩张放置在其上的十字形蓝膜；所述压膜结构设置在所述框架结构上方，压紧和放松十字形蓝膜；所述压环结构设置在所述顶膜结构的上方，所述压环结构下降，使得扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态；其特征在于，所述顶膜结构，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。
2.根据权利要求1的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面，十字形蓝膜放置在所述蓝膜接触面上，所述蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。
3.根据权利要求2的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构包括第一主体和第二主体；所述第一主体设置在所述第二主体上方；所述第一主体的顶端是蓝膜接触面，所述蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形。
4.根据权利要求1的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端形成凸台和扩晶环支持面，放在所述扩晶环支持面上的内扩晶环的顶端的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。
5.根据权利要求4的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构包括第一主体和第二主体；所述第一主体设置在所述第二主体上方；所述第一主体的顶端形成凸台和扩晶环支持面。
6.根据权利要求1的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面；所述顶膜结构的顶端形成扩晶环槽；所述扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述扩晶环槽的深度等于或大于内扩晶环或外扩晶环的宽度；所述扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分:内蓝膜接触面和外蓝膜接触面；所述外蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。
7.根据权利要求6的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构包括第一主体和第二主体；所述第一主体设置在所述第二主体上方；所述第一主体的顶端形成扩晶环槽；所述扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分:内蓝膜接触面和外蓝膜接触面；所述外蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形。
8.一种扩晶机，其特征在于，所述扩晶机包括:框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构、附件；所述附件设置在所述顶膜结构的顶端的外周，所述附件的顶端的表面与所述顶膜结构的顶端的表面在同一平面，所述顶膜结构及附件沿竖直方向往返运动；所述压膜结构设置在所述框架结构上方，压紧和放松十字形蓝膜；所述压环结构设置在所述顶膜结构的上方，扩张后，所述压环结构下降，使得扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态；所述附件的顶端的表面是蓝膜接触面，使得十字形蓝膜沿晶元的芯片切割道方向扩张。
9.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，所述附件的顶端的表面的蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元的芯片切割道方向扩张。
10.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端形成凸台和扩晶环支持面；所述扩晶环支持面的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述凸台的高度等于或大于内扩晶环或外扩晶环的宽度。
11.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端形成扩晶环槽；所述扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述扩晶环槽的深度等于或大于内扩晶环的宽度；所述扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分:内蓝膜接触面和外蓝膜接触面。
12.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，在所述附件的靠近所述附件的通孔的位置处形成附件上的内扩晶环支持面；所述附件上的内扩晶环支持面的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述附件上的内扩晶环支持面的深度等于或者大于内扩晶环的宽度。
13.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，所述附件的顶端形成附件上的扩晶环槽，所述附件上的扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述附件上的扩晶环槽的深度等于或者大于内扩晶环的宽度。
14.一种扩晶机，其特征在于，所述扩晶机包括:框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构、附件；所述附件设置在所述顶膜结构的顶端的外周，所述附件的顶端的表面与所述顶膜结构的顶端的表面在同一平面，所述顶膜结构及附件沿竖直方向往返运动；所述压膜结构设置在所述框架结构上方，压紧和放松十字形蓝膜；所述压环结构设置在所述顶膜结构的上方，扩张后，所述压环结构下降，使得扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态；所述附件的顶端的外侧形成附件上的外扩晶环支持面，所述附件上的外扩晶环支持面的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述附件上的外扩晶环支持面的深度等于或者大于内扩晶环的宽度；放在所述附件上的外扩晶环支持面上的内扩晶环的顶端的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。
15.根据权利要 求8或权利要求14的扩晶机，其特征在于，所述附件具有加热结构。
【文档编号】H01L21/67GK104008986SQ201410205369
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年5月12日 优先权日:2014年5月12日
【发明者】彭晖 申请人:佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心, 彭晖