一种二氧化硅薄膜片回收方法
【专利摘要】本发明提供了一种二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步骤：1)选取做过监控工艺的二氧化硅薄膜片；2)将选取的二氧化硅薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分钟；3)将二氧化硅薄膜片取出后用去离子水冲洗并甩干；4)将二氧化硅薄膜片放入加温到70℃的氨水：双氧水＝4：1的溶液中，持续20-25分钟后取出；5)将二氧化硅薄膜片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。上述回收方法采用加温后的氨水和双氧水混合溶液可以将互溶的部分腐蚀，并使残留物脱落，后经去离子水冲洗而完全去除。确保回收后的二氧化硅薄膜片无残留，提高了二氧化硅薄膜片的利用率。从而降低了在线成本，增加了在线工艺监控的效率。
【专利说明】一种二氧化硅薄膜片回收方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体生产技术，具体地，本发明涉及一种半导体生产技术中用于监控的二氧化硅薄膜片的回收方法。
【背景技术】
[0002]在半导体生产中为了监控在线工艺的稳定性，工艺工程师总会定期对某个工艺菜单进行监控。用来监控的硅片习惯上被称为QC片。QC片数量比较多，如果能重复利用可以大大降低在线成本。所以QC片的回收工艺方法变得十分重要。
[0003]传统的二氧化硅薄膜QC片回收工艺为:先用高浓度的氢氟酸进行全剥，然后用去离子水冲洗。该种方法由于高温退火后的二氧化硅薄膜QC片上的薄膜与硅片本身有一定的互溶，这种现象导致薄膜本身很难去除。回收后表面容易出现残留，强光下可以看到很多白色颗粒(残留的二氧化硅颗粒)。此种QC片如果再次用做生产监控，会出现QC片表面发白的现象。这样一来就无法起到监控的效果。
【发明内容】
[0004]针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种二氧化硅薄膜片的回收方法。其能够将用来监控的硅片实现无残留回收，以解决现有技术中二氧化硅薄膜片的回收工艺存在的问题。
[0005]一种二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步骤:
[0006]I)选取做过监控工艺的二氧化硅薄膜片；
[0007]2)将选取的二氧化硅薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分钟；
[0008]3)将二氧化硅薄膜片取出后用去离子水冲洗并甩干；
[0009]4)将二氧化硅薄膜片放入加温到50?70°C的氨水:双氧水=3:1?6:1溶液中，持续20-25分钟后取出；
[0010]5)将二氧化硅薄膜片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。
[0011]特别地，所述步骤2)中的酸溶液采用49%浓度的氢氟酸。
[0012]特别地,所述步骤4)中优选氨水:双氧水=4:1的溶液。
[0013]与现有技术相比，本发明一种二氧化硅薄膜片的回收方法采用加温后的氨水和双氧水混合溶液可以将互溶的部分腐蚀，并使残留物脱落，后经去离子水冲洗而完全去除。确保回收后的二氧化硅薄膜片无残留，提高了二氧化硅薄膜片的利用率。降低了原有方法下的不良二氧化硅薄膜片的机率。从而降低了在线成本，增加了在线工艺监控的效率。
【具体实施方式】
[0014]为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
[0015]实施例1[0016]一种二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步骤:
[0017]1、选取做过监控工艺的二氧化硅薄膜QC片一掺锗(GE)的二氧化硅QC片；
[0018]2、用49%浓度的氢氟酸浸泡15分钟；
[0019]3、将二氧化硅薄膜QC片取出后用去离子水冲洗并甩干；
[0020]4、再将二氧化硅薄膜QC片放入加温到70°C的氨水:双氧水=3:1的溶液中，持续25分钟后取出；
[0021]5、再将二氧化娃薄膜QC片取出用去尚子水冲洗甩干后,待用。表面干净。
[0022]实施例2
[0023]一种二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步骤:
[0024]1、选取做过监控工艺的二氧化硅薄膜QC片一掺硼⑶磷⑵的二氧化硅QC片；
[0025]2、用49%浓度的氢氟酸浸泡20分钟；
[0026]3、将二氧化硅薄膜QC片取出后用去离子水冲洗并甩干；
[0027]4、再将二氧化硅薄膜QC片放入加温到70°C的氨水:双氧水( = 5:1的溶液中，持续20分钟后取出
[0028]5、再将二氧化娃薄膜QC片取出用去尚子水冲洗甩干后,待用。表面干净。
[0029]实施例3:
[0030]一种二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步骤:
[0031]1、选取做过监控工艺的二氧化硅薄膜QC片一掺锗(GE)的二氧化硅QC片；
[0032]2、用49%浓度的氢氟酸浸泡20分钟；
[0033]3、将二氧化硅薄膜QC片取出后用去离子水冲洗并甩干；
[0034]4、再将二氧化硅薄膜QC片放入加温到60°C的氨水:双氧水=6:1的溶液中，持续20分钟后取出；
[0035]5、再将二氧化娃薄膜QC片取出用去尚子水冲洗甩干后,待用。表面干净。
[0036]上面实例中不同的参数，是由于不同的薄膜性质来决定的。
[0037] 申请人:声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属【技术领域】的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
【权利要求】
1.一种二氧化硅薄膜片的回收方法，其特征在于:其包括以下步骤: 1)选取做过监控工艺的二氧化硅薄膜片； 2)将选取的二氧化娃薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分钟； 3)将二氧化硅薄膜片取出后用去离子水冲洗并甩干； 4)将二氧化硅薄膜片放入加温到50~70°C的氨水:双氧水=3:1~6:1溶液中，持续20-25分钟后取出； 5)将二氧化硅薄膜片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。
2.如权利要求1所述的二氧化硅薄膜片的回收方法，其特征在于，所述步骤2)中的酸溶液采用49%浓度的氢氟 酸。
3.如权利要求1所述的二氧化硅薄膜片的回收方法，其特征在于，所述步骤4)中优选氨水:双氧水=4:1的溶液。
【文档编号】H01L21/02GK104022019SQ201410276440
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年6月19日 优先权日:2014年6月19日
【发明者】吕耀安, 翟继鑫 申请人:无锡宏纳科技有限公司