一种电容介质沉淀方法
【专利摘要】一种电容介质沉淀方法，属于电子制备工艺领域。包括如下步骤：（1）首先在半绝缘的GaAs衬底上通过PECVD方法生长100nmSiN；（2）接着采用电子束蒸发Ti/Pt/Au/Ti多层金属作为电容下电极；（3）电容上电极通过溅射200nmWIi/Au/Ti多层金属来形成；（4）最后电镀Au层对电极进行加厚完成电容制作。通过对优化的HDPCVD淀积工艺进行了电容的制备。对比传统的PECVD工艺，HDPCVD工艺充分体现了低温生长、低漏电、较高击穿场强。本发明所述电容介质沉淀方法操作简单且易于推广。
【专利说明】一种电容介质沉淀方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电子制备工艺领域，尤其涉及一种电容介质沉淀方法。
【背景技术】
[0002]传统高性能的GaN微波集成单片电路电容大都采用PECVD沉积SiN介质，反应气体为SiH4/NH3/N2，温度在20(T30(TC之间，以保证实现高的击穿场强。随着微波集成单片电路性能的不断提升，高质量薄膜也出现了一系列新的要求，诸如介质的高致密性、低氢含量以避免杂质和水汽、低温沉淀从而减小表面损伤以及底本征应力以减少晶格缺陷。对于PECVD生长的介质不够致密，无法保证有效阻止水汽及外界H原子的渗透。
【发明内容】
[0003]本发明旨在解决上述问题，提供一种电容的介质沉淀方法。
[0004]—种电容的介质沉淀方法,其特征在于包括如下步骤:(1)首先在半绝缘的GaAs衬底上通过PECVD方法生长10nmSiN ；(2)接着采用电子束蒸发Ti/Pt/Au/Ti多层金属作为电容下电极；(3)电容上电极通过溅射200nmWIi/Au/Ti多层金属来形成；(4)最后电镀Au层对电极进行加厚完成电容制作。
[0005]本发明所述的一种电容介质沉淀方法，其特征在于所述电容下电极的总厚度为600nmo
[0006]本发明所述的一种电容介质沉淀方法，其特征在于所述电容介质的制备条件为:SiH4/Ar/N2=9.5/15/7ml/min，上下电极功率为 1300/0W,气压 666.61mPa，温度为 170°C。
[0007]本发明所述的一种电容介质沉淀方法，其特征在于所述电容介质层的生长，采用型号为VLN-LL-HDPCVD介质生长台，厚度为235nm。
[0008]本发明所述的一种电容介质沉淀方法，通过对优化的HDPCVD淀积工艺进行了电容的制备。对比传统的PECVD工艺，HDPCVD工艺充分体现了低温生长、低漏电、较高击穿场强。本发明所述电容介质沉淀方法操作简单且易于推广。
【具体实施方式】
[0009]本发明一种电容的介质沉淀方法，其特征在于包括如下步骤:(1)首先在半绝缘的GaAs衬底上通过PECVD方法生长10nmSiN ; (2)接着采用电子束蒸发Ti/Pt/Au/Ti多层金属作为电容下电极；(3)电容上电极通过溅射200nmWIi/Au/Ti多层金属来形成；(4)最后电镀Au层对电极进行加厚完成电容制作。
[0010]本发明所述的一种电容介质沉淀方法，所述电容下电极的总厚度为600nm。
[0011]本发明所述的一种电容介质沉淀方法，所述电容介质的制备条件为:SiH4/Ar/Ν2=9.5/15/7ml/min，上下电极功率为 1300/0W,气压 666.61mPa，温度为 170°C。
[0012]本发明所述的一种电容介质沉淀方法，所述电容介质层的生长，采用型号为VLN-LL-HDPCVD介质生长台，厚度为235nm。
【权利要求】
1.一种电容的介质沉淀方法,其特征在于包括如下步骤:(I)首先在半绝缘的GaAs衬底上通过PECVD方法生长10nmSiN ；(2)接着采用电子束蒸发Ti/Pt/Au/Ti多层金属作为电容下电极；(3)电容上电极通过溅射200nmWIi/Au/Ti多层金属来形成；(4)最后电镀Au层对电极进行加厚完成电容制作。
2.如权利要求1所述的一种电容介质沉淀方法，其特征在于所述电容下电极的总厚度为 600nm。
3.如权利要求1所述的一种电容介质沉淀方法，其特征在于所述电容介质的制备条件为:SiH4/Ar/N2=9.5/15/7ml/min，上下电极功率为 1300/0W,气压666.61mPa，温度为 170°C。
4.如权利要求1所述的一种电容介质沉淀方法，其特征在于所述电容介质层的生长，采用型号为VLN-LL-HDPCVD介质生长台，厚度为235nm。
【文档编号】H01L21/02GK104269344SQ201410408140
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年8月19日 优先权日:2014年8月19日
【发明者】贾卫东, 魏军锋 申请人:西安三威安防科技有限公司